CN114293252A - 氮化铝模板及其制备方法 - Google Patents
氮化铝模板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114293252A CN114293252A CN202111638544.7A CN202111638544A CN114293252A CN 114293252 A CN114293252 A CN 114293252A CN 202111638544 A CN202111638544 A CN 202111638544A CN 114293252 A CN114293252 A CN 114293252A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- sapphire substrate
- nano
- grooves
- temperature thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 106
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种氮化铝模板及其制备方法，涉及半导体技术领域。该氮化铝模板的制备方法包括：提供一蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行刻蚀以在蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽，纳米凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度；在刻蚀后的蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜，得到第一材料，氮化铝薄膜和蓝宝石衬底围合形成纳米孔洞；将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，且在退火处理后将第一材料降至室温并取出。该氮化铝模板由上述的氮化铝模板的制备方法制备得到。该氮化铝模板的制备方法能够降低氮化铝模板的压应变强度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种氮化铝模板及其制备方法。
背景技术
氮化铝模板是铝镓氮基深紫外LED外延生长的基底材料。氮化铝模板的结晶质量直接决定了上层铝镓氮的晶体质量，高质量的氮化铝模板可以有效降低铝镓氮的穿透位错密度(TDDs)，提高以此材料为基础生长的LED结构中电子和空穴的辐射复合效率，改善LED的可靠性和寿命。
其中，采用超高温(>1600℃)热退火方法对氮化铝模板进行二次处理的方式因其可以有效降低其位错密度，同时保证低成本，而得到大家的广泛关注。然而，虽然在超高温退火时，氮化铝中的应变完全通过界面处的失配位错释放，基本是无应力状态，但是，在其降温到后续材料生长温度或者室温条件下时却会产生高达GPa量级的压应力。而高强度的压应力会造成外延片表面翘曲，进而影响组分以及厚度的均匀性，同时也会导致外延层表面粗糙度增加，甚至出现高密度小山丘形貌。因此，亟待出现一种新的氮化铝模板的制备方法以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种氮化铝模板及其制备方法，其能够降低氮化铝模板的压应变强度。
本发明的实施例是这样实现的：
本发明的一方面，提供一种氮化铝模板的制备方法，该氮化铝模板的制备方法包括：提供一蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行刻蚀以在蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽，纳米凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度；在刻蚀后的蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜，得到第一材料，氮化铝薄膜和蓝宝石衬底围合形成纳米孔洞；将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，且在退火处理后将第一材料降至室温并取出。该氮化铝模板的制备方法能够降低氮化铝模板的压应变强度。
可选地，将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，包括：将第一材料背离蓝宝石衬底的一面和一蓝宝石衬底贴合放置，并于退火炉中进行高温热退火处理。
可选地，将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，包括：将两第一材料面对面放置以使两第一材料的氮化铝薄膜的表面贴合，并于退火炉中进行高温热退火处理。
可选地，对蓝宝石衬底进行刻蚀以在蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽，包括：采用温度在1000℃至1400℃之间、时长在10s至3600s之间，且含有氢气的气体作为刻蚀气体对蓝宝石衬底进行刻蚀以在蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽。
可选地，纳米凹槽的深度在10nm至200nm之间，纳米凹槽的直径在10nm至100nm之间。
可选地，多个纳米凹槽在蓝宝石衬底上的密度大于1×108cm-2。
可选地，氮化铝薄膜的厚度在50nm至1000nm之间。
可选地，将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，包括：在惰性气氛中，且温度在1600℃至1800℃之间、压力在10.1325KPa至151.9875KPa之间的条件下，将第一材料置于退火炉进行0.5h至24h之间的高温热退火处理。
可选地，在刻蚀后的蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜，包括：采用金属有机化合物化学气相沉积、分子束外延、物理气相沉积中的任意一种沉积工艺，在刻蚀后的蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜。
本发明的另一方面，提供一种氮化铝模板，该氮化铝模板由上述的氮化铝模板的制备方法制备得到。
本发明的有益效果包括：
