JP2003031571A - 炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＳｉＣ上に形成する酸化膜中にＣを含む遷移
層の形成を抑制し、界面準位密度Ｄｉｔを低減すること
によりＭＯＳトランジスタのキャリア移動度を向上させ
て素子の性能を向上させる。 【解決手段】 ＳｉＣ基板を反応管へ導入し（Ｓ１
０）、反応管内の雰囲気を不活性ガスに置換し（Ｓ１
２，Ｓ１４）、ＳｉＣ基板を不活性ガス雰囲気中で酸化
温度まで上昇させ（Ｓ１６）、不活性ガス雰囲気を酸化
性ガス雰囲気に置換し（Ｓ１８，Ｓ２０）、酸化性ガス
雰囲気中でＳｉＣ基板を所定の時間酸化し（Ｓ２２）、
酸化性ガス雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換し（Ｓ２
４，Ｓ２６）、不活性ガス雰囲気中でＳｉＣ基板の温度
を降下させ（Ｓ２８）、その後ＳｉＣ基板を取り出す
（Ｓ３０）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素半導体の
表面に熱酸化膜を形成する炭化珪素半導体の酸化膜の形
成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、炭化珪素（シリコンカーバイド、
以下化学記号のＳｉＣを用いる）の熱的、化学的に非常
に安定な性質を利用した半導体素子の研究が盛んに行わ
れている。炭化珪素の結晶は、ＳｉＣ₄とＣＳｉ₄が相互
に入り組んだ形をとり、六方晶のα型と、立方晶のβ型
に大別される。これらには、２Ｈ，３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ，
１５Ｒ等、多くの多形（polytypism）が存在する。

【０００３】またＳｉＣは、シリコン（Ｓｉ）に比べエ
ネルギーギャップＥｇが大きく、例えば４Ｈタイプの結
晶ではＥｇ＝３．３〔ｅＶ〕であることから、電気的な
耐圧特性に優れ、電力制御用素子等への応用が期待され
ている。例えば、負荷側への電力をコントロールするス
イッチング素子としてＭＯＳ構造を有するデバイスがあ
る。ＳｉＣを用いた素子の基本的な構造は、従来からシ
リコン半導体で行われてきた構造を路襲しているが、Ｓ
ｉＣにおいては、シリコンと異なる物性のため幾つかの
点で全く同じ構造とすることが困難である。

【０００４】その一つに、良質なシリコン酸化膜、ある
いはシリコン酸化膜／ＳｉＣ界面の形成が困難であるこ
と挙げられる。

【０００５】Ｓｉの場合、１０００℃前後の高温で乾燥
酸素（ＤｒｙＯ₂）あるいは水蒸気（Ｈ₂Ｏ）などの酸化
性雰囲気に晒すことにより、容易に良質な熱酸化膜を形
成することができる。勿論このような背景には、非常に
純度に高く、欠陥の少ない良質な結晶が得られること、
および、熱酸化膜形成の直前に行う洗浄工程が確立され
ていることは言うまでもないが、そもそもＳｉ結晶は単
一原子であるのに対して、ＳｉＣはＳｉとＣの化合物で
あるということに起因する。

【０００６】すなわち、ＳｉＣの表面に熱酸化膜を形成
するということは、ＳｉＣのＳｉを酸化してＳｉＯ₂の
酸化膜を形成する一方、ＳｉＣのＣを酸化してＣＯまた
はＣＯ₂として除去する必要がある。

【０００７】図４は従来のＳｉＣの酸化膜形成方法を表
す温度ダイアグラムである。ＳｉＣ基板の反応管への導
入から酸化温度、例えば、１１００℃まで昇温する間
は、ＳｉＣ基板表面は、酸素及び水分を含む大気に晒さ
れる。

【０００８】次いで、酸化温度への昇温が完了した後に
酸化性の雰囲気、例えば、酸素、或いは水蒸気と酸素の
混合ガスで反応管内部を置換し、ＳｉＣ基板の酸化を開
始する。

