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Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung,
bei dem an der Oberfläche eines aus einkristallinem dotierten Halbleitermaterial
bestehenden scheibenförmigen Substratkörpers eine Schicht aus einkristallinem und
niedriger dotierten Haibleitermaterial abgeschieden wird, indem der Substratkörper
in einem zur thermischen Abscheidung des Halbleitermaterials befähigten Reaktionsgas
auf eine für die einkristalline Abscheidung des Halbleitermateria:Ls ausreichende
Temperatur erhitzt wird, bei dem außerdem Maßnahmen zur Unterdrückung des Eintritts
von aus dem Substratkörper stammenden Dotierungsstoff in die abzuscheidende Halbleiterschicht
angewendet werden.
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Solche Maßnahmen sind zum Beispiel in der DT-AS 1 223 060 und in der
DT-AS 1 619 980 beschrieben. Sie bestehen darin, daß man die Abscheidung zunächst
sehr rasch vornimmt, um eine rasche Abdeckung der Substratoberfläche mit dem epitaktisch
abzuscheidenden Material zu erhalten. Dann erst wird der Hauptteil der Schicht wesentlich
langsamer unter Bedingungen abgeschieden, die für das monokristalline Wachstum der
Schicht günstiger als das rasche Wachstum sind.
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Trotz Beachtung solcher Maßnahmen gelingt es nicht ohne weiteres,
ein extrem hochdotiertes Substrat mit einer epitaktischen Schicht geringer Dotierung,
insbesondere vom gleichen Leitungstyp, zu kombinieren, wenn eine Substratdotierung
von mehr als 2,4 . 1019 cm 3 angewendet wird und eine Dotierung der
epitalctischen
Schicht von weniger als 4 . 1015 cm 3 schon nach dem Aufwachsen von nur 0,1 bis
0,2 /um erreicht werden muß.
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Bei derart hohen Substratdotierungen muß man nämlich als Aktivator
Phosphor und/oder Arsen beziehungsweise Bor, also relativ leicht aus dem Substrat
in das Reaktionsgas übergehende Dotierungsstoffe, anwenden, so daß eine rasche Substratabdekkung
keine Abhilfe in ausreichendem Maße schaffen kann und sich der Einfluß der Substratdotierung
praktisch über die ganze epitaktische Schicht bemerkbar macht.
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Um hier eine wirksame Abhilfe zu schaffen, wird gemäß der Erfindung
vorgeschlagen, daß zunächst die Oberfläche des Substratkörpers - lediglich mit Ausnahme
einer einzigen Seite -mit einer reinen, aus der Gasphase abgeschiedenen Maskierungsschicht
aus anorganischem Isolier- oder Halbleitermaterial mit nichtdotierenden Eigenschaften
vollkommen abgedeckt wird, daß dann die gelçunschte einkristalline Halbleiterschicht
auf der von der Maskierungsschicht freien Seite des Substratkörpers abgeschieden
und dabei der Abscheidungsprozeß mindestens einmal unterbrochen und wieder wie vorher
aufgenommen wird, und daß schließlich während der Unterbrechungspause das den Subtragkörper
enthaltende Reaktionsgefäß von den aktiven Substanzen des Reaktionsgases vollkommen
freigespült wird.
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Als Maskierungsschicht kommt eine Schicht aus SiO2 und/oder 5i3N4
und/oder des betreffenden Halbleitermaterials in Betracht, deren Stärke so groß
eingestellt wird, daß sie während der Abscheidung nicht von der Substratdotierung
durchdrungen werden kann. Solche Schichten lassen sich aus gewissen bekannten Reaktionsgasen
bei relativ niedrigen Temperaturen abscheiden. Die optimale Lösung ist allerdings,
wie gemäß der weiteren Erfindung erkannt wurde, durch die Verwendung einer entsprechend
dicken, undotierten, monokristallinen Schicht aus dem betreffenden Halbleitermaterial
gegeben, aus dem sowohl die epitaktische Schicht als auch das Substrat bestehen.
