JPH11268994A - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 炭化珪素単結晶層を台座に十分な接合強度
で、かつ均一に接合し、種結晶表面の平坦性を向上させ
て、成長する単結晶に欠陥等が発生するのを防止する。 【解決手段】 珪素単結晶基板１上に炭化珪素単結晶層
２を成長させ、これを、炭化珪素単結晶層２側を接合面
として、炭素粉末と珪素粉末の混合物層３を介して台座
４上に配置する。ホットプレスにより炭素粉末と珪素粉
末が反応焼結し、その過程で、炭化珪素単結晶層２およ
び台座４と強固に接合する。珪素単結晶基板１を除去し
て得られる炭化珪素単結晶層２は、平坦で、接合性にも
優れ、これを種結晶として、欠陥のない高品質な炭化珪
素単結晶５を成長させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、昇華法を用いて種
結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる方法に関し、特
に、種結晶と台座の接合方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】炭化珪素単結晶を製造するための方法と
して、昇華法が広く用いられている。昇華法は、黒鉛製
のルツボ内に配置した黒鉛台座に種結晶を接合し、ルツ
ボ底部に配した炭化珪素原料粉末を加熱、昇華させたガ
スを、種結晶上で再結晶させるもので、種結晶として
は、一般に、アチソン法で製造された炭化珪素単結晶が
用いられている。ところが、現状では、十分径の大きい
アチソン結晶を得ることは困難であり、これを種結晶と
して大口径の単結晶を得ることは難しい。このため、大
口径の単結晶を得るには、アチソン結晶から成長させた
単結晶をウェハ状に切断し、これを種結晶として単結晶
を成長させることを繰り返す必要があった。

【０００３】一方、珪素基板上に、ＣＶＤ法（化学的気
相エピタキシャル成長法）等によりエピタキシャル成長
させた炭化珪素単結晶層を種結晶として用いる方法が知
られている。珪素基板は、アチソン結晶より大口径のも
のが得られているため、その上に炭化珪素単結晶層を成
長させることで、種結晶の大口径化が期待できる。エピ
タキシャル成長による炭化珪素単結晶層を黒鉛台座に固
定する方法としては、例えば、特開平５−２０８８９７
号公報に開示される方法があり、珪素基板上に炭化珪素
単結晶層をエピタキシャル成長させた後、珪素基板側が
黒鉛台座に接触するように載置し、単結晶成長のための
昇温過程で、珪素基板を黒鉛台座と反応させる。これに
より基板を構成する珪素が黒鉛台座内に拡散して融合一
体化し、残る炭化珪素単結晶層を種結晶とすることがで
きる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この方法で
は、珪素基板を黒鉛台座と反応させる際に、珪素が黒鉛
と完全に反応せず、未反応の珪素が残留して、十分な接
合強度が得られないおそれがあった。また、未反応の珪
素が部分的に残留すると、黒鉛台座との接合が均一にな
されず、珪素の残留部で炭化珪素単結晶層にうねりが生
じる。このため、種結晶となる炭化珪素単結晶層の表面
が平坦な面とならず、成長するバルク単結晶に欠陥が発
生するという問題があった。

【０００５】しかして、本発明の目的は、珪素基板上に
成長させた炭化珪素単結晶層を種結晶として用いる方法
において、炭化珪素単結晶層を台座に十分な接合強度
で、かつ均一に接合し、種結晶表面の平坦性を向上させ
て、成長する単結晶に欠陥等が発生するのを防止するこ
とにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１の方法は、珪素単結晶基板上に炭
化珪素単結晶層を成長させる第１工程と、この珪素単結
晶基板を、上記炭化珪素単結晶層の表面が接合面となる
ように、炭素粉末と珪素粉末の混合物層を介して台座上
に配置し、ホットプレスにより上記台座に接合する第２
工程と、上記珪素単結晶基板を除去して上記炭化珪素単
結晶層を露出させる第３工程と、上記炭化珪素単結晶層
を種結晶として、その上に炭化珪素単結晶を成長させる
第４工程により炭化珪素単結晶を製造することを特徴と
する。

