JP2022177018A - 半導体基板構造体の製造方法及び半導体基板構造体 - Google Patents
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Abstract
Description
常温接合技術には、表面活性化接合技術、プラズマ活性化接合技術、原子拡散接合技術等が含まれる。常温接合技術は、真空中で高速原子ビーム等を用いて固体表面の酸化物や吸着分子をスパッタリング効果により除去して表面を活性化した後、活性な表面同士を接触させ、常温で原子間結合を形成する技術である。常温接合技術では、接合面を真空中で表面処理することにより、表面の原子を化学結合を形成しやすい活性な状態とする。常温接合技術は、接合の妨げになる表面層を除去することにより、表面の原子の結合手同士を直接結合させ強固な接合を形成する。常温接合技術を用いることにより多くの材料を常温で接合可能である。
拡散接合技術とは、母材を密着させ、母材の融点以下の温度条件で塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面に生じる原子の拡散を利用して接合する技術である。
セラミックスの結晶状態の説明図であって、多結晶体の例は、模式的に図12(a)に示すように表され、アモルファス非晶質固体の例は、模式的に図12(b)に示すように表される。ここで、SiC多結晶体の結晶状態は、結晶質固体であり、模式的に図12(a)と同様に表され、一方アモルファスSiCの結晶状態は、非晶質固体であり、模式的に図12(b)と同様に表される。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体の多結晶体(SiC焼結体)製造装置500は、模式的に図13に示すように表される。多結晶体(SiC焼結体)製造装置500の内部500Aは、数Pa程度の真空雰囲気若しくはAr/N2ガス置換されている。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体1は、図14に示すように、グラファイト基板10GFと、上に配置された表面粗さ改善層16Rと、表面粗さ改善層16Rを介して、グラファイト基板10GFと常温接合される単結晶体12とを備える。ここで、常温接合には、表面活性化接合、プラズマ活性化接合、及び原子拡散接合から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類が含まれる。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体を用いて作製したSiC-SBD21は、図17に示すように、SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12とからなる半導体基板構造体1を備える。SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12との間には、表面粗さ改善層16Rを備える。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体を用いて作製したトレンチゲート型MOSFET31は、図18に示すように、SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12とからなる半導体基板構造体1を備える。SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12との間には、表面粗さ改善層16Rを備える。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体1を用いて作製したプレーナゲート型MOSFET51は、図19に示すように、SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12とからなる半導体基板構造体1を備える。SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12との間には、表面粗さ改善層16Rを備える。
SiCエピタキシャル成長層12に適用可能な4H-SiC結晶のユニットセルの模式的鳥瞰構成は、図21(a)に示すように表され、4H-SiC結晶の2層部分の模式的構成は、図21(b)に示すように表され、4H-SiC結晶の4層部分の模式的構成は、図21(c)に示すように表される。
上記のように、いくつかの実施の形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Claims (10)
- 基板と単結晶体とを準備することと、
前記基板の表面に表面粗さ改善層を形成することと、
前記表面粗さ改善層と前記単結晶体のそれぞれの表面を真空中でエッチングして、各表面に結合手を持った原子を露出させることと、
前記基板と前記単結晶体とを前記表面粗さ改善層を介して真空中で常温接合することと
を有する、半導体基板構造体の製造方法。 - 前記エッチングには、イオンビームまたはプラズマによるスパッタエッチングが用いられる、請求項1に記載の半導体基板構造体の製造方法。
- 前記エッチングは、アルゴンの高速イオンビーム発生装置から高速原子ビーム照射して行われる、請求項1に記載の半導体基板構造体の製造方法。
- 前記エッチングは、高真空に排気した真空チャンバー中で行われる、請求項1に記載の半導体基板構造体の製造方法。
- 基板と単結晶体とを準備することと、
前記基板の表面に表面粗さ改善層を形成することと、
前記基板と前記単結晶体のそれぞれの表面を、前記表面粗さ改善層を介して密着させることと、
互いに密着させた前記基板と前記単結晶体とを、前記表面粗さ改善層を介して真空または不活性ガス中の制御された雰囲気中で、加熱・加圧して拡散接合することと
を有する、半導体基板構造体の製造方法。 - 前記加熱の温度は、200℃~350℃程度であり、前記加圧の圧力は、10MPa~80MPa程度である、請求項5に記載の半導体基板構造体の製造方法。
- 前記拡散接合は、固相拡散接合である、請求項5に記載の半導体基板構造体の製造方法。
- 前記拡散接合は、液相拡散接合である、請求項5に記載の半導体基板構造体の製造方法。
- 請求項1に記載の製造方法で製造された半導体基板構造体であって、
前記基板と、
前記基板上に配置された前記表面粗さ改善層と、
前記基板と前記表面粗さ改善層を介して接合される前記単結晶体と
を備える、半導体基板構造体。 - 請求項5に記載の製造方法で製造された半導体基板構造体であって、
前記基板と、
前記基板上に配置された前記表面粗さ改善層と、
前記基板と前記表面粗さ改善層を介して接合される前記単結晶体と
を備える、半導体基板構造体。
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