JP3550967B2 - 炭化けい素基板の熱処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、炭化けい素基板(以下SiCと記す)を用いた半導体装置の製造工程における熱処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板の表面層に、反対の導電型の領域や、接触用の高濃度領域の形成するため、不純物イオンを注入し、高温熱処理して、注入した不純物を活性化し、結晶性を再び向上させる工程が頻繁におこなわれる。シリコン半導体装置の場合は、その熱処理温度は、800〜1250℃程度である。
【0003】
SiC半導体においても、同じような目的で、不純物イオンの注入と、高温熱処理工程がおこなわれる。一般に、SiC基板作製時の基板温度は、1400℃前後である。不純物イオン注入後の熱処理温度としては、必然的に同程度かそれ以上の温度が要求され、約1200〜1800℃である。[ 例えば、Kimoto,T. 他J. Electronic Materials,Vol.25,879,(1996) 参照]
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような高い温度領域においては、SiC母体中からシリコン(以下Siと記す)が蒸発するために炭素(以下Cと記す)が残留してC−C結合を生じ、その結果SiC表面が黒化する。
このような表面の変質が起きると、特にMOS型半導体装置のための良好な半導体−絶縁膜界面とならない、或いは、電極形成時に良好な接触が得られない等の問題を生じる。
【0005】
従来の黒化防止方法の一例を図5、6に示す。
Siの蒸発を防止しようとするSiC基板3の表面に対し、別のSiCカバー板12を密着させる[図6]。この両者を加熱炉に入れ、熱処理をおこなう。
この方法により、密着面間はSiで満たされるため、Siの蒸発を抑制し、SiC表面の黒化を防止できる。
【0006】
同様な方法は、例えば特開平7−7009号公報において、砒化ガリウム(GaAs)基板上に、砒素(As)をイオン注入したSiウェハを重ねた例が開示されている。
しかし、図6のような基板同士を重ねる方法では、SiC基板3と、SiCカバー板12との密着性が不安定なため、両者の間に不純物ガスの侵入が起こったり、或いはSiC基板3とSiCカバー板12とがずれたりしてSiの蒸発防止が不十分になるという問題点があった。SiC基板3とSiCカバー板12とがずれると、温度分布の均一化を妨げることにもなる。
【0007】
この発明の目的は、SiC基板の黒化を引き起こさず、安定した表面の得られる熱処理方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するため本発明は、炭化けい素基板へのイオン注入後の熱処理工程において、密閉される容器内に炭化けい素基板を入れて熱処理するものとする。
そのようにすれば、密閉容器内にSiの蒸気が充満するので、SiC基板表面からのSiの蒸発が抑制される。
【0009】
そして、特に、容器内にSiの蒸気を満たすためSi片を置くものとする。
そのようにすれば、Si片からSiの蒸気が供給されるので、SiC基板表面からのSiの蒸発は殆ど起こらない。
更に、少なくとも容器内面が炭化けい素からなるものとする。
そのようにすれば、SiC基板表面からのSiの蒸発が抑制されるだけでなく、他の不純物の混入を避けることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明は、密閉容器内でSiの飽和状態をつくり、その容器内でSiC基板の熱処理をおこない、SiC基板表面の黒化を防止するものである。以下図面を参照しながら具体的な方法について説明する。
[実施例1]
図2は、本発明第一の方法の説明図、図5は加熱方法の説明図である。
【0011】
2はSiC製のSiC容器であり、1はSiC製のSiC蓋である。熱処理するSiC基板3をSiC容器2に入れ、SiC蓋1を閉じて密閉状態をつくる。
このSiC容器2を加熱炉のステージ11上に置いて、熱処理をおこなう[図5]。加熱雰囲気としては、アルゴンまたは真空とする。
SiC容器2の内部は、SiC容器2およびSiC蓋1の内面から蒸発するSi蒸気で満たされるので、SiC容器2およびSiC蓋1の内面の面積に比べ、SiC基板3の面積が小さければ、SiC基板3の黒化は生じない。
【0012】
SiC容器2の代わりに、アルミナ等の密閉容器を使用することもできるが、高温熱処理時の不純物の混入等を避けるためには、SiC製の容器が良い。SiC容器2は、グラファイトの型に5〜20μmのSiCをCVDで析出させ、グラファイトの型を除去するような方法で作った部品を組み合わせ、簡単に作製することができる。
【0013】
炭化けい素を内張りしたグラファイト製の容器として、誘導加熱により加熱することもできる。
[実施例2]
図1は、本発明第二の方法の説明図である。
これは、図2と同様に、SiC製の蓋1およびSiC製の台付き容器4とで密閉状態をつくり、その中にSiC基板3とSi片5を入れたものである。
【0014】
SiC容器2の内部は、Si片5から蒸発するSi蒸気で満たされる。
実際に、内径60mm、高さ10mm、肉厚約10μmのSiC容器を作り、1800℃、30分間の熱処理をおこなったところ、SiC容器の外に置いたSiC基板では表面に黒化が起きたのに対し、SiC容器内の基板には黒化は見られなかった。Si片5としては、Siウェハの破片を用いたが、僅かな量で十分であった。
【0015】
[実施例3]
図3は、本発明第三の方法の説明図である。
大きなSiC容器6の中に、Si片5を入れる凹部を設けたSiC試料台7を多数設け、その試料台7上にSiC基板3を載せる。
一度に多数のSiC基板の熱処理が可能であり、量産性を高めることができる。
【0016】
[実施例4]
図4は、図3と同様の効果を持たせた本発明第四の方法の説明図である。図3との相違は、多数設けたSiの供給源を一か所に集約した点である。SiC試料台8の形状は、平坦なものでよく、その上にSiC基板3を載せる。SiC容器6中に、Si片5を多数入れた皿9を置けば、SiC製容器6内は、Siの蒸気で満たされ、SiC基板3の処理実条件は同じになる。
【0017】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、炭化けい素基板とシリコン片を入れて熱処理することにより、熱処理の際にSiが蒸発して容器内がSi雰囲気になるため、Siの飽和状態が実現できる。これにより、SiC基板からのSiの蒸発が抑制されるので、SiC基板表面が黒化することがなくなる。しかも、従来のような密着面の不安定性が解消され、温度分布が均一化されるという効果もある。特にSiC製の容器を用いることによって、不純物の混入が避けられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第二の方法の説明図
【図2】本発明第一の方法の説明図
【図3】本発明第三の方法の説明図
【図4】本発明第四の方法の説明図
【図5】加熱炉の説明図
【図6】従来の方法の説明図
【符号の説明】
1 蓋
2 SiC容器
3 SiC基板
4 台付き容器
5 Si片
6 大きなSiC容器
7 SiC試料台
8 SiC試料台
9 皿
11 ステージ
12 SiCカバー板
Claims (2)
- 炭化けい素基板へのイオン注入後の熱処理工程において、密閉される容器内に炭化けい素基板とシリコン片を入れて熱処理することを特徴とする炭化けい素基板の熱処理方法。
- 少なくとも容器内面が炭化けい素からなることを特徴とする請求項1に記載の炭化けい素基板の熱処理方法。
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