JP2014170872A - 半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】炭化ケイ素層とシリコン層が積層している半導体ウェハを提供すること。
【解決手段】半導体ウェハは、単結晶の炭化ケイ素層と、炭化ケイ素層の表面の上方に配置されている単結晶のシリコン層と、を備えている。炭化ケイ素層の表面には第1の半導体デバイスが形成されている。
【選択図】図2
【解決手段】半導体ウェハは、単結晶の炭化ケイ素層と、炭化ケイ素層の表面の上方に配置されている単結晶のシリコン層と、を備えている。炭化ケイ素層の表面には第1の半導体デバイスが形成されている。
【選択図】図2
Description
本明細書では、炭化ケイ素層とシリコン層が積層している半導体ウェハ、および、その製造方法に関する技術を開示する。
炭化ケイ素は、高電圧および大電流を制御するパワー素子を製造する材料として適している。またシリコンは、パワー素子等を制御するための集積回路を製造する材料として適している。そこで従来、高電圧・大電流を制御するためのパワーモジュールを製造する場合には、炭化ケイ素ウェハを用いて製造されたパワー素子の半導体チップと、シリコンウェハを用いて製造された集積回路の半導体チップとを個別に製造し、これらの複数の半導体チップを同一パッケージ内に実装することが行われている。また、関連する技術が特許文献1に開示されている。
複数の半導体チップを同一パッケージ内に実装するためには、各半導体チップを個片化する工程や、各半導体チップ間をワイヤボンディングするなどの工程が必要となるため、工程数が増加してしまう。
本明細書では、半導体ウェハを開示する。半導体ウェハは、単結晶の炭化ケイ素層と、炭化ケイ素層の表面の上方に配置されている単結晶のシリコン層と、を備えている。炭化ケイ素層の表面には第1の半導体デバイスが形成されている。
上記の半導体ウェハを用いれば、炭化ケイ素を用いて製造された半導体デバイスと、シリコンを用いて製造された半導体デバイスと、が積層されている構造を、半導体ウェハに対して各種のプロセスを適用する工程(いわゆる前工程)を用いて実現することができる。よって、炭化ケイ素を用いて製造された半導体デバイスとシリコンを用いて製造された半導体デバイスとを電気的に接続するために、各々のデバイスを半導体チップとして作成して同一パッケージ内に実装するなどの工程(いわゆる後工程)を不要とすることができる。デバイス構造の簡素化や製造コストの低減を図ることが可能となる。
本明細書に開示の技術によれば、炭化ケイ素層とシリコン層が積層している半導体ウェハ、および、その製造方法を提供することができる。
以下、本明細書で開示する実施例の技術的特徴の幾つかを記す。なお、以下に記す事項は、各々単独で技術的な有用性を有している。
(特徴1)
炭化ケイ素層の裏面に配置されている支持基板をさらに備えてもよい。これにより、半導体ウェハをハンドリングするための機械的強度を支持基板によって確保することができるため、炭化ケイ素層を薄膜化することができる。単結晶の炭化ケイ素は高価であるため、半導体ウェハの製造コストを低減することが可能となる。
炭化ケイ素層の裏面に配置されている支持基板をさらに備えてもよい。これにより、半導体ウェハをハンドリングするための機械的強度を支持基板によって確保することができるため、炭化ケイ素層を薄膜化することができる。単結晶の炭化ケイ素は高価であるため、半導体ウェハの製造コストを低減することが可能となる。
(特徴2)炭化ケイ素層の表面に配置されている絶縁層をさらに備えてもよい。シリコン層は、絶縁層の表面に配置されていてもよい。絶縁層の表面は炭化ケイ素層の表面に比して平坦であってもよい。これにより、第1の半導体デバイスが動作する際に発生する電界を、絶縁層で緩和することができる。よって、第1の半導体デバイスが動作することによってシリコン層へ及ぶ影響を、抑制することができる。また、絶縁層によって、炭化ケイ素層の表面の凹凸の影響を緩和することができる。よって、炭化ケイ素層とシリコン層との密着性を高めることが可能となる。
(特徴3)シリコン層の表面には第2の半導体デバイスが形成されていてもよい。第1の半導体デバイスと第2の半導体デバイスとの間には、第1の半導体デバイスと第2の半導体デバイスとの間に介在する層を貫通している第1貫通孔が形成されていてもよい。第1貫通孔内には、第1の半導体デバイスと第2の半導体デバイスとを接続している第1配線部が形成されていてもよい。上記の半導体ウェハを用いれば、炭化ケイ素を用いて製造された第1の半導体デバイスと、シリコンを用いて製造された第2の半導体デバイスとが、互いに接続された状態で同一チップ内に備えられている構造を、前工程によって実現することができる。半導体チップを取り扱う工程である後工程を用いることなく、第1の半導体デバイスと第2の半導体デバイスとを一体化させることができるため、デバイス構造の簡素化や製造コストの低減を図ることが可能となる。