本申请提供的氮化铝模板的制备方法包括：提供一蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行刻蚀以在蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽，纳米凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度；在刻蚀后的蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜，得到第一材料，氮化铝薄膜和蓝宝石衬底围合形成纳米孔洞；将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，且在退火处理后将第一材料降至室温并取出。本申请通过纳米凹槽的设置减少蓝宝石衬底和氮化铝薄膜之间的成键数量，进而降低耦合程度；且通过氮化铝薄膜在合拢以与蓝宝石衬底围合形成纳米孔洞的过程中，还可以通过纳米孔洞的大小尺寸的变化预存部分张应力，而预存的张应力可以用与在后续降温过程中消除部分因降温而产生的压应力。如此，本申请提供的氮化铝模板的制备方法制备得到的氮化铝模板能够降低氮化铝模板的压应变强度，且能够降低位错密度，进而提高氮化铝模板的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明一些实施例提供的氮化铝模板的制备方法的流程示意图；
图2为本发明一些实施例提供的氮化铝模板的制备过程示意图之一；
图3为本发明一些实施例提供的氮化铝模板的制备过程示意图之二。
图标：10-蓝宝石衬底；11-纳米凹槽；20-氮化铝薄膜；30-纳米孔洞。
具体实施方式
下文陈述的实施方式表示使得本领域技术人员能够实践所述实施方式所必需的信息，并且示出了实践所述实施方式的最佳模式。在参照附图阅读以下描述之后，本领域技术人员将了解本发明的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解，这些概念和应用属于本发明和随附权利要求的范围内。
应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区域分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。
诸如“在…下方”或“在…上方”或“上部”或“下部”或“水平”或“垂直”的相关术语在本文中可用来描述一个元件、层或区域与另一个元件、层或区域的关系，如图中所示出。应当理解，这些术语和上文所论述的那些术语意图涵盖装置的除图中所描绘的取向之外的不同取向。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而且并不意图限制本发明。如本文所使用，除非上下文明确地指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”意图同样包括复数形式。还应当理解，当在本文中使用时，术语“包括”指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或者增添一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或上述各项的组。
除非另外界定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应当理解，本文所使用的术语应解释为含义与它们在本说明书和相关领域的情况下的含义一致，而不能以理想化或者过度正式的意义进行解释，除非本文中已明确这样界定。
请参照图1，本实施例提供一种氮化铝模板的制备方法，该氮化铝模板的制备方法包括：
S100、提供一蓝宝石衬底10。
其中，蓝宝石衬底10的厚度本领域技术人员可以根据所需的氮化铝模板进行合适选择，本申请对此不做限制。
S200、对蓝宝石衬底10进行刻蚀以在蓝宝石衬底10上形成多个纳米凹槽11，纳米凹槽11的深度小于蓝宝石衬底10的厚度，请参照图2。
其中，可选地，上述纳米凹槽11的深度可以在10nm至200nm之间。示例性地，纳米凹槽11的深度可以为10nm、20nm、30nm、50nm、100nm、150nm或者200nm等，本申请不再一一枚举。
纳米凹槽11的直径可以在10nm至100nm之间。示例性地，纳米凹槽11的直径可以为10nm、20nm、30nm、50nm、70nm、80nm或者100nm等，本申请不再一一枚举。
还有，可选地，多个纳米凹槽11在蓝宝石衬底10上的密度大于1×108cm-2。具体地，本申请对纳米凹槽11在蓝宝石衬底10上的具体密度不做限定，本领域技术人员可以根据需求自定。本申请通过在蓝宝石衬底10上设置高密度分布的纳米凹槽11，能够减少蓝宝石衬底10和在后续步骤中形成的氮化铝薄膜20之间的成键数量，从而降低耦合程度。
在本实施例中，示例性地，上述步骤S200、对蓝宝石衬底10进行刻蚀以在蓝宝石衬底10上形成多个纳米凹槽11，具体可以通过以下方式实现：
采用温度在1000℃至1400℃之间、时长在10s至3600s之间，且含有氢气的气体作为刻蚀气体对蓝宝石衬底10进行刻蚀以在蓝宝石衬底10上形成多个纳米凹槽11。
S300、在刻蚀后的蓝宝石衬底10上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜20，得到第一材料，氮化铝薄膜20和蓝宝石衬底10围合形成纳米孔洞30，如图3所示。
其中，可选地，氮化铝薄膜20的厚度在50nm至1000nm之间。示例性地，氮化铝薄膜20的厚度可以为50nm、100nm、300nm、500nm、600nm或者1000nm等，本申请在此不再枚举。
还有，上述步骤S300、在刻蚀后的蓝宝石衬底10上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜20，可以通过以下方式实现：
采用金属有机化合物化学气相沉积、分子束外延、物理气相沉积中的任意一种沉积工艺，在刻蚀后的蓝宝石衬底10上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜20。
需要说明的是，在氮化铝薄膜20的沉积过程中，由于纳米凹槽11相对蓝宝石衬底10而言，尺寸很小(属于纳米级别)，因此，在蓝宝石衬底10上沉积氮化铝薄膜20时，氮化铝薄膜20会沉积于蓝宝石衬底10的上表面，而不会沉积到纳米凹槽11内部，这样，在氮化铝薄膜20横向合拢时，则合拢后，氮化铝薄膜20和蓝宝石衬底10之间会围合形成纳米孔洞30，如图3所示。