【０００９】所定の酸化時間が完了した後に、酸化性の
雰囲気を不活性ガスに置換して、ＳｉＣ基板を反応管か
ら導出するための温度まで降温する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の酸化膜形成方法により形成した熱酸化膜は、酸化膜
／ＳｉＣ界面に多量の界面準位が存在し、このために、
ＭＯＳ構造における表面のキャリア移動度が低下し、高
速で動作するＭＯＳ素子が得られないと言う問題点があ
った。

【００１１】この酸化膜／ＳｉＣ界面に多量の界面準位
が存在する理由は、以下によると考えられる。ＳｉＣの
熱酸化を行うと、酸化反応が進むのに従ってＳｉのみな
らずＣが酸化される。酸化反応における温度条件にもよ
るがＣは酸化によってＣＯ、ＣＯ₂の形態を取ると考え
られるが、これらが酸化膜／ＳｉＣ界面から速やかに離
脱し、既に形成されている酸化膜を拡散して反応の系外
に排出されないと、酸化膜あるいは酸化膜／ＳｉＣ界面
付近に停滞し、ＳｉＣ_4-XＯ_XのようなＣ遷移層を形成す
る。

【００１２】一般に、このＣ遷移層が形成されると、Ｃ
遷移層中にＳｉのダングリングボンドを多く含み、これ
を起源として界面準位が形成される。この界面準位の密
度Ｄｉｔは、Ｓｉ上に形成した酸化膜ではおよそ１０¹⁰
〜１０¹¹ｃｍ^-2ｅＶ^-1であるが、４Ｈ−ＳｉＣ上に形成
した酸化膜ではこれより１桁以上大きく、このことがＳ
ｉＣのＭＯＳ構造における表面のキャリア移動度を低下
させる原因の一つと考えられる。

【００１３】本発明は、上記問題点に鑑み、ＳｉＣ上に
形成する酸化膜中にＣを含む遷移層の形成を抑制し、界
面準位密度Ｄｉｔを低減することによりＭＯＳトランジ
スタのキャリア移動度を向上させて素子の性能を向上さ
せることを目的とする。

【００１４】例えば本発明をｎチャネル型ＭＯＳトラン
ジスタに適用すれば、チャネル領域に形成した反転層に
よるチャネル抵抗を小さくできるので、トランジスタの
オン抵抗を低減でき効率よく電流を制御することが可能
となる。

【００１５】また、酸化膜／半導体界面に欠陥が多く含
まれると、たとえば上記のようにＭＯＳトランジスタを
ＯＮさせたときに、これらの欠陥を介してキャリアであ
る電子が酸化膜に注入されるので、酸化膜の絶縁耐圧が
経時的に劣化しやすくなる。

【００１６】本発明によれば酸化膜／ＳｉＣ界面にＣ遷
移層を形成させないので、ダングリングボンドに起因す
る欠陥が少なく、そのため従来のＣ遷移層を含む酸化膜
に比べて酸化膜中に電子が注入されにくい。このように
経時的なデバイスの相互コンダクタンスｇｍなどの特性
劣化や、酸化膜そのものの絶縁破壊が起きにくくなり素
子の信頼性も向上するという利点があるので、産業上極
めて有用である。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
上記目的を達成するため、炭化珪素半導体の表面に熱酸
化膜を形成する炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法にお
いて、熱酸化膜を形成する所望の温度においてのみ前記
炭化珪素半導体の周囲に酸化性ガス雰囲気を形成して、
該炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成することを要
旨とする。

【００１８】請求項２記載の発明は、上記目的を達成す
るため、請求項１記載の炭化珪素半導体の酸化膜の形成
方法において、炭化珪素半導体を不活性ガス雰囲気中で
所望の温度まで上昇させる昇温工程と、前記不活性ガス
雰囲気を酸化性ガス雰囲気に置換する第１の雰囲気置換
工程と、前記酸化性ガス雰囲気中で前記所望の温度で前
記炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成する酸化膜形
成工程と、前記酸化性ガス雰囲気を不活性ガス雰囲気に
置換する第２の雰囲気置換工程と、前記不活性ガス雰囲
気中で前記炭化珪素半導体の温度を降下させる降温工程
と、を備えたことを要旨とする。

