JPH03238825A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
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- JPH03238825A JPH03238825A JP3466290A JP3466290A JPH03238825A JP H03238825 A JPH03238825 A JP H03238825A JP 3466290 A JP3466290 A JP 3466290A JP 3466290 A JP3466290 A JP 3466290A JP H03238825 A JPH03238825 A JP H03238825A
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- carbon
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- semiconductor substrate
- semiconductor wafer
- semiconductor
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体装置に用いられる半導体基板に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
第２図は２つの面を有する処理前の半導体ウェハを示す
断面図で、１はシリコン単結晶をスライスしてつくられ
た円板状の半導体ウェハ、２Ａ。
断面図で、１はシリコン単結晶をスライスしてつくられ
た円板状の半導体ウェハ、２Ａ。
２Ｂは２つの面であり、一方の面２Ｂにサンドブラスト
処理が施され、他方の面２Ａに種々の回路が形成される
。
処理が施され、他方の面２Ａに種々の回路が形成される
。
第３図は従来の半導体基板を示す断面図で、第２図の半
導体ウェハ１の一方の面２Ｂにサンドブラスト処理を施
したものである。３は前記一方の面２Ｂに石英の粉（図
示せず）を叩き付けるサンドブラスト処理により形成さ
れた機械的歪層である。
導体ウェハ１の一方の面２Ｂにサンドブラスト処理を施
したものである。３は前記一方の面２Ｂに石英の粉（図
示せず）を叩き付けるサンドブラスト処理により形成さ
れた機械的歪層である。
上記の半導体基板を用い、他方の面２Ａ側に回路を形成
して半導体装置を製造する際、製造プロセス中の熱処理
時に発生する微小熱誘起欠陥や重金属汚染を機械的歪層
３内に捉えて封じ込めるゲッター効果が生じ、回路が形
成される面２Ａ側への悪影響を防止し、製造される半導
体装置の特性や歩留りの向上をはかっている。
して半導体装置を製造する際、製造プロセス中の熱処理
時に発生する微小熱誘起欠陥や重金属汚染を機械的歪層
３内に捉えて封じ込めるゲッター効果が生じ、回路が形
成される面２Ａ側への悪影響を防止し、製造される半導
体装置の特性や歩留りの向上をはかっている。
従来の半導体基板は以上のように構成されているので、
機械的歪層３を形成する時にその表面に凹凸が形成され
、そのため材料が剥離して微小片となりやすく、発塵し
て製造プロセスに悪影響を及ぼす。また、機械的歪層３
は、半導体装置の製造プロセス中の熱処理時にその歪の
緩和が起るため、熱処理時に発生する微小熱誘起欠陥や
重金属汚染をそこに封じ込めるゲッター効果が熱処理時
間につれて減少するなどの問題点があった。
機械的歪層３を形成する時にその表面に凹凸が形成され
、そのため材料が剥離して微小片となりやすく、発塵し
て製造プロセスに悪影響を及ぼす。また、機械的歪層３
は、半導体装置の製造プロセス中の熱処理時にその歪の
緩和が起るため、熱処理時に発生する微小熱誘起欠陥や
重金属汚染をそこに封じ込めるゲッター効果が熱処理時
間につれて減少するなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、発塵がなく、かっゲッター効果が高く、さ
らに、熱処理されてもその効果が持続する半導体基板を
得ることを目的とする。
れたもので、発塵がなく、かっゲッター効果が高く、さ
らに、熱処理されてもその効果が持続する半導体基板を
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体基板は、２つの面を有する半導体
ウェハの一方の面に、炭素を固溶させた多結晶シリコン
層を堆積させたものである。
ウェハの一方の面に、炭素を固溶させた多結晶シリコン
層を堆積させたものである。
［作用１
この発明における半導体基板は、一方の面に、炭素を固
溶させた多結晶シリコン層を堆積させたので、処理面に
凹凸がなく、したがって、発塵しない。また、炭素の拡
散による結晶格子歪と酸素析出の促進にまりゲッター効
果が高く、かつその効果は熱処理されても持続する。
溶させた多結晶シリコン層を堆積させたので、処理面に
凹凸がなく、したがって、発塵しない。また、炭素の拡
散による結晶格子歪と酸素析出の促進にまりゲッター効
果が高く、かつその効果は熱処理されても持続する。
【実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体基板を示す断
面図で、１および２Ａ、２Ｂは第２図。
面図で、１および２Ａ、２Ｂは第２図。
第３図と同じものであり、４は前記一方の面、例えば面
２Ｂに炭素を固溶させた多結晶シリコン層である。この
炭素を固溶させた多結晶シリコン層４は化学気相成長法
（ＣＶＤ法）により形成する。
２Ｂに炭素を固溶させた多結晶シリコン層である。この
炭素を固溶させた多結晶シリコン層４は化学気相成長法
（ＣＶＤ法）により形成する。
上記のようにこの発明による半導体基板は、従来のよう
に機械的歪層を形成する必要がないので、多結晶シリコ
ン層４の表面に凹凸がなく、したがって、この材料が剥
離して飛散することもないので発塵しない。
に機械的歪層を形成する必要がないので、多結晶シリコ
ン層４の表面に凹凸がなく、したがって、この材料が剥
離して飛散することもないので発塵しない。
また、多結晶シリコン層４に固溶している炭素が半導体
装置の製造プロセスの熱処理中に半導体ウェハ中に拡散