【０００７】第１工程で形成した炭化珪素単結晶層は、
第２工程において、炭素粉末と珪素粉末の混合物層を接
着剤として台座に接合固定される。第２工程では、炭素
粉末と珪素粉末の反応による炭化珪素の生成と焼結が同
時に進行し、炭化珪素単結晶層および台座とともに焼結
されることにより、両者と強固に接合する。この時、ホ
ットプレスを採用することで、通常の方法では焼結しに
くい炭化珪素の焼結が促進され、高い接合強度を実現す
る。また、珪素基板を黒鉛台座に拡散、融合させる従来
の方法のように、残留珪素の問題がなく、炭素粉末と珪
素粉末の混合物層を介して、均一に接合することができ
る。よって、第３工程で珪素単結晶基板を除去すれば、
台座上に強固に接合された、表面の平坦な炭化珪素単結
晶層を露出させることができ、これを種結晶として、欠
陥の少ない高品質な炭化珪素単結晶を成長させることが
できる。

【０００８】上記課題を解決するための他の方法とし
て、請求項２の方法は、珪素単結晶基板上に炭化珪素単
結晶層を成長させる第１工程と、この珪素単結晶基板
を、上記炭化珪素単結晶層の表面が接合面となるよう
に、酸化ホウ素粉末の層を介して多結晶炭化珪素でコー
ティングされた台座上に配置し、焼成することにより上
記台座に接合する第２工程と、上記珪素単結晶基板を除
去して上記炭化珪素単結晶層を露出させる第３工程と、
上記炭化珪素単結晶層を種結晶として、その上に炭化珪
素単結晶を成長させる第４工程により炭化珪素単結晶を
製造する。

【０００９】上記方法では、第１工程で形成した炭化珪
素単結晶層が、第２工程で酸化ホウ素粉末の層を介して
台座をコーティングする多結晶炭化珪素に接合固定され
る。第２工程では、酸化ホウ素粉末が焼結助剤として作
用し、炭化珪素単結晶層と多結晶炭化珪素の界面におけ
る焼結を促進し、強固に接合する。このように、台座を
予め多結晶炭化珪素でコーティングしておき、酸化ホウ
素粉末の層を介在させて焼成することで、炭化珪素単結
晶層を十分な接合強度で、均一に台座に密着固定するこ
とができる。よって、第３、第４工程により、台座上に
強固に接合された、表面の平坦な炭化珪素単結晶層が得
られ、その上に、欠陥の少ない高品質な炭化珪素単結晶
を成長させる同様の効果が得られる。

【００１０】請求項３の方法では、上記第２工程におけ
る焼成を、ホットプレスにより行う。加圧状態で行うこ
とにより、焼結が促進され、接合性が向上する。

【００１１】請求項４の方法では、上記第１工程におい
て、予め裏面側に多結晶炭化珪素を接合した珪素単結晶
基板を使用し、この珪素単結晶基板の表面に、上記炭化
珪素単結晶層を成長させる。珪素単結晶基板上に炭化珪
素単結晶層を成長させる場合、熱膨張係数の違いから反
りや割れが生じることがあるが、多結晶炭化珪素で補強
した珪素単結晶基板を用いることで、これを防止するこ
とができる。

【００１２】上記請求項４における上記多結晶炭化珪素
と上記珪素単結晶基板の接合方法として、請求項５の方
法では、上記多結晶炭化珪素を、上記珪素単結晶基板の
裏面に、炭素粉末と珪素粉末の混合物層を介してホット
プレスにより接合する。ホットプレスにより炭素粉末と
珪素粉末が反応焼結する過程で、上記多結晶炭化珪素を
上記珪素単結晶基板に強固に接合固定することができ
る。