【００１９】請求項３記載の発明は、上記目的を達成す
るため、請求項１または請求項２記載の炭化珪素半導体
の酸化膜の形成方法において、前記不活性ガスは、窒素
またはアルゴンであることを要旨とする。

【００２０】請求項４記載の発明は、上記目的を達成す
るため、請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の
炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法において、前記酸化
ガスは、酸素または水蒸気または両者の混合ガスである
ことを要旨とする。

【００２１】請求項５記載の発明は、上記目的を達成す
るため、請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の
炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法において、前記所望
の温度は、１１００℃以上１２００℃以下であることを
要旨とする。

【００２２】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、炭化珪素
半導体の表面に熱酸化膜を形成する炭化珪素半導体の酸
化膜の形成方法において、熱酸化膜を形成する所望の温
度においてのみ前記炭化珪素半導体の周囲に酸化性ガス
雰囲気を形成して、該炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜
を形成するようにしたので、酸化膜／ＳｉＣ界面の界面
準位密度を低減できるようになり、例えばＭＯＳトラン
ジスタのゲート酸化膜ではチャネルが形成されたときの
キャリアの移動度を高くし、高速で動作する素子を形成
することができるという効果がある。

【００２３】また、酸化膜中にトラップが少ないので、
トランジスタ駆動時に基板であるＳｉＣから酸化膜に注
入される電子によって引き起こされる酸化膜の経時劣化
を抑制し、高い信頼性を長期間に亘って保持することが
できるという効果がある。

【００２４】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明の効果に加えて、炭化珪素半導体を不活性ガス
雰囲気中で所望の温度まで上昇させる昇温工程と、前記
不活性ガス雰囲気を酸化性ガス雰囲気に置換する第１の
雰囲気置換工程と、前記酸化性ガス雰囲気中で前記所望
の温度で前記炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成す
る酸化膜形成工程と、前記酸化性ガス雰囲気を不活性ガ
ス雰囲気に置換する第２の雰囲気置換工程と、前記不活
性ガス雰囲気中で前記炭化珪素半導体の温度を降下させ
る降温工程と、を備えたことにより、酸化反応の初期に
形成されるＣ遷移層を最も効果的に抑制できるので、界
面準位密度の更なる低減と、さらには熱酸化膜形成の酸
化速度も向上するので、効率よく酸化処理を進めること
ができるという効果がある。

【００２５】請求項３記載の発明によれば、請求項１ま
たは請求項２記載の発明の効果に加えて、前記不活性ガ
スは、窒素またはアルゴンとしたので、半導体製造工程
に通常利用される不活性ガスを利用できるという効果が
ある。

【００２６】請求項４記載の発明によれば、請求項１な
いし請求項３記載の発明の効果に加えて、前記酸化ガス
は、酸素または水蒸気または両者の混合ガスとしたの
で、半導体製造工程に通常利用される酸化ガスを利用で
きるという効果がある。

【００２７】請求項５記載の発明によれば、請求項１な
いし請求項４記載の発明の効果に加えて、前記所望の温
度は、１１００℃以上１２００℃以下であるようにした
ので、酸化膜の形成速度とＳｉＣ基板からＣＯ及びＣＯ
₂の効果的な除去とを両立させることができるという効
果がある。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に図面を参照して、本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図２は、本発明に係る炭化
珪素半導体の酸化膜の形成方法に用いられる酸化炉の例
を示す模式図である。図２において、酸化炉１００は、
略円筒形で一端部に開閉可能なドア１１０を有する石英
反応管１０１と、石英反応管１０１の周囲に設けられた
ヒータ１０２と、複数のＳｉＣ基板１０４を保持して石
英反応管１０１の内部に導入されるボート１０３と、石
英反応管１０１の他端部に設けられ、それぞれ不活性ガ
ス（実施形態では窒素）、酸化ガス（実施形態では、酸
素）を石英反応管に供給するガス供給管１０５，１０６
と、ガス供給管１０５上に設けられた不活性ガスバルブ
１０７と、ガス供給管１０６上に設けられた酸化ガスバ
ルブ１０８と、石英反応管１０１の一端部の近傍に設け
られ図外の排気ポンプに接続された排気管１０９とを備
えている。

