JP2001048667A - セラミックス部品の接合方法 - Google Patents

セラミックス部品の接合方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 セラミックス部品を簡単に接合でき、高
温環境下でも耐え得る高強度な接合が可能で複雑形状に
も対応可能な接合方法を提供する。 【解決手段】 セラミックス部品１０ (１) 、１０
(２) を、接合部位１３ (１) 、１３ (２) の密着性を
確保するか、間隔を保持して配置し、表面にＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ被膜２３を形成して接合体３０とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハーボートや
プラズマエッチャー装置の治具等、半導体製造用治具に
主に使用されるセラミックス部品の接合方法に関し、特
に炭化ケイ素からなるセラミックス部品の接合方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】酸化拡散工程や減圧ＣＶＤ工程、また、
近年ではプラズマエッチング工程などの半導体製造装置
用治具として各種セラミックスが使用されている。中で
も炭化ケイ素からなるセラミックス（以下、ＳｉＣ質セ
ラミックスと称する。）は、熱伝導性、耐熱性、耐酸性
に優れる材料として知られており、半導体製造装置用部
品として広く使用されている。
【０００３】セラミックス製品としては、複雑形状の成
形体や大型の成形体が要求されているが、ＳｉＣ質セラ
ミックスをはじめとするこれらセラミックスは、一般に
難加工性であり、普通、複雑形状の成形体等を一体加工
で製造することは、困難である。
【０００４】従って、通常は、所望の製品としての成形
体を複数個の部品（エレメントとも称される。）に分割
して構成し、それぞれの部品を接合して最終成形体（接
合体製品）とすることが必要となる。
【０００５】従来、一般的なセラミックス部品の接合方
法としては、焼成前の状態でのバインダー類での接合、
焼成後での有機系・無機系バインダー類での接合などが
知られているが、焼成前でのバインダー類での接合は、
手間がかかり、焼成後では修正がきかないという問題点
があり、一方、焼成後のバインダー類による接合は、強
度や気密性に劣り、純度も悪くなるという大きな問題が
あった。
【０００６】従来ＳｉＣ質セラミックス部品の接合方法
として、特開平１０−８７３７６号や特開平９−２４９
４５５号などが知られている。
【０００７】特開平１０−８７３７６号においては、雄
雌の接合部位を備えたＳｉＣ質部品を組合せ、その接合
部位が形成する間隙を連通し合うようにして、当該間隙
を毛細管作用により溶融Ｓｉを充填・凝固せしめて接合
を確保することが行われている。しかしながら、間隙を
充填するＳｉ部分の耐熱性および耐酸性について問題が
あった。
【０００８】一方、特開平９−２４９４５５号において
は、炭素からなる部品を組合せ、これを炭素粒子を含む
熱硬化性樹脂接着剤で接合して接合体とし、当該接合体
を接着剤部分を含めてＳｉＣに転化し、さらにその表面
に化学的気相成長法によるＳｉＣ被膜を形成している。
しかしながらこの方法では、樹脂接着剤を用いているの
で、接合部分の強度が弱くなり、また炭素部品を出発部
材としているので工程が多く手間もかかるという問題が
あった。
【０００９】また、その他特開平９−１０７０２４号に
おいては、ＳｉＣ被膜を形成した黒鉛製品を製造するに
際し、黒鉛製品を面接触により密着させて接続した後、
化学的気相成長法によりＳｉＣ被膜を形成することが提
案されているが、基体部品として強度が弱い黒鉛が使用
されているので、面接触で強く密着させることは困難で
ある。また、接合面の間隙部を高温接着剤からなる目地
埋め込み材で充填し熱処理して炭素化し、密着性を確保
することも提案されているが、基本的に基体である黒鉛
等とＳｉＣ被膜とは熱膨張率が異なるので、常に密着性
を保持することは難しい。また、従来の接合方法では、
