TW201305373A - 用於沉積製程的方法和裝置 - Google Patents

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Abstract

本案提出用於處理基板的方法和裝置。在某些實施例中，該裝置可包含：一環，該環係用以支撐基板處於處理位置中，其中利用該環的頂面在靠近該基板之周圍邊緣處支撐該基板，使得當該基板存在時，該基板之背部配置在該環的中央開口上方；一實質平面構件，該實質平面構件配置在該環下方，其中該實質平面構件包含複數個狹槽；及複數個支撐臂，該等支撐臂支撐該環和該實質平面構件，其中每個支撐臂包含一末端部分，每個支撐臂的末端部分支撐該實質平面構件且延伸穿過該複數個狹槽中之各自一狹槽以支撐該環。

Description

用於沉積製程的方法和裝置
本發明之實施例大體上關於處理設備和使用該設備的方法。
某些使用沉積和蝕刻交替步驟的選擇性磊晶沉積製程是在實質不同的壓力下進行。例如，該沉積製程可能在約10托耳(Torr)的壓力下進行，且該蝕刻製程可能在約300托耳的壓力下進行。該壓差需要不斷重複改變腔室壓力，令人不悅的是腔室壓力改變會減慢製程產量。此外，本案發明人觀察到在某些系統中，必需緩慢地改變壓力以避免因為基板正面和背部之間可能產生壓差而導致基板位移。不幸地，沉積製程和蝕刻製程之間的壓力緩慢改變進一步減慢製程產量。為解決此問題，基板支撐件可構築成具有中央開口和支撐凸緣(ledge)以在靠近該基板之外側邊緣處支撐該欲處理的基板。然而，本案發明人觀察到此一結構配置可能引起基板的背部發射率(backside emissivity)變化，從而造成基板溫度的測量不恆定。此不恆定的溫度測量造成製程控制不佳，因而減慢製程產量且可能降低製程良率(yield)。
因此，本案發明人提出數種用於處理基板的改進方法和裝置。
本案提出用於處理基板的方法和裝置。在某些實施例中，該裝置可包含：一環，該環係用以將基板支撐在處理位置中，其中利用該環的頂面在靠近該基板之周圍邊緣(peripheral edge)處支撐該基板，使得當該基板存在時，該基板的背部(backside)配置在該環的中央開口上方；一實質平面構件，該實質平面構件配置在該環下方，其中該實質平面構件包含複數個狹槽；及複數個支撐臂，該等支撐臂支撐該環和該實質平面構件，其中每個支撐臂包含一末端部分，每個支撐臂的末端部分支撐該實質平面構件且延伸穿過該複數個狹槽中之各自一狹槽以支撐該環。
在某些實施例中，用於處理基板的裝置可包含：製程腔室；環，該環用以在該製程腔室中將該基板支撐在進行處理的位置中；實質平面構件，該實質平面構件配置在該製程腔室內且位於該環的第一面上，其中該實質平面構件包含複數個狹槽；複數個支撐臂，該等支撐臂支撐該環和該實質平面構件，其中每個支撐臂包含末端部分，每個支撐臂的該末端部分支撐該實質平面構件且延伸穿過該複數個狹槽中之各自一狹槽以支撐該環；加熱燈，用以提供熱量給配置在該製程腔室內的構件，其中該等加熱燈配置在以下至少一位置處：配置在該實質平 面構件上方或配置在該實質平面構件下方；及高溫計，藉以測量配置在該製程腔室內之該等構件的溫度，其中該高溫計係配置在該實質平面構件下方。
以下描述本發明的其他和進一步實施例。
本案揭示用於處理基板的方法和裝置。第1圖圖示根據本發明某些實施例之製程腔室100的概要圖。可藉由改造市售製程腔室而得到該製程腔室100，該市售製程腔室係例如購自美國加州聖塔克拉拉市之應用材料公司的RP EPI®反應器或任何經調適而可執行磊晶沉積製程的適當半導體製程腔室。或者，在製造積體半導體元件和電路中執行的其他製程中，製程腔室100可經調適以用於執行沉積製程、蝕刻製程、電漿增強沉積及/或蝕刻製程和熱處理製程之其中至少一種製程。明確言之，此等製程可包括但不限於在處理期間會使用快速壓力變化的製程。