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Demzufolge ist bei einer besonders günstigen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
Verfahrens vorgesehen, daß ein - insbesondere mit Phosphor und/oder Arsen oder Bor
extrem hochdotierter - scheibeii£örmiger Substratkörper aus monokristallinem Silicium
zunächst mit einer aus der Gasphase abgeschiedenen Schicht aus reinem einkristallinen
Silicium abgedeckt wird, daß dann diese Schicht an einer Seite der Substratscheibe
völlig wieder entfernt wird, während die übrige Oberfläche des scheibenförmigen
Substratkörpers von ihr abgedeckt bleibt, und daß dann die gevunschte Siliciumschicht
auf der freigelegten Oberfläche des scheibenförmigen Siliciumkörpers abgeschieden
wird und daß schließlich während der Abscheidung dieser Schicht der Abscheidungsprozeß
mindestens einmal,- bevorzugt jedoch einige Male, unterbrochen wird und dabei jedesmal
in der Unterbrechungspause das Reaktionsgefäß mittels eines reinen inerten Gases
und/oder reinem Wasserstoffs gründlich gespült wird.
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Damit gelingt es nämlich auch, die über die Wände des Reaktionsgefäßes
sowie des Substratträgers häufig verursachte Vergiftung des Reaktionsgases mit von
früheren Prozessen und auch durch die Anfangsphasen des vorliegenden Abscheidungsprozesses
unbeabsichtigterweise gespeichertem Dotierungsstoff wirksam zu unterbinden. Eine
aus reinem, also undotiertem einkristallinen Silicium bestehende maskierende Schicht
wird zweckmaBig 5 bis 15 /um dick bemessen, um sicher zu sein, daß der Maskierungseffekt
in vollem Ausmaße gewährleistet wird. Da die Schichtdickentoleranz der maskierenden
Schicht nicht so kritisch ist, als die der eigentlich herzustellenden epitakt.ischen
Schicht, kann man die maskierende Schicht gleichzeitig auf einer großen Zahl von
Substratkörpern abscheiden, so daß der Aufwand der Herstellung einer solchen maskierenden
Schicht nicht sosehr ins Gewicht fällt. Zu bemerken ist noch, daß diese maskierende
Schicht im allgemeinen auch bei einigen
weiteren Herstellungsprozessen
der Halbleitervorrichtung von Wichtigkeit ist, weshalb wieder der Maskierung mit
undotiertem einkristallinem Silicium der Vorzug zu geben ist. Die Maskierschicht
wird zweckmäßigerweise erst am Ende der Scheibenprozesse durch Ätzen, Läppen oder
Polieren mit nachfolgender Ätzung wieder entfernt.
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Eine weitere wichtige Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß
auch die maskierende Schicht nicht in einem Zug, sondern mit Unterbrechungen abgeschieden
wird, wobei während der Unterbrechungspausen äedesmal das Reaktionsgefäß freigespült
wird.
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Weitere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der Fig. 1 und 2
beschrieben. In Fig. 1 ist der Aufbau eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers dargestellt,
wie er auf Grund des erfindungsgemäßen Verfahrens erhalten wird, während in Fig.
2 eine Vorrichtung dargestellt ist, wie sie sowohl zur Herstellung einer - insbesondere
aus hochreinem Silicium bestehenden -Maskierung als auch für die Abscheidung der
eigentlichen epitaktischen Schicht brauchbar ist. Im Gegensatz zu der maskierenden
Schicht wird die eigentliche epitaktische Schicht durch die aus der Halbleitertechnik
bekannten Prozesse der Dotierung und der Kontaktierung zu Halbleiterbauelementen
und/oder integrierten monolithischen Halbleiterschaltungen weiterverarbeitet.