(特徴4)第1の半導体デバイスと半導体ウェハの裏面との間には、第1の半導体デバイスと半導体ウェハの裏面との間に介在する層を貫通している第2貫通孔が形成されていてもよい。第2貫通孔内には、一端が第1の半導体デバイスと接続されており、他端が半導体ウェハの裏面に表出している第2配線部が形成されていてもよい。これにより、第1の半導体デバイスが、半導体基板の表面に対して垂直な方向に電流が流れるいわゆる縦型デバイスである場合においても、後工程を用いることなく、第1の半導体デバイスと第2の半導体デバイスとを一体化させることが可能となる。
(特徴5)半導体ウェハの製造方法は、支持基板の表面に単結晶の炭化ケイ素層を配置する第1配置工程を備えている。また、炭化ケイ素層の表面に、炭化ケイ素の第1成長層をエピタキシャル成長させる第1結晶成長工程を備えている。また、第1成長層の表面に第1の半導体デバイスを製造する第1デバイス製造工程を備えている。また、第1成長層の上方に、単結晶のシリコン層を配置する第2配置工程を備えている。これにより、炭化ケイ素を用いて製造された半導体デバイスとシリコンを用いて製造された半導体デバイスとが積層されている構造を、半導体ウェハに対して各種プロセスを適用する工程(いわゆる前工程)によって実現することが可能な半導体ウェハを、製造することができる。
(特徴6)シリコン層の表面に、シリコンの第2成長層をエピタキシャル成長させる第2結晶成長工程をさらに備えてもよい。これにより、単結晶のシリコン層の厚さを、自由に調整することが可能となる。
(特徴7)第1デバイス製造工程の後に、第1成長層の表面に絶縁層を配置する第3配置工程をさらに備えてもよい。第2配置工程は、絶縁層の表面に、シリコン層を配置してもよい。これにより、第1の半導体デバイスが動作する際に発生する電界を、絶縁層で緩和することができる。よって、第1の半導体デバイスが動作することによってシリコン層へ及ぶ影響を、抑制することができる。
(特徴8)絶縁層の表面を平坦化する平坦化工程をさらに備えてもよい。第2配置工程は、絶縁層の平坦化された表面に、シリコン層を配置してもよい。これにより、絶縁層とシリコン層との密着性を高めることが可能となる。
(特徴9)第2結晶成長工程の後に、第2成長層の表面に第2の半導体デバイスを製造する第2デバイス製造工程をさらに備えてもよい。第1の半導体デバイスと第2の半導体デバイスとの間に介在する層を貫通している第1貫通孔を形成し、第1の半導体デバイスと第2の半導体デバイスとを接続している第1配線部を第1貫通孔内に形成する第1配線工程をさらに備えてもよい。第2デバイス製造工程で行われる熱処理の最高温度は、第1デバイス製造工程で行われる熱処理の最高温度よりも低くてもよい。これにより、炭化ケイ素を用いて製造された第1の半導体デバイスと、シリコンを用いて製造された第2の半導体デバイスとが、互いに接続された状態で同一チップ内に備えられている構造を、前工程によって実現することができる。また、シリコンを用いる第2デバイス製造工程の熱処理の方が、炭化ケイ素を用いる第1デバイス製造工程の熱処理よりも、最高温度が低い。従って、炭化ケイ素の第1成長層を下層側に配置し、シリコンの第2成長層を上層側に配置するように積層順序を決めることで、後に行われる第2デバイス製造工程で行われる熱処理の最高温度が、先に行われる第1デバイス製造工程で行われる熱処理の最高温度よりも低くなるように制御することができる。よって、第2デバイス製造工程で行われる熱処理が第1の半導体デバイスに悪影響を及ぼしてしまう事態を、防止することが可能となる。
(特徴10)第1デバイス製造工程の後に、第1の半導体デバイスと半導体ウェハの裏面との間に介在する層を貫通している第2貫通孔を形成し、第2配線部を第2貫通孔内に形成する第2配線工程をさらに備えてもよい。第2配線部は、一端が第1の半導体デバイスと接続されており、他端が半導体ウェハの裏面に表出していてもよい。これにより、第1の半導体デバイスを、縦型デバイスとして製造することが可能となる。
<半導体ウェハ1の構造>
本実施形態に係る半導体ウェハの製造方法によって形成される半導体ウェハ1の一例を、図1および図2の模式図を用いて説明する。図1は、半導体ウェハ1の上面図である。図2は、図1のI I−I I線における断面図である。図1において、点線部分は、後述するダイシング工程でダイシングされるダイシングラインDLを示している。ダイシングラインDLで囲まれた矩形領域の各々は、1つの半導体チップとして切り出されるダイ領域を示している。
本実施形態に係る半導体ウェハの製造方法によって形成される半導体ウェハ1の一例を、図1および図2の模式図を用いて説明する。図1は、半導体ウェハ1の上面図である。図2は、図1のI I−I I線における断面図である。図1において、点線部分は、後述するダイシング工程でダイシングされるダイシングラインDLを示している。ダイシングラインDLで囲まれた矩形領域の各々は、1つの半導体チップとして切り出されるダイ領域を示している。
図2に示すように、半導体ウェハ1は、支持基板10と、支持基板10の表面に配置されている単結晶の炭化ケイ素層11と、炭化ケイ素層11の表面に配置されている第1成長層12と、第1成長層12の表面に配置されている絶縁層13と、絶縁層13の表面に配置されているシリコン層14と、シリコン層14の表面に配置されている第2成長層15と、を備えている。第1成長層12の表面および内部には、第1の半導体デバイス21が形成されている。第1の半導体デバイス21の例としては、炭化ケイ素を用いて製造される一般的な素子である、SBD(Schottky Barrier Diode)、MOS−FET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、などが挙げられる。図2では、説明の簡略化のために、第1の半導体デバイス21を矩形形状が組み合わされた形状で簡略に記載している。
