DE60036761T2 - Einkristalliner SiC-Verbundwerkstoff für Halbleitereinrichtungen und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Einkristalliner SiC-Verbundwerkstoff für Halbleitereinrichtungen und Verfahren zu seiner Herstellung Download PDF

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und ein Verfahren zur Herstellung desselben, und insbesondere ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zur Herstellung beispielsweise einer Hochtemperatur- oder Hochfrequenzanordnung oder einer strahlungsresistenten Anordnung wie z. B. einer Licht emittierenden Diode, eines optischen Röntgenelements, eines Schaltelements, eines Verstärkungselements oder eines optischen Sensors, und ebenso ein Verfahren zur Herstellung eines solchen einkristallinen SiC-Verbundmaterials.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • SiC (Siliziumkarbid) weist ausgezeichnete Wärmebeständigkeit und mechanische Festigkeit sowie gute Strahlungsresistenz auf. Daneben ist die Valenzsteuerung von Elektronen und Löchern durch Dotieren mit einem Fremdstoffleicht zu bewerkstelligen. Außerdem weist SiC einen breiten Bandabstand auf (beispielsweise hat einkristallines 6H-SiC einen Bandabstand von ca. 3,0 eV, und einkristallines 4H-SiC hat einen Bandabstand von 3,26 eV). Daher ist es möglich, eine Hochtemperatureigenschaft, eine Hochfrequenzeigenschaft, eine dielektrische Eigenschaft und eine Strahlungsresistenzseigenschaft zu erzielen, die mit vorhandenen Halbleitermaterialien wie z. B. Si (Silizium) und GaAs (Galliumarsenid) nicht erzielt werden können. Für eine Halbleiteranordnung der nächsten Generation wird SiC als Material erwartet, und es werden intensive Studien zur praktischen Verwendung von SiC durchgeführt.
  • Als Mittel zur effizienten Verwendung solcher ausgezeichneter Eigenschaften von SiC als Material zur Herstellung einer Halbleiteranordnung ist herkömmlicherweise ein Verfahren bekannt, bei dem ein einkristallines kubisches SiC (β-SiC) im chemischen Dampfabscheidungsverfahren (heteroepitaxialen Züchtungsverfahren) auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat epitaktisch aufgezüchtet wird, wodurch ein einkristallines SiC-Material zur Herstellung einer Halbleiteranordnung erzielt wird.
  • Hinsichtlich eines einkristallinen SiC-Materials, das unter Verwendung von einkristallinem Silizium als Substrat und durch epitaktisches Aufzuchten von einkristallinem SiC auf der Oberfläche des Substrates im heteroepitaxialen Züchtungsverfahren erzeugt wird, wie oben beschrieben, kann ein einkristallines SiC-Material mit größerer Fläche leicht in großer Menge und auf kostengünstige Weise erzielt werden, verglichen mit einem Material, das in einem anderen herkömmlichen Herstellungsverfahren wie z. B. dem Sublimations-Umkristallisierungsverfahren oder dem verbesserten Sublimations-Umkristallisierungsverfahren hergestellt wird. Das Herstellungsverfahren ist daher rationell und kostengünstig. Andererseits hat einkristallines Silizium, das als Substrat für ein solches einkristallines SiC-Material verwendet wird, einen Schmelzpunkt von nur 1.400°C. Das Substrat ist daher instabil. In einem Anbringungsverfahren für eine Halbleiteranordnung, das bei einer hohen Temperatur von 1.500°C oder darüber durchgeführt wird, z. B. Hochtemperaturglühen bei der Dotierung mit P- oder N-Fremdstoffen, verschwindet ein Siliziumsubstrat beispielsweise; oder es wird, selbst wenn ein Siliziumsubstrat nicht verschwindet, die Dicke extrem verringert. Die bei der Verwendung und Handhabung eines Materials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung erforderliche Dicke und Festigkeit sind somit schwer sicherzustellen. Daher ergibt sich der Nachteil, dass es in einer aus einem einkristallinen SiC-Material hergestellten Halbleiteranordnung leicht zu Verwerfungen oder Verformungen kommt.