在某些實施例中，製程腔室100可經調適以用於執行磊晶沉積製程，且該製程腔室100例示性地包含腔室主體110、支援系統130和控制器140。腔室主體110通常包含上方部分102、下方部分104和外殼120，該上方部分具有第一內容積103，且該下方部分具有第二內容積105。
上方部分102配置在該下方部分104上，且該上方部分102可包含蓋106、夾環108、襯裡116、底板112、一或多個上方燈136和一或多個下方燈138及上高溫計156。在一實施例中，蓋106具有圓頂狀形狀因子(dome-like form factor)，然而亦可思及使用具有其他形狀因子的蓋，例如平坦狀蓋或反曲狀蓋(reverse-curve lids)。下方部分104耦接至第一氣體入口埠114和排氣口118，且該下方部分104包含底板組件121、下方圓頂132、基板支撐件124、預熱環122、一或多個上方燈152、一或多個下方燈154和下高溫計158。雖然，用語「環」或「盤」係用於描述該製程腔室的某些構件，例如預熱環122，但可思及此等構件的造型不一定為圓形且可具有任何形狀之周長及/或開口，包括但不限於矩形、多角形、卵形及諸如此類形狀。
在某些實施例中，基板支撐件124通常包含環123、實質平面構件170、用於將各個環123和該實質平面構件170支撐在期望位置處的基板支撐組件164及基板升舉組件160。除參照第1圖所做的描述之外，第2A~2C圖分別圖示根據本發明某些實施例之基板支撐件的概要俯視等角視圖、側視圖和仰視等角視圖，且第2A~2C圖大體上示出該環123與該實質平面構件170之間的關係。
在該環123的第一面上支撐著基板125。在某些實施例中，該環123可包含特徵結構148，例如，凸緣(ledge)、接縫(chamfer)、突出部(protrusion)或其他合適之特徵結 構，藉以將基板125支撐在該環123上，而使基板125配置在該環123的中央開口上方。在某些實施例中，可在該環123的第一面上沿著該環123的內側周圍邊緣配置該特徵結構。在某些實施例中，基板125的背部(例如，與該基板欲接受處理之正面相反的一側)可對準該環123的中央開口。該環123可包含以下至少一者：塗有碳化矽的石墨、實心碳化矽、實心的燒結碳矽或實心之不含金屬的燒結碳化矽。
該實質平面構件170配置在位於基板125相反處的該環123之一側上，而使該實質平面構件170面向該基板125的背部。在某些實施例中，紅外光無法穿透該實質平面構件170。在其他實施例中，紅外光可部分穿透、實質穿透或完全穿透該實質平面構件170，而得以利用該實質平面構件170的透明度(transparency)控制被該實質平面構件170吸收的熱量。在某些實施例中，實質平面構件170包含以下至少一者：塗有碳化矽的石墨、實心碳化矽、實心的燒結碳矽或實心之不含金屬的燒結碳化矽。在某些實施例中，實質平面構件170和環123包含相同材料。
在某些實施例中，實質平面構件170具有比該基板125之直徑或寬度要大的主要表面。提供比該基板125之直徑或寬度要大的主要表面有利於在該基板125周圍提供更一致之處理設備的外殼(envelope)，從而有利於進行更均勻一致的處理。例如，本案發明人發現當從製程腔室 頂部或底部加熱放置在支撐件上的基板時，會阻礙標準發射率補償機構(例如，黑體空腔技術或諸如此類者)的使用，且可能無法正確地測量製程溫度，導致製程控制不佳或不良的品質。不論製程腔室100中使用的基板125為何，本案發明人發現使用實質平面構件170可藉由提供恆定的發射率而有利地限制基板背部發射率(substrate backside emissivity)之變化所造成的影響。實質平面構件170提供具有實質恆定發射率的表面，可供例如該下高溫計158讀取更恆定的溫度，從而有助於增進製程控制。