JP2000264794A - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 炭化珪素単結晶層のうねりや反りを抑制し、
炭化珪素単結晶の結晶性を良好にする。 【解決手段】 珪素基板１の上に炭化珪素単結晶層２を
形成したのち、この炭化珪素単結晶層２の上に、該炭化
珪素単結晶層２の表面と比較して表面の凹凸が大きな表
面荒れ層３を形成する。そして、表面荒れ層３の表面が
接触するように、表面荒れ層３と炭化珪素単結晶層２及
び珪素基板１を台座４に載置する。この後、珪素基板１
を除去する。このように、炭化珪素単結晶層２の表面と
比較して表面の凹凸が大きな表面荒れ層３を形成し、こ
の表面荒れ層３側を台座４に接触させるようにすると、
表面荒れ層３と台座４との間に溶融された珪素基板１の
珪素が入り込んだときに、溶融した珪素の表面張力の基
点が分散され、表面荒れ層３の全面に均一に分布する。
よって、炭化珪素単結晶層２のうねりを抑制することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や発光ダイ
オードなどの素材に利用することができる炭化珪素単結
晶の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、エピタキシャル成長による炭化珪
素単結晶層を黒鉛製台座に固定する方法として、例え
ば、特開平５−２０８８９７号公報に開示される方法が
ある。この公報に示される方法では、珪素基板上に炭化
珪素単結晶層をエピタキシャル成長させた後、珪素基板
側が接触するように珪素基板及び炭化珪素単結晶層を黒
鉛製台座に載置する。そして、単結晶成長のための昇温
過程で、珪素基板を黒鉛製台座と反応させることによ
り、珪素基板を構成する珪素を黒鉛製台座内に拡散させ
て黒鉛製台座と珪素基板とを融合一体化させ、残った炭
化珪素単結晶層を種結晶として、炭化珪素単結晶を結晶
成長させるようにしている。

【０００３】しかしながら、上記した従来の方法による
と、炭化珪素単結晶層と黒鉛製台座との間に未反応の珪
素が部分的に残留し、炭化珪素単結晶層と黒鉛製台座と
の接合が均一になされず、炭化珪素単結晶層にうねりが
生じてしまう。このため、このようなうねりが発生した
炭化珪素単結晶層を種結晶としてバルク状の炭化珪素単
結晶を成長させると、種結晶のうねりの影響を受け、単
結晶に欠陥を発生させる。

【０００４】また、高温下において珪素基板上に炭化珪
素単結晶層を形成したのち、珪素基板及び炭化珪素単結
晶層を常温に降温させる場合、珪素基板と炭化珪素単結
晶層との熱膨張係数差により、珪素基板と炭化珪素単結
晶層とに反りが発生する。このように反りが発生した炭
化珪素単結晶層を種結晶としてバルク成長を行なった場
合、結晶性が良好な高品位のバルク状炭化珪素単結晶が
得られない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記点に鑑み
て成され、炭化珪素単結晶層のうねりや反りを抑制し、
炭化珪素単結晶の結晶性を良好にできる炭化珪素単結晶
の製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、請求項１に記載の発明においては、半導体基板
（１）を用意し、該半導体基板上に炭化珪素単結晶層
（２）を形成する工程と、炭化珪素単結晶層上に、該炭
化珪素単結晶層の表面と比較して表面の凹凸が大きな表
面荒れ層（３）を形成する工程と、表面荒れ層の表面が
接触するように、表面荒れ層と炭化珪素単結晶層及び半
導体基板を台座（４）に載置する工程と、前記表面荒れ
層を台座に貼り付ける工程とを含んでいることを特徴と
している。

【０００７】このように、炭化珪素単結晶層の表面と比
較して表面の凹凸が大きな表面荒れ層を形成し、この表
面荒れ層側を台座に接触させるようにすることで、貼り
つけるための材料、例えば請求項２に示すように、半導
体基板を溶融させた場合にはその溶融させた半導体基板
の一部が、表面荒れ層と台座との間に入り込んだとき
に、溶融した半導体基板の一部の表面張力の基点が分散
され、溶融された半導体基板の一部が表面荒れ層の全面
に均一に分布されるようにできる。

