JP5672786B2 - 炭化珪素半導体基板の製造方法およびその基板を用いた炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態にかかるSiC半導体基板の製造方法により形成したSiC半導体基板を用いて形成した縦型パワーMOSFETを備えたSiC半導体装置の断面図である。
まず、高品位かつ表面の平坦な単結晶SiC基板11を用意し、この単結晶SiC基板11の表面に対して水素イオンを注入する工程を行う。例えば、加速エネルギー200keV、ドーズ量2.0×1017/cm2で単結晶SiC基板11の表面に水素イオンを注入する。このイオン注入によって、水素と結晶欠陥が高密度に偏析するダメージ層12を形成する。加速エネルギーとドーズ量は必要なダメージ層12の形成深さによって設定され、上記条件の場合には1.3μm程度の深さにダメージ層12を形成することができる。
焼結体1を形成するための材料としてSiCの微細粉末13を生成する工程を行う。例えば、純度99%以上のSiとCをモル比1:1で配合して遊星ボールミルにより24時間窒素雰囲気でメカニカルアロイング処理した後に純水を追加してさらに10時間粉砕し、自然乾燥により水分を除去することで、例えば1μm以下の粒径のSiCの微細粉末13を得ることができる。このとき、配合段階で、SiとCに加えてドーパント源となる元素(n型不純物であるリンや窒素等)や焼結助剤となる元素(ボロン、ボロン炭化物、マグネシウム、アルミ炭化物など)を微量に加えることで、この後形成する焼結体の比抵抗の低減や焼結性の向上を図ることも可能である。ただし、焼結助剤となる元素にp型不純物となり得るものを用いる場合には、ドーパント源となる元素との含有量を調整することで、焼結体1に含まれるキャリア濃度を調整することが必要となる。
一体化した単結晶SiC基板11と焼結体1をダイ14およびパンチ15から取り出し、外力を加えることでダメージ層12から単結晶SiC基板11の一部を分離させる剥離工程を行うことで、n+型SiC層2が接合された焼結体1を得ることができる。なお、このときにn+型SiC層2が剥離された単結晶SiC基板11の残部については、再度水素イオンを注入して新たなn+型SiC層2を形成するためのSiC素材として再使用される。
焼結体1に接合されたn+型SiC層2側の表面を研磨や水素エッチングによりダメージ領域を除去した後、低不純物濃度のSiCをエピタキシャル成長して半導体素子の活性領域となるn-型ドリフト層3を形成する。このとき、単結晶のn+型SiC層2の表面にn-型ドリフト層3を形成しているため、n-型ドリフト層3の結晶性はn+型SiC層2の結晶性が引き継がれ、単結晶のSiCとなる。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC半導体基板の製造方法の一部を変更したものである。図3に、本実施形態のSiC半導体基板の製造工程中の断面図を示し、この図を参照して説明する。
まず、高品位かつ表面の平坦な単結晶SiC基板11を用意し、この単結晶SiC基板11の表面に対して水素イオンを注入する工程を行う。この工程については、第1実施形態で説明した図2(a)に示す工程と同様である。
焼結体1を形成するための材料としてSiCの微細粉末13を生成する工程を行う。例えば、純度99%以上のTiとCをモル比1:1で配合して遊星ボールミルにより24時間窒素雰囲気でメカニカルアロイング処理することで炭化チタンの微細粉末13を得ることができる。このとき、配合段階で、TiとCに加えて焼結助剤となる元素(ニッケル、クロム、モリブデン、鉄など)を微量に加えることで、この後形成する焼結体の焼結性の向上を図ることも可能である。
そして、例えばカーボン製の型を構成する中空円柱状のダイ14と、ダイ14の中空部と同径とされた円柱状のパンチ15を用意する。そして、ダイ14の中空部内にダメージ層12を形成しておいた単結晶SiC基板11を配置すると共に、単結晶SiC基板11の表面側(ダメージ層12を形成する水素イオンの注入を行った側)のSiCの微細粉末13を設置する。そして、パンチ15を単結晶SiC基板11と微細粉末13の両側に配置したのち、パンチ15を40MPaの圧力で押圧し、900℃の温度を10分間加えることにより、炭化チタンの微細粉末13を焼結体1に変化させて焼結体1を単結晶SiC基板11と分子レベルで一体化させると共に、ダメージ層12からの分離を起こさせるという焼結化および一体化処理および剥離工程を行う。このような焼結化および一体化処理および剥離工程についても、放電プラズマ焼結装置やホットプレス装置のような、圧力と温度を同時に付加できる装置によって行うことができる。