再者，實質平面構件170提供大量的熱質量(significant thermal mass)，該熱質量有利於在製程腔室100內輻射熱量。如此可有利於降低在處理之後於移除基板期間作用在基板上的熱衝擊(thermal shock)並可藉著能使用較高製程溫度而進一步有利地增進腔室清潔製程。使用本發明中所描述的基板支撐件可藉著讓例如使用燈所造成的直接頂部加熱作用與使用實質平面構件170所造成之底部基座發散性加熱作用(emissive heating)達成平衡，而進一步有利地幫助超低溫磊晶沉積製程具有穩定的溫度控制。
在與基板125相反的一側上，實質平面構件170配置成與環123隔開(spaced apart relation)。實質平面構件170可與該環123隔開，且因此當基板125存在時，該實質平面構件170與該基板125隔開一段任意適當距離。例如，實質平面構件170可與該環123分開一段選 定的距離以允許達到背部發射率獨立性(backside emissivity independence)及/或如上述般增強的腔室清潔效能。在某些實施例中，實質平面構件170與該環123相隔約0.1英吋至約0.3英吋。
例如，在某些實施例中，可利用複數個支撐銷166支撐該環123。從而可藉由該基板支撐組件164的各別支撐臂134支撐該等支撐銷166。在某些實施例中，實質平面構件170可包含多個個別開口以允許該等支撐銷166穿過該實質平面構件170。可藉由該等支撐臂134直接或間接地支撐該實質平面構件170，使得該等支撐銷166的長度和該一實質平面構件170的厚度可界定實質平面構件170與環123之間的空間。或者，支撐銷可配置在實質平面構件170上。
如第2A~2B圖更佳地圖示般，環123可具有第一面202以用於支撐基板125橫跨在該環123的中央開口上204上。實質平面構件170與環123隔開且具有主要表面208，該主要表面208面向該環123的第二面206。在某些實施例中，主要表面208與環123的第二面206共同界定實質均勻一致的縫隙210。
在某些實施例中，可控制該實質平面構件170與環123之間的距離(例如，該縫隙210的大小)。例如，如第1圖和第2圖所示，該等支撐銷166的長度可控制縫隙210的大小(結合實質平面構件170的厚度)。在某些實施例中且如第2B圖和第4圖所示，可提供一或多個間隔物 212以幫助控制例如在不同製程中該實質平面構件170與環123之間的距離。在某些實施例中，該等間隔物212可具有約0.1英吋、約0.2英吋及/或約0.3英吋的厚度。使用間隔物212有助於更快速更換用於不同製成的製程設備(equipment)，從而減少設備停機時間。如第4圖所示，可在環123中提供特徵結構402以幫助定位該環123且維持該環123位在該等支撐銷166上方之期望位置處。例如，如第4圖所示，特徵結構402為配置在該環123之第二面206中的凹部。
在某些實施例中，實質平面構件170具有實質均勻一致的厚度，且除了複數個升舉銷開孔和可供接通基板支撐組件164之支撐構件163用的複數個開孔之外，在實質平面構件170中不具有其他特徵結構或開孔。例如，在某些實施例中，及如第3A~3B圖所示，實質平面構件170為圓盤狀造形且其直徑大於欲處理之基板125的直徑，該直徑範圍例如300毫米(mm)至600毫米。在某些實施例中，實質平面構件170可具有適合為實質平面構件170提供期望熱質量的厚度。例如，在某些實施例中，實質平面構件170可具有約3毫米至約7毫米的厚度。在某些實施例中，實質平面構件170可具有環形槽302，該環形槽302形成在該實質平面構件170面向基板的表面上。當實質平面構件170接觸或快要接觸該環123時，該環形槽302有助於提供氣體排放路徑以防止困住氣體。實質平面構件170包含複數個升舉銷孔214以允許 該等升舉銷128各自移動通過該等升舉銷孔，以用於例如升高或降低該基板。在某些實施例中，該等升舉銷孔可配置在距離該實質平面構件170的中心一段適當距離處且可等方位角的方式(azimuthally)平均隔開，例如該等升舉銷孔相隔120度。更發現增添實質平面構件170，由於實質平面構件170提供額外支撐而可為該等升舉銷128提供額外支撐。