製品破損後には修復不可能であった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、セラミック
ス部品を簡単に接合でき、しかも得られる接合体が高温
環境下においても耐え得る高強度となり、かつ、複雑形
状にも対応可能な接合方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、（１）
接合すべき複数のセラミックス部品を、所望の接合部位
を近接せしめて配置し、上記複数のセラミックス部品の
表面に化学的気相成長法によりＳｉＣ固定被覆層を形成
することを特徴とするセラミックス部品の接合方法（以
下基本発明と云う。）が提供される。
【００１２】また本発明に従えば、 (２) 接合すべき複
数のセラミックス部品を、所望の接合部位が密着するよ
うに配置して組合せ、当該構成した組合せ体の表面に化
学的気相成長法によりＳｉＣ固定被覆層を形成すること
を特徴とするセラミックス部品の接合方法（以下第１発
明と云う。）が提供される。
【００１３】また本発明に従えば、（３）接合すべき複
数のセラミックス部品を、所望の接合部位の表面間距離
が１０〜１，０００μｍとなる間隙部を設けて配置して
組合せ、当該構成した組合せ体の当該間隙部を化学的気
相成長法によりＳｉＣで充填するとともに、当該組合せ
体表面に化学的気相成長法によりＳｉＣ固定被覆層を形
成することを特徴とするセラミックス部品の接合方法
（以下、第２発明と云う。）が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の接合方法が適用できるセラミックス部品として
は、高硬度、耐熱性の構造材料として使用できる非酸化
物系、酸化物系のセラミックスからなるものが好まし
く、例えば炭化ケイ素、シリコン、窒化ケイ素、炭化チ
タン、窒化アルミニウム、アルミナ、ジルコニア、石英
ガラス、ムライト、サイアロン等が挙げられる。
【００１５】これらのセラミックスはさらに複合化され
ていてもよい。例えば一つのセラミックスがマトリクス
となり、そのマトリクス中に繊維状や粒子状の他のセラ
ミックスのフィラーが分散され強化体を形成していても
よい。
【００１６】また、これらのセラミックスは、多孔質で
あってもかまわないし、さらにこの空隙部が別のセラミ
ックスで充填されていてもよい。例えば、多孔質のＳｉ
Ｃ焼結体に溶融金属Ｓｉを含浸せしめてその空隙をＳｉ
で完全に充填し、緻密化・ガス不透過性としたＳｉ含浸
ＳｉＣなどが好ましいものとして挙げられる。
【００１７】また、化学的気相成長法により形成された
炭化ケイ素からなるセラミックス部品は、金属不純物の
含有量が少ないことから好ましい。
【００１８】本発明の接合方法は、このようなセラミッ
クスで形成された部品を接合する方法であるが、部品の
形状としては特に限定するものではなく、その基本的な
形態としては、例えば円柱状、棒状、円筒状、板状、シ
ート状、フィルム状、角柱状、プレート状、円錐状、角
錐状、球状等が挙げられる。この接合は同種の形態の部
品間、例えば板状部品間だけではなく、異なった形態の
部品間においても行われる。例えば板状部品と棒状部
品、板状部品とシート状部品の間においても行われる。
【００１９】これらの部品は、通常そのセラミックスの
原料粉末を、所望の型により成形した後、焼結すること
によって得られるが、部品の形状が板状、シート状、フ
ィルム状のごとき場合は、化学気相成長法により形成す
ることも可能である。
【００２０】以下、図面を参照しながら本発明の実施の
形態を説明する。基本発明は、接合すべき複数のセラミ
ックス部品をその接合部位を近接せしめて配置するもの
であるが、第１発明は、その接合部位が密着するまで近
接せしめるものであり、第２発明は、間隙部を設けるよ
うに近接させるものである。
【００２１】まず第１発明について説明する。本第１発
明によれば、接合すべき複数のセラミックス部品を、接
合部位が密着するように配置して組合わせ、まず部品の
組合せ体を構成する。
【００２２】ここでセラミックス部品として図１に示す
ような二つの板状部品１０ (１) 、１０ (２) につい