【０００８】これにより、溶融された半導体基板の一部
が部分的に残留することによって生じる炭化珪素単結晶
層のうねりを抑制することができる。なお、請求項３に
示すように、表面荒れ層と半導体基板との間に高融点金
属を挟み、溶融させた高融点金属によって表面荒れ層と
半導体基板との貼りつけを行なうようにしてもよい。こ
の場合、高融点金属が台座、炭化珪素単結晶層と合金化
することにより、接着を強固にでき、高温でも剥がれな
いようにできる。

【０００９】なお、請求項４に示すように、半導体基板
の表面に表面荒れ層を形成し、その上に炭化珪素単結晶
を形成することにより、炭化珪素単結晶層の半導体基板
側の表面を荒くしてもよい。この場合、半導体基板の表
面荒れ層の反対側の面を台座側に向けて載置することに
より、炭化珪素単結晶層の荒くされた面を台座側に向け
て載置できる。この状態で、半導体基板を溶融すること
により、炭化珪素単結晶層の荒くされた面を台座側にし
て接着することができる。この場合、台座と表面荒れ層
の間に、溶融前から半導体基板があるため、溶融した半
導体基板の一部が炭化珪素単結晶層を回り込む必要がな
いため、溶融した半導体基板の一部が、より均一に広が
り、炭化珪素単結晶層のうねりをより低減することがで
きる。

【００１０】特に、請求項５に示すように、半導体基板
として口径２インチ以上のものを用いるような大口径な
ものの場合には、炭化珪素単結晶層のうねりによる影響
を受けやすいため、請求項１に示す方法が有効であると
いえる。請求項６に記載の発明においては、炭化珪素単
結晶層を形成する工程では、熱化学的堆積法によって該
炭化珪素単結晶層を形成し、表面荒れ層を形成する工程
では、熱化学的堆積法によって該表面荒れ層を形成する
ことを特徴としている。

【００１１】このように、表面荒れ層を熱化学堆積法に
よって形成することで、炭化珪素単結晶層の形成と表面
荒れ層の形成を連続的に行なうことができる。例えば、
装置内の雰囲気、温度などを制御することによって、各
層を連続的に製造することができる。請求項７に記載の
発明においては、表面荒れ層を形成する工程では、炭化
珪素単結晶層の表面をエッチングすることによって表面
荒れ層を形成することを特徴としている。

【００１２】このように、炭化珪素単結晶層をエッチン
グにすることによって炭化珪素単結晶層の表層部を表面
荒れ層としてもよい。なお、エッチングによって表面荒
れ層を形成する場合には、表面荒れ層の凹凸の大きさを
エッチング時間、マスク形状の制御等によって適宜調整
することができるという効果が得られる。また、請求項
８に示すように、炭化珪素単結晶層上に高融点金属（例
えば、タングステン）又はカーボンを蒸着させることに
よって表面荒れ層を形成してもよい。

【００１３】請求項９に示すように、炭化珪素単結晶層
の膜厚分布を±２０％となるようにすることにより、よ
り炭化珪素単結晶層のうねりを抑制することができる。
具体的には、請求項１０に示すように、表面荒れ層の主
表面の表面粗度（Ｒａ）が２０ｎｍ乃至数μｍであれば
よい。請求項１１に記載の発明においては、第１の半導
体基板（１）を用意し、該第１の半導体基板上に第１の
炭化珪素単結晶層（２）を形成する工程と、第２の半導
体基板（１１）を用意し、該第２の半導体基板上に第２
の炭化珪素単結晶層（１２）を形成する工程と、第１の
炭化珪素単結晶層及び第２の炭化珪素単結晶層の間に接
着剤を介在させた状態で、第１、第２の炭化珪素単結晶
層が向かい合うように、第１の炭化珪素単結晶層及び第
１の半導体基板と第２の炭化珪素単結晶層及び第２の半
導体基板とを向かい合わせ配置させる工程と、第１の半
導体基板及び第２の半導体基板を挟む方向にプレスし
て、接着剤を介して第１、第２の炭化珪素単結晶を貼り
合わせる工程と、第１の半導体基板若しくは第２の半導
体基板を除去して、少なくとも第１、第２の炭化珪素単
結晶層のいずれか一方の表面を露出させる工程とを含ん
でいることを特徴としている。