在某些實施例中，實質平面構件170包含狹槽304以允許該等支撐銷166穿過實質平面構件170且定位該實質平面構件170並維持該實質平面構件170在基板支撐組件164上就定位。該等狹槽304可配置成完全位於實質平面構件170內但靠近該實質平面構件170的邊緣處(如第3A圖所示)或可從該實質平面構件170的邊緣延伸而入(如第3B圖所示)。該等狹槽304之尺寸可大於該等支撐銷166之直徑以便於進行因熱膨脹或收縮所導致的尺寸及/或相對位置變化。在某些實施例中，該等狹槽304可具有於徑向上(radially)與該基板支撐組件164之中心軸對齊的主軸。在某些實施例中，該等狹槽304可於徑向上對齊個別的升舉銷孔214以便於提供該等升舉銷且沿著基板支撐組件164之該等相同支撐構件163為該實質平面構件170和該環123提供支撐。
回到第1圖，基板支撐組件164通常包含中央支撐件165，該中央支撐件165具有從該中央支撐件165徑向延伸而出的支撐構件163，以在該支撐構件163上支撐該 環123和實質平面構件170。每個支撐構件163包含各自的升舉銷支撐表面167，且該升舉支撐表面167位於支撐構件163之面環側(ring-facing side)168上。每個升舉銷支撐表面167具有升舉銷孔169，該升舉銷孔169配置成穿通在該支撐構件163的面環側167與背部之間。每個升舉銷孔169可構築成可配置一升舉銷128在孔內活動。每個升舉銷支撐表面167可經構築，以當該升舉銷128處於縮回位置時，每個升舉銷支撐表面167可支撐升舉銷128。
在某些實施例中，支撐構件163進一步包含複數個支撐臂134。在每個支撐臂134上可各自配置有一升舉銷支撐表面167和一配置成貫穿該升舉銷支撐表面167的升舉銷孔169。在某些實施例中，每個支撐臂134可進一步包含支撐銷166以用於將該支撐臂耦接至該實質平面構件170。在某些實施例中，支撐臂134的數目、升舉銷128的數目和支撐銷166的數目為三個。
或者且在圖中未示出者，支撐構件163可為單件式圓錐狀構件。該圓錐狀構件可進一步包含複數個貫穿該圓錐狀構件的孔口(vent)以用於流體連通該基板125之背部與該製程腔室100的第二內容積105。在此等實施例中，該圓錐狀構件可吸收處理期間所提供的輻射能量或可使輻射能量穿透，藉以依照期望地控制基板之溫度。
基板升舉組件160可配置在中央支撐件165周圍且可沿著該中央支撐件165做軸向移動。基板升舉組件160 包含基板升舉軸126和複數個升舉銷模組161，該等升舉銷模組161可選擇性地停靠在該基板升舉軸126之各自的襯墊127上。在某些實施例中，一升舉銷模組161包含選用性基座129和與該基座129耦接的一升舉銷128。或者，該升舉銷128之底部可直接停靠在該襯墊127上。此外，可利用其他機構以升高或降低該等升舉銷128。
每個升舉銷128配置成可活動地通過每個支撐臂134中的升舉銷孔168，且當升舉銷128處於縮回位置時(例如，當基板125降落在該環123上時)，每個升舉銷128能停靠在升舉銷支撐表面167上。操作時，基板升舉軸126會移動以嚙合(engage)該等升舉銷128。當該等升舉銷128嚙合時，該等升舉銷128可升高該基板125至位於基板支撐件124上方或使基板125降落在該環123上。
