JP2011023508A - 炭化ケイ素半導体装置の製造装置、製造方法、製造に用いるサセプタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アニール工程において、原料ウェハのイオン注入面と、単結晶炭化ケイ素を材料とするダミーウェハとを離間して対向させ、原料ウェハのイオンが注入されていない面側に設置された加熱手段によって、原料ウェハを加熱し、ダミーウェハの原料ウェハと対向しない面側に設置された加熱手段によって、ダミーウェハを加熱する。原料ウェハの汚染や表面の組成比異常を防ぎ、原料ウェハをより均一に加熱できるため、原料ウェハの表面荒れをより効果的に抑制し、原料ウェハの品質にばらつきが生じることを抑制することができる。
【選択図】 図1
Description
以下、本発明の第1実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態の製造装置100を模式的に示す図である。図1では、加熱室110内に、サセプタ200、300を設置した状態が示されている。加熱室110には、ガス供給路130、減圧装置131が接続されている。尚、図1においては、製造装置100はサセプタ200、300を含んでいないが、製造装置100にサセプタ200、300が備え付けられていてもよい。
直径φ=100mm、厚さ:350μmの4H−SiCのN型のウェハの表面に、N型のエピタキシャル成長層(不純物濃度:5×1015cm−3、層厚さ:10μm)を成膜した。さらに、その表面(エピタキシャル成長層側)に、Alイオン注入を行い、P+型のJBS構造(ストライプ構造、不純物濃度:1×1019cm−3、ピッチ:5μm、幅:2μm、深さ:1.5μm)を形成した(図11参照)。
原料ウェハ710を、図12にその断面図を示す、サセプタ700に5枚設置した。サセプタ700は、図7に示すサセプタ200の変形例と同様に、ウェハポケット部701の底面703が、その中央部ほど低くなっている。この点において、サセプタ700は、図1〜3に示すサセプタ200と異なっており、その他の構成については、図1〜3に示すサセプタ200と同様である。図12に示すように、サセプタ700においては、原料ウェハ710の裏面中央部とウェハポケット部701の底面703の中央部との距離が80μmであり、ウェハ支持部702近傍の原料ウェハ710の裏面とウェハポケット部701の底面703との距離が50μmである。すなわち、ウェハ支持部702の高さは、底面703の周縁部に対して50μmとなっている。
減圧装置131によって加熱室110を減圧後、ガス供給路130からArガスを供給することによって、加熱室110内をArガスで置換した。このArガス置換を10回行った後、加熱室110の圧力を1×10−6Torr以下に減圧した。次に、第1加熱手段101の設定温度を1700℃、第2加熱手段102の設定温度を1725℃に設定し、Ar雰囲気下、80Torrの状態で、10分間アニール処理を行った。尚、本実施例では、第1、第2加熱手段101、102としては、カーボン製の抵抗ヒータを用いた。
アニール工程後の原料ウェハのイオン注入面の状態を、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)によって観察した。この結果を図13に示す。観察面に垂直な方向の1軸は0〜10nmを示しており、水平方向の2軸は0〜10μmを示している。AFM観察の結果、原料ウェハの自乗平均面粗さ(RMS)は、0.2nmであった。また、ステップバンチングなどの表面荒れも観察されなかった。また、2次イオン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry:SIMS)を用いてN型領域表層の純度分析を行ったが、窒素以外の不純物は観察されなかった。
真空蒸着法により、原料ウェハの表面側(イオン注入面側)に、ショットキー電極層として、Mo電極層を200nmの厚さに形成した。次に、スパッタによって、Al電極層を3μmの厚さに形成した。原料ウェハの裏面側に、オーミック電極層として、Ni/Ti/Au層を形成した。さらに、ダイシング等を行って、チップサイズが6mm×6mmで、アクティブサイズが5.5mm×5.5mmのJBS構造のダイオードを製造した。このダイオードを用いて、電流−電圧特性を測定した結果、後述する比較例によって製造したダイオードに比べて、リーク電流が2〜3桁小さくなっていた。また、順方向電圧は、比較例で製造したダイオードよりも、0.2V低くなっていた。
比較例では、実施例1で説明した「原料ウェハの準備」と同様の手順で準備した原料ウェハ710を用いた。
(ウェハ設置)
比較例では、図14に示すように、イオン注入面711が下向きの原料ウェハ710aと、イオン注入面711が上向きの原料ウェハ710bが互いに向き合うようにした原料ウェハの組合せ71を作成し、その組合せ71を3組(6枚)重ねて、その上下を多結晶SiC製の治具912によって挟み込んだ。この状態で、密閉容器911に収納し、アニール工程を行うための装置900の加熱室910内に設置した。