  • Die meisten im heteroepitaxialen Züchtungsverfahren auf Siliziumsubstraten erzeugten einkristallinen SiC-Filme sind dünn bzw. weisen eine Dicke von einigen um oder darunter auf. Die Dicke eines solchen einkristallinen SiC-Films reicht nicht aus, um eine Verwendung des Films wie bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung zu ermöglichen. Für die Verwendung eines solchen dünnen, einkristallinen SiC-Films bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung muss der auf einem Siliziumsubstrat aufgezüchtete einkristalline SiC-Film daher von dem Siliziumsubstrat abgeschnitten werden, und der abgeschnittene, dünne, einkristalline SiC-Film muss auf ein anderes Substrat übertragen werden, das stabile Dicke und Festigkeit aufweist, und dann zu einer vorgegebenen Halbleiteranordnung ausgebildet werden. Das Abschneiden eines dünnen, einkristallinen SiC-Films mit einer Dicke von höchstens einigen μm von einem Siliziumsubstrat und die Übertragung des abgeschnittenen, dünnen, einkristallinen SiC-Films auf ein anderes Substrat führen jedoch zu einer Vermehrung der Produktionsschritte und sind eigentlich undurchführbar.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung ist angesichts der oben genannten Umstände gemacht worden. Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zur Herstellung einer Halbleiteranordnung bereitzustellen, bei dem die zur Herstellung einer Halbleiteranordnung erforderliche Dicke und Festigkeit sichergestellt werden können und Gitter- sowie Mikroleitungs-Defekte durch Dotierung mit Fremdstoffen selten auftreten, so dass die Herstellung einer hochwertigen und präzisen Halbleiteranordnung ermöglicht wird, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials für die Herstellung einer Halbleiteranordnung, mit dem ein solches Material mit sehr hoher Effizienz hergestellt werden kann.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe wird in einem einkristallinen SiC-Verbundmaterial für eine Halbleiteranordnung gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung ein einkristalliner SiC-Film über eine filmartige SiO2-Schicht auf eine Oberfläche einer polykristallinen Platte, die aus Si- und C-Atomen besteht, in eng aneinander anliegender Weise gestapelt und gebondet, und einkristallines SiC wird durch eine auf dem Verbundelement vorgenommene Hitzebehandlung auf der polykristallinen Platte gezüchet.
  • In einem Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials für eine Halbleiteranordnung gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung wird ein einkristalliner SiC-Film über eine filmartige SiO2-Schicht auf eine Oberfläche einer polykristallinen Platte, die aus Si- und C-Atomen besteht, eng aneinander anliegend gestapelt und gebondet, und das Verbundelement wird dann hitzebehandelt, wodurch einkristallines SiC, in dem der Kristall in dieselbe Orientierung überführt ist wie der Einkristall des einkristallinen SiC-Films, integral auf der polykristallinen Platte aufgezüchtet wird.
  • Gemäß dem ersten und dem zweiten Apekt der Erfindung in der oben genannten, charakteristischen Ausgestaltung werden die polykristalline Platte, die aus Si- und C-Atomen besteht und eine Wärmebeständigkeit ähnlich derjenigen von einkristallinem SiC aufweist, und der dünne, einkristalline SiC-Film eng aneinander anliegend gestapelt und gebondet, während die SiO2-Schicht mit niedriger thermischer Leitfähigkeit zwischen der Platte und dem Film angeordnet wird, und das Verbundelement wird dann hitzebehandelt. Daher wird in einem thermischen Behandlungsverfahren und auch in einem bei hoher Temperatur durchgeführten Herstellungsverfahren einer Halbleiteranordnung wie zum Beispiel einem Hochtemperaturglühen ein Verschwinden bzw. ein Dünnerwerden der polykristallinen Platte, die als Substrat für die Anordnung dient, verhindert, so dass die für ein Material zur Herstellung einer Halbleiteranordnung erforderliche Dicke und Festigkeit sichergestellt werden können. Infolgedessen kann eine präzise und hochwertige Halbleiteranordnung hergestellt werden, die frei von Verwerfungen und Verformungen ist.