該等燈136、138、152和154為紅外線(IR)輻射源(即，熱源)，且在操作時，該等燈136、138、152和154在整個基板125上形成預定之溫度分佈。在某些實施例中，蓋106、夾環116和下方圓頂132是由石英所形成；然而，亦可使用其他紅外線穿透性和製程相容性材料形成此等構件。
製程腔室100進一步包含氣體分配盤113以用於供應製程氣體至該製程腔室100的第一內容積103和第二內容積105。例如，氣體分配盤113可提供製程氣體，例如沉積氣體、蝕刻劑或諸如此類者及/或其他氣體，例如 載氣、稀釋用氣體、腔室加壓氣體或諸如此類之氣體。氣體分配盤113供應氣體至第一氣體入口埠114及供應器體至在該下方圓頂132處與製程腔室100耦接的第二氣體入口埠115。第二氣體入口埠115的耦接點(例如，位於下方圓頂132處)僅為例示實例，且可使用任何允許第二氣體入口埠115提供氣體至第二內容積105的適當耦接點。
大體上，第一氣體入口埠114提供製程氣體至第一內容積103，藉以處理配置在上述基板支撐件124之任一實施例上的基板125。第二氣體入口埠115提供加壓氣體至第二內容積105，以助於以期望的壓力上升速率(pressure ramping rate)使腔室壓力升高至期望的腔室壓力。在某些實施例中，該期望之腔室壓力的範圍約30托耳至約600托耳。在某些實施例中，該期望之壓力上升速率的範圍約30托耳/秒至約150托耳/秒。
在某些實施例中，當於選擇性磊晶沉積製程的蝕刻部分期間內升高腔室壓力時，可使含有蝕刻劑氣體的製程氣體經由第一氣體入口埠114流入第一內容積103。同時，可使加壓氣體經由第二氣體入口埠115流入第二內容積105，以助於升高該腔室壓力至用於選擇性沉積製程之蝕刻部分的期望壓力。
在某些實施例中，製程腔室100包含壓力控制閥117，該壓力控制閥117耦接在用以供應製程氣體和加壓氣體 之氣體分配盤113與該第一氣體入口埠114和第二氣體入口埠115之間。該壓力控制閥可調整該製程氣體和加壓氣體之流動，使得在以期望該壓力上升速率升高該壓力的期間，該腔室壓力實質上不超過該期望的腔室壓力(例如，該腔室壓力不超過該期望腔室壓力約10%或約3%至約5%以上)。
該支援系統130包含用以在該製程腔室100內執行和監控預定製程(例如生長磊晶矽膜)的構件。此等構件通常包含該製程腔室100的各種子系統(例如，(多個)氣體分配盤、氣體分配導管、真空子系統和排氣子系統及諸如此類者)和器具(例如，電源、製程控制儀器及諸如此類者)。此等構件為所述技術領域中熟悉該項技藝者所知悉，並於該等圖式中省略此等構件以求圖式清晰。
控制器140通常包含中央處理單元(CPU)142、記憶體144和支援電路146，且控制器140可直接耦接並控制該製程腔室100和支援系統130(如第1圖所示)，或可替代地，該控制器140可透過與製程腔室100及/或該等支援系統相關的電腦(或控制器)而耦接並控制該製程腔室100和支援系統130。該記憶體144或電腦可讀媒體上可儲存有多個指令，當CPU 142執行該等指令時，可使該製程腔室100執行處理方法，例如執行以下揭示之方法500。
第5圖係根據本發明某些實施例圖示一種處理基板之方法500的流程圖。可利用上述製程腔室100和基板支 撐件124之多個實施例中的任一實施例執行該新穎方法。
方法500始於步驟502，步驟502係提供具有一內容積的製程腔室100，且在該內容積內部配置有基板支撐件，其中該基板支撐件包含一環和一實質平面構件，在該環的第一面上具有特徵結構以用於將基板支撐在該環的第一面上，且該實質平面構件配置在該環的第二面上並與該環隔開。
