JPH0442540A - アモルファス構造を有するウェーハ - Google Patents
アモルファス構造を有するウェーハInfo
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ゲッタリング効果をもたせたウェーハに関す
る。
る。
［従来の技術］
ウェーハにおけるエクストリンシック・ゲッタリング技
術の１つにバックシール法がある。このバックシール法
は、ウェーハの裏面に窒化膜または多結晶ポリシリコン
をコーティングすることにより、多結晶の粒界に重金属
等の汚染不純物原子をとりこむものである。
術の１つにバックシール法がある。このバックシール法
は、ウェーハの裏面に窒化膜または多結晶ポリシリコン
をコーティングすることにより、多結晶の粒界に重金属
等の汚染不純物原子をとりこむものである。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、上記のように窒化膜または多結晶ポリシリコ
ンを裏面にコーティングしたウェーハは、高温熱処理を
繰り返していくと、アモルファス結晶の多結晶化が進み
、ゲッタリング効果が低減し、コーティングした多結晶
ポリシリコンに重金属等の汚染不純物原子をとりこむこ
とができず、ゲッタリング効果を長く持続させることが
できなかった。
ンを裏面にコーティングしたウェーハは、高温熱処理を
繰り返していくと、アモルファス結晶の多結晶化が進み
、ゲッタリング効果が低減し、コーティングした多結晶
ポリシリコンに重金属等の汚染不純物原子をとりこむこ
とができず、ゲッタリング効果を長く持続させることが
できなかった。
そこで本発明は、ゲッタリング効果を従来よりも長く持
続させることので鮒るアモルファス構造を有するウェー
ハを提供しようとするものである。
続させることので鮒るアモルファス構造を有するウェー
ハを提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するための本発明のアモルファス構造を
有するウェーハの１つは、シリコンウェーハ又は化合物
ウェーハの裏面に、アモルファス構造の金属を接着して
なるものである。
有するウェーハの１つは、シリコンウェーハ又は化合物
ウェーハの裏面に、アモルファス構造の金属を接着して
なるものである。
本発明のアモルファス構造を有するウェーハの他の１つ
は、シリコンウェーハまたは化合物ウェーハによりアモ
ルファス構造の金属を挾み込んで接着してなるものであ
る。
は、シリコンウェーハまたは化合物ウェーハによりアモ
ルファス構造の金属を挾み込んで接着してなるものであ
る。
Ｃ作用］
上述の如く構成された本発明のアモルファス構造を有す
るウェーハは、高温熱処理を繰り返しても多結晶化への
進行が遅く、アモルファス金属に重金属等の汚染不純物
原子をとりこむことができるので、ゲッタリング効果が
長く持続する。
るウェーハは、高温熱処理を繰り返しても多結晶化への
進行が遅く、アモルファス金属に重金属等の汚染不純物
原子をとりこむことができるので、ゲッタリング効果が
長く持続する。
本発明において、さらにアモルファス層にゲッタリング
効果をもた″せるためには次の処理を行うことが好まし
い、即ち、Ｈ，、Ｈ（、Ｑ熱処理することにより、アモ
ルファス構造の金属に水素を貯蔵させ、或いは微粉化し
たアモルファス構造の金属結晶をＨ２熱処理するか又は
水素雰囲気中で圧力をかけるなどして水素を貯蔵させた
後この水素貯蔵微粉末をＣＶＤ法、スパッタ法、イオン
注入数により重金属等の汚染不純物がトラップされる。
効果をもた″せるためには次の処理を行うことが好まし
い、即ち、Ｈ，、Ｈ（、Ｑ熱処理することにより、アモ
ルファス構造の金属に水素を貯蔵させ、或いは微粉化し
たアモルファス構造の金属結晶をＨ２熱処理するか又は
水素雰囲気中で圧力をかけるなどして水素を貯蔵させた
後この水素貯蔵微粉末をＣＶＤ法、スパッタ法、イオン
注入数により重金属等の汚染不純物がトラップされる。
例えば金属水素化合物として重金属がアモルファス構造
の金属にとりこまれる。またＨ２の還元作用によりＯ５
Ｆ、ＢＭＤを低減できる。
の金属にとりこまれる。またＨ２の還元作用によりＯ５
Ｆ、ＢＭＤを低減できる。
尚、ここで水素貯蔵に適する金属材料は、正四面体配位
のもので、シリコン、ゲルマニウム、炭素および炭化珪
素などがある。
のもので、シリコン、ゲルマニウム、炭素および炭化珪
素などがある。
［実施例］
本発明のアモルファス構造を有するウェーハの一実施例
は第１図に示す如く厚さ６５０μｍのシリコンウェーハ
１の裏面に、アモルファス構造の金属、本例では非晶質
シリコン２をＣＶＤ法により２μｍコーティングしたも
のである。
は第１図に示す如く厚さ６５０μｍのシリコンウェーハ
１の裏面に、アモルファス構造の金属、本例では非晶質
シリコン２をＣＶＤ法により２μｍコーティングしたも
のである。
他の実施例は、第２図に示す如く厚さ６５０μｍのシリ
コンウェーハ１の裏面に、非晶質シリコン２をＣＶＤ法
により２μｍコーティングした後、その非晶質シリコン
２に厚さ４００μｍのシリコンウェーハＩ′を接着して
、非晶質シリコン２をシリコンウェーハ１．１で挾んだ
ものである。
コンウェーハ１の裏面に、非晶質シリコン２をＣＶＤ法
により２μｍコーティングした後、その非晶質シリコン
２に厚さ４００μｍのシリコンウェーハＩ′を接着して
、非晶質シリコン２をシリコンウェーハ１．１で挾んだ
ものである。
然して実施ｇＩ１１のアそルファス構造を有するウェー
ハと、従来例の厚さ６２５μｍのシリコンウェーハの裏
面に多結晶ポリシリコンをＣＶＤ法により２μｍコーテ
ィングしたウェーハとを、１１００℃×９０分の熱処理
を、繰り返していった処、′ｉ４３図のグラフに示すよ
うな結果を得た。
ハと、従来例の厚さ６２５μｍのシリコンウェーハの裏
面に多結晶ポリシリコンをＣＶＤ法により２μｍコーテ
ィングしたウェーハとを、１１００℃×９０分の熱処理
を、繰り返していった処、′ｉ４３図のグラフに示すよ
うな結果を得た。
尚、熱処理プロセスＡ−Ｆは１１００ｔｘ９０分の熱処
理１回に当り、Ｅ及びＦは１１００’ｅＸ１８０分とし
た。
理１回に当り、Ｅ及びＦは１１００’ｅＸ１８０分とし
た。
第３図のグラフで明らかなように各ウェーハとも熱処理
が進んでいけば劣化するが、その中でも多結晶シリコン
よりもアモルファスシリコンをコーティングしたものの
方がライフタイムが高く且つゲッタリングの持続性が長
いことが判る。
が進んでいけば劣化するが、その中でも多結晶シリコン
よりもアモルファスシリコンをコーティングしたものの
方がライフタイムが高く且つゲッタリングの持続性が長
いことが判る。
尚、アモルファス構造の金属の接着手段は、ＣＶＤ法に
限らず、液体急冷法、真空蒸着法、スパッタ法、イオン
注入法でも良い。
限らず、液体急冷法、真空蒸着法、スパッタ法、イオン
注入法でも良い。
またアモルファス構造の金属は、単体でも合金でも良い
。
。
［発明の効果］
以上の通り本発明のアモルファス構造を有するウェーハ