  • Während durch die SiO2 Zwischenschicht ein Eintreten von Fremdstoffen aus der Atmosphäre in die Verbondungs-Grenzfläche während der Hitzebehandlung verhindert wird, wird die SiO2-Zwischenschicht im Verlauf der Hitzebehandlung thermisch zu Si und O2 gespalten. Das thermisch abgespaltene O2 entweicht unter schwebender Diffusion in der Zwischenschichtregion nach außen. Andererseits kann einkristallines SiC auf der polykristallinen Platte integral durch das Festphasenwachstum gezüchtet werden, wobei die thermisch abgespaltenen Si-Atome sowie Si- und C-Atome, die von der Oberfläche der polykristallinen Platte sublimieren, rasch zu dem auf niedrigerer Temperatur gehaltenen einkristallinen SiC-Film diffundiert und bewegt werden, um entsprechend der Einkristallorientierung des einkristallinen SiC-Films neu angeordnet zu werden. Gemäß dieser Ausgestaltung ist es möglich, die Wirkungen zu erzielen, dass ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, die dick ist und hohe Qualität aufweist, effizient hergestellt werden kann und dass die Qualität einer Halbleiteranordnung, die unter Verwendung des Materials hergestellt wird, verbessert werden kann.
  • Bei dem einkristallinen SiC-Verbundmaterial für eine Halbleiteranordnung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung und dem Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials für eine Halbleiteranordnung gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung wird als Vebundelement ein Element verwendet, das hergestellt wird durch Stapeln eines in einem heteroepitaxialen Züchtungsverfahren auf einem Si-Substrat hergestellten einkristallinen SiC-Films über die SiO2-Schicht auf die Oberfläche der polykristallinen Platte in eng aneinander anliegender Weise, Bonden des einkristallinen SiC-Films an die polykristalline Platte durch eine Hitzebehandlung auf dem Verbundmaterial und Entfernen des Si-Substrates im gebondeten Zustand durch wenigstens einen der Stoffe Fluorwasserstoffsäure und Salpetersäure. Gemäß dieser Ausgestaltung kann ein einkristalliner SiC-Film selbst, der eine große Fläche aufweisen soll, um ein Verbundmaterial zu erzielen, das für die Herstellung von Halbleiteranordnungen verschiedener Größen verwendbar ist, leicht in großer Menge und kostengünstig hergestellt werden. Daher können die Größe eines einkristallinen Verbundmaterials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, die ein Endprodukt ist, erhöht werden und ihre Herstellungskosten verringert werden.
  • Am vorteilhaftesten wird als polykristalline Platte, die in dem einkristallinen SiC-Verbundmaterial für eine Halbleiteranordnung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung verwendet wird, eine polykristalline SiC-Platte verwendet, die durch ein thermisches, chemisches Dampfabscheidungsverfahren (im Folgenden als thermisches CVD-Verfahren bezeichnet) zu einer plattenartigen Form ausgebildet ist, wobei die Mischung von Fremdstoffen in dem Herstellungsverfahren auf minimalem Niveau erfolgt, sowie das Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials für eine Halbleiteranordnung gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung verwendet. Alternativ kann ein gesintertes SiC-Element mit einer Wärmebeständigkeit ähnlich derjenigen von einkristallinem SiC verwendet werden, so dass es während eines thermischen Behandlungsverfahrens mit dem Verbundmaterial (in einem Temperaturbereich von 1.850 bis 2.000°C) und auch in einem Herstellungsverfahren einer Halbleiteranordnung nicht zu Verschwinden und Dünnerwerden kommt.
  • Als in dem Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials für eine Halbleiteranordnung gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung verwendete SiO2-Schicht kann ein Element eingesetzt werden, das entweder durch Anwendung von SiO2-Pulver oder einer Siliziumverbindung, die Siliziumöl, Siliziumharz oder Siliziumfett enthält, oder durch thermische Oxidation des einkristallinen SiC-Films und/oder der Oberfläche der polykristallinen Platte zu einer filmartigen Form ausgebildet ist. Von diesen Mitteln werden bevorzugt Mittel zur Anwendung von Pulver oder dergleichen verwendet, für die eine geringere Anzahl Produktionsschritte erforderlich ist und die durch einfache Arbeiten durchgeführt werden können.