該基板具有第一表面和位於反面處的第二表面，且在該第一表面上可沉積第一層。該基板可包含合適的材料，例如結晶矽(例如，Si<100>或Si<111>)、氧化矽、應變矽(strained silicon)、矽鍺、經摻雜或未經摻雜的多晶矽、經摻雜或未經摻雜的矽晶圓、經圖案化或未經圖案化之晶圓、絕緣層上覆矽(SOI)、摻雜碳的氧化矽、氮化矽、經摻雜的矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石或諸如此類材料。此外，該基板可包含多層或包含例如半製成之元件，例如電晶體、快閃記憶體元件及諸如此類者。
在步驟504，如第1圖所示般使用配置在該基板上方和下方的加熱燈加熱該基板。在步驟506，可使用高溫計測量該實質平面構件的溫度。該高溫計可配置在該實質平面構件的下方。該實質平面構件提供更一致的發射率以減少或消除基板背部發射率的變化，從而使用該高溫計提供更一致的溫度測量。
可採任何合適的方式處理該基板，且該基板可進行該 溫度測量以確認或調整該基板處於期望的基板處理溫度。例如，在步驟508可流入沉積氣體以於第一腔室壓力下在該基板的第一表面上沉積第一層。在某些實施例中，該第一腔室壓力之範圍介於約0.1托耳至約100托耳間，例如在該基板上沉積含矽膜層。在某些實施例中，該沉積氣體包含以下氣體中之至少一氣體：矽烷(SiH4)、二矽烷(Si2H6)、甲基矽烷(H3CSiH3)或諸如此類之氣體。在某些實施例中，該第一層包含矽和碳。在某些實施例中，於步驟404的沉積製程期間，可在該第二表面上形成第二層。該第二層在化學組成方面與該第一層的化學組成相似，但在化學結構方面則與該第一層的化學結構不同。例如，該第二層可為非結晶(non-crystalline)、多晶(poly-crystalline)、無定形(amorphous)或任何與第一層不同的適當結晶或非結晶結構。
於某些實施例中，在步驟510，蝕刻氣體可流入該製程腔室，藉以選擇性地蝕刻該沉積在第二表面上的第二層。在某些實施例中，該蝕刻氣體包含以下氣體中之至少一氣體：氯化氫(HCl)、氯氣(Cl2)、鍺烷(GeH4)、氯化鍺(GeCl4)、四氯化矽(SiCl4)、四氯化碳(CCl4)或諸如此類氣體。在流入該蝕刻氣體的同時，使加壓氣體流入該製程腔室以期望的壓力上升速率升高該腔室壓力至第二腔室壓力，且該第二腔室壓力大於該第一腔室壓力。在某些實施例中，該加壓氣體包含以下氣體中之至少一氣體：氮氣(N2)、氫氣(H2)、氬氣(Ar)、氦氣(He)或諸如此 類氣體。在某些實施例中，該第二腔室壓力的範圍約30托耳至約600托耳。在某些實施例中，該期望的壓力上升速率的範圍約30托耳/秒至約150托耳/秒。該蝕刻製程一般發生在該第二壓力下。該上述裝置亦可適當地用於其他基板製程。
因此，本案已揭示用於處理基板的方法及裝置。雖然上述內容指出本發明的多個實施例，然而在不偏離本發明範圍下，當可思及本發明的其他和進一步之實施例。
100‧‧‧製程腔室
102‧‧‧上方部分
103‧‧‧第一內容積
104‧‧‧下方部分
105‧‧‧第二內容積
106‧‧‧蓋
108‧‧‧夾環
110‧‧‧腔室主體
112‧‧‧底板
113‧‧‧氣體分配盤
114‧‧‧第一氣體入口埠
115‧‧‧第二氣體入口埠
116‧‧‧襯裡
117‧‧‧壓力控制閥
118‧‧‧排氣口
120‧‧‧外殼
121‧‧‧底板組件
122‧‧‧預熱環
123‧‧‧環
124‧‧‧基板支撐件
125‧‧‧基板
126‧‧‧基板升舉軸
127‧‧‧襯墊
128‧‧‧升舉銷
129‧‧‧選用性基座
130‧‧‧支援系統
132‧‧‧下方圓頂
134‧‧‧支撐臂
136‧‧‧上方燈
138‧‧‧下方燈
140‧‧‧控制器
142‧‧‧中央處理單元
144‧‧‧記憶體
146‧‧‧支援電路
148‧‧‧特徵結構
152‧‧‧上方燈
154‧‧‧下方燈
156‧‧‧上高溫計
158‧‧‧下高溫計
160‧‧‧基板升舉組件
161‧‧‧升舉銷模組
163‧‧‧支撐構件
164‧‧‧基板支撐組件
165‧‧‧中央支撐件