て、その側面部１３ (１) 、１３ (２) や表面部１５
(１) 、１５ (２) で接合する場合を考える。
【００２３】まず、側面部での接合を考察する。接合部
位である、側面部１３ (１) 、１３ (２) は、その表面
の密着性を確保するように組合せられ、図２に示すよう
に、組合せ体２０を構成する。
【００２４】接合部位の密着性を十分確保するために
は、両者が面接触で密着することが必要であって、基本
的に両側面は平行であって反り等が無く、その表面が隙
間無く重なり合うことが好ましい。さらに両表面は、良
く研磨処理され、表面の平均表面粗さＲａが１μｍ以
下、好ましくは０．５μｍ以下であり、最大表面粗さＲ
ｍａｘが３μｍ以下、好ましくは１．５μｍであること
が望ましい。
【００２５】なお、平均表面粗さＲａ及び最大表面粗さ
Ｒｍａｘは、電子式表面粗さ計を用いてＪＩＳＢ−０６
０１等に従って測定することができる。
【００２６】さらに好ましくは、接合部位の表面を鏡面
加工し、十分な平滑度及び平坦度を確保することによ
り、接合部位の表面密着性は、一層向上する。
【００２７】このような点に考慮を払って、セラミック
ス部品どうしを面接触で密着させることにより、両者
は、接着剤などを介することなく強く密接して組合せ体
２０を形成する。
【００２８】本発明においては、図３に示すように、こ
の部品の組合せ体２０の表面に、化学的気相成長法によ
るＳｉＣ（以下ＣＶＤ−ＳｉＣと表記する。）の固定被
覆層２３を形成する。すなわち、硬度の高いＳｉＣ被膜
がこの組合せ体２０の外表面全体を被覆する高硬度の外
殻（シェル）となり、内部の組合せ体２０がこの外殻に
より完全に固定され、全体として強固な接合体３０が形
成されるのである。
【００２９】この接合体３０は、板状部品を側面部で接
合することにより、厚みが一定のより広い表面積を有す
る板状部材としたものである。
【００３０】一方、二つの板状部品１０ (１) 、１０
(２) の表面部１５ (１) 、１５ (２) での接合も同様
に行うことができる。
【００３１】いうまでもなく、この板状部品の表面同志
の接合により、セラミック積層体が形成される。この接
合態様も本発明の重要な応用の一つである。
【００３２】接合部位である、表面部１５ (１) 、１５
(２) は、その表面の密着性を確保するように重ねて組
合せられ、図４に示すように、積層された部品の組合せ
体２０’を構成する。
【００３３】接合部位の密着性を十分確保するために
は、両者が面接触で密着することが必要であり、両表面
は良く研磨処理され、表面の平均粗さ及び最大表面粗さ
が十分小さいこと、さらに好ましくは、接合部位の表面
を鏡面加工されていることが必要であることは、側面の
接合の場合と同様である。ただし、積層体の場合は、面
接触させるべき表面積が大きいので、その全面での密着
性を確保するため、表面の平坦度や平行度の確保には、
より考慮を払う必要がある。
【００３４】このような点に注意し、接合部位の表面の
密着性を確保して、両者を面接触で密着させることによ
り、両者は、接着剤などを介することなく、かなり強く
接合した組合せ体２０’、具体的には、積層体が形成さ
れる。
【００３５】同様にして、図５に示すように、この組合
せ体２０’の表面に、ＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層２３’
を形成する。かくして、高硬度のＳｉＣ被膜がこの組合
せ体の外表面全体を被覆する外殻（シェル）となり、内
部の積層状の組合せ体が完全に固定され、全体として強
固な接合体３０’が形成されるのである。
【００３６】本発明において、セラミックス部品を接合
する際に形成されるＳｉＣ固定被覆層の厚みは、第１の
発明及び後記する第２の発明において、２０〜２，００
０μｍ、好ましくは３０〜１，０００μｍ、さらに好ま
しくは５０〜８００μｍとするのが望ましい。これより
薄い膜厚では、接合又は固定に必要な十分な強度又は剛
性が得られない。また、あまり厚い膜厚の場合は、これ
を化学的気相成長法により形成するのに極めて長時間を
