JP2008251576A - SiC半導体装置の製造方法 - Google Patents
SiC半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008251576A JP2008251576A JP2007087249A JP2007087249A JP2008251576A JP 2008251576 A JP2008251576 A JP 2008251576A JP 2007087249 A JP2007087249 A JP 2007087249A JP 2007087249 A JP2007087249 A JP 2007087249A JP 2008251576 A JP2008251576 A JP 2008251576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic substrate
- sic
- semiconductor device
- manufacturing
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】SiC基板を準備する第1の工程と、SiC基板に対してイオンを注入する第2の工程と、SiC基板をアニール装置の加熱炉において、約1500℃乃至約2000℃で加熱する第3の工程と、SiC基板を約500℃/分乃至約2000℃/分の割合で、常温まで冷却する第4の工程とを含む。
【選択図】図2
Description
一般に、SiC基板に所定の導電型の拡散領域を形成する場合には、Si基板の場合と同様に、SiC基板に対して不純物としてのイオンを注入する工程と、この不純物を活性化する活性化アニール工程とを行う。そして、活性化アニール工程の後には、炉内でガス流によりSiC基板を冷却する工程を行う(例えば、特許文献1)。
従って、活性化アニール工程後の冷却時間の短縮は、SiC半導体装置(デバイス)を製造する上で解決すべき課題となっていた。
そこで、本発明は、上記課題を鑑み、SiC半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
本発明の別の一態様に係るSiC半導体装置の製造方法は、SiC基板を準備する第1の工程と、SiC基板に対してイオンを注入する第2の工程と、SiC基板をアニール装置の加熱炉において、約1500℃乃至約2000℃で加熱する第3の工程と、SiC基板を炉内で冷却して温度が約300℃乃至約1000℃になった後に、SiC基板を約500℃/分乃至約2000℃/分の割合で、常温まで冷却する第4の工程とを備える。
また、アニール装置内部で冷却を行うことが可能になるので、高温のSiC基板に作業者が触れることが全くなく、作業者の安全を確保することができる、という優れた効果を奏し得る。
図1は、本発明を実施するSiC半導体装置を製造する方法の一形態である。
図1は、本発明の一実施例に係る半導体素子製造装置100である。半導体製造装置100は、熱処理室(アニール装置の加熱炉)101とロードロック室102とを備える。熱処理室101は、SiC基板を加熱処理するために用いられる。ロードロック室102は、大気を遮断するために用いられる。断熱材やサセプタ105の炭素が大気により酸化され燃えてしまうのを避けるためである。
半導体素子製造装置100は、更に、熱処理室101とロードロック室102との間に、ゲートバルブ103を設ける。ゲートバルブ103を開閉することにより、熱処理室101とロードロック室102との間を仕切ることができる。
半導体素子製造装置100は、更に、試料搬送棒104のような搬送手段を備える。試料搬送棒104は、SiC基板 を載せたサセプタ105を備え、サセプタ105を熱処理室101とロードロック室102の液体槽(タンク)106との間で移動させることができる。
ロードロック室102は、更に、試料交換口107を備え、サセプタ105上の試料を交換することができる。ロードロック室102は、更に、ガス導入口108と排気口109とを備える。ガスはガス導入口108から導入され、排気口109へ排出される。
熱処理室101は、RF(Radio Frequency)コイル110と、ガス導入口111と、排気口112とを備える。RFコイル110は、SiC基板を加熱するために用いられ、これ以外の加熱手段も適用可能である。
なお、ガス(主に不活性ガス)は、ガス導入口から導入され、排気口へ排出される。SiC基板が酸素に触れて、酸化することを避けるためである。
はじめに、図2の201に示すような温度プロファイルを実施するSiC半導体装置の製造方法について説明する。
イオン注入済みのSiC基板をサセプタ105に取り付け、熱処理室101へ移動させる。熱処理室101およびロードロック室102を真空引きして大気を除去し、続いてアルゴンガスを両チャンバ(熱処理室101およびロードロック室102)内に大気圧まで導入する。ゲートバルブ103を閉じ、活性化アニール工程を行う。本実施例では、SiC基板を熱処理室(アニール装置の加熱炉)101で、所定の温度に加熱する。好適には、約1500℃〜約2000℃に加熱する。これにより、SiCの基板内の不純物を活性化することができる。
なお、本実施例では、約500℃/分〜約2000℃/分の割合で、常温まで冷却する例について示したが、上記よりも緩やかな割合で常温まで冷却するような態様も本発明が適用可能である。
また、サセプタ105を液体槽106の液体アルゴンの中に浸けている工程において、サセプタ105の温度が下がっている最中に、例えば、サセプタの温度が所定の温度(例えば、0℃近辺やロードロック室の室温近辺)まで下がったことを検知して、液体槽106からサセプタ105を取り出すような構成を用いてもよい。
本実施例のSiC半導体装置の製造方法では、アニール工程後にSiC基板を純水で急速に冷却するので、活性化アニール工程後の冷却時間を短縮することが可能になる。
SiCをサセプタ105に取り付け、SiC基板を熱処理室(アニール装置の加熱炉)101で、所定の温度に加熱する、好適には約1500℃〜約2000℃に加熱する。ここまでは、前述の実施例と同様である。
本実施例では、加熱後、炉内のガス流で冷却をおこない、SiC基板の温度が所定の温度まで下がるのを待つ。好適には、SiC基板の温度が約300℃乃至約1000℃にまで下がるのを待つ。本実施例では、図2の202に示すように、ガス流によりSiC基板の温度を約1000℃まで冷却した場合を示している。この温度は、要求される冷却時間との関係で決められるものであり、約1000℃より低い(または高い)温度にまで下がるのを待つような温度プロファイルを用いてもよい。その後、SiC基板を冷却槽106に浸け、SiC基板を所定の割合で、好適には約500℃/分〜約2000℃/分の割合で、常温まで冷却する。
本実施例では、SiC基板の加熱後すぐに急冷するのではなく、SiC基板をガス流等により緩やかに冷却して所定の温度まで下げた後に、急冷することにより、SiCを製造する。急速な冷却工程によるSiC基板その他に及ぶ影響を考慮する場合に、本実施例が適用できる。
そして、この後の工程は、前述の実施例と同様である。
101 熱処理室
102 ロードロック室
103 ゲートバルブ
104 試料搬送棒
105 サセプタ
106 液体槽
107 試料交換口
108、111 ガス導入口
109、112 排気口
110 RFコイル
Claims (6)
- SiC基板を準備する第1の工程と、
前記SiC基板に対してイオンを注入する第2の工程と、
前記SiC基板をアニール装置の加熱炉において、約1500℃乃至約2000℃で加熱する第3の工程と、
前記SiC基板を約500℃/分乃至約2000℃/分の割合で、常温まで冷却する第4の工程と、
を含むことを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。 - SiC基板を準備する第1の工程と、
前記SiC基板に対してイオンを注入する第2の工程と、
前記SiC基板をアニール装置の加熱炉において、約1500℃乃至約2000℃で加熱する第3の工程と、
前記SiC基板を炉内で冷却して温度が約300℃乃至約1000℃になった後に、前記SiC基板を約500℃/分乃至約2000℃/分の割合で、常温まで冷却する第4の工程と、
を含むことを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。 - 前記第4の工程において、SiC基板を純水で冷却することを特徴とする請求項1又は請求項2記載のSiC半導体装置の製造方法。
- 前記純水が前記アニール装置に設けたタンクに貯留されていることを特徴とする請求項記載3のSiC半導体装置の製造方法。
- 前記アニール装置が前記SiC基板を前記加熱炉から搬出して前記タンクに搬入する搬送手段を有していることを特徴とする請求項4記載のSiC半導体装置の製造方法。
- 前記アニール装置が前記純水を前記タンクから前記加熱炉に導入する導入水路を有していることを特徴とする請求項4記載のSiC半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007087249A JP5037988B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | SiC半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007087249A JP5037988B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | SiC半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008251576A true JP2008251576A (ja) | 2008-10-16 |