  • Weitere Aufgaben und Wirkungen der Erfindung werden in einer Ausführungsform verdeutlicht, die unten beschrieben wird.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht, die einen ersten Schritt von Produktionsschritten für ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zur Herstellung einer Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung veranschaulicht;
  • 2 ist eine schematische Schnittansicht, die einen zweiten Schritt der Produktionsschritte veranschaulicht;
  • 3 ist eine schematische Schnittansicht eines Verbundelementes, das als Ergebnis eines dritten und eines vierten Schrittes der Produktionsschritte erzielt wird; und
  • 4 ist eine schematische Schnittansicht eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, die in einem fünften Schritt der Produktionsschritte erzielt wird.
  • BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSFORMEN DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden wird eine Ausführungsform der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • 1 bis 4 sind Ansichten, die Schritte des Verfahrens zur Herstellung eines solchen einkristallinen SiC-Verbundmaterials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung veranschaulichen. In einem ersten, in 1 gezeigten Schritt wird ein einkristalliner SiC-Film 2, dessen Dicke t2 ca. 1 μm beträgt, durch das heteroepitaxiale Züchtungsverfahren auf einem einkristallinen Si-Substrat 1 ausgebildet, dessen Dicke t1 ca. 0,5 cm beträgt.
  • In einem zweiten, in 2 gezeigten Schritt wird dann der auf dem Si-Substrat 1 ausgebildete einkristalline SiC-Film 2 über eine filmartige SiO2-Schicht 4 in eng aneinander anliegender Weise auf eine auf Hochglanz polierte Oberfläche 3a einer polykristallinen Platte 3 gestapelt, die im thermischen CVD-Verfahren zu einer flachen, plattenartigen Form mit einer Dicke t3 von ca. 0,7 cm ausgebildet ist. Als SiO2-Schicht 4 kann entweder ein durch Anwendung von SiO2-Pulver oder eine Siliziumverbindung, welche Siliziumöl, Siliziumharz, Siliziumfett oder dergleichen enthält, ausgebildetes Element mit einer Dicke von 1.000 Angström oder mehr verwendet werden, oder ein solches, das durch thermische Oxidation der auf Hochglanz polierten Oberfläche 3a der polykristallinen Platte 3 zu einer filmartigen Form ausgebildet ist.
  • Als Nächstes wird in einem dritten Schritt das gestapelte Element 5 mit der in 2 gezeigten Struktur in beispielsweise einen Widerstandsofen (nicht dargestellt) eingebracht und angeordnet, woraufhin es erwärmt wird, um für einen vorgegebenen Zeitraum bei einer Temperatur von 1.100 bis 1.500°C gehalten zu werden, wodurch die polykristalline Platte 3 und der einkristalline SiC-Film 2 miteinander verbondet werden. Infolge dieser Hitzebehandlung zum Bonden ist bereits ein Teil des einkristallinen Si-Substrats 1 verschwunden.
  • Danach wird in einem vierten Schritt das restliche Si-Substrat 1 in dem gestapelten Element 5 unter Verwendung einer Mischsäure aus Fluorwasserstoffsäure (HF) und Salpetersäure (HNO3) aufgelöst, um vollständig entfernt zu werden, so dass ein Verbundelement 6 erzielt wird, bei dem, wie in 3 gezeigt, nur der einkristalline SiC-Film 2 über die SiO2-Schicht 4 an die Oberfläche 3a der polykristallinen Platte 3 gebondet ist.
  • Das so erzielte Verbundelement 6 wird in dem Widerstandsofen angeordnet, ein Edelgas wie z. B. Ar wird in den Ofen eingeleitet, und die mittlere Ofentemperatur wird auf ca. 1.850 bis 2.000°C erhöht und dann für ca. ein bis zwei Stunden beibehalten. Auf diese Weise wird eine thermische Behandlung (ein fünfter Schritt) in einer Edelgasatmosphäre und unter einem gesättigten SiC-Dampfdruck durchgeführt. Als Ergebnis wird, wie in 4 gezeigt, die SiO2-Schicht 4 thermisch aufgespalten, so dass sie diffundiert und verschwindet, und es wird ein einkristallines SiC-Verbundmaterial 8 zur Herstellung einer Halbleiteranordnung erzeugt, bei welchem einkristallines SiC 7, in dem der Kristall in dieselbe Orientierung überführt ist wie der Einkristall des einkristallinen SiC-Films 2, integral auf der polykristallinen Platte 3 aufgezüchtet wird.
