JPH1187257A - 炭化けい素基板の熱処理方法 - Google Patents

炭化けい素基板の熱処理方法

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JPH1187257A JP24655997A JP24655997A JPH1187257A JP H1187257 A JPH1187257 A JP H1187257A JP 24655997 A JP24655997 A JP 24655997A JP 24655997 A JP24655997 A JP 24655997A JP H1187257 A JPH1187257 A JP H1187257A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】SiC基板にイオン注入した不純物の活性化、
拡散のための1200℃以上の高温熱処理に際して、S
iの蒸発によるSiC基板の黒化を抑制する。 【解決手段】SiC製の蓋1およびSiC製の台付き容
器4とでほぼ密閉状態をつくり、その中にSiC基板3
とSi片5を入れ、加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、炭化けい素基板
(以下SiCと記す)を用いた半導体装置の製造工程に
おける熱処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体基板の表面層に、反対の導電型の
領域や、接触用の高濃度領域の形成するため、不純物イ
オンを注入し、高温熱処理して、注入した不純物を活性
化し、結晶性を再び向上させる工程が頻繁におこなわれ
る。シリコン半導体装置の場合は、その熱処理温度は、
800〜1250℃程度である。
【0003】SiC半導体においても、同じような目的
で、不純物イオンの注入と、高温熱処理工程がおこなわ
れる。一般に、SiC基板作製時の基板温度は、140
0℃前後である。不純物イオン注入後の熱処理温度とし
ては、必然的に同程度かそれ以上の温度が要求され、約
1200〜1800℃である。[ 例えば、Kimoto,T.他
J. Electronic Materials,Vol.25,879,(1996) 参照]
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような高
い温度領域においては、SiC母体中からシリコン(以
下Siと記す)が蒸発するために炭素(以下Cと記す)
が残留してC−C結合を生じ、その結果SiC表面が黒
化する。このような表面の変質が起きると、特にMOS
型半導体装置のための良好な半導体−絶縁膜界面となら
ない、或いは、電極形成時に良好な接触が得られない等
の問題を生じる。
【0005】従来の黒化防止方法の一例を図5、6に示
す。Siの蒸発を防止しようとするSiC基板3の表面
に対し、別のSiCカバー板12を密着させる[図
6]。この両者を加熱炉に入れ、熱処理をおこなう。こ
の方法により、密着面間はSiで満たされるため、Si
の蒸発を抑制し、SiC表面の黒化を防止できる。
【0006】同様な方法は、例えば特開平7−7009
号公報において、砒化ガリウム(GaAs)基板上に、
砒素(As)をイオン注入したSiウェハを重ねた例が
開示されている。しかし、図6のような基板同士を重ね
る方法では、SiC基板3と、SiCカバー板12との
密着性が不安定なため、両者の間に不純物ガスの侵入が
起こったり、或いはSiC基板3とSiCカバー板12
とがずれたりしてSiの蒸発防止が不十分になるという
問題点があった。SiC基板3とSiCカバー板12と
がずれると、温度分布の均一化を妨げることにもなる。
【0007】この発明の目的は、SiC基板の黒化を引
き起こさず、安定した表面の得られる熱処理方法を提供
することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明は、炭化けい素基板へのイオン注入後の熱処理工
程において、ほぼ密閉される容器内に炭化けい素基板を
入れて熱処理するものとする。そのようにすれば、密閉
容器内にSiの蒸気が充満するので、SiC基板表面か
らのSiの蒸発が抑制される。
【0009】特に、容器内にSiの蒸気を満たすためS
i片を置くものとする。そのようにすれば、Si片から
Siの蒸気が供給されるので、SiC基板表面からのS
iの蒸発は殆ど起こらない。更に、少なくとも容器内面
が炭化けい素からなるものとする。そのようにすれば、
SiC基板表面からのSiの蒸発が抑制されるだけでな
く、他の不純物の混入を避けることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明は、密閉容器内でSiの飽