要するため、生産性が低下し、コスト的に不利である。
【００３７】セラミックス部品の組合せ体は、カーボン
やＳｉＣ質セラミックスの保持治具等により保持され
て、ＣＶＤ炉内に設置され、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜が形成さ
れる。
【００３８】なお、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜は、組合せ体の表
面に形成されるだけでなく、これらの保持治具の表面に
も形成されるので、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜による組合せ体の
被覆を行う際に、組合せ体とも接合されてしまう。従っ
て、これらの保持治具は、セラミックス部品の接合後に
サンドブラストや切削加工により、接合体から除去され
ることが好ましい。
【００３９】次に、第２発明について説明する。本第２
発明においては、接合すべき複数のセラミックス部品
を、その接合部位の表面間距離を保持するようにして組
み合わせ、間隙部を有する部品の組合せ体を構成する。
【００４０】第１発明の場合と同様にして、図１に示す
ような二つのセラミックス板状部品１０ (１) 、１０
(２) について、その側面部１３ (１) 、１３ (２) や
表面部１５ (１) 、１５ (２) を接合する場合を考え
る。
【００４１】まず、側面部での接合を考えると、接合部
位である、側面部１３ (１) 、１３(２) は、図６に示
すように、間隔（接合部位の表面間距離）ｄを保持する
ように組合せ、部品の組合せ体２００を構成する。
【００４２】間隔ｄは、１０〜１，０００μｍとする。
ｄが１０μｍ未満であると、当該隙間にＣＶＤ−ＳｉＣ
が十分に入っていかないために、接合部分の強度が弱く
なってしまうからであり、また、間隔ｄが１，０００μ
ｍを越えると、その隙間を埋めるのに大量の原料ガスが
必要となり、コスト的に不利となる。
【００４３】本第２発明においては、接合部位に間隔ｄ
を設け、この間隔を、ＣＶＤ−ＳｉＣで充填する。かく
してラセミックス部品の間隙が完全に強度の高いＣＶＤ
−ＳｉＣで埋められることにより、接合部位間がより高
強度に接合される。
【００４４】最終的には、図７に示すような接合体３０
０が得られる。すなわち、ＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層２
３０が高硬度の外殻（シェル）となり、セラミックス板
状部品１０（１）、１０（２）を完全に固定し、また接
合部位の間隔ｄを充たしているＳｉＣ部（２３０ｄ）
と、この固定被覆層２３０とは、その上部開口ｅ及び下
部開口ｅ’において連続して一体となっている。
【００４５】同様にして、板状部品を表面部で接合し、
図８に示す如き積層体（接合体）３００’を形成するこ
とも可能である。
【００４６】なお、図８のように、部品を表面部を離隔
して組み合わせる場合には、両者を垂直に立ててその間
隔ｄを保持したり、カーボンやＳｉＣ質のスペーサを表
面部間に挿入して間隔ｄを保持することが好ましい。こ
れらのスペーサは、実質的に問題が無い場合は、製品で
ある接合体中（ＳｉＣ被膜中）にそのまま残存させても
よいし、必要がある場合は、接合体からサンドブラスト
や切削加工により取り除くこともできる。
【００４７】なお、本発明においては、接合体を形成す
る部品の一方の表面に突出部（凸部、雄部、突条部）
を、他方にこの突出部が嵌入しうる嵌合部（凹部、雌
部、溝部）を形成することにより、部品同志の接合をよ
り確実にすることもできる。
【００４８】以上のようにして配置したセラミックス部
品の組合せ体が、カーボンやＳｉＣ質セラミックスの保
持治具等により保持されて、ＣＶＤ炉内に設置され、Ｃ
ＶＤ−ＳｉＣ膜が形成されることは第１発明の場合と同
様である。
【００４９】第１発明及び第２発明を実施するためのＣ
ＶＤ炉の形式は、特に限定するものではないが、横型タ
イプ、縦型タイプ、ベルジャータイプ等が好ましく使用
され、また加熱方法としては、直接通電法や高周波誘導
加熱或いはレーザー加熱法が適用される。
【００５０】ＣＶＤ−ＳｉＣ膜は、基本的に、１，００
０〜１，６００℃、好ましくは１，１００〜１，５００
℃の非酸化性雰囲気中に原料ガスを導入することにより
堆積される。
【００５１】原料ガスとしては、 (１) ＳｉとＣを異な
る化合物より供給する原料ガス系、例えば、ＳｉＣｌ4
とＣＨ4 、ＳｉＣｌ4 とＣ3 Ｈ8 、ＳｉＣｌ4 とＣ6 Ｈ
14、ＳｉＣｌ4 とＣＣｌ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 とＣＨ4 等でも
よいし、 (２) またはＳｉとＣを同一化合物より供給す
る原料ガス系、例えば、ＣＨ3 ＳｉＣｌ3 、（ＣＨ3）2
ＳｉＣｌ2 、（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣｌ、（ＣＨ3 ）4 Ｓ
ｉ、ＣＨ3 ＳｉＨＣｌ 2 であってもよい。これら原料ガ
スは、Ｈ2 、Ｈｅ、Ａｒ等のキャリヤガスとともに炉内
に導入される。
【００５２】ＣＶＤ−ＳｉＣ膜形成時の圧力について
は、特に限定はないが、部品の組合せ体の間隙部内にま
で原料ガスを十分導入し、この間隙部を実質的に完全に
ＳｉＣで充填するために、１〜３００Ｔｏｒｒ、好まし
くは１０〜１００Ｔｏｒｒ程度の減圧とすることが望ま
しい。
【００５３】すでに述べたように、上記したＣＶＤ条件
により、接合すべき部品としての板状、シート状、フィ
ルム状、薄板状のＳｉＣを予め形成することができる。
すなわちこの場合は、基板として黒鉛やカーボンの基体
を使用し、この上に所望の厚みのＳｉＣ被膜を形成し、
基板の黒鉛等は、後で空気中、１，０００℃程度の温度
で熱分解する等の手段により除去して薄板状のＳｉＣ
（ＣＶＤ−ＳｉＣ）を得ることができる。
【００５４】なお、本発明により得られるセラミックス
部品の接合体を、半導体の製造装置用治具として用いる
場合には、接合するセラミックス部品としては、高純度
のものが望ましく、特に金属不純物の合計量が４０ｐｐ
ｍ以下、好ましくは３０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは
２０ｐｐｍ以下、最も好ましく１０ｐｐｍ以下であるこ
とが望ましい。
【００５５】ここに云う金属不純物とは、Ｆｅ、Ｃｕ、
Ｍｇ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ａｌ等であり、ウエ
ハに取り込まれ、半導体デバイスに対し、絶縁抵抗の低
下やＳｉＯ2 の耐電圧低下さらにはｐｎ接合リーク不良
等を引き起こす可能性のある有害な元素である。
【００５６】また、このセラミックス部品の表面に形成
されるＣＶＤ−ＳｉＣ被覆層の純度は、金属元素合計量
が５０ｐｐｂ以下、好ましくは３０ｐｐｂ以下、さらに
好ましくは１０ｐｐｂ以下であることが望ましい。
【００５７】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。 (１) セラミックス部品の組合せ体の形成
【００５８】〔実施例１〕まず、接合すべきセラミック
ス部品として、図１に示したような４ｃｍ角で厚みが１
ｍｍのβ型結晶構造をもつＣＶＤ−ＳｉＣウエハを２枚
準備した。
【００５９】これらの部品を、その両端をカーボン治具
（図示せず）で押さえ、図２に示したようにして、その
側面で密着させて配置した。すなわち、２つの部品を、
４ｃｍ×８ｃｍ×１ｍｍの形状の部品の組合せ体を形成
するように密着させた。
【００６０】〔実施例２〕接合すべきセラミックス部品
として、実施例１と同じＣＶＤ−ＳｉＣウエハを２枚準
備した。これを図４に示したようにして２枚の表面を密
接させて重ね合わせて設置した。
【００６１】〔実施例３〕実施例１と同じＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃウエハを２枚準備した。続いて、カーボン治具を用い
て２枚のウエハー部品がＴ字型になるように配置した。