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In Fig. 2 ist ein rohrförmiges Reaktionsgefäß 5 aus Quarz dargestellt,
welches von einer Heizvorrichtung 6, zum Beispiel in Gestalt einer von elektrischem
Hochfrequenzstrom durchflossenen Induktionsheizspule, umgeben ist. Der zweite Teil
der Heizvorrichtung, nämlich der Suszeptor 4, besteht aus hochreinem Graphit oder
einem hitzebeständigen, nicht dotierendem Metall, zum Beispiel aus Mo, W, Ta oder
SiC, und ist mit der Induktionsheizspule 6 elektromagnetisch verkoppelt, so daß
sich
beim Einschalten des von der Stromquelle 7 gelieferten HF-Stromes
der Suszeptor 4 auf die für die Abscheidung erforderlich hohe Temperatur erhitzt.
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Der Suszeptor 4 dient zugleich als Auflage für die zu behandelnden
Haibleiterkristalle, also Substratscheiben 1, die sich infolge des Kontakts mit
dem Suszeptor 4 beim Einschalten der Induktionsheizspule 6 praktisch auf dieselbe
Temperatur wie der Suszeptor erhitzen.
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Das Reaktionsgefäß 5 ist als Durchströmungsgefäß ausgebildet.
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Demzufolge ist es an einem Ende mit einer Versorgungsvorrich tung
für die benötigten Behandlungsgase verbunden, während das andere Ende in eine Abzugsvorrichtung
oder eine Speichervorrichtung für die Abgase der Reaktion leitet. Die Gasversorgungsvorrichtung
besteht aus einem Reservoir 8 für Inertgas und/oder Wasserstoff, das einerseits
zur Verdünnung des aktiven Bestandteils des Reaktionsgases, andererseits als Spülgas
herangezogen wird, als auch aus einer Vorrichtung 9 zur Erzeugung des aktiven Bestandteils
des Reaktionsgases. Diese enthalt sowohl eine dampfförmige werbindung des abzuscheidenden
Halbleiters, die thermisch zersetzbar ist, als auch (während der Abscheidung der
eigentlichen epitaktischen Schicht) eine flüchtige Verbindung des Dotierungsstoffs.
(Vorrichtungen zur Herstellung des Reaktionsgases sind allgemein bekannt und bilden
außerdem nicht den Gegenstand dieser Erfindung, so daß von einer weitergehenden
Darstellung abgesehen werden kann.) Wichtig ist noch der Hahn 10, mit dessen Hilfe
die Zugabe an aktiven Substanzen zu dem aus dem Reservoir 8 stammenden Wasserstoffstrom
und/oder Inertgasstrom nach Bedarf eingeschaltet oder unterbunden werden kann.
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Die bevorzugte Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird
nun an Hand der Abscheidung epitaktischer Silicium schichten näher beschrieben:
Die
als Substratkörper zu verwendenden Siliciumscheiben 1 werden durch Zersägen beziehungsweise
durch Zerschneiden von stabförmigen Siliciumkörpern erhalten, die ihrerseits durch
Ziehen aus einer, zum Beispiel mit Arsen hochdotierten Siliciumschmelze unter Verwendung
eines geeigneten Schnelztiegels oder durch tiegelfreies Zonenschmelzen gewonnen
wurden. Sie sind extrem hochdotiert. Als Dotierungsstoff ist bevorzugt Pnosphor,
Bor und Arsen verwendet, deren F'estkörperlöslichkeit in Silicium die von Antimon
und die von metallischen Dotierungsstoffen in Silicium um mehrere Größenordnungen
übertrifft. In den meisten Fällen wird man also eine ,Substrçtdotierung von 1019
cm 3, insbesondere von mehr als 2,4 . 1019 cm 5 haben. Die Oberfläche der Siliciumscheiben
wird durch Ätzen und Polieren in bekannter Weise auf den epitaktischen Prozeß vorbereitet.