支持基板10は、炭化ケイ素層11〜第2成長層15を補強するための基板であり、高い結晶性が要求されない基板である。支持基板10は、6Hポリタイプや4Hポリタイプや3Cポリタイプなどの、多結晶の炭化ケイ素によって形成されていてもよい。また支持基板10は、セラミック材料の混合材料によって形成されている焼結体であってもよい。使用するセラミック材料は、各種の材料でよく、例えば、SiC、Si、AlN、Al2O3、GaN、SiN、SiO2、TaO、などのうちの少なくとも1種類の材料であってもよい。また支持基板10は、サファイア基板であってもよい。すなわち、SiC製造工程の温度に耐えうる任意の材料を選択し得る。
炭化ケイ素層11のポリタイプは、様々なタイプを使用可能である。例えば、4H、3C、6Hなどのポリタイプを使用してもよい。第1成長層12は、炭化ケイ素層11と同一ポリタイプの炭化ケイ素の単結晶である。第1成長層12は、炭化ケイ素層11と結晶方位が揃っている。絶縁層13は、例えば酸化シリコンであってもよい。絶縁層13の表面13aは、第1の半導体デバイス21が形成されている第1成長層12の表面12aに比して平坦である。
半導体ウェハ1は、通常の半導体製造装置でハンドリングするための厚みや強度を備えている。よって、半導体ウェハ1に対して、フォトリソグラフィやエッチング等の既知の各種の半導体プロセスを実施することができ、第2成長層15の表面に各種のデバイスを形成することができる。半導体ウェハ1の直径は、50mm〜300mmの範囲であってもよい。支持基板10の厚さT1は、半導体製造プロセスに耐えることができる機械的強度が得られるように定めればよい。厚さT1は、例えば、50μm〜1000μmの範囲であってもよい。炭化ケイ素層11、シリコン層14の厚さは、例えば0.3〜1.0μmの範囲であってもよい。炭化ケイ素層11と第1成長層12との合計厚さT2や、シリコン層14と第2成長層15との合計厚さT3は、製造するデバイスに応じて適宜に定めるとしてもよい。例えば、第1成長層12や第2成長層15の表面に沿った方向にトランジスタ等の素子を形成する横型デバイスを製造する場合には、5μm以上であってもよい。また、第1成長層12や第2成長層15の表面に垂直な方向に素子を形成する縦型デバイスを製造する場合には、数十μmであってもよい。絶縁層13の厚さT3は、後述する平坦化工程で絶縁層13の表面を平坦化するために必要なエッチバック量や、第1の半導体デバイス21からの電界を緩和する効果などに基づいて、適宜に定めるとしてもよい。
<半導体ウェハ1aの構造>
図3に、第2の半導体装置デバイスが作成されている半導体ウェハ1aの一例を示す。図3は、図2と同一位置における断面図である。半導体ウェハ1aは、図1および図2に示す半導体ウェハ1の第2成長層15の表面および内部に、第2の半導体デバイス22を作成した状態のウェハである。第2の半導体デバイス22の例としては、シリコンを用いて製造される一般的な集積回路(例えば、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)など)が挙げられる。図3では、説明の簡略化のために、第2の半導体デバイス22を矩形形状が組み合わされた形状で簡略に記載している。
図3に、第2の半導体装置デバイスが作成されている半導体ウェハ1aの一例を示す。図3は、図2と同一位置における断面図である。半導体ウェハ1aは、図1および図2に示す半導体ウェハ1の第2成長層15の表面および内部に、第2の半導体デバイス22を作成した状態のウェハである。第2の半導体デバイス22の例としては、シリコンを用いて製造される一般的な集積回路(例えば、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)など)が挙げられる。図3では、説明の簡略化のために、第2の半導体デバイス22を矩形形状が組み合わされた形状で簡略に記載している。
図3では、例として、第1の半導体デバイス21が縦型デバイスである場合を示している。第1の半導体デバイス21の上面や下面には、不図示の電極部が形成されている。例えば、第1の半導体デバイス21がIGBTである場合には、第1の半導体デバイス21の上面21aにはゲート電極部やエミッタ電極部が形成されており、下面21bにはコレクタ電極部が形成されている。また同様にして、第2の半導体デバイス22の上面22aにも、不図示の電極部が形成されている。