【００１３】請求項６の方法のように、上記多結晶炭化
珪素を上記珪素単結晶基板の裏面に、酸化珪素膜を介し
て接合することもできる。上記酸化珪素膜は、具体的に
は、請求項７のように、上記珪素単結晶基板の表面を熱
酸化することによる形成される熱酸化膜、または上記多
結晶炭化珪素の表面を熱酸化することによる形成される
熱酸化膜からなり、これらの両方、あるいはいずれか一
方を熱酸化により形成し、この酸化珪素膜を介して上記
多結晶炭化珪素と上記珪素単結晶基板を密着させること
で、両者を接合することができる。

【００１４】このようにして多結晶炭化珪素で補強した
珪素単結晶基板を用いることにより、炭化珪素単結晶層
を成長させる際に、反りや割れを生じるのを防止する同
様の効果が得られる。

【００１５】請求項８の方法のように、上記多結晶炭化
珪素上に多結晶珪素の層を形成し、この多結晶珪素の層
と、上記珪素単結晶基板の裏面とを、酸化珪素膜を介し
て接合することもできる。この時、上記酸化珪素膜は、
上記珪素単結晶基板の表面を熱酸化することによる形成
される熱酸化膜と、上記多結晶珪素の層の表面を熱酸化
することによる形成される熱酸化膜の両方、あるいはい
ずれか一方からなる。

【００１６】多結晶珪素は、多結晶炭化珪素に比べて表
面の平坦性に優れ、平坦な熱酸化膜が形成しやすいた
め、これを多結晶炭化珪素上に予め形成しておくこと
で、熱酸化膜の平坦性が向上し、また、接合性を向上さ
せることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の炭化珪素単結晶の
製造方法の一実施の形態を図１に基づいて説明する。本
実施の形態では、先ず、図１（ａ）に示す第１工程にお
いて、珪素単結晶基板１上に種結晶となる炭化珪素単結
晶層２を成長させる。珪素単結晶基板１としては、所望
の口径のウエハ状に加工された珪素単結晶基板が使用さ
れ、その表面に公知のＣＶＤ法（化学的気相エピタキシ
ャル成長法）等により、炭化珪素単結晶層２をエピタキ
シャル成長させる。炭化珪素単結晶層２の厚さは、例え
ば、１０〜２０μｍ程度とする。

【００１８】次いで、図１（ｂ）に示す第２工程におい
て、炭化珪素単結晶層２を形成した珪素単結晶基板１
を、黒鉛台座４に接合する。この時、図のように、炭素
粉末と珪素粉末の混合物層３を接着剤として用い、炭化
珪素単結晶層２側の表面が接合面となるように黒鉛台座
４上に配置する。炭素粉末と珪素粉末は、例えば、粒径
が数μｍ程度の高純度品を用い、これらをアルコール等
を用いて湿式混合し、ペースト状にして黒鉛台座４上に
塗布する。両者の混合割合は、モル比で１：１程度とす
るのがよいが、これより若干ずれてもよい。炭素粉末と
珪素粉末の混合物層３は、できるだけむらがないように
均一に形成するのがよく、例えばスクリーン印刷等を用
いると、より均一な層を形成することができる。

【００１９】その後、公知のホットプレス装置内に配置
して、所定の温度、圧力まで昇温、昇圧する。ホットプ
レスの温度は、珪素単結晶基板１が溶融しないように珪
素の融点（１４００℃）以下、例えば、約１３５０℃と
し、２０℃／分の速度で１３５０℃まで昇温した後、２
〜３分で約１ＭＰａ程度まで昇圧する。雰囲気は真空ま
たは不活性ガス雰囲気とし、この状態を、約１時間程度
保持した後、常温、常圧に戻し、ホットプレスを終了す
る。