実施例1と同様に、製造装置900の減圧装置931によって加熱室910を減圧後、ガス供給路930からArガスを供給することによって、Arガス置換を10回行い、ウェハ設置部の圧力を1×10−6Torr以下に減圧した。次に、加熱室910内に設置された、カーボン製の抵抗ヒータ901を用いて、密閉容器911を周囲から加熱し、1700℃(加熱室910内の温度であって、密閉容器911の外部の温度)、Ar雰囲気下、80Torrの状態で、10分間アニール処理を行った。
アニール工程後の原料ウェハのイオン注入面の状態を、AFMによって観察した。この結果を図15に示す。図13と同様に、観察面に垂直な方向の1軸は0〜10nmを示しており、水平方向の2軸は0〜10μmを示している。AFM観察の結果、原料ウェハの自乗平均面粗さ(RMS)は、0.2〜1.6nmであり、ステップバンチングなどの表面荒れが観察された。また、SIMS分析法を用いてN型領域表層の純度分析を行った結果、不純物(Al)が検出されていなかった比較例の原料ウェハは、Alによって汚染されていた。
実施例1と同様の方法を用いて、各電極を形成し、チップサイズが6mm×6mmで、アクティブサイズが5.5mm×5.5mmのJBS構造のダイオードを製造した。このダイオードを用いて、電流−電圧特性を測定した結果、既に説明したとおり、実施例1によって製造したダイオードと比較して、半導体特性が劣化していた。
101 第1加熱手段
102 第2加熱手段
110 加熱室
111 第1ウェハ設置部
112 第2ウェハ設置部
130 ガス供給路
131 減圧装置
200、300、700 サセプタ
201、301,701 ウェハポケット部
202、302,702 ウェハ支持部
203、703 ウェハポケット部の底面
210、710 原料ウェハ
211、711 原料ウェハのイオン注入面
212 原料ウェハの裏面
310 ダミーウェハ
311 ダミーウェハの表面
312 ダミーウェハの裏面
500 半導体装置
501 基板層
502 エピタキシャル層
503 P+層
504 ショットキー電極層
505 アルミニウム電極層
506 オーミック電極層
Claims (8)
- 第1加熱手段と、第1ウェハ設置部と、第2ウェハ設置部と、第2加熱手段とが、この順序で配置されており、
第1ウェハ設置部には、表面にイオン注入された単結晶炭化ケイ素の原料ウェハが、そのイオン注入面が第2ウェハ設置部側となるように設置され、
第2ウェハ設置部には、炭化ケイ素のダミーウェハが、その一方の面が第1ウェハ設置部に設置される原料ウェハのイオン注入面に対向すると共に離間するように設置され、
第1加熱手段は、第1ウェハ設置部に設置される原料ウェハを加熱し、
第2加熱手段は、第2ウェハ設置部に設置されるダミーウェハを加熱することを特徴とする半導体装置を製造する装置。 - ダミーウェハの温度が原料ウェハの温度よりも高くなるように、第1加熱手段による加熱量と第2加熱手段による加熱量とが設定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置を製造する装置。
- 第1ウェハ設置部は、原料ウェハが設置されるサセプタを有しており、
そのサセプタは、その表面に形成された凹形状のウェハポケット部を備えており、
前記ウェハポケット部の底面の一部には、ウェハポケット部の他の底面よりも高い位置でウェハと接するウェハ支持部が設けられており、
ウェハの裏面とウェハポケット部の底面とが、前記ウェハ支持部によって離間されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置を製造する装置。 - 前記ウェハポケット部の底面から前記ウェハ支持部のウェハ支持面までの距離は、周縁部よりも中央部の方が大きくなっていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置を製造する装置。
- ダミーウェハが単結晶の炭化ケイ素であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置を製造する装置。
- 単結晶炭化ケイ素の原料ウェハから半導体装置を製造する方法であって、
原料ウェハの表面にイオン注入するイオン注入工程と、
イオン注入された原料ウェハを加熱するアニール工程と、を有しており、
アニール工程では、
原料ウェハのイオン注入面と、炭化ケイ素を材料とするダミーウェハの一方の面とを、対向させると共に離間して設置し、
ダミーウェハの温度と原料ウェハの温度とを個別に制御しながら、ダミーウェハと原料ウェハを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - アニール工程では、原料ウェハのイオンが注入されていない面側に設置された第1加熱手段によって原料ウェハを加熱し、ダミーウェハの原料ウェハと対向しない面側に設置された第2加熱手段によってダミーウェハを加熱することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- アニール工程では、ダミーウェハの温度が原料ウェハの温度よりも高くなることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
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