第2の半導体デバイス22が形成されている第2成長層15の表面15aと、第1の半導体デバイス21との間には、絶縁層13、シリコン層14、第2成長層15を貫通している第1貫通孔31が形成されている。第1貫通孔31の内部および第2成長層15の表面15aには、第1配線部41が形成されている。第1配線部41は、第1の半導体デバイス21の上面21aに形成されている不図示の電極部と、第2の半導体デバイス22の上面22aに形成されている不図示の電極部とを、電気的に接続するための配線である。第1配線部41は、アルミニウムや銅などの金属で形成されていてもよいし、不純物がドープされたポリシリコンなどで形成されていても良い。また、第1配線部41は、第2成長層15の上方に形成されている不図示のパッド電極に接続されていてもよい。
また、炭化ケイ素層11の裏面11bが露出している。炭化ケイ素層11の裏面11bと、第1の半導体デバイス21の下面21bとの間には、炭化ケイ素層11および第1成長層12を貫通している第2貫通孔32が形成されている。第2貫通孔32の内部には、第2配線部42が形成されている。第2配線部42の一端は、第1の半導体デバイス21の下面21bに形成されている不図示の電極部に接続されている。第2配線部42の他端は、炭化ケイ素層11の裏面11bに表出している。また、第2配線部42の他端は、裏面11bに配置されている不図示のパッド電極に接続されていてもよい。
<半導体ウェハ1の製造工程>
図1および図2に示す半導体ウェハ1の製造工程の内容を、図4のフローと、図5〜図8の模式図を用いて説明する。ステップS1において、第1貼り合わせ工程が行われる。第1貼り合わせ工程では、支持基板10の表面に、単結晶の炭化ケイ素層11を貼り合わせる。
図1および図2に示す半導体ウェハ1の製造工程の内容を、図4のフローと、図5〜図8の模式図を用いて説明する。ステップS1において、第1貼り合わせ工程が行われる。第1貼り合わせ工程では、支持基板10の表面に、単結晶の炭化ケイ素層11を貼り合わせる。
第1貼り合わせ工程を説明する。例として、常温接合を行う場合を説明する。炭化ケイ素層11と支持基板10の各々を、不図示の常温接合装置のチャンバーにセットする。チャンバー内を真空状態にした上で、炭化ケイ素層11の裏面および支持基板10の表面に、中性原子ビームやイオンビームを照射する。中性原子ビームはFAB(Fast Atom Beam)ガンを用いて照射することができ、イオンビームはイオンガンを用いて照射することができる。これにより、材料表面の酸化膜や吸着層を除去して結合手を表出させることで、表面を活性化させることができる。その後、炭化ケイ素層11の裏面と支持基板10の表面とを接触させることで、両層を接合させることができる。接合時の圧力は、10〜50MPaの範囲内であってもよい。
ステップS2において、第1結晶成長工程が行われる。第1結晶成長工程は、炭化ケイ素層11の表面11aに、炭化ケイ素単結晶の第1成長層12をホモエピタキシャル成長させる工程である。第1結晶成長工程を説明する。例として、熱CVD法を用いる場合を説明する。ステップS1で製造された半導体ウェハを、不図示のチャンバーにセットする。半導体ウェハを加熱し、原料ガスであるSiを含む原料ガス及びCを含む原料ガスを、チャンバー内に供給する。Siを含む原料ガスの一例としては、シラン(SiH4)、ジボラン(B2H6)などが挙げられる。Cを含む原料ガスの一例としては、プロパン(C3H8)、アセチレン(C2H2)などが挙げられる。エピタキシャル成長では、下地の単結晶の炭化ケイ素層11上に結晶方位が揃った、単結晶の炭化ケイ素の第1成長層12を成長させることができる。ステップS1およびS2により、図5の模式図に示す構造が形成される。
ステップS3において、第1デバイス製造工程が行われる。第1デバイス製造工程は、第1成長層12の表面12aおよび第1成長層12の内部に、第1の半導体デバイス21を製造する工程である。第1デバイス製造工程では、既知の各種の半導体プロセスを使用することができる。ステップS3により、図6の模式図に示す構造が形成される。
第1デバイス製造工程において、炭化ケイ素の単結晶である第1成長層12にイオン注入を行う際には、注入した不純物を電気的に活性化させるためや、イオン注入により生じた結晶欠陥を回復させるために、活性化アニール処理を行う必要がある。そして炭化ケイ素は、シリコンに比して、不純物の熱拡散係数が非常に小さい。従って、第1デバイス製造工程の活性化アニール処理では、1600℃〜1800℃という超高温処理が必要になる。
ステップS4において、絶縁層形成工程が行われる。絶縁層形成工程は、第1の半導体デバイス21が形成されている第1成長層12の表面12aに、絶縁層13を形成する工程である。絶縁層13は、例えばCVD法によって成膜されてもよい。絶縁層13は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコンなどであってもよい。ステップS4により、図7の模式図に示す構造が形成される。
ステップS5において、平坦化工程が行われる。平坦化工程では、絶縁層13の表面13aを平坦化するように、表面13aがエッチバックされる。平坦化工程では、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いることができる。平坦化工程により、図8の模式図に示す構造が形成される。