【００１４】このように、半導体基板上に炭化珪素単結
晶層を配置したものを２枚用意し、第１、第２の炭化珪
素単結晶層が向かい合うようにした状態でプレスするこ
とにより、半導体基板と炭化珪素単結晶層との熱膨張係
数差によって発生した反りを低減することができる。な
お、請求項１２に示すように、接着剤として、炭素粉末
と珪素粉末を第１、第２の炭化珪素単結晶層間に配置
し、第１、第２の炭化珪素単結晶層の貼り合わせ工程に
おいて、炭素粉末及び珪素粉末の焼結を進行させること
により、第１、第２の炭化珪素単結晶層の貼り合わせを
行なうことができる。

【００１５】また、請求項１３に示すように、台座の貼
り合わせ側の主表面の表面粗度（Ｒａ）を２０ｎｍ乃至
数μｍとしても、上記請求項１と同様の効果を得ること
ができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態について
説明する。図１に、本発明の一実施形態である炭化珪素
単結晶の製造工程を示す。以下、図１に基づいて炭化珪
素単結晶の製造方法を説明する。 〔図１（ａ）に示す工程〕まず、直径４インチの珪素基
板１を用意し、その上に炭化珪素単結晶層２を化学気相
エピタキシャル成長法（ＣＶＤ法）により成長させる。
具体的には、プロパンなどの炭素供給用原料ガス及びシ
ラン等の珪素供給用原料ガスの化学反応による化学気相
成長を用いて、炭化珪素単結晶層２の膜厚が１〜２０μ
ｍ程度、膜厚分布（バラツキ）が±２０％以内となるよ
うにしている。このような膜厚分布とすることにより、
炭化珪素単結晶層２の貼り付け後のうねりをより小さく
することができるのである。

【００１７】例えば、直径４インチの（１１１）の結晶
面を有する珪素基板１をＣＶＤ反応管（図示せず）内に
配置し、ＣＶＤ反応管内を１３８０℃の温度に加熱した
後、水素をキャリアガスとしてＣＶＤ反応管内にシラン
ガス及びプロパンガスを５０ｓｃｃｍの流量で導入し、
５〜１０時間にわたり蒸着反応を継続させるようにし
て、炭化珪素単結晶層２を形成することができる。

【００１８】〔図１（ｂ）に示す工程〕その後、図１
（ａ）に示す工程で用いたＣＶＤ装置をそのまま用いて
連続的に、ＣＶＤ法により炭化珪素単結晶層２の上に、
炭化珪素単結晶層２より面粗度の大きい表面荒れ層を形
成する。このとき、表面荒れ層３の膜厚が１０μｍ以下
となるようにしている。

【００１９】例えば、図１（ａ）に示す工程で作成した
炭化珪素単結晶層２をＣＶＤ反応管内に配置したまま、
ＣＶＤ反応管内を１３００℃に降温し、水素をキャリア
ガスとしてＣＶＤ管内にシランガス及びプロパンガスを
１００ｓｃｃｍの流量で導入し、１〜３時間にわたり蒸
着反応を継続させるようにして、表面荒れ層（貼付け補
強層）３を形成することができる。