166‧‧‧支撐銷
167‧‧‧升舉銷支撐表面
168‧‧‧面環側
169‧‧‧升舉銷孔
170‧‧‧實質平面構件
202‧‧‧第一面
204‧‧‧中央開口
206‧‧‧第二面
208‧‧‧主表面
210‧‧‧縫隙
212‧‧‧間隔物
214‧‧‧升舉銷孔
302‧‧‧環形槽
304‧‧‧狹槽
402‧‧‧特徵結構
500‧‧‧方法
502、504、506、508、510‧‧‧步驟
藉由參照附圖中所繪示之本發明例示性實施例，可瞭解以上概要整理和進一步詳細討論的本發明實施例。然而，應注意該等附圖僅圖示出本發明之代表性實施例，且因此該等附圖不應視為本發明範圍之限制，本發明可容許做出其他等效實施例。
第1圖圖示根據本發明某些實施例之製程腔室的概要圖。
第2A~2C圖分別圖示根據本發明某些實施例之基板支撐件的概要俯視等角視圖、側視圖和仰視等角視圖。
第3A~3B圖圖示根據本發明某些實施例之基板支撐件的局部俯視圖。
第4圖圖示根據本發明某些實施例之基板支撐件的局部剖面圖。
第5圖圖示根據本發明某些實施例之處理基板方法的流程圖。
為幫助瞭解，盡可能地使用相同元件符號標示該等圖式中共同的相同元件。該等圖式未按比例繪製且經簡化以求清晰。無需進一步詳述便能思及可將一實施例的元件和特徵有利地併入其他實施例中。
100‧‧‧製程腔室
102‧‧‧上方部分
103‧‧‧第一內容積
104‧‧‧下方部分
105‧‧‧第二內容積
106‧‧‧蓋
108‧‧‧夾環
110‧‧‧腔室主體
112‧‧‧底板
113‧‧‧氣體分配盤
114‧‧‧第一氣體入口埠
115‧‧‧第二氣體入口埠
116‧‧‧襯裡
117‧‧‧壓力控制閥
118‧‧‧排氣口
120‧‧‧外殼
121‧‧‧底板組件
122‧‧‧預熱環
123‧‧‧環
124‧‧‧基板支撐件
125‧‧‧基板
126‧‧‧基板升舉軸
127‧‧‧襯墊
128‧‧‧升舉銷
129‧‧‧選用性基座
130‧‧‧支援系統
132‧‧‧下方圓頂
134‧‧‧支撐臂
136‧‧‧上方燈
138‧‧‧下方燈
140‧‧‧控制器
142‧‧‧中央處理單元
144‧‧‧記憶體
146‧‧‧支援電路
148‧‧‧特徵結構
152‧‧‧上方燈
154‧‧‧下方燈
156‧‧‧上高溫計
158‧‧‧下高溫計
160‧‧‧基板升舉組件
161‧‧‧升舉銷模組
163‧‧‧支撐構件
164‧‧‧基板支撐組件
165‧‧‧中央支撐件
166‧‧‧支撐銷
167‧‧‧支撐表面
168‧‧‧面環側
169‧‧‧升舉銷孔
170‧‧‧實質平面構件

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板的裝置，該裝置包含：一環，該環用以支撐一基板處於用於進行處理的一位置中，其中係利用該環的一頂面在靠近該基板的一周圍邊緣處支撐該基板，使得當該基板存在時，該基板之一背部係配置在該環的一中央開口上方；一實質平面構件，該實質平面構件配置在該環下方，其中該實質平面構件包含複數個狹槽；及複數個支撐臂，該等支撐臂支撐該環和該實質平面構件，其中每個支撐臂包含一末端部分，每個支撐臂的該末端部分支撐該實質平面構件且延伸穿過該複數個狹槽中之各自一狹槽以支撐該環。
  2. 如請求項1之裝置，其中係利用該複數個支撐臂支撐該實質平面構件和該環，而得以在該實質平面構件之該頂表面與該環之一底面之間界定一實質均勻一致的縫隙區域。
  3. 如請求項1之裝置，其中用以支撐該實質平面構件和該環的每個支撐臂之該末端部分包含：(a)一支撐銷，該支撐銷配置成穿過該實質平面構件的該複數個狹槽其中之一狹槽，而使該環的該底面停靠在該支撐銷上，及(b)一間隔物，該間隔物配置在該實質平面構件與該用以支 撐該實質平面構件的支撐臂之間，使得該實質平面構件的一底表面停靠在該間隔物上。