【００２０】この時、炭素粉末と珪素粉末の混合物層３
において、炭素粉末と珪素粉末が反応し炭化珪素が生成
すると同時に、生成する炭化珪素の焼結が進行し、炭化
珪素単結晶層２、黒鉛台座４とともに焼結される。ホッ
トプレスを採用することにより焼結しにくい炭化珪素の
焼結が進み、その過程で炭化珪素単結晶層２および黒鉛
台座４に強固に固定される。また、接着剤となる炭素粉
末と珪素粉末の混合物層３は、均一な層となるように形
成されているので、接合により炭化珪素単結晶層２にう
ねりが生じる等の不具合は生じない。

【００２１】第３工程では、図１（ｃ）に示すように、
上記珪素単結晶基板１を除去して、上記炭化珪素単結晶
層２を露出させる。上記珪素単結晶基板１を除去する方
法としては、例えば、フッ酸と硝酸の混合溶液中に浸漬
して珪素を溶解させる方法を採用することができる。あ
るいは、単結晶の製造に用いる黒鉛るつぼ内に配置し、
珪素の融点以上に加熱して溶融除去する方法によっても
よい。

【００２２】後者の方法について、以下に説明する。図
２（ａ）は、黒鉛るつぼの概略図で、容器状の本体１ａ
と蓋体１ｂからなり、蓋体１ｂの下面中央部を突出して
黒鉛台座４となしてある。この黒鉛台座４に、上記第２
工程に示した方法で、炭素粉末と珪素粉末の混合物層３
を介して炭化珪素単結晶層２を形成した珪素単結晶基板
１を接合した後、蓋体１ｂを本体１ａ上に載置し、るつ
ぼを図略のヒータで珪素の融点（１４００℃）以上に加
熱する。るつぼ内は、通常、アルゴンガス等の不活性ガ
ス雰囲気とし、図略の真空装置で所定の真空度に制御さ
れる。るつぼ内の温度上昇とともに珪素が溶融し、珪素
単結晶基板１が除去されて、炭化珪素単結晶層２が露出
する。得られた炭化珪素単結晶層２は表面が平坦で、黒
鉛台座４に密着度よく固定されている。

【００２３】第４工程では、図１（ｄ）に示すように、
第３工程で露出させた炭化珪素単結晶層２を種結晶とし
て用い、その上に昇華法により炭化珪素単結晶５を成長
させる。図２（ｂ）のように、るつぼ底部には予め原料
となる炭化珪素粉末１ｃが充填してあり、珪素単結晶基
板１の除去後、るつぼをさらに加熱すると、炭化珪素粉
末１ｃが昇華し始める。この時、炭化珪素粉末１ｃの温
度が、約２０００〜２４００℃の範囲となるようにし、
炭化珪素単結晶層２の温度がこれよりやや低温となるよ
うに制御するのがよい。すると、炭化珪素粉末１ｃの昇
華ガスＧが、種結晶である炭化珪素単結晶層２の表面で
再結晶し、炭化珪素単結晶層２上に、炭化珪素単結晶５
が成長する。

【００２４】上記方法によれば、炭素粉末と珪素粉末の
混合物層３を接着剤とすることで、種結晶である炭化珪
素単結晶層２を十分な接合強度で黒鉛台座４に固定し、
しかも、種結晶表面を平坦な面とすることができる。よ
って、炭化珪素単結晶層２上に成長する炭化珪素単結晶
５を欠陥のない高品質なものとすることができる。

【００２５】次に、本発明の第２の実施の形態を図３に
基づいて説明する。図３（ａ）に示す本実施の形態の第
１工程では、珪素単結晶基板１上に種結晶となる炭化珪
素単結晶層２を、上記第１の実施の形態と同様の方法で
成長させる。