【００２９】尚、ガス供給管１０５または１０６から供
給されるガスにより、石英反応管１０１内のガスが排気
管１０９を介して系外へ押し出され、図中左側から右側
へ順次ガス置換が起きるので、排気ポンプは必ずしも必
要ではない。また図示しないが、石英反応管１０１の内
部には、数カ所熱電対等の温度測定センサが設けられ、
石英反応管１０１内部の温度を計測できるようになって
いる。

【００３０】次に、本実施形態における炭化珪素半導体
の酸化膜の形成方法を各工程毎に説明する。酸化膜の形
成方法は、炭化珪素半導体を不活性ガス雰囲気中で所望
の温度まで上昇させる昇温工程と、不活性ガス雰囲気を
酸化性ガス雰囲気に置換する第１の雰囲気置換工程と、
酸化性ガス雰囲気中で前記所望の温度で炭化珪素半導体
の表面に熱酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、酸化性
ガス雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換する第２の雰囲気
置換工程と、不活性ガス雰囲気中で炭化珪素半導体の温
度を降下させる降温工程と、を備えている。

【００３１】図１は、本発明に係る炭化珪素半導体の酸
化膜の形成方法の一実施形態を説明するフローチャート
である。上記の各工程と図１のフローチャートのステッ
プとの対応は、以下の通りである。

【００３２】炭化珪素半導体を不活性ガス雰囲気中で所
望の温度まで上昇させる昇温工程は、ステップＳ１６に
対応する。不活性ガス雰囲気を酸化性ガス雰囲気に置換
する第１の雰囲気置換工程は、ステップＳ１８及びステ
ップＳ２０に対応する。酸化性ガス雰囲気中で所望の温
度で炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成する酸化膜
形成工程は、ステップＳ２２に対応する。酸化性ガス雰
囲気を不活性ガス雰囲気に置換する第２の雰囲気置換工
程は、ステップＳ２４及びステップＳ２６に対応する。
不活性ガス雰囲気中で炭化珪素半導体の温度を降下させ
る降温工程は、ステップＳ２８に対応する。

【００３３】図１において、まず、ＳｉＣ基板１０４を
保持したボート１０３をドア１１０から石英反応管１０
１の内部へ導入し、ドア１１０を閉じる（ステップＳ１
０）。次いで、石英反応管１０１内の空気を排気管１０
９を通じて排気ポンプにより排気する（ステップＳ１
２）。排気が完了すると排気ポンプを停止し、次いで、
不活性ガスバルブ１０７を開いて石英反応管１０１内へ
窒素を導入し、石英反応管１０１の内部が窒素で所望の
圧力まで充填されると不活性ガスバルブ１０７を閉じる
（ステップＳ１４）。次いで、この状態でヒータ１０２
に通電して石英反応管１０１を加熱し、石英反応管１０
１又はその内部のＳｉＣ基板が所望の酸化温度（例え
ば、１１００℃）になるまで昇温する（ステップＳ１
６）。

【００３４】次いで、石英反応管１０１内の窒素を排気
管１０９を通じて排気ポンプにより排気する（ステップ
Ｓ１８）。排気が完了すると排気ポンプを停止し、次い
で、酸化ガスバルブ１０８を開いて石英反応管１０１内
へ酸素を導入し、石英反応管１０１の内部が酸素で所望
の圧力まで充填されると、以下この圧力を次の酸化工程
であるステップＳ２２が終了するまで維持するように酸
化ガスバルブ１０８を制御する（ステップＳ２０）。こ
のとき、石英反応管１０１の内部の温度が低下しないよ
うに、言い換えればＳｉＣ基板１０４の温度が所望の酸
化温度から低下しないように、必要であれば、ガス供給
管１０６の周囲に余熱手段を設けて、酸素を余熱してか
ら石英反応管１０１へ導入する。