【００２０】このとき、ＣＶＤ反応管内の温度を低くす
ることにより、炭化珪素単結晶層２の成長表面に付着す
る原料ガスの量を増やすことができる。その結果、成長
表面で成長核が多数発生し、結晶欠陥の多い結晶が成長
して、成長表面の表面粗度が大きくなる。また、表面荒
れ層３の形成時に原料ガスを増すことによっても原料ガ
スの表面付着量を増すことができ、表面粗度を大きくす
ることができる。

【００２１】その後、ＣＶＤ装置から表面荒れ層３を形
成した炭化珪素単結晶層２を取り出す。このとき得られ
た表面荒れ層３を確認したところ表面粗度が０．２μｍ
程度であった。 〔図１（ｃ）、（ｄ）に示す工程〕炭化珪素単結晶層２
及び表面荒れ層３を形成した珪素基板１を、表面荒れ層
３の表面が接触面となるように黒鉛製台座４に載置す
る。そして、珪素基板１の上に黒鉛製板５を載置する。

【００２２】その後、黒鉛製台座４及び黒鉛製板５と共
に珪素基板１を熱処理装置（図示せず）内に配置したの
ち、装置内を珪素の融点（１４１５℃）以上に昇温し
て、珪素基板１を溶融する。そして、装置内を常温に戻
すという処理を行なう。例えば、雰囲気は真空又は不活
性ガス雰囲気として、２０℃／分の速度で１５００℃ま
で昇温させ、この状態を２時間程度保持した後、装置内
を常温、常圧に戻した。

【００２３】このとき、珪素基板１が溶融されると共に
溶融された珪素が黒鉛板５により押出され、外部に除去
されると同時に、溶融された珪素基板の一部（以下、珪
素６いう）が表面荒れ層３と黒鉛製台座４の隙間に回り
込む。このとき、表面荒れ層３の表面の凹凸により、珪
素６が隙間に回り込んだ際に、溶融された珪素６の表面
張力の基点が分散し（表面荒れ層３に珪素６が入り込
み）、珪素６が表面荒れ層３の貼付け面全面に均一に分
布する。

【００２４】なお、実験により確認したところ、表面の
凹凸が０．０２μｍ以下の時には珪素６が表面荒れ層３
の貼付け面全面に均一に回り込まなかった。その後、装
置内を降温し、固化した珪素６を接着剤として炭化珪素
単結晶層２と黒鉛製台座４とを結合させる。その結果、
図１（ｄ）に示すように、黒鉛製台座４に密着された炭
化珪素単結晶層２が得られる。この炭化珪素単結晶層２
は接着材としての役割を果たす珪素６が貼付け面全面に
均一に分布しているため、表面が平坦となっており、黒
鉛製台座４に対して密着性よく固定されている。

【００２５】具体的に、このとき得られた炭化珪素単結
晶層２の表面の起伏を測定した（測定幅５ｍｍ）とこ
ろ、起伏の垂直方向の高さ（振幅）が５μｍ、起伏頂点
の間隔（波長）が２．５ｍｍとなっていた。この測定結
果からも、炭化珪素単結晶層２の表面の起伏が少ないこ
とが判る。このような製法で得られた炭化珪素単結晶層
２を種結晶としてバルク成長を行なうと、貼り付けた炭
化珪素単結晶層２の表面の起伏が減少しているため、良
好なバルク結晶成長を行なうことができる。実験的に、
バルク結晶成長を行なったところ、そのバルクの結晶性
がＸ線ロッキングカーブ半値幅で１００秒程度と高品位
な結晶であった。 （第２実施形態）本発明の第２実施形態について図２に
示す炭化珪素単結晶の製造工程に基づいて説明する。

【００２６】〔図２（ａ）、（ｂ）に示す工程〕まず、
直径４インチの珪素基板１を用意し、その上に炭化珪素
単結晶層２を化学気相エピタキシャル成長法（ＣＶＤ
法）により成長させる。具体的には、プロパンなどの炭
素供給用原料ガス及びシラン等の珪素供給用原料ガスの
化学反応による化学気相成長を用いて、炭化珪素単結晶
層２の膜厚が１〜２０μｍ程度となるようにしている。

