JP2583803B2 - アモルファス構造を有するウェーハ - Google Patents
アモルファス構造を有するウェーハInfo
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- JP2583803B2 JP2583803B2 JP2150727A JP15072790A JP2583803B2 JP 2583803 B2 JP2583803 B2 JP 2583803B2 JP 2150727 A JP2150727 A JP 2150727A JP 15072790 A JP15072790 A JP 15072790A JP 2583803 B2 JP2583803 B2 JP 2583803B2
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- Japan
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- wafer
- amorphous structure
- metal
- silicon
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ゲッタリング効果をもたせたウェーハに関
する。
する。
ウェーハにおけるエクストリンシック・ゲッタリング
技術の１つにはバックシール法がある。このバックシー
ル法は、ウェーハの裏面に窒化膜または多結晶ポリシリ
コンをコーティングすることにより、多結晶の粒界に重
金属等の汚染不純物原子をとりこむものである。
技術の１つにはバックシール法がある。このバックシー
ル法は、ウェーハの裏面に窒化膜または多結晶ポリシリ
コンをコーティングすることにより、多結晶の粒界に重
金属等の汚染不純物原子をとりこむものである。
ところで、上記のように窒化膜または多結晶ポリシリ
コンを裏面にコーティングしたウェーハは、高温熱処理
を繰り返していくと、アモルファス結晶の多結晶化が進
み、ゲッタリング効果が低減し、コーティングした多結
晶ポリシリコンに重金属等の汚染不純物原子をとりこむ
ことができず、ゲッタリング効果を長く持続させること
ができなかった。
コンを裏面にコーティングしたウェーハは、高温熱処理
を繰り返していくと、アモルファス結晶の多結晶化が進
み、ゲッタリング効果が低減し、コーティングした多結
晶ポリシリコンに重金属等の汚染不純物原子をとりこむ
ことができず、ゲッタリング効果を長く持続させること
ができなかった。
そこで本発明は、ゲッタリング効果を従来よりも長く
持続させることのできるアモルファス構造を有するウェ
ーハを提供しようとするものである。
持続させることのできるアモルファス構造を有するウェ
ーハを提供しようとするものである。
上記課題を解決するための本発明のアモルファス構造
を有するウェーハの１つは、シリコンウェーハ又は化合
物ウェーハの裏面に、アモルファス構造の金属を接着し
てなり、該金属に水素を貯蔵させてなることを特徴とす
るものである。
を有するウェーハの１つは、シリコンウェーハ又は化合
物ウェーハの裏面に、アモルファス構造の金属を接着し
てなり、該金属に水素を貯蔵させてなることを特徴とす
るものである。
本発明のアモルファス構造を有するウェーハの他の１
つは、シリコンウェーハまたは化合物ウェーハにより、
アモルファス構造の金属を挾み込んで接着してなり、該
金属に水素を貯蔵させてなることを特徴とするものであ
る。
つは、シリコンウェーハまたは化合物ウェーハにより、
アモルファス構造の金属を挾み込んで接着してなり、該
金属に水素を貯蔵させてなることを特徴とするものであ
る。
上述の如く構成された本発明のアモルファス構造を有
するウェーハは、高温熱処理を繰り返しても多結晶化へ
の進行が遅く、アモルファス金属に重金属等の汚染不純
物原子をとりこむことができるので、ゲッタリング効果
が長く持続する。特にアモルファス層にH2,HCl熱処理す
ることにより、より一層ゲッタリング効果をもたせるこ
とができる。即ち、アモルファス構造の金属に水素を貯
蔵させ、或いは微粉化したアモルファス構造の金属結晶
をH2熱処理するか又は水素雰囲気中で圧力をかけるなど
して、水素を貯蔵させた後、水素貯蔵金属或いは水素貯
蔵微粉末を、CVD法，スパッタ法，イオン注入法などに
よりウェーハに接着し、その後ウェーハを加熱すること
により水素を解放し、この水素解放により重金属等の汚
染不純物がトラップされる。例えば、金属水素化合物と
して重金属がアモルファス構造の金属にとりこまれる。
また、H2の還元作用により、OSF,BMDを低減できる。
するウェーハは、高温熱処理を繰り返しても多結晶化へ
の進行が遅く、アモルファス金属に重金属等の汚染不純
物原子をとりこむことができるので、ゲッタリング効果
が長く持続する。特にアモルファス層にH2,HCl熱処理す
ることにより、より一層ゲッタリング効果をもたせるこ
とができる。即ち、アモルファス構造の金属に水素を貯
蔵させ、或いは微粉化したアモルファス構造の金属結晶
をH2熱処理するか又は水素雰囲気中で圧力をかけるなど
して、水素を貯蔵させた後、水素貯蔵金属或いは水素貯
蔵微粉末を、CVD法，スパッタ法，イオン注入法などに
よりウェーハに接着し、その後ウェーハを加熱すること
により水素を解放し、この水素解放により重金属等の汚
染不純物がトラップされる。例えば、金属水素化合物と
して重金属がアモルファス構造の金属にとりこまれる。
また、H2の還元作用により、OSF,BMDを低減できる。
水素貯蔵に適する金属材料としては、正四面体配位の
もので、シリコン，ゲルマニウム，炭素および炭化珪素
などが用いられる。
もので、シリコン，ゲルマニウム，炭素および炭化珪素
などが用いられる。
本発明のアモルファス構造を有するウェーハの一実施
例は、第１図に示す如く厚さ650μｍのシリコンウェー
ハ１の裏面に、アモルファス構造の金属、本例では非晶
質シリコン２をCVD法により２μｍコーティングしたも
のである。
例は、第１図に示す如く厚さ650μｍのシリコンウェー
ハ１の裏面に、アモルファス構造の金属、本例では非晶
質シリコン２をCVD法により２μｍコーティングしたも
のである。
他の実施例は、第２図に示す如く厚さ650μｍのシリ
コンウェーハ１の裏面に、非晶質シリコン２をCVD法に
より２μｍコーティングした後、その非晶質シリコン２
に厚さ400μｍのシリコンウェーハ１′を接着して、非
晶質シリコン２をシリコンウェーハ1,1で挾んだもので
ある。
コンウェーハ１の裏面に、非晶質シリコン２をCVD法に
より２μｍコーティングした後、その非晶質シリコン２
に厚さ400μｍのシリコンウェーハ１′を接着して、非
晶質シリコン２をシリコンウェーハ1,1で挾んだもので
ある。
然して実施例１のアモルファス構造を有するウェーハ
と、従来例の厚さ625μｍのシリコンウェーハの裏面に
多結晶ポリシリコンをCVD法により２μｍコーティング
したウェーハとを、1100℃×90分の熱処理を、繰り返し
ていった処、第３図のグラフに示すような結果を得た。
尚、熱処理プロセスＡ〜Ｆは1100℃×90分の熱処理１回
に当り、Ｅ及びＦは1100℃×180分とした。
と、従来例の厚さ625μｍのシリコンウェーハの裏面に
多結晶ポリシリコンをCVD法により２μｍコーティング
したウェーハとを、1100℃×90分の熱処理を、繰り返し
ていった処、第３図のグラフに示すような結果を得た。
尚、熱処理プロセスＡ〜Ｆは1100℃×90分の熱処理１回
に当り、Ｅ及びＦは1100℃×180分とした。
第３図のグラフで明らかなように各ウェーハとも熱処
理が進んでいけば劣化するが、その中でも多結晶シリコ
ンよりもアモルファスシリコンをコーティングしたもの
の方が、ライフタイムが高く、且つゲッタリングの持続
性が長いことが判る。
理が進んでいけば劣化するが、その中でも多結晶シリコ
ンよりもアモルファスシリコンをコーティングしたもの
の方が、ライフタイムが高く、且つゲッタリングの持続
性が長いことが判る。
また、上記実施例のウェーハ１の非晶質シリコン２に
水素ガス中の熱処理を加えて水素を吸蔵させたウェーハ
１は、そのライフタイムが水素を吸蔵させないものより
も向上した。また、ウェーハ１の表面のOSF.BMDが低減
された。
水素ガス中の熱処理を加えて水素を吸蔵させたウェーハ
１は、そのライフタイムが水素を吸蔵させないものより
も向上した。また、ウェーハ１の表面のOSF.BMDが低減
された。
尚、アモルファス構造の金属の接着手段は、CVD法に
限らず、液体急冷法，真空蒸着法，スパッタ法，イオン
注入法でも良い。
限らず、液体急冷法，真空蒸着法，スパッタ法，イオン
注入法でも良い。
また、アモルファス構造の金属は、単体でも合金でも
良い。
良い。
以上の通り本発明のアモルファス構造を有するウェー
ハは、アモルファス構造の金属が接着され、該金属に水
素が貯蔵されているので、ウェーハを加熱することによ
り水素を解放し、この水素の解放により重金属等の汚染
不純物がトラップされるので、ゲッタリング効果をより
一層長く持続できる。また、H2の還元作用により、OSF,
BMDを低減できる。また、ウェーハの強度が向上し、熱
処理時のスリップ（線状欠陥）が防止される。
ハは、アモルファス構造の金属が接着され、該金属に水
素が貯蔵されているので、ウェーハを加熱することによ
り水素を解放し、この水素の解放により重金属等の汚染
不純物がトラップされるので、ゲッタリング効果をより
一層長く持続できる。また、H2の還元作用により、OSF,
BMDを低減できる。また、ウェーハの強度が向上し、熱
処理時のスリップ（線状欠陥）が防止される。
また、本発明のアモルファス構造を有するウェーハ
は、アモルファス構造の金属が放射線に対して強いの
で、宇宙用，原子炉用素子形成の為のウェーハとしても
適用可能である。
は、アモルファス構造の金属が放射線に対して強いの
で、宇宙用，原子炉用素子形成の為のウェーハとしても
適用可能である。
第１図は本発明のアモルファス構造を有するウェーハの
一実施例を示す図、第２図は他の実施例を示す図、第３
図は本発明の実施例のウェーハと従来例のウェーハとの
熱処理後のライフタイム値の変化を示すグラフである。 1,1′……シリコンウェーハ ２……非晶質シリコン
一実施例を示す図、第２図は他の実施例を示す図、第３
図は本発明の実施例のウェーハと従来例のウェーハとの
熱処理後のライフタイム値の変化を示すグラフである。 1,1′……シリコンウェーハ ２……非晶質シリコン
Claims (2)
- 【請求項１】シリコンウェーハまたは化合物ウェーハの
裏面に、アモルファス構造の金属を接着してなり、該金
属に水素を貯蔵させてなることを特徴とするアモルファ
ス構造を有するウェーハ。 - 【請求項２】シリコンウェーハまたは化合物ウェーハに
より、アモルファス構造の金属を挾み込んで接着してな
り、該金属に水素を貯蔵させてなることを特徴とするア
モルファス構造を有するウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150727A JP2583803B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | アモルファス構造を有するウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150727A JP2583803B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | アモルファス構造を有するウェーハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442540A JPH0442540A (ja) | 1992-02-13 |
| JP2583803B2 true JP2583803B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=15503094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150727A Expired - Lifetime JP2583803B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | アモルファス構造を有するウェーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583803B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757063A (en) * | 1994-03-25 | 1998-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an extrinsic gettering film |
| JP3524141B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH09266212A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハおよびその製造方法 |
| JP6759626B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2020-09-23 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119733A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | シリコン板の重金属ゲッタリング方法 |
| JPS6329937A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Sony Corp | 半導体基板 |
| JPH042133A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 結晶板 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2150727A patent/JP2583803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442540A (ja) | 1992-02-13 |
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