は、アモルファス構造の金属が接着されているので、ゲ
ッタリング効果を長く持続できる。またウェーハの強度
が向上し、熱処理時のスリップ（線状欠陥）が防止され
る。
は、アモルファス構造の金属が接着されているので、ゲ
ッタリング効果を長く持続できる。またウェーハの強度
が向上し、熱処理時のスリップ（線状欠陥）が防止され
る。
また、本発明のアモルファス構造を有するウェーハは、
アモルファス構造の金属が放射線に対して強いので、宇
宙用、原子炉用素子形成の為のウェーハとしても通用可
能である。
アモルファス構造の金属が放射線に対して強いので、宇
宙用、原子炉用素子形成の為のウェーハとしても通用可
能である。
３４１図は本発明のアモルファス構造を有するウェーハ
の一実施例を示す図、第２図は他の実施例を示す図、第
３図は本発明の実施例のウェーハと従来例のウェーハと
の熱処理後のライフタイム値の変化を示すグラフである
。 １．１′・・・シリコンウェーハ ２・・・非晶質シリコン 出願人 東芝セラミックス株式会社
の一実施例を示す図、第２図は他の実施例を示す図、第
３図は本発明の実施例のウェーハと従来例のウェーハと
の熱処理後のライフタイム値の変化を示すグラフである
。 １．１′・・・シリコンウェーハ ２・・・非晶質シリコン 出願人 東芝セラミックス株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）シリコンウェーハまたは化合物ウェーハの裏面に、
アモルファス構造の金属を接着してなるアモルファス構
造を有するウェーハ。 ２）シリコンウェーハまたは化合物ウェーハによりアモ
ルファス構造の金属を挾み込んで接着してなるアモルフ
ァス構造を有するウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150727A JP2583803B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | アモルファス構造を有するウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150727A JP2583803B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | アモルファス構造を有するウェーハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442540A true JPH0442540A (ja) | 1992-02-13 |
| JP2583803B2 JP2583803B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=15503094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150727A Expired - Lifetime JP2583803B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | アモルファス構造を有するウェーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583803B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263453A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP0798771A2 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Silicon wafer comprising an amorphous silicon layer and method of manufacturing the same by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
| US5757063A (en) * | 1994-03-25 | 1998-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an extrinsic gettering film |
| JP2017152570A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119733A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | シリコン板の重金属ゲッタリング方法 |
| JPS6329937A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Sony Corp | 半導体基板 |
| JPH042133A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 結晶板 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2150727A patent/JP2583803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| EP0798771A2 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Silicon wafer comprising an amorphous silicon layer and method of manufacturing the same by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
| EP0798771A3 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-08 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Silicon wafer comprising an amorphous silicon layer and method of manufacturing the same by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
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| JP2017152570A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
| WO2017145470A1 (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583803B2 (ja) | 1997-02-19 |
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