【００２６】図３（ｂ）に示す第２工程では、この炭化
珪素単結晶層２を形成した珪素単結晶基板１を黒鉛台座
４に接合する。この時、本実施の形態では、黒鉛台座４
として、表面が多結晶炭化珪素の層６でコーティングさ
れた黒鉛台座４を用いるとともに、焼結助剤としての酸
化ホウ素粉末の層７を介在させて接合を行う。黒鉛台座
４のコーティングは、本工程に先立って行い、例えば、
ＣＶＤ法により黒鉛台座４の表面に、約１００μｍ程度
の膜厚で多結晶炭化珪素の層６を形成すればよい。焼結
助剤となる酸化ホウ素粉末は、例えば、粒径が数μｍ程
度の高純度品を用い、アルコール等を用いてペースト状
にしたものを、黒鉛台座４上に塗布する。酸化ホウ素粉
末の層７は、できるだけむらがないように均一に形成す
るのがよく、例えばスクリーン印刷等を用いると、より
均一な層を形成することができる。

【００２７】この上に、炭化珪素単結晶層２を形成した
珪素単結晶基板１を、炭化珪素単結晶層２側の表面が接
合面となるようにして配置する。その後、公知のホット
プレス装置内に配置して、所定の温度、圧力まで昇温、
昇圧する。ホットプレスの条件は、上記第１の実施の形
態と同様である。なお、本工程ではホットプレスを用い
る必要は必ずしもないが、加圧状態で行うことで、焼結
しやすくなる。

【００２８】この時、酸化ホウ素粉末の層７において、
低融点の酸化ホウ素が溶融し、炭化珪素単結晶層２と多
結晶炭化珪素の層６の界面に均一に拡がって、焼結を促
進する。この過程で、炭化珪素単結晶層２が多結晶炭化
珪素の層６が強固に固定される。このように、炭化珪素
単結晶層２を、予め多結晶炭化珪素の層６でコーティン
グした黒鉛台座４に、酸化ホウ素粉末の層６を介して焼
結、固定することもでき、十分な接合強度で、均一に密
着固定する同様の効果が得られる。

【００２９】その後の第３工程と第４工程は、上記第１
の実施の形態と同様であり、珪素単結晶基板１を除去し
て、均質で、表面が平坦ま炭化珪素単結晶層２を露出さ
せることができる（図３（ｃ））。そして、この炭化珪
素単結晶層２を種結晶として、その上に炭化珪素単結晶
５を成長させることができ（図３（ｄ））、欠陥のない
良質な炭化珪素単結晶５を得ることができる。

【００３０】図４は本発明の第３の実施の形態で用いる
珪素単結晶基板１の構成を示すものである。本発明で
は、上記第１工程において、珪素単結晶基板１上に種結
晶となる炭化珪素単結晶層２を成長させる際に、両者の
熱膨張係数の違い等から反りや割れが生じるおそれがあ
る。これを防止するため、図４のように、珪素単結晶基
板１の裏面（図の下面）に、予め、炭素粉末と珪素粉末
の混合物層３を介して多結晶炭化珪素８を接合し、補強
したものを使用することができる。

【００３１】ここで、多結晶炭化珪素８としては、例え
ば、炭化珪素の焼結体、ＣＶＤ法により作製した多結晶
炭化珪素を用いることができ、補強効果を得るには、多
結晶炭化珪素８の厚さを、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度
とするのがよい。珪素単結晶基板１との接合は、炭素粉
末と珪素粉末の混合物層３を均一に形成した多結晶炭化
珪素８上に、珪素単結晶基板１を配置し、ホットプレス
することによって行うことができる。炭素粉末と珪素粉
末の混合物層３の調製、塗布方法、およびホットプレス
の方法は、上記第１の実施の形態の第２工程と同様であ
り、炭素粉末と珪素粉末が反応焼結する過程で、珪素単
結晶基板１と多結晶炭化珪素８を強固に接合することが
できる。

【００３２】このようにして裏面側に多結晶炭化珪素８
を接合した珪素単結晶基板１を用い、その表面（図の上
面）に、上記第１工程において、炭化珪素単結晶層２を
成長させる。この時、珪素単結晶基板１が多結晶炭化珪
素８で補強されるので、反りや割れが生じるのを防止す
ることができる。なお、この多結晶炭化珪素８および炭
素粉末と珪素粉末の混合物層３は、第３工程で、珪素単
結晶基板１を除去する際に、同時に除去される。