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Die auf diese Weise erhaltenen Substratscheiben 1 werden nun während
der ersten Phase des erfindungsgemäßen Verfahrens nach dem Einbringen in die Abscheidungsapparatur
im Wasserstoffstrom und/oder Inertgasstrom einige Zeit geglüht (1-)eziehungsweise
mit Ätzgas, zum Beispiel HCl behandelt), um Oxydstellen und so weiter (zum Beispiel
durch Verdampfen) zu beseitigen.
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Dann wird nach Einstellung der für die einkristalline Abscheidung
erforderlichen Temperatur, zum Beispiel 1140 °C, das aus dem Reservoir 8 entnommene
Inertgas oder Wasserstoffgas mit den für die Abscheidung von undotiertem hochreinen
Silicium erforderlichen Reaktionsgasbestandteilen versetzt beziehungsweise durch
ein solches Reaktionsgas ersetzt. Als Reaktionsgas wird vorzugsweise ein Gemisch
aus SiHCl3 + SiH2CC2 und/oder SiCl4 mit Wasserstoff oder 51H4 mit Inertgas und/oder
Wasserstoff verwendet und enthält während dieser ersten Phase des erfindungsgemäßen
Verfahrens keine dotierenden Zusätze.
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Die erste Phase des erfindungsgemäßen Verfahrens dient der Herstellung
der maskierenden Schicht 2. Sie wird bevorzugt ebenfalls mindestens einmal unterbrochen.
Die Unterbrechungs pause wird dazu benutzt, um von früheren Prozessen und/oder
durch
Aufdampfen aus dem Substrat bedingte dotierende Verunreinigungen auszuschalten,
und mit Sicherheit eine einwandfreie maskierende Schicht 2 zu erhalten. Die Stärke
der maskierenden Siliciumschicht 2 wird beispielsweise auf 9 µm bei einer gewünschten
Stärke von 2 bis 20 µm für die eigentliche epitaktische Schicht 3 eingestellt. (Bei
dickeren epitaktischen Schichten auf der Systemseite ist eine dickere Maskierungsschicht
notwendig (zum Beispiel < 30 µm).) Da die Schei ben 1 mit einer Seite auf dem
Heizer 4 aufliegen und deshalb nur in beschränktem Maße rnit dem Reaktionsgas in
Kontakt gelargt, beträgt die e abgeschiedene Schicht an dieser Seite im Beispielsfalle
nur etwa 300 bis 500 i, Man wird also zweckmäßig die an der Auflagefläche während
der Herstellung der makierenden Schicht 2 aufgewachsene und deshalb wesentlich dünnere
Schicht als die übrigen Teile der mas.
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kierenden Schicht entfernen und diese Oberflächenseite als Abscheidungsfläche
für die eigentliche epitakttische Siliciumschicht 3 verwenden. Sollte aus irgendeinem
Grunde eine geiünschte Oberflächenseite des Substratkörpers 1 für die Ab-Abscheidung
der eigentlichen epitaktischen Schicht 3 vorgesehen sein, so wird man zweckmäßig
während der ersten Phase des erfindungsgemäßen Verfahrens die zu behandelnde Substratscheibe
mit dieser Seite auflegen, so daß sich hier der dünnste Schichtteil bei der Herstellung
der maskieren den Schicht 2 ausbildet Der folgende Zwischenschritt des erfindungsgemäßem
Verfahrens besteht in der Entfernung der auf der beabsichtigten Abscheidungsfläche
aufgewachsenen Teile der maskierenden Schicht 2.
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Dies kann zum Beispiel durch Polieren und/oder Ätzen geschehen. Die
dem eigentlichen Abscheideverfahren, also der zweiten Phase des erfindungsgemäßen
Verfahrens, zu unterwerfenden Substratscheiben 1 ind also mit Ausnahme der für die
Abscheidung vorgesehenen Oberflächenseite überall mit der maskierenden Schicht 2
aus hochreinem einkristallinem Silicium 2 bedeckt.
