JPH1187257A - 炭化けい素基板の熱処理方法 - Google Patents
炭化けい素基板の熱処理方法Info
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Abstract
拡散のための1200℃以上の高温熱処理に際して、S
iの蒸発によるSiC基板の黒化を抑制する。 【解決手段】SiC製の蓋1およびSiC製の台付き容
器4とでほぼ密閉状態をつくり、その中にSiC基板3
とSi片5を入れ、加熱する。
Description
(以下SiCと記す)を用いた半導体装置の製造工程に
おける熱処理方法に関する。
領域や、接触用の高濃度領域の形成するため、不純物イ
オンを注入し、高温熱処理して、注入した不純物を活性
化し、結晶性を再び向上させる工程が頻繁におこなわれ
る。シリコン半導体装置の場合は、その熱処理温度は、
800〜1250℃程度である。
で、不純物イオンの注入と、高温熱処理工程がおこなわ
れる。一般に、SiC基板作製時の基板温度は、140
0℃前後である。不純物イオン注入後の熱処理温度とし
ては、必然的に同程度かそれ以上の温度が要求され、約
1200〜1800℃である。[ 例えば、Kimoto,T.他
J. Electronic Materials,Vol.25,879,(1996) 参照]
い温度領域においては、SiC母体中からシリコン(以
下Siと記す)が蒸発するために炭素(以下Cと記す)
が残留してC−C結合を生じ、その結果SiC表面が黒
化する。このような表面の変質が起きると、特にMOS
型半導体装置のための良好な半導体−絶縁膜界面となら
ない、或いは、電極形成時に良好な接触が得られない等
の問題を生じる。
す。Siの蒸発を防止しようとするSiC基板3の表面
に対し、別のSiCカバー板12を密着させる[図
6]。この両者を加熱炉に入れ、熱処理をおこなう。こ
の方法により、密着面間はSiで満たされるため、Si
の蒸発を抑制し、SiC表面の黒化を防止できる。
号公報において、砒化ガリウム(GaAs)基板上に、
砒素(As)をイオン注入したSiウェハを重ねた例が
開示されている。しかし、図6のような基板同士を重ね
る方法では、SiC基板3と、SiCカバー板12との
密着性が不安定なため、両者の間に不純物ガスの侵入が
起こったり、或いはSiC基板3とSiCカバー板12
とがずれたりしてSiの蒸発防止が不十分になるという
問題点があった。SiC基板3とSiCカバー板12と
がずれると、温度分布の均一化を妨げることにもなる。
き起こさず、安定した表面の得られる熱処理方法を提供
することにある。
本発明は、炭化けい素基板へのイオン注入後の熱処理工
程において、ほぼ密閉される容器内に炭化けい素基板を
入れて熱処理するものとする。そのようにすれば、密閉
容器内にSiの蒸気が充満するので、SiC基板表面か
らのSiの蒸発が抑制される。
i片を置くものとする。そのようにすれば、Si片から
Siの蒸気が供給されるので、SiC基板表面からのS
iの蒸発は殆ど起こらない。更に、少なくとも容器内面
が炭化けい素からなるものとする。そのようにすれば、
SiC基板表面からのSiの蒸発が抑制されるだけでな
く、他の不純物の混入を避けることができる。
和状態をつくり、その容器内でSiC基板の熱処理をお
こない、SiC基板表面の黒化を防止するものである。
以下図面を参照しながら具体的な方法について説明す
る。 [実施例1]図2は、本発明第一の方法の説明図、図5
は加熱方法の説明図である。
iC製のSiC蓋である。熱処理するSiC基板3をS
iC容器2に入れ、SiC蓋1を閉じて密閉状態をつく
る。このSiC容器2を加熱炉のステージ11上に置い
て、熱処理をおこなう[図5]。加熱雰囲気としては、
アルゴンまたは真空とする。SiC容器2の内部は、S
iC容器2およびSiC蓋1の内面から蒸発するSi蒸
気で満たされるので、SiC容器2およびSiC蓋1の
内面の面積に比べ、SiC基板3の面積が小さければ、
SiC基板3の黒化は生じない。
閉容器を使用することもできるが、高温熱処理時の不純
物の混入等を避けるためには、SiC製の容器が良い。
SiC容器2は、グラファイトの型に5〜20μmのS
iCをCVDで析出させ、グラファイトの型を除去する
ような方法で作った部品を組み合わせ、簡単に作製する
ことができる。
容器として、誘導加熱により加熱することもできる。 [実施例2]図1は、本発明第二の方法の説明図であ
る。これは、図2と同様に、SiC製の蓋1およびSi
C製の台付き容器4とで密閉状態をつくり、その中にS
iC基板3とSi片5を入れたものである。
するSi蒸気で満たされる。実際に、内径60mm、高
さ10mm、肉厚約10μmのSiC容器を作り、18
00℃、30分間の熱処理をおこなったところ、SiC
容器の外に置いたSiC基板では表面に黒化が起きたの
に対し、SiC容器内の基板には黒化は見られなかっ
た。Si片5としては、Siウェハの破片を用いたが、
僅かな量で十分であった。
説明図である。大きなSiC容器6の中に、Si片5を
入れる凹部を設けたSiC試料台7を多数設け、その試
料台7上にSiC基板3を載せる。一度に多数のSiC
基板の熱処理が可能であり、量産性を高めることができ
る。
持たせた本発明第四の方法の説明図である。図3との相
違は、多数設けたSiの供給源を一か所に集約した点で
ある。SiC試料台8の形状は、平坦なものでよく、そ
の上にSiC基板3を載せる。SiC容器6中に、Si
片5を多数入れた皿9を置けば、SiC製容器6内は、
Siの蒸気で満たされ、SiC基板3の処理実条件は同
じになる。
処理の際にSiが蒸発して容器内がSi雰囲気になるた
め、Siの飽和状態が実現できる。これにより、SiC
基板からのSiの蒸発が抑制されるので、SiC基板表
面が黒化することがなくなる。しかも、従来のような密
着面の不安定性が解消され、温度分布が均一化されると
いう効果もある。特にSiC製の容器を用いることによ
って、不純物の混入が避けられる。
Claims (3)
- 【請求項1】炭化けい素基板へのイオン注入後の熱処理
工程において、ほぼ密閉される容器内に炭化けい素基板
を入れて熱処理することを特徴とする炭化けい素基板の
熱処理方法。 - 【請求項2】容器内にシリコンの蒸気を満たすためシリ
コン片を置くことを特徴とする請求項1記載の炭化けい
素基板の熱処理方法。 - 【請求項3】少なくとも容器内面が炭化けい素からなる
ことを特徴とする請求項1または2に記載の炭化けい素
基板の熱処理方法。
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