【００２７】例えば、直径４インチの（１１１）の結晶
面を有する珪素基板１をＣＶＤ反応管（図示せず）内に
配置し、ＣＶＤ反応管内を１３８０℃の温度に加熱した
後、水素をキャリアガスとしてＣＶＤ反応管内にシラン
ガス及びプロパンガスを５０ｓｃｃｍの流量で導入し、
５〜１０時間にわたり蒸着反応を継続させるようにし
て、炭化珪素単結晶層２を形成することができる。

【００２８】この後、ＣＶＤ反応管から炭化珪素単結晶
層２が形成された珪素基板１を取り出し、常温まで降温
させる。このとき、炭化珪素単結晶層２と珪素基板１と
の熱膨張係数差により、内部応力が生じ、図２（ｂ）に
示すように炭化珪素単結晶層２と珪素基板１に反りが発
生する。

【００２９】〔図２（ｃ）に示す工程〕次に、直径４イ
ンチの珪素基板１１を用意し、図２（ａ）に示す工程と
同じ工程を施して、図２（ｂ）に示されるような珪素基
板１１上に炭化珪素結晶層１２が形成されたものをもう
１つ形成する。そして、一方の炭化珪素単結晶層２の上
に接着剤１３を塗布し、炭化珪素単結晶層１２と炭化珪
素単結晶層２とが向かい合うように、炭化珪素単結晶層
１２及び珪素基板１１と炭化珪素単結晶２及び珪素基板
１とを向かい合わせて配置させる。

【００３０】このとき、接着剤１３として、粒径が数μ
ｍ程度の炭素粉末と珪素粉末をアルコールなどで湿式混
合し、ペースト状にしたものを用いた。その後、熱処理
装置内に向かい合わせた珪素基板１及び珪素基板１１を
入れ、装置内を所定の温度、圧力まで昇温、昇圧する。
このときの温度は炭素粉末と珪素粉末が化合する温度
（９００℃）以上としている。

【００３１】例えば、装置内を１３５０℃とし、２０℃
／分の速度で１３５０℃まで昇温させたのち、２〜３分
で１ＭＰａ程度まで昇圧させて２枚の珪素基板１、１１
をプレスする。この状態を１時間程度保持したのち、装
置内を常温、常圧に戻す。これにより、炭素粉末と珪素
粉末が反応し、炭化珪素が生成されると同時に、生成さ
れた炭化珪素の焼結が進行し、炭化珪素単結晶層１２が
炭化珪素単結晶層２に強固に貼り付けられる。

【００３２】また、反対向きに反っている２枚の炭化珪
素単結晶層２、１２を向かい合わせ、圧力を加えること
により、それぞれの炭化珪素単結晶層２、１２の反りを
戻すことができる。このように、逆向きの応力を有する
炭化珪素単結晶層２、１２が貼り合わされているため、
常温に戻した後も反ることはない。 〔図２（ｄ）に示す工程〕次に、７０％硝酸と、４９％
フッ酸を４：１の混合比で混合したフッ硝酸処理を２時
間行い、珪素基板１、１１を除去する。これにより、反
りが少なく表面形状が平坦となっている炭化珪素単結晶
層２、１２を形成することができる。

【００３３】このとき、炭化珪素単結晶層２と珪素基板
１及び、炭化珪素単結晶層１２と珪素基板１１における
熱膨張係数差に基づく応力が除去されており、珪素基板
１、１１除去以前から炭化珪素単結晶層２、１２の反り
がなくなっているため、珪素基板１、１１を除去したこ
とによって炭化珪素単結晶層２、１２が割れることはな
い。

【００３４】このようにして得られた炭化珪素単結晶層
２、１２を種結晶としてバルク成長を行なうことによ
り、結晶性の良好な高品位のバルク状炭化珪素単結晶を
成長させることができる。 （他の実施形態）上記実施形態では、基材として黒鉛製
台座４を用いた例を示したが、多結晶炭化珪素板のよう
な半導体基板を用いても良い。