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Für die eigentliche Abscheidung werden nun die Substratscheiben so
auf die für sie in der Abscheidungsapparatur vorgesehene Unterlage, zum Beispiel
dem Heizer und Suszeptor 4, aufgelegt, daß die für die Abscheidung vorgesehene Oberflächenseite
oben ist (Fig. 1).
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Der eigentliche Abscheidungsprozeß, also die zweite Phase des er£indungsgemäßen
Verfahrens, erfolgt nun mittels eines Reaktionsgases, welches zur Abscheidung von
dotiertem Silicium befähigt ist. In den meisten Fällen wird die abzuscheidende epitakti,3che
Schicht 3 den Leitungsrp des Substrats 1 erhalten, wobei jedoch die Dotierungskonzentration
bedeutend niedriger, zum Beispiel gleich 4 . 1015 cm 3 oder noch geringer, eine
stellt werden sol;. Auch die Abscheidung der eigentlichen epitaktischen Schicht
3 wird mindestens einmal unterbrochen und dann der Abscheidungsprozeß mit derselben
Dotierung, insbesondere auch mit derselben Substrattemperatur wie vorher, wieder
aufgenommen. Die Zeit der Unterbrechung wird dazu benutzt, um das Reaktionsgefäß
gründlich von allen dotierenden Substanzen freizuspülen und eine Zwischenphase zu
haben, bei der die bereits abgeschiedenen Schichtteile nicht an ein mit den dotierenden
Substanzen versetztes Medium angrenzen. Dasselbe gilt auch für die erste Phase des
erfindungsgemäßen Verfahrens, das heißt die Abscheidui der maskierenden Schicht
2.
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Da die maskierende Schicht aus demselben Material wie die eigentliche
epitaktische Schicht 3 und das Substrat 1 besteht, diffundiert der Dotierungsstoff
des Substrats auch in die maskierende Schicht 3. Dennoch wird in der Praxis dieser
Effekt sich auf die Dotierung der epitaktischen Schicht 3 nicht schädlich auswirken,
sofern man die Mindestdicke der Schicht 2 so auf die Stärke der Schicht 3 abstimmt,
daß während der Hochtemperaturprozesse kein Substratdotierstoff durch die Schicht
2 hindurchdiffundieren kann.
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Verwendet man als Schichtmaterial für die Maskierung SiO2 oder Si3N4,
so ist der Spielraum in dieser Beziehung im allgemeinen so groß, daß eine Abstininrng
überhaupt nicht mehr erforderlich ist. Allerdings hat man dann den Nachteil, daß
die Randpartien der Schicht 3 vermehrt unerwünschte Kristallstörungen aufweisen.
Außerdem hat eine aus SiO2 oder eine aus 5i3N4 bestehende Maskierungsschicht, die
ja aus Gründen der Haftfestigkeit (Gefahr des Abspringens) nicht beliebig dick gemacht
werden kann, den Nachteil, infolge Reaktion mit dem das Silicium abscheidenden Reaktionsgas
im Laufe der Abscheidung immer dünner zu werden. Eine Schicht aus dem polykristallinen
Halbleitermaterial, zum Beispiel aus polykristallinem Silicium, wäre an sich ebenfalls
möglich; sie ist jedoch bei weitem nicht so widerstandsfähig gegen ein Durchdringen
des Dotierungsstoffs aus dem Substrat als eine monokristalline Siliciumschicht.
Eine einkris-t:alline Schicht aus reinem, undotierten Silicium stellt somit nach
bisheriger Erkenntnis das Optimum für die maskierende Schicht 2 dar.