【００６２】〔実施例４〕実施例１と同じＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃウエハを２枚準備した。２枚のウエハを図６に示すよ
うに、側面部間隔ｄが５００μｍになるように配置し組
合せ体とした。
【００６３】〔実施例５〕セラミックス部品としてＳｉ
含浸ＳｉＣウエハを用いた以外は、実施例１と同様にし
て２枚のウエハを配置した。
【００６４】(２) ＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層の形成 続いて、実施例１〜５で配置したセラミックス部品の組
合せ体をＣＶＤ炉内に設置し、真空中１，０００℃に加
熱してベーキング処理を行った。すなわち、この状態で
Ｈ2 ガスを導入し、１００Ｔｏｒｒに圧力調整して６０
分間保持した。続いて、１５℃／分の昇温速度で加熱し
て１，２５０℃の成膜温度まで昇温させた。
【００６５】その後、ＳｉＣの固定被覆層形成用の原料
化合物としてＣＨ3 ＳｉＣｌ3 を導入し、セラミックス
部品の表面にそれぞれ２５０μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ固定
被覆層を形成した。
【００６６】ＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層の形成された接
合体をカーボン治具から取り外すことにより、それぞれ
ＳｉＣ接合体が得られた。これら接合体をインストロン
試験機で引張試験を行ったが、引張度は非常に高く、接
合部分の強度は他の部分と比較しても劣らないものとな
っており、純度・耐酸性にも優れた接合体であることが
わかった。
【００６７】〔比較例１〕実施例１と同様に４ｃｍ角１
ｍｍ厚のＣＶＤ−ＳｉＣウエハを２枚準備した。接着剤
として、変性フェノール樹脂を６５質量％と鱗状天然黒
鉛粉末３５質量％とを混練したものを用い、実施例１と
同様に密着させた。
【００６８】続いて、空気中で２００℃に加熱し、接着
剤を硬化させ、さらに非酸化性雰囲気中にて１，０００
℃まで昇温して接着剤中の樹脂を炭化した。このように
してＳｉＣ接合体を得た。接着剤層の厚みは、２００μ
ｍとなっていた。
【００６９】（３）曲げ強度及び耐熱衝撃性 実施例１、実施例４および比較例１で得られた接合体を
用いて曲げ強度および耐熱衝撃性の評価を行った。
【００７０】曲げ強度 ＪＩＳ Ｒ１６０１に規定された方法に準拠し、ＳｉＣ
接合体の室温での４点曲げ強度を測定した。
【００７１】耐熱衝撃性 サーマルショック法により耐熱衝撃性の評価を行った。
ＳｉＣ接合体を加熱した後、水中投下して急冷すること
により温度差を与え、ＳｉＣ接合体の強度変化を測定し
た。
【００７２】表１に、強度変化が急激となる最低の温度
差（耐熱衝撃温度ΔＴ）の値を曲げ強度の値と共に示
す。
【００７３】
【表１】
【００７４】
【発明の効果】本発明のセラミックス部品の接合方法に
よれば、従来の接合方法よりも簡単に耐熱性、耐酸性、
高強度かつ高純度で複雑形状のセラミックス接合体が得
られる。
【００７５】特に、セラミックス部品がＣＶＤ−ＳｉＣ
やＳｉ含浸ＳｉＣ等からなるＳｉＣ質部品である場合、
ＣＶＤ−ＳｉＣで固定被覆層を形成すると、セラミック
ス部品と被覆層が基本的に同じＳｉＣ質の材質となり、
耐熱性、耐酸性、高強度のより優れた接合体が得られ
る。
【００７６】また、本発明の接合方法は、種々の大きさ
のセラミックス部品の接合に適用でき、例えば数ｍｍの
小さな部品から、１ｍを超える大きな部品の接合にまで
適用できる。
【００７７】本発明の方法によれば、種々の形状のセラ
ミックス部品の接合が可能であり、ウエハボート等の複
雑形状の治具を製造する際に部品どうしを接合するのに
適している。このように本発明の方法によって得られる
セラミックス接合体は、半導体製造工程において耐熱
性、耐酸性、高強度の治具として好適に使用される。
【００７８】さらに本発明の接合方法によれば、従来の
接合方法では不可能であった破損したＳｉＣ治具等の修
復も可能となる。また、本発明の方法は、半導体製造工