【００３３】図５は本発明の第４の実施の形態において
使用する珪素単結晶基板１の構成を示すもので、図のよ
うに、珪素単結晶基板１と多結晶炭化珪素８を酸化珪素
膜１１、８１を介して接合することもできる。酸化珪素
膜１１、８１は、それぞれ珪素単結晶基板１の裏面側の
表面、および多結晶炭化珪素８の表面を、熱酸化して形
成した熱酸化膜であり、例えば、酸化雰囲気中、約１１
００℃で、４時間程度、熱酸化することにより、珪素単
結晶基板１には約１μｍ程度、多結晶炭化珪素８には約
０．３〜０．４μｍ程度の熱酸化膜が形成する。そし
て、酸化珪素膜１１と酸化珪素膜８１が接するように珪
素単結晶基板１と多結晶炭化珪素８を密着させ、窒素雰
囲気中、約１０００℃で、約１時間の熱処理を行うと、
酸化珪素膜１１と酸化珪素膜８１が水素結合により強固
に結合する。

【００３４】このような方法で多結晶炭化珪素８を接合
した珪素単結晶基板１を用いることもでき、反りや割れ
を防止する同様の効果が得られる。なお、酸化珪素膜
は、珪素単結晶基板１と多結晶炭化珪素８の両方に設け
る必要はなく、酸化珪素膜１１、８１のいずれか一方で
もよい。

【００３５】図６は本発明の第５の実施の形態において
使用する珪素単結晶基板１の構成を示すものである。本
実施の形態では、多結晶炭化珪素８の表面に、予め、Ｃ
ＶＤ法等により多結晶珪素の層９を形成しておき、この
多結晶珪素の層９の表面を熱酸化して酸化珪素膜９１を
形成する。ＣＶＤ法を用いた場合、例えば、約６２０
℃、約６時間の成長で、約１μｍ以上の多結晶珪素の層
９を形成することができ、その表面を、上記第４の実施
の形態と同様の方法で熱酸化することで、酸化珪素膜９
１が得られる。そして、この酸化珪素膜９１と、珪素単
結晶基板１の裏面側の表面を熱酸化して形成した酸化珪
素膜１１を介して、珪素単結晶基板１と多結晶炭化珪素
８を接合することもできる。

【００３６】このようにしても、反りや割れを防止する
同様の効果が得られる。また、多結晶珪素は、多結晶炭
化珪素８に比べて表面の平坦性に優れ、熱酸化膜が形成
しやすいため、多結晶炭化珪素８上に予め多結晶珪素の
層９を形成しておくことで、酸化珪素膜９１の形成を容
易にし、珪素単結晶基板１との接合性を向上させること
ができる。なお、酸化珪素膜は、珪素単結晶基板１と多
結晶珪素の層９の両方に設ける必要はなく、酸化珪素膜
１１、９１のいずれか一方でもよい。

【００３７】本発明の第１の実施の形態においては、炭
化珪素単結晶層２と台座４を接合するための材料として
炭素粉末と珪素粉末の混合物層３を用いたが、この混合
物層３に酸化ホウ素粉末を混合して、更に焼結を促進す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の第１の実施の形態における単結
晶の製造工程を示す図で、図１（ａ）〜（ｄ）はそれぞ
れ第１工程〜第４工程を示す。