JP5037988B2 JP5037988B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=39976233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007087249A Expired - Fee Related JP5037988B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | SiC半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5037988B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012169542A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04504634A (ja) * | 1989-04-14 | 1992-08-13 | イギリス国 | シリコン中の置換炭素 |
JP2000031150A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン基板の熱処理方法及びその基板、その基板を用いたエピタキシャルウエーハ |
JP2001518706A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | インプランテーションによってドープされたシリコンカーバード半導体を熱的に回復させる方法 |
JP2002261101A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2003077855A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Denso Corp | 熱処理装置、熱処理方法 |
JP2004006867A (ja) * | 2000-04-21 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体層の形成方法 |
JP2004131328A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ |
JP2005197464A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006339396A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Kwansei Gakuin | イオン注入アニール方法、半導体素子の製造方法、及び半導体素子 |
JP2008117921A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体処理装置 |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007087249A patent/JP5037988B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04504634A (ja) * | 1989-04-14 | 1992-08-13 | イギリス国 | シリコン中の置換炭素 |
JP2001518706A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | インプランテーションによってドープされたシリコンカーバード半導体を熱的に回復させる方法 |
JP2000031150A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン基板の熱処理方法及びその基板、その基板を用いたエピタキシャルウエーハ |
JP2004006867A (ja) * | 2000-04-21 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体層の形成方法 |
JP2002261101A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2003077855A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Denso Corp | 熱処理装置、熱処理方法 |
JP2004131328A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ |
JP2005197464A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006339396A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Kwansei Gakuin | イオン注入アニール方法、半導体素子の製造方法、及び半導体素子 |
JP2008117921A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012169542A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5037988B2 (ja) | 2012-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102028779B1 (ko) | 기판의 선택적 산화를 위한 방법 및 장치 | |
EP1388891B1 (en) | System for heat treating semiconductor | |
JP4644943B2 (ja) | 処理装置 | |
US7915179B2 (en) | Insulating film forming method and substrate processing method | |
JPH10107018A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
JPH07283160A (ja) | 熱処理装置 | |
KR20160046786A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 열처리방법 | |
JP5037988B2 (ja) | SiC半導体装置の製造方法 | |
JP2010109335A (ja) | シリコン酸化膜の除去方法及び処理装置 | |
JP2015002339A (ja) | 基板処理装置、基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP3207402B2 (ja) | 半導体用熱処理装置および半導体基板の熱処理方法 | |
JP2008028307A (ja) | 基板の製造方法及び熱処理装置 | |
JP2003031571A (ja) | 炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法 | |
JPH11186257A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20140349491A1 (en) | Methods and apparatus for selective oxidation of a substrate | |
JP2011066187A (ja) | 成膜方法及び処理システム | |
JP2008283143A (ja) | 処理装置、トランジスタ製造方法 | |
JP5109588B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP4829013B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 | |
JP2005123284A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2001156011A (ja) | 半導体ウェーハ熱処理装置 | |
JP2004281674A (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
JP5145792B2 (ja) | 枚葉式の熱処理装置及び熱処理方法 | |
JP2010040550A (ja) | シリコンウエハ及び/又はシリコン系部材の洗浄方法 | |
JPS5856341A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120703 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120705 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5037988 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |