JPS58151016A - 化合物半導体構成体に対する熱処理法 - Google Patents
化合物半導体構成体に対する熱処理法Info
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- JPS58151016A JPS58151016A JP3364782A JP3364782A JPS58151016A JP S58151016 A JPS58151016 A JP S58151016A JP 3364782 A JP3364782 A JP 3364782A JP 3364782 A JP3364782 A JP 3364782A JP S58151016 A JPS58151016 A JP S58151016A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、［［−Ｖ族化合物半導体、Ｉ［−Ｖｌ族化合
物半導体等の化合物半導体を以て構成せる化合物半導体
構成体、特にＱａ ＡＳ ４ Ｑａ ｐ。
物半導体等の化合物半導体を以て構成せる化合物半導体
構成体、特にＱａ ＡＳ ４ Ｑａ ｐ。
Ｉｎ Ｐ、Ｇａ ＡＩ Ａｓ系、ＧａＩｎＡＳＰ系等の
化合物半導体を以て構成せる、半導体集積回路装置、光
半導体集積回路装置等に用いる半導体基板乃至層、その
半導体基板乃至層を得る為の化合物半導体結晶体等を、
熱処理する場合に適用して好適な、化合物半導体構成体
に対する熱処理法に関：づる。
化合物半導体を以て構成せる、半導体集積回路装置、光
半導体集積回路装置等に用いる半導体基板乃至層、その
半導体基板乃至層を得る為の化合物半導体結晶体等を、
熱処理する場合に適用して好適な、化合物半導体構成体
に対する熱処理法に関：づる。
以下筒中の為、熱処理せられるべき化合物半導体構成体
がＱａ ＡＳでなる半導体基板であるものとして述べる
に、従来、ＧａＡｓでなる半絶縁性を有する半導体基板
内に、その主面側より、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｓ等の不純物イオ
ンを注入せしめ、然る後、その不純物イオンの注入され
た半導体基板に対し、７５０〜８５０℃の温度での熱処
理を施して、半導体基板内に注入せる不純物イオンを活
性化し、斯くで、活性化された不純物イオンにて決めら
れた導電型を有する半導体領域を形成してなる半導体基
板を、半導体集積回路、光半導体集積回路等を構成する
に用いる半導体基板として得るという方法が提案されて
いる。
がＱａ ＡＳでなる半導体基板であるものとして述べる
に、従来、ＧａＡｓでなる半絶縁性を有する半導体基板
内に、その主面側より、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｓ等の不純物イオ
ンを注入せしめ、然る後、その不純物イオンの注入され
た半導体基板に対し、７５０〜８５０℃の温度での熱処
理を施して、半導体基板内に注入せる不純物イオンを活
性化し、斯くで、活性化された不純物イオンにて決めら
れた導電型を有する半導体領域を形成してなる半導体基
板を、半導体集積回路、光半導体集積回路等を構成する
に用いる半導体基板として得るという方法が提案されて
いる。
所で、断る方法に於て、従来、半導体基板内に注入せる
不純物イオンを活性化する為の熱処理を、半導体基板を
構成せるＧａ Ａｓの成分元素であるＡｓガスの雰囲気
下でなしているか又は半導体基板の表面にＳｉＮ、Ｓｉ
Ｏ，等の蒸発阻止用？１ＪＩｌ！ｌを附した状態でなし
ているを普通どしていた。
不純物イオンを活性化する為の熱処理を、半導体基板を
構成せるＧａ Ａｓの成分元素であるＡｓガスの雰囲気
下でなしているか又は半導体基板の表面にＳｉＮ、Ｓｉ
Ｏ，等の蒸発阻止用？１ＪＩｌ！ｌを附した状態でなし
ているを普通どしていた。
その理由は、半導体基板を構成せるＧａＡＳの成分元素
であるーＡｓの蒸気圧が、上述せる熱処理時の温度に於
て、極めて高いことにより、熱処理時に、半導体基板を
構成せるＧａ Ａｓの成分元素であるＡｓが、半導体基
板の表面より分解蒸発し、この為熱処理のなされた半導
体基板の表面側が、熱処理前とは異なる組成比を有する
Ｇａ及びＡＳの化合物半導体でなるものとして得られた
り、半導体基板が、表面の荒れたものとして得られたり
することを回避せんが為である。
であるーＡｓの蒸気圧が、上述せる熱処理時の温度に於
て、極めて高いことにより、熱処理時に、半導体基板を
構成せるＧａ Ａｓの成分元素であるＡｓが、半導体基
板の表面より分解蒸発し、この為熱処理のなされた半導
体基板の表面側が、熱処理前とは異なる組成比を有する
Ｇａ及びＡＳの化合物半導体でなるものとして得られた
り、半導体基板が、表面の荒れたものとして得られたり
することを回避せんが為である。
然しながら、半導体基板に対する熱処理を、上述せる如
＜Ａｓガスの雰囲気下でなす場合、その熱処理をなすに
つき、複雑な装置を要すると共に、Ａｓガスという有毒
なガスを取扱う点で安全性に問題がある等の欠点を有し
ていた。
＜Ａｓガスの雰囲気下でなす場合、その熱処理をなすに
つき、複雑な装置を要すると共に、Ａｓガスという有毒
なガスを取扱う点で安全性に問題がある等の欠点を有し
ていた。
又、半導体基板に対する熱処理を、上述せる如く、半導
体基板の表面にＳｉ Ｎ、Ｓｉ Ｏ８等の蒸発阻止用薄
膜を附した状態でなす場合、半導体基板の表面に蒸発阻
止用薄膜を附す必要があるばかりでなく、一般に蒸発阻
止用薄膜と半導体基板との間に熱膨張係数の差を有する
為、熱処理の４された半導体基板が、その表面側に引張
歪又は圧縮歪を伴ったものとして得られたり、更には、
不純物イオンが半導体基板と蒸発阻止用薄膜とのなす界
面に不必要に集中したりする等の欠点を有してした。
体基板の表面にＳｉ Ｎ、Ｓｉ Ｏ８等の蒸発阻止用薄
膜を附した状態でなす場合、半導体基板の表面に蒸発阻
止用薄膜を附す必要があるばかりでなく、一般に蒸発阻
止用薄膜と半導体基板との間に熱膨張係数の差を有する
為、熱処理の４された半導体基板が、その表面側に引張
歪又は圧縮歪を伴ったものとして得られたり、更には、
不純物イオンが半導体基板と蒸発阻止用薄膜とのなす界
面に不必要に集中したりする等の欠点を有してした。
依って、本発明は、上述せる欠点を伴うことのない、新
規な化合物半導体構成体に対する熱処理法を提案せんと
するもので、その新規とする所は、化合物半導体構成体
に対する熱処理を、それを構成せる化合物半導体と実質
的に反応せざる、化合物半導体構成体を構成せる化合物
半導体に比し低い融点を有する物質の加熱された融液中
でなすにある。この場合融液を構成せる物質は、化合物
半導体構成体を構成せる化合物半導体に比し高い沸点を
有するを可とする。
規な化合物半導体構成体に対する熱処理法を提案せんと
するもので、その新規とする所は、化合物半導体構成体
に対する熱処理を、それを構成せる化合物半導体と実質
的に反応せざる、化合物半導体構成体を構成せる化合物
半導体に比し低い融点を有する物質の加熱された融液中
でなすにある。この場合融液を構成せる物質は、化合物
半導体構成体を構成せる化合物半導体に比し高い沸点を
有するを可とする。
断る本発明によれば、化合物半導体構成体に対する熱処
理が、それを構成せる化合物半導体と実質的に反応せざ
る、化合物半導体構成体を構成せる化合物半導体に比し
低い融点を有する物質の加熱された融液中でなされ、そ
してその融液が、化合物半導体構成体を構成せる、化合
物半導体を構成せる元素が、分解蒸発することを阻止す
る作用をなす為、熱処理のなされた化合物半導体構成体
の表面側が、熱処理前とは異なる組成比を有する化合物
半導体でなるものとして得られたり、熱処理された化合
物半導体構成体が表面の荒れたものとして得られたりす
ることがないものである。このことは、融液を構成せる
物質が化合物半導体構成体を構成せる化合物半導体に比
し高い沸点を有する場合尚更である。
理が、それを構成せる化合物半導体と実質的に反応せざ
る、化合物半導体構成体を構成せる化合物半導体に比し
低い融点を有する物質の加熱された融液中でなされ、そ
してその融液が、化合物半導体構成体を構成せる、化合
物半導体を構成せる元素が、分解蒸発することを阻止す
る作用をなす為、熱処理のなされた化合物半導体構成体
の表面側が、熱処理前とは異なる組成比を有する化合物
半導体でなるものとして得られたり、熱処理された化合
物半導体構成体が表面の荒れたものとして得られたりす
ることがないものである。このことは、融液を構成せる
物質が化合物半導体構成体を構成せる化合物半導体に比
し高い沸点を有する場合尚更である。
又、本発明によれば、化合物半導体構成体を、上述せる
物質の加熱された融液中に配するだけで、その化合物半
導体構成体に対する熱処理が完了するので、その熱処理
を簡便になし得る等の大なる特徴を有するものである。
物質の加熱された融液中に配するだけで、その化合物半
導体構成体に対する熱処理が完了するので、その熱処理
を簡便になし得る等の大なる特徴を有するものである。
その他、本発明の特徴、利益は、化合物半導体構成体が
Ｇａ Ａｓでなるものとした場合の、本発明の実施例を
述べる所より明らかとなるであろう。
Ｇａ Ａｓでなるものとした場合の、本発明の実施例を
述べる所より明らかとなるであろう。
実施例１
第１図Ａに示す如く、電気炉１内に、Ｂ２Ｏ３゜でなる
固形体を投入せる坩堝２を配し、然して電気炉１を８０
０℃に加熱し、坩堝２内でＢ２Ｏ３の融液３を得た。
固形体を投入せる坩堝２を配し、然して電気炉１を８０
０℃に加熱し、坩堝２内でＢ２Ｏ３の融液３を得た。
次で、坩堝２内に得られた融液３内に、第１図Ｂに示す
如く、６００℃以下の低温に保たれた位置から、ホルダ
４を介して、Ｇａ Ａｓでなる半導体基板５を浸漬せし
め、その状態を２０分間保持せしめた。
如く、６００℃以下の低温に保たれた位置から、ホルダ
４を介して、Ｇａ Ａｓでなる半導体基板５を浸漬せし
め、その状態を２０分間保持せしめた。
この場合、半導体基板５として、（１００）面でなる板
面を有し、板面側より３ｉイオンが、２−２ 一２２Ｘ１０ の表面濃度となる如く、６０ＫｅＶに
加速されて注入されてなる半導体基板を用いた。
面を有し、板面側より３ｉイオンが、２−２ 一２２Ｘ１０ の表面濃度となる如く、６０ＫｅＶに
加速されて注入されてなる半導体基板を用いた。
次で、Ｑａ ＡＳでなる半導体基板５を、６００℃以下
の低温に保たれている原位置に復帰せしめ、Ｑａ Ａｓ
でなる半導体基板５に対する熱処理をなした。
の低温に保たれている原位置に復帰せしめ、Ｑａ Ａｓ
でなる半導体基板５に対する熱処理をなした。
この様にして熱処理されたＱａ Ａｓでなる半導体基板
５の表面には、Ｂ、０３でなる膜状体が附されている場
合もあったが、そのＢａＯ３でなる膜状体は、純水を用
いて半導体基板５の表面より容易に除去し得た。又熱処
理された半導体基板５は、その表面が金属光沢を呈し、
半導体基板５を構成せる、Ｇａ Ａｓを構成せるＡｓの
蒸発のないものとして得られた。更に、熱処理された半
導体基板は、それを構成せるＧａＡＳと融液３を構成せ
るＢ２Ｏ３とが実質的に反応していないものとして得ら
れた。
５の表面には、Ｂ、０３でなる膜状体が附されている場
合もあったが、そのＢａＯ３でなる膜状体は、純水を用
いて半導体基板５の表面より容易に除去し得た。又熱処
理された半導体基板５は、その表面が金属光沢を呈し、
半導体基板５を構成せる、Ｇａ Ａｓを構成せるＡｓの
蒸発のないものとして得られた。更に、熱処理された半
導体基板は、それを構成せるＧａＡＳと融液３を構成せ
るＢ２Ｏ３とが実質的に反応していないものとして得ら
れた。
又、熱処理された半導体基板５は、それに注入されてい
たＳ１イオンが活性化されてなるちるものとしてなされ
、従って３ｉイオンの活性化が、見掛上６０％という高
い活性化率を以てなされたことが確認された。
たＳ１イオンが活性化されてなるちるものとしてなされ
、従って３ｉイオンの活性化が、見掛上６０％という高
い活性化率を以てなされたことが確認された。
実施例２
第２図に示す如く、電気炉１内に、Ｂ２Ｏ３でなる固形
体を投入せる坩堝２を配し、然して電気炉１を９００℃
に加熱し、坩堝２内でＢ。
体を投入せる坩堝２を配し、然して電気炉１を９００℃
に加熱し、坩堝２内でＢ。
０８ の融液３を得た。
次で、坩堝２に得られた融液３内に、６００℃以下の低
温に保たれた位置から、ホルダ４を介して、液体カプセ
ル法にて引上げたＧａ Ａｓでなる結晶体１５を浸漬せ
しめ、その状態を１０時間保持せしめた。