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Als sehr vorteilhaft im Hinblick auf eine gleichmäßige Dotierung der
Schicht 3 bei der Siliciumepitaxie erwiesen sich zum Beispiel die folgenden Arbeitsbedingungen
in den Phasen 1 und 2 des erfindungsgemäßen Verfahrens: 1. Phase: Abscheidung der
einkristallinen maskierenden Siliciumschicht 2: 1. Schichtteil unmittelbar auf dem
hochdotierten Substrat (Dotierungskonzentration höher als 2,4 . 1019 cm 3 mit Phosphor,
Bor, Arsen). Dicke der Teilschicht: 1,1 bis 1,3 Dann Unterbrechung des Abscheidevorgangs
für etwa 5 Minuten, während der das Reaktionsgefäß und damit die Umgebung der Substratscheiben
1 durch Spülen mit reinem H2 oder Inertgas, zum Beispiel Argon, von den das Silicium
(und die eventuell vorhandene Dotierung) abscheidenden Bestandteilen des Reaktionsgases
total befreit wird. Dann erfolgt die Wiederherstellung der das reine Silicium der
Schicht 2 abscheidenden Reaktionsgas
7usammensetzung. (Die Temperatur
der Substratscheiben bleibt während des Spülens zweckmäßig auf dem für die Abscheidung
erforderlichen Wert,) Schließlich wird der Rest der maskierenden einkristallinen
Siliciumschi cht 2 - gegebenenfalls mit einer nochmaligen Unterbrechungs- und Spülpause
- abgeschieden, deren Stärke zweckmäßig, wie bereits bemerkt, der Stärke der eigentlichen
epitaktischen Schicht 3 entsprochen soll.
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2. Phase: Nach Entfernung der auf der für die eigentliche epitaktische
Schicht 3 beabsichtigten Abscheidungsfläche an der Oberfläche der Substrate abgeschiedenen
Schichtteile der maskierenden Siliciumschicht 2 (zu welchem Zweck die Scheiben aus
der zur Herstellung der Schicht 2 -ierwendeten Abschaidungsapparatur genommen werden)
erfolgt die Abscheidung dar eigentlichen, also der für das Halbleitersystem vorgesehenen
epitaktischen Schicht 5, wcfür man zweckmäßig eine andere Abscheidungsapparatur
als zur Abscheldung der maskierenden Schicht 2 verwendet. Auch die systemseitige
epitaktische Schicht 3 wird entsprechend der Lehre der Erfindung mit mehraren Unterbrechungspausen
abgeschieden. Als Beispiel dienen die folgenden Daten (für epitaktische Schichten
3 mit einer Dotierungskonzentration N < 2, 1014 cm-3).
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1. Schichtteil ; 0,6 /um, 1. Unterbrechung: 14 Minuten Spülen mit
H2 oder Inertgas, 2. Schichtteil: 0,6 µm, 2. Unterbrechung: 14 Minuten Spülen mit
H2 oder Inertgas, 3. Schichtteil : 0,6 µm, 3. Unterbrechung: Spülen mit Inertgas
oder H2 für etwa 14 Minuten, 4. Schichtteil: je nach gewünschter Epitaxieschichtdicke.