ステップS6において、第2貼り合わせ工程が行われる。第2貼り合わせ工程では、絶縁層13の平坦化後の表面13aに、単結晶のシリコン層14を貼り合わせる。第2貼り合わせ工程の内容は、前述した第1貼り合わせ工程の内容と同様であるため、説明を省略する。絶縁層13上にシリコン層14が貼り合わせられることで、SOI(Silicon on Insulator)構造が形成される。なお、シリコン層14の裏面に、酸化シリコンなどの絶縁膜が存在していてもよい。この場合においても、絶縁膜と絶縁層13とが貼り合わされることで、SOI構造を形成することができる。
ステップS7において、第2結晶成長工程が行われる。第2結晶成長工程は、シリコン層14の表面に、シリコン単結晶の第2成長層15をホモエピタキシャル成長させる工程である。第2結晶成長工程の内容は、前述した第1結晶成長工程の内容と同様であるため、説明を省略する。これにより、図2に示す半導体ウェハ1が完成する。
<半導体ウェハ1aの製造工程>
図3に示す半導体ウェハ1aの製造工程の内容を、図9のフローと、図10〜図12の模式図を用いて説明する。図3に示す半導体ウェハ1aは、図2に示す半導体ウェハ1を用いて製造される。ステップS8において、第2デバイス製造工程が行われる。第2デバイス製造工程では、半導体ウェハ1(図2)において、第2成長層15の表面15aおよび第2成長層15の内部に、第2の半導体デバイス22が製造される。第2デバイス製造工程では、既知の各種の半導体プロセスを使用することができる。ステップS8により、図10の模式図に示す構造が形成される。
図3に示す半導体ウェハ1aの製造工程の内容を、図9のフローと、図10〜図12の模式図を用いて説明する。図3に示す半導体ウェハ1aは、図2に示す半導体ウェハ1を用いて製造される。ステップS8において、第2デバイス製造工程が行われる。第2デバイス製造工程では、半導体ウェハ1(図2)において、第2成長層15の表面15aおよび第2成長層15の内部に、第2の半導体デバイス22が製造される。第2デバイス製造工程では、既知の各種の半導体プロセスを使用することができる。ステップS8により、図10の模式図に示す構造が形成される。
第2デバイス製造工程において、シリコン単結晶である第2成長層15にイオン注入を行う際には、活性化アニール処理を行う必要がある。そしてシリコンは、炭化ケイ素に比して、不純物の熱拡散係数が大きい。従って、第1デバイス製造工程の活性化アニール処理の温度は、1000℃程度までの温度で十分である。
ステップS9において、第1貫通孔形成工程が行われる。第1貫通孔形成工程では、第1の半導体デバイス21と第2の半導体デバイス22との間に介在する、絶縁層13、シリコン層14、第2成長層15を貫通している、第1貫通孔31が形成される。第1貫通孔形成工程は、フォトリソグラフィや異方性エッチングなどの、既知の各種の半導体プロセスによって行うことができる。
ステップS10において、第1配線工程が行われる。第1配線工程では、第1の半導体デバイス21と第2の半導体デバイス22とを接続している第1配線部41が、第1貫通孔31の内部および第2成長層15の表面15aに形成される。ステップS10により、図11の模式図に示す構造が形成される。
ステップS11において、支持基板10を除去する除去工程が行われる。除去工程では例えば、研削または研磨により、支持基板10を除去してもよい。ステップS11により、図12の模式図に示す構造が形成される。
ステップS12において、第2貫通孔形成工程が行われる。第2貫通孔形成工程では、第1の半導体デバイス21と第1半導体層11の裏面11bとの間に介在する、第1成長層12および第1半導体層11を貫通している、第2貫通孔32が形成される。
ステップS13において、第2配線工程が行われる。第2配線工程では、第2配線部42が第2貫通孔32の内部に形成される。これにより、図3の模式図に示す半導体ウェハ1aが完成する。第2配線部42は、一端が第1の半導体デバイス21と接続されており、他端が炭化ケイ素層11の裏面11bに表出している。
ステップS14において、ダイシング工程が行われる。ダイシング工程では、ダイシングソーを用いて、図1に示すダイ領域の各々が切り出される。これにより、図3の半導体ウェハ1aを、半導体チップに個片化することができる。そしてフローが終了する。
<効果>
図1および図2に記載の半導体ウェハ1を使用することにより、炭化ケイ素を用いて製造された第1の半導体デバイス21と、シリコンを用いて製造された第2の半導体デバイス22と、が積層されている半導体ウェハ1a(図3)の構造を、半導体製造プロセスの前工程を用いて製造することができる。前工程は、半導体ウェハに対して各種の製造プロセスを適用する工程であり、本実施形態の例では、ステップS8からステップS13の工程が挙げられる。これにより、炭化ケイ素の半導体デバイスと、シリコンの半導体デバイスと、を電気的に接続するために、後工程を用いる必要がなくなる。後工程は、半導体チップに分割された半導体デバイスに対して行われる工程であり、例えば、複数の半導体チップを同一パッケージ内に実装する工程や、各半導体チップ間をワイヤボンディングする工程などが挙げられる。従って、デバイス構造の簡素化や製造コストの低減を図ることが可能となる。また、第1の半導体デバイス21と第2の半導体デバイス22とを接続する配線を前工程を用いて形成することにより、ワイヤボンディングなどの後工程を用いて配線を形成する場合に比して、配線長を短縮化することができる。これにより、配線の寄生容量成分や寄生インダクタンス成分を減少させることができるため、高周波動作時の動作速度を高めることが可能となる。