する。拡散した炭素は、シリコンと原子半径が異なるの
で結晶格子歪を生じさせるとともに、半導体基板に含ま
れている酸素の析出の触媒として作用する。（なお、炭
素がシリコン単結晶ウェハ中の酸素の析出を促進させる
こと自体については、例えばｒＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹ−５ＩＣ５Ｊ Ｉ Ｍａｙ １
９８６ Ｎｕｍｂｅｒ ９ ｐｐ、３２５１〜３２５４
参照）半導体基板の面２Ａ側に種々の加工を行って回路
を形成していくが、このような製造プロセス中に面２Ａ
で発生する微小熱誘起欠陥や重金属汚染は結晶格子歪の
ある炭素の拡散層（多結晶シリコン層４）および炭素に
よる析出作用で生じた酸素析出欠陥に封じ込められ、回
路が形成される面２Ａ近辺の領域の結晶は良好となる。
装置の製造プロセスの熱処理中に半導体ウェハ中に拡散
する。拡散した炭素は、シリコンと原子半径が異なるの
で結晶格子歪を生じさせるとともに、半導体基板に含ま
れている酸素の析出の触媒として作用する。（なお、炭
素がシリコン単結晶ウェハ中の酸素の析出を促進させる
こと自体については、例えばｒＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹ−５ＩＣ５Ｊ Ｉ Ｍａｙ １
９８６ Ｎｕｍｂｅｒ ９ ｐｐ、３２５１〜３２５４
参照）半導体基板の面２Ａ側に種々の加工を行って回路
を形成していくが、このような製造プロセス中に面２Ａ
で発生する微小熱誘起欠陥や重金属汚染は結晶格子歪の
ある炭素の拡散層（多結晶シリコン層４）および炭素に
よる析出作用で生じた酸素析出欠陥に封じ込められ、回
路が形成される面２Ａ近辺の領域の結晶は良好となる。
また、製造プロセス中の熱処理により結晶格子歪は緩和
されず、したがって、上記のゲッター効果は持続する。
されず、したがって、上記のゲッター効果は持続する。
なお、上記実施例ではシリコンを材料とした半導体ウェ
ハ１を用いた半導体基板を示したが、ガリウム砒素など
他の材料の半導体ウェハを用いたものでもこの発明を適
用することができる。
ハ１を用いた半導体基板を示したが、ガリウム砒素など
他の材料の半導体ウェハを用いたものでもこの発明を適
用することができる。
以上説明したように、この発明は、２つの面を有する半
導体ウェハの一方の面に、炭素を固溶させた多結晶シリ
コン層を堆積させたので、従来のように機械的歪層の形
成が不要となり、かつその表面には凹凸が形成されない
。したがって、従来のように材料の剥離がないので発塵
しない。また、半導体ウェハの一方の面に炭素を拡散さ
せたので、これにより生じる結晶格子歪と、炭素による
析出作用で生じる酸素析出欠陥に、微小熱誘起欠陥や重
金属汚染を封じ込めるゲッター効果が高く、さらに、こ
の効果は熱処理されても持続する効果が得られる。
導体ウェハの一方の面に、炭素を固溶させた多結晶シリ
コン層を堆積させたので、従来のように機械的歪層の形
成が不要となり、かつその表面には凹凸が形成されない
。したがって、従来のように材料の剥離がないので発塵
しない。また、半導体ウェハの一方の面に炭素を拡散さ
せたので、これにより生じる結晶格子歪と、炭素による
析出作用で生じる酸素析出欠陥に、微小熱誘起欠陥や重
金属汚染を封じ込めるゲッター効果が高く、さらに、こ
の効果は熱処理されても持続する効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体基板を示す断
面図、第２図は半導体ウェハの断面図、第３図は従来の
半導体基板を示す断面図である。 図において、１は半導体ウェハ、２Ａ、２Ｂは面、４は
炭素を拡散させた多結晶シリコン層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、第２図は半導体ウェハの断面図、第３図は従来の
半導体基板を示す断面図である。 図において、１は半導体ウェハ、２Ａ、２Ｂは面、４は
炭素を拡散させた多結晶シリコン層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- ２つの面を有する半導体ウェハの一方の面に、炭素を固
溶させた多結晶シリコン層を堆積させたことを特徴とす
る半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3466290A JPH03238825A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3466290A JPH03238825A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238825A true JPH03238825A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12420651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3466290A Pending JPH03238825A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5894037A (en) * | 1995-11-22 | 1999-04-13 | Nec Corporation | Silicon semiconductor substrate and method of fabricating the same |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP3466290A patent/JPH03238825A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5894037A (en) * | 1995-11-22 | 1999-04-13 | Nec Corporation | Silicon semiconductor substrate and method of fabricating the same |
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