  • Das Basismaterial des Verbundelementes 6, das die in 4 gezeigte Struktur aufweist und das in dem Hitzebehandlungsschritt (dem fünften Schritt) aus den oben beschriebenen Produktionsschritten verwendet wird, ist die polykristalline Platte 3, die ursprünglich hohe Wärmebeständigkeit (einen hohen Schmelzpunkt) aufweist. Daher besteht nicht das Risiko, dass die als Substrat für die Anordnung dienende polykristalline Platte 3 verschwindet oder dünner wird, und zwar nicht nur in dem Hitzebehandlungsverfahren in einem Temperaturbereich von 1.850 bis 2.000°C, sondern auch in einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung unter Verwendung des einkristallinen SiC-Verbundmaterials 8, das als Ergebnis des fünften Schrittes erzeugt wird, beispielsweise einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, das bei einer hohen Temperatur von 1.500°C oder darüber durchgeführt wird, z. B. Hochtemperaturglühen bei der Dotierung mit P- oder N-Fremdstoffen. Daher ist es möglich, das einkristalline SiC-Verbundmaterial 8 zur Herstellung einer Halbleiteranordnung zu erzielen, bei dem die für ein Material zur Herstellung einer Halbleiteranordnung erforderliche Dicke und Festigkeit auf stabile Weise sichergestellt werden können.
  • Trotz des oben Gesagten liegen die Oberfläche 3a der polykristallinen Platte 3 und die Oberfläche 2a des einkristallinen SiC-Films 2, die das Verbundelement 6 mit der in 3 gezeigten Struktur bilden, über die SiO2-Schicht 4 eng aneinander an, ohne einen Zwischenraum zu bilden. Während ein Eindringen von Fremdstoffen aus der Atmosphäre in die Verbondungsgrenzfläche 9 zwischen der polykristallinen Platte 3 und dem einkristallinen SiC-Film 2 während der Hitzebehandlung verhindert wird, wird daher die SiO2-Zwischenschicht 4 im Verlauf der Hitzebehandlung thermisch in Si und O2 gespalten. Das thermisch abgespaltene O2 entweicht unter schwebender Diffusion in der Zwischenschichtregion nach außen. Andererseits erfolgt das Festphasenwachstum, wobei die thermisch abgespaltenen Si-Atome sowie Si- und C-Atome, die von der Oberfläche der polykristallinen Platte 3 sublimieren, rasch zu dem auf niedrigerer Temperatur gehaltenen einkristallinen SiC-Film 2 diffundiert und bewegt werden, und der Abschnitt, der sich um eine Dicke t4 von ca. 200 μm von der Verbondungsgrenzfläche 9 der polykristallinen Platte 3 erstreckt, wird entsprechend der Einkristallorientierung des einkristallinen SiC-Films 2 neu angeordnet. Als Ergebnis kann das einkristalline SiC-Verbundmaterial 8 erzielt werden, bei dem ein dicker, einkristalliner SiC Abschnitt 10 von hoher Qualität integral auf der polykristallinen Platte 3 aufgezüchtet wird.
  • Gemäß der Ausführungsform wird ein im thermischen CVD-Verfahren zu einer flachen, plattenartigen Form ausgebildetes Element als polykristalline Platte 3 verwendet, die durch Si- und C-Atome ausgestaltet ist. Alternativ kann ein Element verwendet werden, das eine Wärmebeständigkeit ähnlich derjenigen von einkristallinem SiC aufweist, wie z. B. ein hochreines gesintertes SiC-Element, ein amorphes SiC oder eine polykristalline α-SiC-Platte, so dass es bei einem thermischen Behandlungsverfahren (in einem Temperaturbereich von 1.850 bis 2.000°C) und auch in einem Herstellungsverfahren einer Halbleiteranordnung nicht zu einem Verschwinden und Dünnerwerden kommt, wodurch ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zur Herstellung einer Halbleiteranordnung erzielt werden kann, bei dem die für ein Material zur Herstellung einer Halbleiteranordnung erforderliche Dicke und Festigkeit auf stabile Weise sichergestellt sind.