在氮化铝薄膜20横向合拢的过程中，由于合拢边界处不同晶粒之间存在相互吸引力，因此会产生张应力，这样，在蓝宝石衬底10上沉积氮化铝薄膜20后就可以起到预存张应力的作用。同时，由于在氮化铝薄膜20沉积后会和蓝宝石衬底10之间围合形成纳米孔洞30，而因为纳米孔洞30的侧面能够提供自由面，这样，则可以使得氮化铝薄膜20的位错在纳米孔洞30处终止，进而降低位错密度。
S400、将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，且在退火处理后将第一材料降至室温并取出。
本申请对第一材料进行高温热退火处理，这样，在此过程中，氮化铝薄膜20会发生重结晶，从而大部分晶界消失，进而可以进一步降低位错密度。
需要说明的是，将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理时，可以通过如下两种方式进行：
在第一种可行的实施例中，上述步骤S400、将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，包括：
将第一材料背离蓝宝石衬底10的一面和一蓝宝石衬底10贴合放置，并于退火炉中进行高温热退火处理。
即，将第一材料和一蓝宝石衬底10进行贴合放置，以使得第一材料的氮化铝薄膜20位于两个蓝宝石衬底10之间。需要说明的是，该蓝宝石衬底10可以为未进行刻蚀处理的普通蓝宝石衬底10。
在第二种可行的实施例中，上述步骤S400、将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，包括：
将两第一材料面对面放置以使两第一材料的氮化铝薄膜20的表面贴合，并于退火炉中进行高温热退火处理。
即，直接将两个第一材料呈面对面贴合放置，以使得两个第一材料的氮化铝薄膜20相贴合，然后置于退火炉中进行处理。这样，可以一次性对两个第一材料进行高温热退火处理，能够提高生产效率。
上述两种方式本领域技术人员可以根据需求自行选择合适的放置方式，本申请不做具体限制。例如，当只需要高温热处理一个第一材料时，则可以采用第一种可行的实施例；当需要批量处理第一材料时，为提高处理效率，则可以采用第二种可行的实施例。
可选地，上述步骤S400、将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，具体可以通过以下工艺条件实现：
在惰性气氛中，且温度在1600℃至1800℃之间、压力在10.1325KPa至151.9875KPa之间的条件下，将第一材料置于退火炉进行0.5h至24h之间的高温热退火处理。
示例性地，上述惰性气氛可以为氮气。
压力在10.1325KPa至151.9875KPa之间(即为0.1至0.15个大气压)，温度在1600℃至1800℃之间，时长在0.5h至24h之间，具体地压力、温度和时长本领域技术人员可以根据需求自行选择，本申请不做限制。
在降温至室温时，虽然由于热失配的原因，依然会导致氮化铝薄膜20中产生压应变，但是由于本申请对蓝宝石衬底10进行了刻蚀处理形成了纳米凹槽11，这样，由于纳米凹槽11的存在，可以减少蓝宝石衬底10和氮化铝薄膜20之间的成键数量，进而降低耦合程度；且氮化铝薄膜20在合拢以与蓝宝石衬底10围合形成纳米孔洞30的过程中还可以通过大小尺寸的变化预存部分张应力，而预存的张应力可以消除部分在降温过程中产生的压应力。这样，通过本申请的氮化铝模板的制备方法制备得到的氮化铝模板可以具有较低的位错密度、较低的残余应力，质量较佳。
综上所述，本申请提供的氮化铝模板的制备方法包括：提供一蓝宝石衬底10；对蓝宝石衬底10进行刻蚀以在蓝宝石衬底10上形成多个纳米凹槽11，纳米凹槽11的深度小于蓝宝石衬底10的厚度；在刻蚀后的蓝宝石衬底10上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜20，得到第一材料，氮化铝薄膜20和蓝宝石衬底10围合形成纳米孔洞30；将第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，且在退火处理后将第一材料降至室温并取出。本申请通过纳米凹槽11的设置减少蓝宝石衬底10和氮化铝薄膜20之间的成键数量，进而降低耦合程度；且通过氮化铝薄膜20在合拢以与蓝宝石衬底10围合形成纳米孔洞30的过程中，还可以通过纳米孔洞30的大小尺寸的变化预存部分张应力，而预存的张应力可以用与在后续降温过程中消除部分因降温而产生的压应力。如此，本申请提供的氮化铝模板的制备方法制备得到的氮化铝模板能够降低氮化铝模板的压应变强度，且能够降低位错密度，进而提高氮化铝模板的质量。
本发明的另一方面，提供一种氮化铝模板，该氮化铝模板由上述的氮化铝模板的制备方法制备得到。由于上述的氮化铝模板的具体制备方法及其有益效果，均已在前文做了详细阐述与说明，故本申请对此不再进行重复说明。
以上所述仅为本发明的可选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
Claims (10)
1.一种氮化铝模板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一蓝宝石衬底；
对所述蓝宝石衬底进行刻蚀以在所述蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽，所述纳米凹槽的深度小于所述蓝宝石衬底的厚度；
在刻蚀后的所述蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜，得到第一材料，所述氮化铝薄膜和所述蓝宝石衬底围合形成纳米孔洞；
将所述第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，且在退火处理后将所述第一材料降至室温并取出。
2.根据权利要求1所述的氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述将所述第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，包括：
将所述第一材料背离所述蓝宝石衬底的一面和一蓝宝石衬底贴合放置，并于退火炉中进行高温热退火处理。
3.根据权利要求1所述的氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述将所述第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，包括：
将两所述第一材料面对面放置以使两所述第一材料的氮化铝薄膜的表面贴合，并于退火炉中进行高温热退火处理。