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Als Dotierung der systemseitigen epitaktischen Schicht 3 hat man zum
Beispiel eine Konzentration von weniger als 4. 1015 cm-3. wobei als Dotierungsstoff
P, As, B, , Sb nach Beliebe eingesetzt werden konnten. Ebenso war man bei den Leitfähigkeitstpen
von
Substrat und Schicht 3 keinen Einschränkungen unterworfen, so daß zum Beispiel auch
auf extrem hochdotierten p-leitenden Substraten auch hochohmige n-leitende einwandfreie
Schichten 3 abgeschieden werden konnten, Auf Grund der beschriebenen Arbeitsweise
ist es ohne Schwierigkeiten möglich, die senkrecht zur Substratoberfläche gerichtete
Komponente des Gradienten der Dotierungskonzentration auf weniger als 1 % rpo µm
Epi-Schichtdicke zu reduzieren und außerdem die para?.leI zur Substratoberflä.che
orientierte, ei nen wannenförmigen Verlauf der Dotierungskonzentration in Abhängigkeit
von der radialan Koordinate darstellende Komponente des Dotierung. sgradi eilten
in der Schicht 3 praktisch völlig zu unterdrücken, Deshalb konnten die auf Grund
des erfindungsgemäßeb Verfahrens erhaltenen Siliciumscheiben mit sahr gutem Erfolg
auch für Varicapdioden und Mikrowellendioden eingesetzt welden Wendet man das erfindungsgemäße
Verfahren auf andere Halbleitermaterialien als Silicium an, so ist dessen Übertragung
ohne weiteres gewährleistet. Als solche Halbleitermaterialien komin in Betracht:
Germanium, AIIIBV-Verbindungen, Siliciumcarw bid, weil sich auch diese Halbleiterstoffe
in einkristallinem Zustande sowohl zur Bildung der maskierenden Schicht 2 als auch
der systemseitigen epitaktischen -Schicht 3 bequem aus der Gasphase abscheiden lassen.
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Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens auf die Siliciumepitaxie
kann man zu Beginn des Verfahrens die für die eigentliche epitaktische Schicht 3
vörgesehene Abscheidungsflä che mit einer lediglich für diese vorgesehene Hilfsmaskierirng
aus SiO2 versehen. Dann erfolgt die Abscheldung der maskierenden einkristallinen
Siliciumschicht 2 unter. Abscheidebedingungen, bei denen auf der von der Hilfsmaskierung
bedeckten Oberflächenseite des Substratkörpers 1 keine Siliciumabscheidung möglich
ist. Solche Bedingungen sind durch das sogenannte Verfahren
der
maskierenden Epitaxie bekannt. Man kann nämlich die Reaktionsbedingungen so einstellen,
daß auf einer SiO2 abgeschiedenen Silicium zusammen mit dem SiO2 unter Entstchung
flüchtiger Siliciun'verbindungen (zurn Beispiel von S.iO) reagiert, während bei
denselben Bedingungen auf einer Silicium oberfläche, insbesondere einkristallinen
Siliciumoberfläche, abgeschiedenes Silicium dort insbesondere einkristallin auftirachstt
Hier kann zum Beispiel auf die US-PS 3 386 857 hingewesen werden, bei der dieser
Effekt näher beschrieben wird.
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Damit ergibt sich folgende Möglichkeit, das erfindungsgemäße Verfahren
durchzuführen: Die für die Abscheidung der eigentlichen epitaktischen Schicht 3
bestimmte Seite der Substratober flache wird zunächst poliert und geätzt und unmittelbar
darauf bei niederer Temperatur mit einer alls einem geeigneten Reaktionsgas, zum
Beispiel einem Gemisch aus neutralem Gas und Siliciumoxyalkylsilan, abgeschiedenen
Hi lfsmaske aus SiOz abgedeckt. Dann wird die übrige, ebenfalls gereinigte und von
SiO2 freie Oberfläche der Substratscheibe 1 mit der eigentlichen, aus reinem einkristallinem
Silicium bestehenden maskierenden Schicht 2 abgedeckt. Schließlich wird auf die
Hilfsmaske das die Abscheidung der eigentlichen epitaktischen Siliciumschicht 3
bewirkende Reaktionsgas entsprechend den Ausführungen der US-PS 3 386 857 zur Einwirkung
gebracht. Hierdurch wird durch das Reaktionsgas die aus SiOa bestehende Hilf smaske
entfernt und unmittelbar darauf die eigentliche epitaktische Schicht 3 abgeschieden.
Sowohl bei Abscheidung der maskierenden Schicht 2 als auch bei Abscheidung der eigentlichen
epitaktischen Schicht 3 wird im übrigen die Lehre der Erfindung befolgt.
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7 Patentansprüche 2 Figuren
L e e r se i t e.