【００３５】次いで、ＳｉＣ基板の温度を所望の酸化温
度に維持しつつ、所定時間ＳｉＣ基板の酸化を行う（ス
テップＳ２２）。所定時間の酸化が終わると、酸化ガス
バルブ１０８を閉じて酸素の供給を停止し、石英反応管
１０１内の酸素を排気管１０９を通じて排気ポンプによ
り排気する（ステップＳ２４）。排気が完了すると排気
ポンプを停止し、次いで、不活性ガスバルブ１０７を開
いて石英反応管１０１内へ窒素を導入し、石英反応管１
０１の内部が窒素で所望の圧力まで充填されると不活性
ガスバルブ１０７を閉じる（ステップＳ２６）。

【００３６】次いで、この状態でヒータ１０２の通電量
を徐々に絞って石英反応管１０１の温度を低下させ、石
英反応管１０１又はその内部のＳｉＣ基板が例えば９０
０℃の取り出し温度になるまで降温する（ステップＳ２
８）。降温が完了すると、ドア１１０を開いて石英反応
管１０１内からＳｉＣ基板１０４を保持したボート１０
３を取り出す（ステップＳ３０）。

【００３７】尚、図２に示した酸化炉１００へのＳｉＣ
基板１０４の出し入れ時に空気の巻き込みを無くすた
め、ドア１１０の前に窒素チャンバや真空ロードロック
等を設ける場合には、図１のフローチャートでステップ
Ｓ１２又はＳ１４を省略することができる。

【００３８】図３は、実施形態の熱酸化のプログラムを
表すダイアグラムであり、横軸に処理時間の経過を示し
縦軸に温度の変化を示す。

【００３９】シリコン半導体の熱酸化方法では、熱酸化
のための反応管への導入、導出は７００〜９００℃前後
において行われるが、この理由は一般的な酸化の温度１
０００〜１２００℃の状態から大気即ち常温に直接取り
出すと、急激な温度変化によって熱歪みが生じるからで
ある。このことはシリコン半導体に限らず、本発明に関
るＳｉＣにおいても同様である。

【００４０】図３のａの期間、即ちＳｉＣ基板の反応管
への導入後、ＳｉＣ基板の温度を酸化温度（ここでは酸
化温度を１１００℃とする）まで上昇させる期間（ステ
ップＳ１６）までは、ＳｉＣ基板表面は非酸化性の雰囲
気に晒される。一例として、窒素やアルゴンなどの不活
性ガス中で処理するとよく、当然のことながらＳｉＣ表
面は酸化されることなく、熱酸化膜は形成されない。

【００４１】図には示していないが、予備排気室を持つ
反応管を用いて、一旦ＳｉＣ基板導入後に反応管内部を
真空引きした後に不活性ガスを満たすか、十分に不活性
ガスで置換した後に、酸化温度への昇温を行ってもよ
く、大気の巻き込みによる大気に含まれる酸素、水分に
よる予期しない酸化の進行を防ぐ手法もある。この手法
によれば、一層Ｃ遷移層の形成抑制に効果的である。

【００４２】次に図３のｂの期間、即ち酸化温度への昇
温が完了した後に酸化性の雰囲気、例えば、酸素、水蒸
気、あるいは水蒸気と酸素の混合ガスに反応管内部を置
換し（ステップＳ２０）、酸化を開始する（ステップＳ
２２）。

【００４３】この場合、酸化温度は高いほうがＳｉＣと
酸化種との反応によって発生するＣＯ、ＣＯ₂を効果的
に除去できるが、１２００℃より高い温度では形成され
た酸化膜そのものが気化しはじめるので、１２００℃以
下で行うことが望ましい。一方、酸化雰囲気にもよるが
１１００℃未満の温度で酸化しようとすると酸化速度が
遅くなり、総処理時間が長くなってしまうので産業上不
利である。このような理由から酸化温度としては、およ
そ１１００〜１２００℃で行うのが望ましい。