図1および図2に記載の半導体ウェハ1を使用することにより、炭化ケイ素を用いて製造された第1の半導体デバイス21と、シリコンを用いて製造された第2の半導体デバイス22と、が積層されている半導体ウェハ1a(図3)の構造を、半導体製造プロセスの前工程を用いて製造することができる。前工程は、半導体ウェハに対して各種の製造プロセスを適用する工程であり、本実施形態の例では、ステップS8からステップS13の工程が挙げられる。これにより、炭化ケイ素の半導体デバイスと、シリコンの半導体デバイスと、を電気的に接続するために、後工程を用いる必要がなくなる。後工程は、半導体チップに分割された半導体デバイスに対して行われる工程であり、例えば、複数の半導体チップを同一パッケージ内に実装する工程や、各半導体チップ間をワイヤボンディングする工程などが挙げられる。従って、デバイス構造の簡素化や製造コストの低減を図ることが可能となる。また、第1の半導体デバイス21と第2の半導体デバイス22とを接続する配線を前工程を用いて形成することにより、ワイヤボンディングなどの後工程を用いて配線を形成する場合に比して、配線長を短縮化することができる。これにより、配線の寄生容量成分や寄生インダクタンス成分を減少させることができるため、高周波動作時の動作速度を高めることが可能となる。
図3の半導体ウェハ1aでは、第2の半導体デバイス22が製造されているシリコンの第2成長層15の下方側に、炭化ケイ素層11と炭化ケイ素の第1成長層12とが配置されている。炭化ケイ素は、シリコンに比して熱伝導性が高いため、炭化ケイ素層11および第1成長層12を、第2の半導体デバイス22の放熱板として利用することが可能となる。これにより、第2の半導体デバイス22の冷却効率を向上させることができるため、第2の半導体デバイス22を搭載した半導体モジュールを小型化することが可能となる。またステップS6で説明したように、シリコン層14は、絶縁層13を介して、炭化ケイ素の第1成長層12に貼り合わせてある。これにより、後工程で電極等を介してシリコン製のチップと炭化ケイ素製のチップとを接合する場合に比して、シリコン層と炭化ケイ素層との密着度を高めることができる。よって、シリコン層14と第1成長層12との間の熱伝導性を高めることができるため、第2の半導体デバイス22の冷却効率を向上させることが可能となる。
炭化ケイ素層に第1半導体デバイスを作成する製造工程の熱処理の方が、シリコン層に第2半導体デバイスを作成する製造工程の熱処理よりも、最高温度が高い。従って、炭化ケイ素の第1成長層12を下層側に配置し、シリコンの第2成長層15を上層側に配置するように積層順序を決めることで、シリコン層にデバイスを作成する第2デバイス製造工程(ステップS8)の順番を、炭化ケイ素層にデバイスを作成する第1デバイス製造工程(ステップS3)の順番の後になるように設定することができる。これにより、先に行われる第1デバイス製造工程で行われる熱処理の最高温度よりも、後に行われる第2デバイス製造工程で行われる熱処理の最高温度が、低くなるように制御することができる。よって、第2デバイス製造工程で行われる熱処理が既に完成済みの第1の半導体デバイスに悪影響を及ぼしてしまう事態を、防止することが可能となる。
図2に記載の半導体ウェハ1は、炭化ケイ素層11の裏面に配置されている支持基板10を備えている。これにより、半導体ウェハ1をハンドリングするための機械的強度を支持基板10によって確保することができるため、炭化ケイ素層11を薄膜化することができる。単結晶の炭化ケイ素は高価であるため、半導体ウェハ1の製造コストを低減することが可能となる。
半導体ウェハ1(図2)および半導体ウェハ1a(図3)は、炭化ケイ素の第1成長層12の表面に配置されている絶縁層13を備えている。これにより、第1の半導体デバイス21が動作する際に発生する電界を、絶縁層13で緩和することができる。よって、第1の半導体デバイス21が動作することによってシリコンの第2成長層15層へ及ぶ影響を、抑制することができる。
本実施形態の半導体ウェハ1の製造方法は、第1デバイス製造工程(ステップS3)の後に、絶縁層形成工程(ステップS4)を備えている。また、絶縁層13の表面を平坦化する平坦化工程(ステップS5)を備えている。これにより、絶縁層13の表面13aを、炭化ケイ素の第1成長層12の表面12aに比して平坦にすることができる。従って、第2貼り合わせ工程(ステップS6)において、絶縁層13とシリコン層14との密着性を高めることが可能となる。また例えば、第2貼り合わせ工程において前述した常温接合を用いる場合には、絶縁層13の表面が数十ナノメートル以下の表面粗さである必要がある。本実施形態の半導体ウェハ1の製造方法では、平坦化工程を備えているため、常温接合に必要な平坦度を備えた表面を確保することが可能となる。