温に保たれた位置から、ホルダ４を介して、液体カプセ
ル法にて引上げたＧａ Ａｓでなる結晶体１５を浸漬せ
しめ、その状態を１０時間保持せしめた。
次テ、Ｇａ Ａｓ でｈるＭＭ体１５ を、６００℃以
下の温度に保たれた原位置に復帰せしめ、Ｇａ Ａｓで
なる結晶体１５に対する熱処理をなした。
下の温度に保たれた原位置に復帰せしめ、Ｇａ Ａｓで
なる結晶体１５に対する熱処理をなした。
この様にして熱処理されたＱａ Ａｓでなる結晶体１５
は、その表面が金属光沢を呈し、結晶体１５を構成せる
、Ｇａ ＡＳを構成せるＡｓの蒸発のないものとして得
られた。又熱処理された結晶体１５は、熱処理前の結晶
体１５がその表面側に熱歪を伴っているものであったが
、斯る熱歪が除去されたものとして得られた。
は、その表面が金属光沢を呈し、結晶体１５を構成せる
、Ｇａ ＡＳを構成せるＡｓの蒸発のないものとして得
られた。又熱処理された結晶体１５は、熱処理前の結晶
体１５がその表面側に熱歪を伴っているものであったが
、斯る熱歪が除去されたものとして得られた。
実施例３
第３図Ａに示す如く、横型の電気炉２１内に、ＧａＡＳ
でなる半絶縁性を有する基板２２を植立し、且つ、Ｂ、
Ｏ，でなる固形体２３を収容せるボート２４を配した。
でなる半絶縁性を有する基板２２を植立し、且つ、Ｂ、
Ｏ，でなる固形体２３を収容せるボート２４を配した。
この場合、基板２２として、その板面側より１”２−２
Ｓｉイオンが、２Ｘ１０ｃｍ の表面濃度となる如く
、６０ＫｅＶに加速されて注入されてなる半導体基板を
用いた。
、６０ＫｅＶに加速されて注入されてなる半導体基板を
用いた。
然して電気炉２１を８００℃に加熱し、ボート２４内で
、第３図Ｂに示す如く、基板２２を浸漬せるＢ、０３の
融液２５を得た。
、第３図Ｂに示す如く、基板２２を浸漬せるＢ、０３の
融液２５を得た。
次で、この状態を約２０分間保って、電気炉２１を徐冷
し、Ｂ２Ｏ３の融液２５を固化せる固形体を得た。
し、Ｂ２Ｏ３の融液２５を固化せる固形体を得た。
次で、そのＢ、０８の固形体を純水を用いて除去し、然
る後、基板２２をボート２３より取出し、基板２２に対
す−る熱処理をなした。
る後、基板２２をボート２３より取出し、基板２２に対
す−る熱処理をなした。
この様にして熱処理されたＧａ ＡＳでなる基板２２は
、その表面が金属光沢を呈しているものとして得られた
。又熱処理された基板２２は、それに注入されていたＳ
ｉイオンが活性化されてなるものとして得られた。この
場合、Ｓ１イ２−２ オンの活性化が、１．３Ｘ１０ ｃＩｌ の表面濃度
を有するものとしてなされ、従って３ｉイオンの活性化
が、見掛上６５％という高い活性化率を以てなされたこ
とが確認された。
、その表面が金属光沢を呈しているものとして得られた
。又熱処理された基板２２は、それに注入されていたＳ
ｉイオンが活性化されてなるものとして得られた。この
場合、Ｓ１イ２−２ オンの活性化が、１．３Ｘ１０ ｃＩｌ の表面濃度
を有するものとしてなされ、従って３ｉイオンの活性化
が、見掛上６５％という高い活性化率を以てなされたこ
とが確認された。
以上（で、化合物半導体構成体がＧａ Ａｓでなるもの
とした場合の、本発明の僅かな実施例が明らかとなった
が、本発明は、化合物半導体構成体が、Ｇａ ＡＳ以外
の、Ｇａ Ｐ、Ｉｎ ｐ。
とした場合の、本発明の僅かな実施例が明らかとなった
が、本発明は、化合物半導体構成体が、Ｇａ ＡＳ以外
の、Ｇａ Ｐ、Ｉｎ ｐ。
Ｇａ ＡＩ Ａｓ系、Ｇａ１ｎＡｓＰ系等の■−ｖ族化
合物半導体、更には、Ｚｎ Ｓ、Ｚｎ Ｓｅ 。
合物半導体、更には、Ｚｎ Ｓ、Ｚｎ Ｓｅ 。
Ｚｎ Ｔｅ 、Ｃｄ Ｓ、Ｃｄ Ｓｅ 、Ｃｄ Ｔｅ等
（７）ＩＩ−■族化合物半導体でなるものである場合に
も、適用し得るものである。
（７）ＩＩ−■族化合物半導体でなるものである場合に
も、適用し得るものである。
又、この場合用いる、化合物半導体構成体を構成せる化
合物半導体と実質的に反応せざる、化合物構成体を構成
せる化合物半導体に比し低い融点を有する物質の加熱さ
れた融液としては、上述せる実施例に於けると同様のＢ
、 Ｏ，でなる融液はもとより、Ｂ、Ｏ：３ 以外の
融液を用い得ること明らかであろう。但し、化合物半導