  4. 如請求項3之裝置，其中該支撐銷和該間隔物各自的尺寸係經設計，藉以將該環定位在該實質平面構件上方一選定距離處。
  5. 如請求項4之裝置，其中該選定距離限制基板背部發射率(substrate backside emissivity)之變化所造成的影響且增進腔室清潔製程。
  6. 如請求項4之裝置，其中該支撐銷和間隔物可替換成不同尺寸的支撐銷和間隔物，以將該環定位在該實質平面構件上方一不同的選定距離處。
  7. 如請求項3之裝置，其中該支撐銷和該間隔物係一體成形(integrally formed)。
  8. 如請求項3之裝置，其中該支撐銷和該間隔物係以可拆卸的方式彼此耦接。
  9. 如請求項3之裝置，其中該間隔物配置在該支撐銷週圍，且該間隔物之尺寸係經設計以將該實質平面構件支撐在與該環相距一選定距離處。
  10. 如請求項1至9中任一項之裝置，其中該複數個支撐臂係耦接至一中央支撐件，其中該複數個支撐臂中之每個支撐臂進一步包含一具有一孔的升舉銷支撐表面，且該孔係配置成貫穿各自的升舉銷支撐表面，及其中該裝置進一步包含：複數個升舉銷，每個升舉銷係配置成可活動地通過各自之升舉銷支撐表面中的該孔，且當該升舉銷處於一縮回位置時，係藉由該升舉銷支撐表面支撐該升舉銷。
  11. 如請求項10之裝置，其中該實質平面構件進一步包含複數個升舉銷孔，其中該複數個升舉銷中的每個升舉銷係配置成可活動地通過在該實質平面構件中之該等升舉銷孔的其中一孔，以當該基板存在時，該等升舉銷係用於升高或降低該基板。
  12. 如請求項1至9中任一項之裝置，該裝置進一步包含：一環形槽，該環形槽係形成於該實質平面構件的頂表面內，該環形槽所具有的直徑小於該環之該中央開口的直徑。
  13. 如請求項1至9中任一項之裝置，其中紅外光無法穿透該實質平面構件。
  14. 如請求項1至9中任一項之裝置，其中該實質平面構件為下述其中一者：(a)紅外光可部分穿透該實質平面構件，或(b)紅外光可穿透該實質平面構件。
  15. 如請求項1至9中任一項之裝置，其中該實質平面構件之一頂表面具有一實質恆定的發射率。
  16. 如請求項2之裝置，其中該複數個支撐臂將該環定位在位於該實質平面構件上方介於0.1英吋至0.3英吋之間處。
  17. 如請求項1至9中任一項之裝置，該實質平面構件和該環各自包含一不含金屬的燒結碳化矽。
  18. 一種用於處理一基板的裝置，該裝置包含：一製程腔室；一環，該環係在該製程腔室中支撐一基板處在用於進行處理的一位置中；一實質平面構件，該實質平面構件配置在該製程腔室內且位於該環的一第一面上，其中該實質平面構件包含複數個狹槽；複數個支撐臂，該等支撐臂支撐該環和該實質平面構件，其中每個支撐臂包含一末端部分，每個支撐臂的 該末端部分支撐該實質平面構件且延伸穿過該複數個狹槽中之各自一狹槽以支撐該環；加熱燈，用以提供熱量給配置在該製程腔室內的構件，其中該等加熱燈係配置在以下至少一位置處：配置在該實質平面構件上方或配置在該實質平面構件下方；及一高溫計，用以測量配置在該製程腔室內之該等構件的溫度，其中該高溫計係配置在該實質平面構件下方。
  19. 如請求項18之裝置，其中係利用該複數個支撐臂支撐該實質平面構件和該環，而得以在該實質平面構件之該頂表面與該環之一底面之間界定一實質均勻一致的縫隙區域。
  20. 如請求項18或19之裝置，其中用以支撐該實質平面構件和該環的每個支撐臂之該末端部分包含：(a)一支撐銷，該支撐銷配置成穿過該實質平面構件的該複數個狹槽其中之一狹槽，而使該環的該底面停靠在該支撐銷上，及(b)一間隔物，該間隔物配置在該實質平面構件與該用以支撐該實質平面構件的支撐臂之間，使得該實質平面構件的一底表面停靠在該間隔物上。
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