本実施形態の半導体ウェハ1aの製造方法は、第1の半導体デバイス21と第2の半導体デバイス22との間には、第1の半導体デバイスと第2の半導体デバイスとの間に介在する層を貫通している第1貫通孔31を形成する第1貫通孔形成工程(ステップS9)を備えている。また、第1配線部41を第1貫通孔31内に形成する第1配線工程(ステップS10)を備えている。これにより、半導体ウェハ1aの内部に埋め込まれている第1の半導体デバイス21と、半導体ウェハ1aの表面に形成されている第2の半導体デバイス22とが、互いに接続された状態で同一チップ内に備えられている構造を、前工程によって実現することができる。炭化ケイ素製の第1の半導体デバイス21は、高電圧および大電流を制御するパワー素子に適しており、シリコン製の第2の半導体デバイス22は、パワー素子等を制御するための集積回路に適している。従って、集積回路が一体化されたワンチップのパワーデバイスを製造することが可能となる。
本実施形態の半導体ウェハ1の製造方法は、炭化ケイ素層11の表面に、炭化ケイ素の第1成長層12をエピタキシャル成長させる第1結晶成長工程(ステップS2)を備えている。これにより、第1の半導体デバイス21を製造する際に必要な炭化ケイ素の単結晶層の厚さを、第1成長層12によって調整することができるため、炭化ケイ素層11の厚さを自由に設定することや、最小限の厚さに設定する事が可能になる。また、本実施形態の半導体ウェハ1の製造方法は、シリコン層14の表面に、シリコンの第2成長層15をエピタキシャル成長させる第2結晶成長工程(ステップS7)を備えている。これにより、第2の半導体デバイス22を製造する際に必要なシリコンの単結晶層の厚さを、第2成長層15によって調整することができるため、シリコン層14の厚さを自由に設定することが可能となる。
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
<変形例>
炭化ケイ素の層(炭化ケイ素層11および第1成長層12)とシリコンの層(シリコン層14および第2成長層15)の熱膨張率の差に起因する熱応力を緩和するために、シリコン層14および第2成長層15にトレンチを作成してもよい。トレンチは、図1で示したダイシングラインDLに沿って、第2成長層15の表面15aからダイシングソー等によって形成するとしてもよい。トレンチを形成する工程は、第2結晶成長工程(ステップS7)の後や、第2デバイス製造工程(ステップS8)の後に行っても良い。このとき、ダイシングソーの刃の硬度を、シリコン以上であって炭化ケイ素以下に設定すれば、表面15aから下方に向かって進行していく切削を、炭化ケイ素の第1成長層12の表面12aで自動的に停止するように制御することができる。これにより、半導体ウェハ1aの反りや、シリコン層14の剥がれなどを防止することができる。
炭化ケイ素の層(炭化ケイ素層11および第1成長層12)とシリコンの層(シリコン層14および第2成長層15)の熱膨張率の差に起因する熱応力を緩和するために、シリコン層14および第2成長層15にトレンチを作成してもよい。トレンチは、図1で示したダイシングラインDLに沿って、第2成長層15の表面15aからダイシングソー等によって形成するとしてもよい。トレンチを形成する工程は、第2結晶成長工程(ステップS7)の後や、第2デバイス製造工程(ステップS8)の後に行っても良い。このとき、ダイシングソーの刃の硬度を、シリコン以上であって炭化ケイ素以下に設定すれば、表面15aから下方に向かって進行していく切削を、炭化ケイ素の第1成長層12の表面12aで自動的に停止するように制御することができる。これにより、半導体ウェハ1aの反りや、シリコン層14の剥がれなどを防止することができる。
炭化ケイ素層11に用いる炭化ケイ素の単結晶のポリタイプは、様々なタイプを使用可能である。例えば、4H、3C、6Hなどのポリタイプを使用することも可能である。
半導体ウェハ1および1aにおいて、絶縁層13が存在せず、第1成長層12上にシリコン層14が貼り付けられている構造を用いてもよい。この場合、図4のフローにおいて、絶縁層形成工程(ステップS4)を省略すればよい。また、平坦化工程(ステップS5)では、第1成長層12の表面12aが平坦化されるとしてもよい。
第2結晶成長工程(ステップS7)を省略してもよい。これにより、図2に示す半導体ウェハ1を、第2成長層15を備えない態様とすることができる。
本実施形態では、第1の半導体デバイス21が縦型デバイスである場合を説明したが、横型デバイスであってもよい。横型デバイスでは、第2配線部42を不要とすることができる。この場合、図9のフローにおいて、第2貫通孔形成工程(ステップS12)および第2配線工程(ステップS13)を省略すればよい。これにより、図12に示すような構造の半導体ウェハを完成させることができる。
炭化ケイ素層11やシリコン層14を貼り合わせる貼り合わせ工程は、常温接合に限られず、各種の方法を用いることができる。例えば、いわゆるスマートカット法を用いることができる。スマートカット法では、SiC結晶基板の主表面から水素イオンを注入することにより水素高濃度層を形成したのち、主表面を支持基板10に貼り付ける。主表面の貼り付け方法としては、プラズマ接合、水酸基接合などの接合手法や、接着剤を用いた接合手法などを用いることができる。その後、水素高濃度層でSiC結晶基板からSiC結晶薄膜を剥離する。