4.根据权利要求1所述的氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述对所述蓝宝石衬底进行刻蚀以在所述蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽，包括：
采用温度在1000℃至1400℃之间、时长在10s至3600s之间，且含有氢气的气体作为刻蚀气体对所述蓝宝石衬底进行刻蚀以在所述蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽。
5.根据权利要求1或4所述的氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述纳米凹槽的深度在10nm至200nm之间，所述纳米凹槽的直径在10nm至100nm之间。
6.根据权利要求5所述的氮化铝模板的制备方法，其特征在于，多个所述纳米凹槽在所述蓝宝石衬底上的密度大于1×108cm-2。
7.根据权利要求1所述的氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述氮化铝薄膜的厚度在50nm至1000nm之间。
8.根据权利要求1至4任意一项所述的氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述将所述第一材料置于退火炉中进行高温热退火处理，包括：
在惰性气氛中，且温度在1600℃至1800℃之间、压力在10.1325KPa至151.9875KPa之间的条件下，将所述第一材料置于退火炉进行0.5h至24h之间的高温热退火处理。
9.根据权利要求1所述的氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述在刻蚀后的所述蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜，包括：
采用金属有机化合物化学气相沉积、分子束外延、物理气相沉积中的任意一种沉积工艺，在刻蚀后的所述蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜。
10.一种氮化铝模板，其特征在于，由权利要求1至9中任意一项所述的氮化铝模板的制备方法制备得到。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111638544.7A CN114293252A (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 氮化铝模板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111638544.7A CN114293252A (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 氮化铝模板及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114293252A true CN114293252A (zh) | 2022-04-08 |
Family
ID=80972103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111638544.7A Pending CN114293252A (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 氮化铝模板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114293252A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115527836A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-27 | 松山湖材料实验室 | 氮化铝复合衬底的制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030006211A1 (en) * | 2001-07-04 | 2003-01-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Substrate including wide low-defect region for use in semiconductor element |
| CN108155090A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-12 | 北京大学 | 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 |
| CN108257853A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-07-06 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 具有氮化铝膜的紫外led的外延结构及其生长方法 |
| CN113215531A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-08-06 | 广西大学 | 一种通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜缺陷的制备方法 |
| CN113279054A (zh) * | 2020-02-20 | 2021-08-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料 |
| CN113488565A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-10-08 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种氮化铝薄膜的制备方法 |
-
2021
- 2021-12-29 CN CN202111638544.7A patent/CN114293252A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030006211A1 (en) * | 2001-07-04 | 2003-01-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Substrate including wide low-defect region for use in semiconductor element |