一体化した単結晶SiC層2と焼結体1および単結晶SiC基板11の残部をダイ14およびパンチ15から取り出す。この後の工程については第1実施形態と同様に行うことで、素子の活性領域となる単結晶のSiCで構成されたn+型SiC層2およびn-型ドリフト層3と、支持体である導電性の焼結体1が一体となったSiC半導体基板を製造することができる。
上記第1実施形態では、焼結体1をSiCにて構成し、第2実施形態では、焼結体1を炭化チタンにて構成する場合について説明した。しかしながら、これらの材料は単なる一例を示したにすぎず、他の材料、例えば炭素、高融点金属、高融点金属炭化物や高融点金属窒化物などの導電性セラミックスの少なくとも1つによって焼結体1を形成することができる。これらの材料を用いる場合にも、微細粉末13を形成しておき、焼結化するという第1、第2実施形態で説明したプロセスを採用することができる。
2 n+型SiC層
3 n-型ドリフト層
4 p型ベース領域
5 n+型ソース領域
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 ソース電極
9 ドレイン電極
11 単結晶SiC基板
12 ダメージ層
13 微細粉末
14 ダイ
15 パンチ
Claims (5)
- 単結晶炭化珪素基板(11)を用意し、該単結晶炭化珪素基板(11)の表面に対して水素イオンを注入してダメージ層(12)を形成するダメージ層形成工程と、
加圧・加熱処理することで前記単結晶炭化珪素基板(11)の水素イオン注入した表面側に焼結体(1)の原材料である粉末(13)を焼結化させると共に前記単結晶炭化珪素基板(11)と一体化させる焼結化および一体化処理工程と、
前記ダメージ層(12)で前記単結晶炭化珪素基板(11)を剥離させ、前記単結晶炭化珪素基板(11)の一部によって構成される単結晶炭化珪素層(2)を前記焼結体(1)上に備えた構造の炭化珪素半導体基板とする剥離工程と、を有していることを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 前記焼結化および一体化処理工程および前記剥離工程として、加圧・加熱処理することで前記粉末(13)の焼結化と前記焼結体(1)と前記単結晶炭化珪素基板(11)の一体化と前記ダメージ層(12)での前記単結晶炭化珪素基板(11)の剥離を同時に行うことを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記焼結体(1)の原材料である粉末(13)から形成される焼結体(1)を、炭化珪素、炭素、高融点金属、高融点金属炭化物もしくは高融点金属窒化物を含む導電性セラミックスの少なくとも一つを主成分とするものにより形成することを特徴とする請求項1または2記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体基板の製造方法によって製造され、
前記焼結体(1)と、
前記焼結体(1)の表面に接合されることで前記焼結体(1)と一体構造とされた前記単結晶炭化珪素層(2)と、
前記単結晶炭化珪素層(2)の上に形成されたドリフト層(3)と、
前記ドリフト層(3)に形成された縦型の半導体素子と、
前記ドリフト層(3)のうち前記単結晶炭化珪素層(2)と反対側となる表面側において前記縦型の半導体素子に接続される表面電極(8)と、
前記焼結体(1)のうち前記単結晶炭化珪素層(2)と反対側となる裏面側において前記縦型の半導体素子に接続される裏面電極(9)と、を備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記焼結体(1)の比抵抗が10mΩ・cm以下であることを特徴とする請求項4に記載の記載の炭化珪素半導体装置。
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