【００３５】また、図１（ａ）に示した工程では、表面
荒れ層３を形成する方法として、反応管内温度、原料ガ
ス流量を変化させたが、炭化珪素単結晶層２の表面をエ
ッチングする方法によって行なっても良い。また、炭化
珪素単結晶層２の表面に炭化珪素と異なる高融点材料を
蒸着することによっても表面荒れ層３を形成することが
できる。

【００３６】図１（ｃ）に示す工程では、珪素を接着剤
として用い、装置内を溶融温度以上に昇温させたが、カ
ーボン系の樹脂材料を接着剤として用い、常温で接着す
るようにしてもよい。また、上記第１実施形態では、炭
化珪素単結晶層２の上に表面荒れ層３を形成したが、珪
素基板１のうち炭化珪素単結晶層２が形成された表面の
反対側の表面に表面荒れ層を形成するようにしてもよ
い。この場合、溶融された珪素が炭化珪素単結晶層２を
回り込む必要がないため、表面荒れ層３と炭化珪素単結
晶層２との接合がより強度になるようにできる。基板表
面の面粗度を大きくした珪素基板上に炭化珪素単結晶層
をエピタキシャル成長し、図１（ｃ）に示す工程で、黒
鉛製台座４に珪素基板を接するように載置することによ
り、炭化珪素単結晶の成長裏面側を表面荒れ層とするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態にかかる炭化珪素単結晶
の製造工程を示す図である。

【図２】本発明の第２実施形態にかかる炭化珪素単結晶
の製造工程を示す図である。

【符号の説明】

１、１１…珪素基板、２、１２…炭化珪素単結晶層、３
…表面荒れ層、４…黒鉛製台座、５…黒鉛製板、６…珪
素、１３…接着剤。

フロントページの続き (72)発明者 恩田 正一 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 AA03 BE08 DB04 DB07 DB12 DB21 ED06 FE10 FJ03 HA12 5F041 AA40 CA22 CA33 CA65 CA73 CA77