Claims (8)

  1. Ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, wobei ein einkristalliner SiC-Film (2) mittels einer filmartigen SiO2-Schicht (4) auf eine Oberfläche einer polykristallinen Platte (3), bestehend aus Si- und C-Atomen, in einer eng aneinander anliegenden Weise gestapelt und gebondet wird, und einkristallines SiC (10) integral auf die polykristalline Platte (3) durch eine Hitzebehandlung, welche auf das gestapelte Verbundelement (6) angewendet wird, aufgezüchtet wird, wobei die polykristalline Platte (3) als Substrat für die Anordnung dient.
  2. Ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zur Herstellung einer Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 1, wobei das Verbundelement (6) hergestellt wird durch Stapeln eines einkristallinen SiC-Films (2), welcher auf einem Si-Substrat (1) durch ein heteroepitaxiales Züchtungsverfahren erzeugt wurde, mittels der SiO2-Schicht (4) auf der Oberfläche der polykristallinen Platte (3) in einer eng aneinander anliegenden Weise, Bonden des einkristallinen SiC-Films (2) an die polykristalline Platte (3) durch eine Hitzebehandlung, welche auf das Verbundelement (5) angewendet wird, und Entfernen des Si-Substrats (1) im gebondeten Zustand durch Fluorwasserstoffssäure oder Salpetersäure.
  3. Ein einkristallines SiC-Verbundmaterial zum Herstellen einer Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die polykristalline Platte (3) eine polykristalline SiC-Platte ist, welche durch ein thermisches, chemisches Dampfabscheidungsverfahren in einer plattenartigen Form hergestellt wurde oder durch ein gesintertes SiC-Elemtent.
  4. Ein Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, umfassend die Schritte: Stapeln und Bonden eines einkristallinen SiC-Films (2) mittels einer filmartigen SiO2-Schicht (4) auf eine Oberfläche einer polykristallinen Platte (3), bestehend aus Si- und C-Atomen, in einer eng aneinander anliegenden Weise; und Hitzebehandeln des gestapelten Verbundelements (6) und dabei integrales Aufzüchten von einkristallinem SiC (10) auf die polykristalline Platte, wobei Kristall in die gleiche Orientierung wie der Einkristall des einkristallinen SiC-Films (2) überführt wird.
  5. Ein Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 4, wobei das Verbundelement (6) hergestellt wird durch Stapeln eines einkristallinen SiC-Films (2), welcher auf einem Si-Substrat (1) durch ein heteroepitaxiales Züchtungsverfahren erzeugt wurde, mittels der SiO2-Schicht (4) auf der Oberfläche der polykristallinen Platte (3) in einer eng aneinander anliegenden Weise, Bonden des einkristallinen SiC-Films (2) an die polykristalline Platte (3) durch eine Hitzebehandlung bei 1100 bis 1500°C, welche auf das Verbundelement (5) angewendet wird, und nach dem Bonden, Entfernen des Si-Substrats (1) durch Fluor wasserstoffssäure oder Salpetersäure.
  6. Ein Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 4 oder 5, wobei die polykristalline Platte (3) eine polykristalline SiC-Platte ist, welche durch ein thermisches, chemisches Dampfabscheidungsverfahren in einer plattenartigen Form hergestellt wurde oder durch ein gesintertes SiC-Elemtent.
  7. Ein Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 4 oder 5, wobei die SiO2-Schicht (4) durch Aufbringung eines SiO2-Pulvers oder einer Silizium-Verbindung filmförmig hergestellt wird oder durch thermische Oxidation des einkristallinen SiC-Films und/oder der Oberfläche der polykristallinen Platte.
  8. Ein Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen SiC-Verbundmaterials zur Herstellung einer Halbleiteranordnung gemäß Anspruch 4 oder 5, wobei eine Temperatur der Hitzebehandlung, welche auf das Verbundmaterial (6) angewendet wird, auf einen Bereich von 1850 bis 2000°C eingestellt wird.
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