【００４４】次に図３のｃの期間、即ち所定の酸化時間
が完了した後に再び不活性ガスを導入して（ステップ２
６）、ＳｉＣ基板を導出するための温度まで降温する
（ステップＳ２８）。このとき図示していないが、酸化
温度を保ったまま、反応管内部に不活性ガスを導入し、
雰囲気を置換した後に降温してもよい。

【００４５】本発明者は以上のような方法により、酸化
温度１１００℃、酸素雰囲気中でおよそ５０〔ｎｍ〕厚
のゲート酸化膜を形成したＭＯＳキャパシタを作成し
た。比較のために酸化温度までの昇温過程において、雰
囲気を不活性ガスである窒素とした場合と、雰囲気を酸
素とした場合との２条件で酸化を行った。この結果、界
面準位密度Ｄｉｔは、以下の表１のように明確に差が見
られ、本発明による酸化膜形成方法が効果的にＤｉｔを
低減できることを確認した。

【００４６】

【表１】

【００４７】また、酸化速度の比較では上記温度、雰囲
気条件において、４２０分の酸化処理で比較したとこ
ろ、昇温時雰囲気窒素では３５〔ｎｍ〕、酸化雰囲気で
は２８〔ｎｍ〕の厚さの酸化膜がそれぞれ形成された。
このことから、本発明によれば、不活性ガス雰囲気中で
酸化温度まで昇温することにより、Ｃ遷移層の形成が抑
制され、酸化種、この場合は酸素が効果的に酸化膜・Ｓ
ｉＣ界面に供給されて高い酸化速度が得られたことを表
している。

【００４８】尚、上記実施形態では、酸化種として、酸
素を用いたが、これ以外に、水蒸気、または酸素と水蒸
気との混合ガスを用いてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る炭化珪素半導体の酸化膜の形成方
法を説明するフローチャートである。

【図２】本発明に係る炭化珪素半導体の酸化膜の形成方
法に用いられる酸化炉の例を示す模式図である。

【図３】実施形態の熱酸化のプログラムを表すダイアグ
ラムである。

【図４】従来の酸化プログラムを示すダイアグラムであ
る。

【符号の説明】

１００ 酸化炉 １０１ 石英反応管 １０２ ヒータ １０３ ボート １０４ ＳｉＣ基板 １０５ ガス供給管 １０６ ガス供給管 １０７ 不活性ガスバルブ １０８ 酸化ガスバルブ １０９ 排気管 １１０ ドア

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成
   する炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法において、 熱酸化膜を形成する所望の温度においてのみ前記炭化珪
   素半導体の周囲に酸化性ガス雰囲気を形成して、該炭化
   珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成することを特徴とす
   る炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法。
2. 【請求項２】 炭化珪素半導体を不活性ガス雰囲気中で
   所望の温度まで上昇させる昇温工程と、 前記不活性ガス雰囲気を酸化性ガス雰囲気に置換する第
   １の雰囲気置換工程と、 前記酸化性ガス雰囲気中で前記所望の温度で前記炭化珪
   素半導体の表面に熱酸化膜を形成する酸化膜形成工程
   と、 前記酸化性ガス雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換する第
   ２の雰囲気置換工程と、 前記不活性ガス雰囲気中で前記炭化珪素半導体の温度を
   降下させる降温工程と、 を備えたことを特徴とする請求項１記載の炭化珪素半導
   体の酸化膜の形成方法。
3. 【請求項３】 前記不活性ガスは、窒素またはアルゴン
   であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
   炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法。
4. 【請求項４】 前記酸化ガスは、酸素または水蒸気また
   は両者の混合ガスであることを特徴とする請求項１ない
   し請求項３のいずれか１項記載の炭化珪素半導体の酸化
   膜の形成方法。
5. 【請求項５】 前記所望の温度は、１１００℃以上１２
   ００℃以下であることを特徴とする請求項１ないし請求
   項４のいずれか１項記載の炭化珪素半導体の酸化膜の形
   成方法。