1つのダイ領域内に、第1の半導体デバイス21および第2の半導体デバイス22が、それぞれ複数備えられていてもよい。また1つのダイ領域内に、第1配線部41や第2配線部42が、それぞれ複数備えられていてもよい。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
炭化ケイ素層11および第1成長層12は、炭化ケイ素層の一例である。シリコン層14および第2成長層15は、シリコン層の一例である。ステップS1は、第1配置工程の一例である。ステップS6は、第2配置工程の一例である。ステップS4は、第3配置工程の一例である。ステップS9およびS10は、第1配線工程の一例である。ステップS12およびS13は、第2配線工程の一例である。
1:半導体基板、10:支持基板、11:炭化ケイ素層、12:第1成長層、13:絶縁層、14:シリコン層、15:第2成長層、21:第1の半導体デバイス、22:第2の半導体デバイス
Claims (11)
- 単結晶の炭化ケイ素層と、
前記炭化ケイ素層の表面の上方に配置されている単結晶のシリコン層と、
を備えており、
前記炭化ケイ素層の表面には第1の半導体デバイスが形成されていることを特徴とする半導体ウェハ。 - 前記炭化ケイ素層の裏面に配置されている支持基板をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ。
- 前記炭化ケイ素層の表面に配置されている絶縁層をさらに備え、
前記シリコン層は、前記絶縁層の表面に配置されており、
前記絶縁層の表面は前記炭化ケイ素層の表面に比して平坦であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハ。 - 前記シリコン層の表面には第2の半導体デバイスが形成されており、
前記第1の半導体デバイスと前記第2の半導体デバイスとの間には、前記第1の半導体デバイスと前記第2の半導体デバイスとの間に介在する層を貫通している第1貫通孔が形成されており、
前記第1貫通孔内には、前記第1の半導体デバイスと前記第2の半導体デバイスとを接続している第1配線部が形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体ウェハ。 - 前記第1の半導体デバイスと前記半導体ウェハの裏面との間には、前記第1の半導体デバイスと前記半導体ウェハの裏面との間に介在する層を貫通している第2貫通孔が形成されており、
前記第2貫通孔内には、一端が前記第1の半導体デバイスと接続されており、他端が前記半導体ウェハの裏面に表出している第2配線部が形成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体ウェハ。 - 支持基板の表面に単結晶の炭化ケイ素層を配置する第1配置工程と、
前記炭化ケイ素層の表面に、炭化ケイ素の第1成長層をエピタキシャル成長させる第1結晶成長工程と、
前記第1成長層の表面に第1の半導体デバイスを製造する第1デバイス製造工程と、
前記第1成長層の上方に、単結晶のシリコン層を配置する第2配置工程と、
を備えることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。 - 前記シリコン層の表面に、シリコンの第2成長層をエピタキシャル成長させる第2結晶成長工程をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体ウェハの製造方法。
- 前記第1デバイス製造工程の後に、前記第1成長層の表面に絶縁層を配置する第3配置工程をさらに備え、
前記第2配置工程は、前記絶縁層の表面に、前記シリコン層を配置することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体ウェハの製造方法。 - 前記絶縁層の表面を平坦化する平坦化工程をさらに備え、
前記第2配置工程は、前記絶縁層の平坦化された表面に、前記シリコン層を配置することを特徴とする請求項8に記載の半導体ウェハの製造方法。 - 前記第2結晶成長工程の後に、前記第2成長層の表面に第2の半導体デバイスを製造する第2デバイス製造工程と、
前記第1の半導体デバイスと前記第2の半導体デバイスとの間に介在する層を貫通している第1貫通孔を形成し、前記第1の半導体デバイスと前記第2の半導体デバイスとを接続している第1配線部を前記第1貫通孔内に形成する第1配線工程と、
をさらに備え、
前記第2デバイス製造工程で行われる熱処理の最高温度は、前記第1デバイス製造工程で行われる熱処理の最高温度よりも低いことを特徴とする請求項7〜9の何れか1項に記載の半導体ウェハの製造方法。 - 前記第1デバイス製造工程の後に、前記第1の半導体デバイスと前記半導体ウェハの裏面との間に介在する層を貫通している第2貫通孔を形成し、第2配線部を前記第2貫通孔内に形成する第2配線工程をさらに備え、
前記第2配線部は、一端が前記第1の半導体デバイスと接続されており、他端が前記半導体ウェハの裏面に表出していることを特徴とする請求項6〜10の何れか1項に記載の半導体ウェハの製造方法。
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