程以外の用途においても同様に使用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】接合すべきセラミックス部品を示す斜視図であ
る
【図２】セラミックス部品を側面部を密着して接合する
状態を示す縦断面図である。
【図３】組合せ体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を
形成する状態を示す縦断面図である。
【図４】セラミックス部品を表面部を密着して接合する
状態を示す縦断面図である。
【図５】組合せ体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を
形成する状態を示す縦断面図である。
【図６】セラミックス部品を間隔を保持して側面で接合
する状態を示す縦断面図である。
【図７】組合せ体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を
形成する状態を示す縦断面図である。
【図８】組合せ体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣ固定被覆層を
形成する状態を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１０ (１) 、１０ (２) 板状部品 １３ (１) 、１３ (２) 側面部 １５ (１) 、１５ (２) 表面部 ２０、２０’ 部品の組合せ体 ２３、２３’ ＳｉＣ固定被覆層（外殻） ３０，３０’ 接合体 ２００、２００’ 部品の組合せ体 ２３０、２３０’ ＳｉＣ固定被覆層（外殻） ２３０ｄ ＳｉＣ充填体 ３００、３００’接合体 ｄ 接合部位表面間距離 ｅ 上部開口 ｅ’下部開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 入沢 直志 兵庫県高砂市梅井５丁目６番１号 旭硝子 株式会社内 Ｆターム(参考） 4G026 BA14 BB14 BD03 BF07 BG01 BH13 4K030 AA03 BA37 CA05 FA04 FA07 FA10 KA02 KA04 LA11

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 接合すべき複数のセラミックス部品を、
    所望の接合部位を近接せしめて配置し、上記複数のセラ
    ミックス部品の表面に化学的気相成長法によりＳｉＣ固
    定被覆層を形成することを特徴とするセラミックス部品
    の接合方法。
  2. 【請求項２】 接合すべき複数のセラミックス部品を、
    所望の接合部位が密着するように配置して組合せ、当該
    構成した組合せ体の表面に化学的気相成長法によりＳｉ
    Ｃ固定被覆層を形成することを特徴とする請求項１記載
    のセラミックス部品の接合方法。
  3. 【請求項３】 接合すべき複数のセラミックス部品を、
    所望の接合部位の表面間距離が１０〜１，０００μｍと
    なる間隙部を設けて配置して組合せ、当該構成した組合
    せ体の当該間隙部を化学的気相成長法によりＳｉＣで充
    填するとともに、当該組合せ体表面に化学的気相成長法
    によりＳｉＣ固定被覆層を形成することを特徴とする請
    求項１記載のセラミックス部品の接合方法。
  4. 【請求項４】 セラミックス部品がＳｉＣからなる請求
    項１〜３の何れかに記載のセラミックス部品の接合方
    法。
  5. 【請求項５】 セラミックス部品が化学的気相成長法に
    より形成された炭化ケイ素からなる請求項４に記載のセ
    ラミックス部品の接合方法。
  6. 【請求項６】 セラミックス部品がＳｉを含浸したＳｉ
    Ｃからなる請求項４に記載のセラミックス部品の接合方
    法。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６の何れかに記載の方法によ
    り接合されたセラミックス接合体からなるセラミックス
    製品。
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