和状態をつくり、その容器内でSiC基板の熱処理をお
こない、SiC基板表面の黒化を防止するものである。
以下図面を参照しながら具体的な方法について説明す
る。 [実施例1]図2は、本発明第一の方法の説明図、図5
は加熱方法の説明図である。
【0011】2はSiC製のSiC容器であり、1はS
iC製のSiC蓋である。熱処理するSiC基板3をS
iC容器2に入れ、SiC蓋1を閉じて密閉状態をつく
る。このSiC容器2を加熱炉のステージ11上に置い
て、熱処理をおこなう[図5]。加熱雰囲気としては、
アルゴンまたは真空とする。SiC容器2の内部は、S
iC容器2およびSiC蓋1の内面から蒸発するSi蒸
気で満たされるので、SiC容器2およびSiC蓋1の
内面の面積に比べ、SiC基板3の面積が小さければ、
SiC基板3の黒化は生じない。
【0012】SiC容器2の代わりに、アルミナ等の密
閉容器を使用することもできるが、高温熱処理時の不純
物の混入等を避けるためには、SiC製の容器が良い。
SiC容器2は、グラファイトの型に5〜20μmのS
iCをCVDで析出させ、グラファイトの型を除去する
ような方法で作った部品を組み合わせ、簡単に作製する
ことができる。
【0013】炭化けい素を内張りしたグラファイト製の
容器として、誘導加熱により加熱することもできる。 [実施例2]図1は、本発明第二の方法の説明図であ
る。これは、図2と同様に、SiC製の蓋1およびSi
C製の台付き容器4とで密閉状態をつくり、その中にS
iC基板3とSi片5を入れたものである。
【0014】SiC容器2の内部は、Si片5から蒸発
するSi蒸気で満たされる。実際に、内径60mm、高
さ10mm、肉厚約10μmのSiC容器を作り、18
00℃、30分間の熱処理をおこなったところ、SiC
容器の外に置いたSiC基板では表面に黒化が起きたの
に対し、SiC容器内の基板には黒化は見られなかっ
た。Si片5としては、Siウェハの破片を用いたが、
僅かな量で十分であった。
【0015】[実施例3]図3は、本発明第三の方法の
説明図である。大きなSiC容器6の中に、Si片5を
入れる凹部を設けたSiC試料台7を多数設け、その試
料台7上にSiC基板3を載せる。一度に多数のSiC
基板の熱処理が可能であり、量産性を高めることができ
る。
【0016】[実施例4]図4は、図3と同様の効果を
持たせた本発明第四の方法の説明図である。図3との相
違は、多数設けたSiの供給源を一か所に集約した点で
ある。SiC試料台8の形状は、平坦なものでよく、そ
の上にSiC基板3を載せる。SiC容器6中に、Si
片5を多数入れた皿9を置けば、SiC製容器6内は、
Siの蒸気で満たされ、SiC基板3の処理実条件は同
じになる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、熱
処理の際にSiが蒸発して容器内がSi雰囲気になるた
め、Siの飽和状態が実現できる。これにより、SiC
基板からのSiの蒸発が抑制されるので、SiC基板表
面が黒化することがなくなる。しかも、従来のような密
着面の不安定性が解消され、温度分布が均一化されると
いう効果もある。特にSiC製の容器を用いることによ
って、不純物の混入が避けられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第二の方法の説明図
【図2】本発明第一の方法の説明図
【図3】本発明第三の方法の説明図
【図4】本発明第四の方法の説明図
【図5】加熱炉の説明図
【図6】従来の方法の説明図
【符号の説明】
1 蓋 2 SiC容器 3 SiC基板 4 台付き容器 5 Si片 6 大きなSiC容器 7 SiC試料台 8 SiC試料台 9 皿 11 ステージ 12 SiCカバー板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】炭化けい素基板へのイオン注入後の熱処理
    工程において、ほぼ密閉される容器内に炭化けい素基板
    を入れて熱処理することを特徴とする炭化けい素基板の
    熱処理方法。
  2. 【請求項2】容器内にシリコンの蒸気を満たすためシリ
    コン片を置くことを特徴とする請求項1記載の炭化けい
    素基板の熱処理方法。
  3. 【請求項3】少なくとも容器内面が炭化けい素からなる
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の炭化けい素
    基板の熱処理方法。
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