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 台座（４）上に配置された炭化珪素単結
   晶層（２）を種結晶として、該種結晶上に炭化珪素単結
   晶を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法におい
   て、 半導体基板（１）を用意し、該半導体基板上に炭化珪素
   単結晶層を形成する工程と、 前記炭化珪素単結晶層上に、該炭化珪素単結晶層よりも
   結晶表面の凹凸が大きな表面荒れ層（３）を形成する工
   程と、 前記表面荒れ層の表面が接触するように、前記表面荒れ
   層と前記炭化珪素単結晶層及び前記半導体基板を前記台
   座に載置する工程と、 前記表面荒れ層を前記台座に貼り付ける工程とを含んで
   いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
2. 【請求項２】 前記表面荒れ層を貼り付ける工程では、
   前記半導体基板を溶融し、前記半導体基板の一部を前記
   表面荒れ層と前記台座との間に入り込ませることによ
   り、前記炭化珪素単結晶層を前記台座に貼り付けること
   を特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記表面荒れ層を貼り付ける工程では、
   前記表面荒れ層と前記台座との間に高融点金属を挟み、
   溶融温度以上に昇温することにより、前記炭化珪素単結
   晶層を前記台座に貼り付けることを特徴とする請求項１
   に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
4. 【請求項４】 台座（４）上に配置された炭化珪素単結
   晶層（２）を種結晶として、該種結晶上に炭化珪素単結
   晶を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法におい
   て、 半導体基板（１）を用意し、該半導体基板の一方の面に
   表面粗度（Ｒａ）が２０ｎｍ乃至数μｍの表面荒れ層
   （３）を形成する工程と、 前記表面荒れ層の主表面上に、炭化珪素単結晶層を形成
   することにより、該炭化珪素単結晶層の前記表面荒れ層
   側の表面を凹凸形状とする工程と、 前記半導体基板のうち、前記表面荒れ層の反対側の表面
   が接触するように、前記半導体基板と前記炭化珪素単結
   晶層とを前記台座に載置する工程と、 前記半導体基板を溶融することにより、前記炭化珪素単
   結晶層を前記台座に貼り付ける工程とを含んでいること
   を特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
5. 【請求項５】 前記半導体基板として口径２インチ以上
   のものを用いることを特徴とする請求項１乃至４のいず
   れか１つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
6. 【請求項６】 前記炭化珪素単結晶層を形成する工程で
   は、熱化学的堆積法によって該炭化珪素単結晶層を形成
   し、 前記表面荒れ層を形成する工程では、熱化学的堆積法に
   よって該表面荒れ層を形成することを特徴とする請求項
   １乃至５のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶の製造
   方法。
7. 【請求項７】 前記表面荒れ層を形成する工程では、表
   面をエッチングすることによって前記表面荒れ層を形成
   することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに
   記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
8. 【請求項８】 前記表面荒れ層を形成する工程では、高
   融点金属又はカーボンの蒸着によって該表面荒れ層を形
   成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つ
   に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
9. 【請求項９】 前記炭化珪素単結晶層を形成する工程で
   は、前記炭化珪素単結晶層の膜厚分布を±２０％となる
   ようにすることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか
   １つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記表面荒れ層の表面粗度（Ｒａ）が
    ２０ｎｍ乃至数μｍとなるようにすることを特徴とする
    請求項１乃至９のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶
    の製造方法。
11. 【請求項１１】 炭化珪素単結晶層を種結晶として、該
    種結晶上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる炭化珪素単
    結晶の製造方法において、 第１の半導体基板（１）を用意し、該第１の半導体基板
    上に第１の炭化珪素単結晶層（２）を形成する工程と、 第２の半導体基板（１１）を用意し、該第２の半導体基
    板上に第２の炭化珪素単結晶層（１２）を形成する工程
    と、 前記第１の炭化珪素単結晶層及び前記第２の炭化珪素単
    結晶層の間に接着剤を介在させた状態で、前記第１、第
    ２の炭化珪素単結晶層が向かい合うように、前記第１の
    炭化珪素単結晶層及び前記第１の半導体基板と前記第２
    の炭化珪素単結晶層及び前記第２の半導体基板とを向か
    い合わせ配置させる工程と、 前記第１の半導体基板及び前記第２の半導体基板を挟む
    方向にプレスして、前記接着剤を介して前記第１、第２
    の炭化珪素単結晶を貼り合わせる工程と、 前記第１の半導体基板若しくは第２の半導体基板を除去
    して、少なくとも前記第１、第２の炭化珪素単結晶層の
    いずれか一方の表面を露出させる工程とを含んでいるこ
    とを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記向かい合わせ配置工程では、前記
    接着剤として、炭素粉末と珪素粉末を前記第１、第２の
    炭化珪素単結晶層間に配置し、前記第１、第２の炭化珪
    素単結晶層の貼り合わせ工程において、前記炭素粉末及
    び前記珪素粉末の焼結を進行させることにより、前記第
    １、第２の炭化珪素単結晶層の貼り合わせを行なうこと
    を特徴とする請求項１１に記載の炭化珪素単結晶の製造
    方法。
13. 【請求項１３】 台座（４）上に配置された炭化珪素単
    結晶層（２）を種結晶として、該種結晶上に炭化珪素単
    結晶を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法におい
    て、 前記台座の貼り合わせ側の主表面の表面粗度（Ｒａ）を
    ２０ｎｍ乃至数μｍとする工程と、 半導体基板を用意し、該半導体基板上に炭化珪素単結晶
    層を形成する工程と、 前記半導体基板と前記炭化珪素単結晶層を、前記台座に
    載置する工程と、前記炭化珪素単結晶層を前記台座に貼
    り付ける工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素
    単結晶の製造方法。