JP2019210162A - 半導体基板構造体及びパワー半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
常温接合技術には、表面活性化接合技術、プラズマ活性化接合技術、原子拡散接合技術等が含まれる。常温接合技術は、真空中で高速原子ビーム等を用いて固体表面の酸化物や吸着分子をスパッタリング効果により除去して表面を活性化した後、活性な表面同士を接触させ、常温で原子間結合を形成する技術である。常温接合技術では、接合面を真空中で表面処理することにより、表面の原子を化学結合を形成しやすい活性な状態とする。常温接合技術は、接合の妨げになる表面層を除去することにより、表面の原子の結合手同士を直接結合させ強固な接合を形成する。常温接合技術を用いることにより多くの材料を常温で接合可能である。
拡散接合技術とは、母材を密着させ、母材の融点以下の温度条件で塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面に生じる原子の拡散を利用して接合する技術である。
セラミックスの結晶状態の説明図であって、多結晶体の例は、模式的に図12(a)に示すように表され、アモルファス非晶質固体の例は、模式的に図12(b)に示すように表される。ここで、SiC多結晶体の結晶状態は、結晶質固体であり、模式的に図12(a)と同様に表され、一方アモルファスSiCの結晶状態は、非晶質固体であり、模式的に図12(b)と同様に表される。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体の多結晶体(SiC焼結体)製造装置500は、模式的に図13に示すように表される。多結晶体(SiC焼結体)製造装置500の内部500Aは、数Pa程度の真空雰囲気若しくはAr/N2ガス置換されている。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体1は、図14に示すように、グラファイト基板10GFと、上に配置された表面粗さ改善層16Rと、表面粗さ改善層16Rを介して、グラファイト基板10GFと常温接合される単結晶体12とを備える。ここで、常温接合には、表面活性化接合、プラズマ活性化接合、及び原子拡散接合から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類が含まれる。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体を用いて作製したSiC−SBD21は、図17に示すように、SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12とからなる半導体基板構造体1を備える。SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12との間には、表面粗さ改善層16Rを備える。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体を用いて作製したトレンチゲート型MOSFET31は、図18に示すように、SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12とからなる半導体基板構造体1を備える。SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12との間には、表面粗さ改善層16Rを備える。
本技術を適用した一実施の形態に係る半導体基板構造体1を用いて作製したプレーナゲート型MOSFET51は、図19に示すように、SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12とからなる半導体基板構造体1を備える。SiC焼結体10SBとSiCエピタキシャル成長層12との間には、表面粗さ改善層16Rを備える。
また、SiC焼結体10SBの代わりにBN、AlN、Al2O3、Ga2O3、ダイヤモンド、カーボン、若しくはグラファイトのいずれかを備えていても良い。
SiCエピタキシャル成長層12に適用可能な4H−SiC結晶のユニットセルの模式的鳥瞰構成は、図21(a)に示すように表され、4H−SiC結晶の2層部分の模式的構成は、図21(b)に示すように表され、4H−SiC結晶の4層部分の模式的構成は、図21(c)に示すように表される。
上記のように、いくつかの実施の形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Claims (21)
- 基板と、
前記基板上に配置された表面粗さ改善層と、
前記基板と前記表面粗さ改善層を介して常温接合される単結晶体と
を備える、半導体基板構造体。 - 基板と、
前記基板上に配置された表面粗さ改善層と、
前記基板と前記表面粗さ改善層を介して拡散接合される単結晶体と
を備える、半導体基板構造体。 - 前記単結晶体は、IV族元素半導体、III―V族化合物半導体、及びII−VI族化合物半導体の群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類を含む、請求項1または2に記載の半導体基板構造体。
- 前記単結晶体は、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコン、窒化アルミニウム、及び酸化ガリウムの群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類を含む、請求項1または2に記載の半導体基板構造体。
- 前記基板は、焼結体、BN、AlN、Al2O3、Ga2O3、ダイヤモンド、カーボン、及びグラファイトの群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 前記焼結体は、IV族元素半導体、III―V族化合物半導体、及びII−VI族化合物半導体の群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類の焼結体を含む、請求項5に記載の半導体基板構造体。
- 前記焼結体は、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコン、窒化アルミニウム、及び酸化ガリウムの群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類の焼結体を含む、請求項5に記載の半導体基板構造体。
- 前記表面粗さ改善層は、化学的気相成長法で形成した膜を備える、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 前記表面粗さ改善層は、ゾルゲル法若しくはディップ法で形成した膜を備える、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 前記表面粗さ改善層は、前記基板と同種の材料を備える、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 前記単結晶体は、前記表面粗さ改善層と同種の材料を備える、請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 前記表面粗さ改善層は、金属層を備える、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 前記金属層は、Al、Co、Ni、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、及びAuの群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類を含む、請求項12に記載の半導体基板構造体。
- 前記表面粗さ改善層は、IV族元素半導体、III―V族化合物半導体、及びII−VI族化合物半導体の群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類のアモルファスを含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 前記表面粗さ改善層は、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコン、窒化アルミニウム、及び酸化ガリウムの群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類のアモルファスを含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 前記表面粗さ改善層の厚さは、1nm以上を備える、請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体基板構造体。
- 請求項1〜16のいずれか1項に記載の半導体基板構造体を備える、パワー半導体装置。
- 前記パワー半導体装置は、SiCショットキーバリアダイオード、SiC−MOSFET、SiCバイポーラトランジスタ、SiCダイオード、SiCサイリスタ、及びSiC絶縁ゲートバイポーラトランジスタの群から選ばれる少なくとも1種類もしくは複数種類を備える、請求項17に記載のパワー半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に配置された表面粗さ改善層と、
前記基板と前記表面粗さ改善層を介して常温接合若しくは拡散接合される単結晶体と、
前記基板と前記単結晶体との接合面に対向する前記基板表面に配置される第1金属電極と
を備える、パワー半導体装置。 - 前記基板と前記単結晶体との接合面に対向する前記単結晶体表面に配置される第2金属電極を更に備える、請求項19に記載のパワー半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に配置された表面粗さ改善層と、
前記基板と前記表面粗さ改善層を介して常温接合若しくは拡散接合される単結晶体と、
前記基板と前記単結晶体との接合面に対向する前記単結晶体表面に配置される第2金属電極と
を備える、パワー半導体装置。
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