【図２】図２は本発明で使用する単結晶製造用の黒鉛る
つぼの全体概略断面図で、図２（ａ）は本発明の第３工
程に、図２（ｂ）は第４工程に対応する図である。

【図３】図３は本発明の第２の実施の形態における単結
晶の製造工程を示す図で、図３（ａ）〜（ｄ）はそれぞ
れ第１工程〜第４工程を示す。

【図４】図４は本発明の第３の実施の形態において使用
する珪素単結晶基板の構成を示す断面図である。

【図５】図５は本発明方法で用いられる珪素単結晶基板
の構成の他の例を示す断面図である。

【図６】図６は本発明方法で用いられる珪素単結晶基板
の構成の他の例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 珪素単結晶基板 １１ 酸化珪素膜 ２ 炭化珪素単結晶層 ３ 炭素粉末と珪素粉末の混合物層 ４ 黒鉛台座（台座） ５ 炭化珪素単結晶 ６ 多結晶炭化珪素の層 ７ 酸化ホウ素粉末の層 ８ 多結晶炭化珪素 ８１ 酸化珪素膜 ９ 多結晶珪素の層 ９１ 酸化珪素膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 一都 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 花沢 龍行 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 神谷 信雄 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１株式会社豊田中央研究所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 台座に接合した種結晶上に原料ガスを供
   給して炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製
   造方法であって、珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶層
   を成長させる第１工程と、この珪素単結晶基板を、上記
   炭化珪素単結晶層の表面が接合面となるように、炭素粉
   末と珪素粉末の混合物層を介して台座上に配置し、ホッ
   トプレスにより上記台座に接合する第２工程と、上記珪
   素単結晶基板を除去して上記炭化珪素単結晶層を露出さ
   せる第３工程と、上記炭化珪素単結晶層を種結晶とし
   て、その上に炭化珪素単結晶を成長させる第４工程とか
   らなることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
2. 【請求項２】 台座に接合した種結晶上に原料ガスを供
   給して炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製
   造方法において、珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶層
   を成長させる第１工程と、この珪素単結晶基板を、上記
   炭化珪素単結晶層の表面が接合面となるように、酸化ホ
   ウ素粉末の層を介して多結晶炭化珪素でコーティングさ
   れた台座上に配置し、焼成することにより上記台座に接
   合する第２工程と、上記珪素単結晶基板を除去して上記
   炭化珪素単結晶層を露出させる第３工程と、上記炭化珪
   素単結晶層を種結晶として、その上に炭化珪素単結晶を
   成長させる第４工程とからなることを特徴とする炭化珪
   素単結晶の製造方法。
3. 【請求項３】 上記第２工程における焼成を、ホットプ
   レスにより行う請求項２記載の炭化珪素単結晶の製造方
   法。
4. 【請求項４】 上記第１工程において、予め裏面側に多
   結晶炭化珪素を接合した珪素単結晶基板を使用し、この
   珪素単結晶基板の表面に、上記炭化珪素単結晶層を成長
   させる請求項１ないし３のいずれか記載の炭化珪素単結
   晶の製造方法。
5. 【請求項５】 上記多結晶炭化珪素を、上記珪素単結晶
   基板の裏面に、炭素粉末と珪素粉末の混合物層を介して
   ホットプレスにより接合する請求項４記載の炭化珪素単
   結晶の製造方法。
6. 【請求項６】 上記多結晶炭化珪素を、上記珪素単結晶
   基板の裏面に、酸化珪素膜を介して接合する請求項４記
   載の炭化珪素単結晶の製造方法。
7. 【請求項７】 上記酸化珪素膜が、上記珪素単結晶基板
   の表面を熱酸化することによる形成される熱酸化膜と、
   上記多結晶炭化珪素の表面を熱酸化することによる形成
   される熱酸化膜の両方、あるいはいずれか一方からなる
   請求項６記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
8. 【請求項８】 上記多結晶炭化珪素上に多結晶珪素の層
   を形成し、この多結晶珪素の層と、上記珪素単結晶基板
   の裏面とを、酸化珪素膜を介して接合するとともに、該
   酸化珪素膜を、上記珪素単結晶基板の表面を熱酸化する
   ことによる形成される熱酸化膜と、上記多結晶珪素の層
   の表面を熱酸化することによる形成される熱酸化膜の両
   方、あるいはいずれか一方とする請求項４記載の炭化珪
   素単結晶の製造方法。