| CN108155090A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-12 | 北京大学 | 一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 |
| CN108257853A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-07-06 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 具有氮化铝膜的紫外led的外延结构及其生长方法 |
| CN113279054A (zh) * | 2020-02-20 | 2021-08-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料 |
| CN113215531A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-08-06 | 广西大学 | 一种通过热处理调控大斜切角氮化铝薄膜缺陷的制备方法 |
| CN113488565A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-10-08 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种氮化铝薄膜的制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115527836A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-27 | 松山湖材料实验室 | 氮化铝复合衬底的制备方法 |
| CN115527836B (zh) * | 2022-09-28 | 2024-01-26 | 松山湖材料实验室 | 氮化铝复合衬底的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4682328B2 (ja) | 窒化ガリウム単結晶厚膜およびその製造方法 | |
| US8585821B2 (en) | SiC epitaxial substrate and method for producing the same | |
| JP4741506B2 (ja) | 大面積で均一な低転位密度ＧａＮ基板およびその製造プロセス | |
| US8143702B2 (en) | Group III-V nitride based semiconductor substrate and method of making same | |
| JP5371430B2 (ja) | 半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層 | |
| US20070138505A1 (en) | Low defect group III nitride films useful for electronic and optoelectronic devices and methods for making the same | |
| US8216869B2 (en) | Group III nitride semiconductor and a manufacturing method thereof | |
| US9670594B2 (en) | Group III nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia | |
| JP2006203196A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| WO2000057460A1 (fr) | PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAUX SEMICONDUCTEURS COMPOSES DE GaN, ET SUBSTRAT DE SEMICONDUCTEUR | |
| KR100611108B1 (ko) | 박막 형성 방법 | |
| JP4664464B2 (ja) | モザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ | |
| JP4511378B2 (ja) | ＳＯＩ基板を用いた単結晶ＳｉＣ層を形成する方法 | |
| CN114293252A (zh) | 氮化铝模板及其制备方法 | |
| JP7142184B2 (ja) | 窒化物半導体ウェーハの製造方法及び窒化物半導体ウェーハ | |
| JP2006062931A (ja) | サファイア基板とその熱処理方法、及び結晶成長方法 | |
| JP2003218031A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| CN109728138B (zh) | 氮化铝自支撑衬底及其制备方法 | |
| JPH09129651A (ja) | サファイア基板のサーマル・アニーリング方法及び装置 | |
| JP2001274093A (ja) | 半導体基材及びその製造方法 | |
| JP5152293B2 (ja) | モザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハの製造方法 | |
| JP4236122B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| KR20050058954A (ko) | 산화아연 버퍼층을 이용한 질화갈륨 에피층 제조방법 | |
| JPH04186824A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
| KR20130078984A (ko) | 질화갈륨 기판 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220408 |