体構成体を構成せる化合物半導体が、上述にて例示せる
化合物半導体である場合、Ｂ：ａＯ５でなる融液である
を可とするものである。
合物半導体と実質的に反応せざる、化合物構成体を構成
せる化合物半導体に比し低い融点を有する物質の加熱さ
れた融液としては、上述せる実施例に於けると同様のＢ
、 Ｏ，でなる融液はもとより、Ｂ、Ｏ：３ 以外の
融液を用い得ること明らかであろう。但し、化合物半導
体構成体を構成せる化合物半導体が、上述にて例示せる
化合物半導体である場合、Ｂ：ａＯ５でなる融液である
を可とするものである。
その理由はＢ、 Ｏ５でなる融液が化合物半導体に対し
て低い融点温度（約５７７℃）を有する点、化合物半導
体と反応しない点、化合物半導体に比し高い沸点（約１
５５０℃）を有する点、融液状態で化学的に安定である
点で好ましいからである。
て低い融点温度（約５７７℃）を有する点、化合物半導
体と反応しない点、化合物半導体に比し高い沸点（約１
５５０℃）を有する点、融液状態で化学的に安定である
点で好ましいからである。
第１図Ａ及びＢは本発明による化合物半導体構成体に対
する熱処理法の第１の実施例を示す路線図である。 第２図は本発明による化合物半導体構成体に対する熱処
理法の第２の実施例を示す路線図である。 第３図Ａ及びＢは本発明による化合物半導体構成体に対
する熱処理法第３の実施例を示す路線図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・電気炉２・・・・・
・・・・・・・・・・坩堝３・・・・・・・・・・・・
・・・Ｂ２Ｏ３でなる融液４・・・・・・・・・・・・
・・・ホルダ５・・・・・・・・・・・・・・・ＧａＡ
ｓでなる半導体基板１５・・・・・・・・・・・・・・
・ＧａＡｓでなる結晶体２１・・・・・・・・・・・・
・・・電気炉２２・・・・・・・・・・・・・・・Ｏ８
Ａｓでなる基板２３・・・・・・・・・・・・・・・Ｂ
ａＯ２でなる固形体２４・・・・・・・・・・・・・・
・ボート２５・・・・・・・・・・・・・・・Ｂ２０．
でなる融液出願人 日本電信室′・話公社 代理人 弁理士 田中正魂 第１ｇｍ１Ａ １１１１１１Ｂ 第２図
する熱処理法の第１の実施例を示す路線図である。 第２図は本発明による化合物半導体構成体に対する熱処
理法の第２の実施例を示す路線図である。 第３図Ａ及びＢは本発明による化合物半導体構成体に対
する熱処理法第３の実施例を示す路線図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・電気炉２・・・・・
・・・・・・・・・・坩堝３・・・・・・・・・・・・
・・・Ｂ２Ｏ３でなる融液４・・・・・・・・・・・・
・・・ホルダ５・・・・・・・・・・・・・・・ＧａＡ
ｓでなる半導体基板１５・・・・・・・・・・・・・・
・ＧａＡｓでなる結晶体２１・・・・・・・・・・・・
・・・電気炉２２・・・・・・・・・・・・・・・Ｏ８
Ａｓでなる基板２３・・・・・・・・・・・・・・・Ｂ
ａＯ２でなる固形体２４・・・・・・・・・・・・・・
・ボート２５・・・・・・・・・・・・・・・Ｂ２０．
でなる融液出願人 日本電信室′・話公社 代理人 弁理士 田中正魂 第１ｇｍ１Ａ １１１１１１Ｂ 第２図
Claims (1)
- 化合物半導体を以て構成せる化合物半導体構成体に対す
る熱処理を、上記化合物半導体と実質的に反応せざる、
上記化合物半導体に比し低い融点を有する物質の加熱さ
れた融液中でなづことを特徴とする化合物半導体に対す
る熱処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3364782A JPS58151016A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 化合物半導体構成体に対する熱処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3364782A JPS58151016A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 化合物半導体構成体に対する熱処理法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151016A true JPS58151016A (ja) | 1983-09-08 |
| JPS6332252B2 JPS6332252B2 (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=12392234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3364782A Granted JPS58151016A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 化合物半導体構成体に対する熱処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716763A (en) * | 1994-12-06 | 1998-02-10 | International Business Machines Corporation | Liquid immersion heating process for substrate temperature uniformity |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4665184B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2011-04-06 | 独立行政法人海洋研究開発機構 | セルロース固体培地とその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5387164A (en) * | 1977-01-11 | 1978-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat traetment method of compound crystal |
| JPS56130283A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Iseki Agricult Mach | Extractor for separated cereal grain in oscillation type cereal specific gravity selector |
-
1982
- 1982-03-03 JP JP3364782A patent/JPS58151016A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5387164A (en) * | 1977-01-11 | 1978-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat traetment method of compound crystal |
| JPS56130283A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Iseki Agricult Mach | Extractor for separated cereal grain in oscillation type cereal specific gravity selector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716763A (en) * | 1994-12-06 | 1998-02-10 | International Business Machines Corporation | Liquid immersion heating process for substrate temperature uniformity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6332252B2 (ja) | 1988-06-29 |
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