JP2629208B2 - セラミック部材接合法 - Google Patents

セラミック部材接合法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、断熱エンジンの断熱ピストン等を構成す
るセラミック部材を接合するセラミック部材接合法に関
する。
〔従来の技術〕
従来、CVD法(化学蒸着法)によってセラミックコー
ティング層を形成する技術が既に開示されている。該CV
D法の応用分野としては、CVDの浸透性を利用して、封
孔、接着処理及び細孔、微小隙間内面へのメッキを行っ
たり、耐熱性、耐摩耗性及び耐食性の保護被覆、装飾被
覆、或いは電気的、光学的特性を有する機能性物質の被
覆を形成するのに利用されている。
流動式のCVD装置では、CVDの出発物質としてコーティ
ングしょうとする物質を主成分とするコーティング試薬
と、該試薬のベーパと混合して反応室内の基板表面にメ
ッキペーパを送るキャリヤガス及び反応性ガス等のガス
源がある。コーティング試薬には、主として揮発性の金
属又はハロゲン化物が用いられる。キャリヤガス及び反
応性ガスには、水素ガスを主体とする窒素、アルゴン等
の単体ガス、炭化水素系ガス等が用いられる〔「セラミ
ックコーティング技術」昭和59年5月24日(発行日)
(株)総合技術センター(発行所)参照〕。
また、セラミック材料を断熱材又は耐熱材として利用
した断熱ピストン等のエンジン部材は、例えば、特開昭
61−66848号公報に開示されている。該断熱ピストンの
構造については、セラミックスから成るピストン冠部と
対向するスカート部の端面にセラミックスから成るコー
ティング層を備えたものである。また、ピストン冠部に
は燃焼室が形成され、ピストン冠部とスカート部とはガ
スケットを介してボルトによって結合されている。更
に、ピストン冠部とスカート部との間にはシールリング
が配置されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、Si3N4,SiC等のセラミック材から成るセラ
ミック部材を接合又は複合化する場合にCVD法を用いる
ことが好都合である。例えば、Si3N4を接合する時、SiC
l4,NH3,H2等のガスを混合し、高温炉内で反応させる
ことによって達成している。一般に、SiCに対するCVD法
では、焼結材により作ったSiCよりCVD法で作ったSiCの
方が強度的に安定している。
しかしながら、粒子外周の添加物の結合力に依存する
Si3N4では、焼結材により作ったSi3N4よりCVD方による
結合力の方が弱く、強度レベルも低くなっており、問題
点を有している。
また、前掲特開昭61−66848号公報に開示されたセラ
ミック材料を断熱材又は耐熱材として利用する断熱ピス
トンにおいて、断熱特性を十分に得ることは極めて困難
なことである。セラミック材料が燃焼室側の高温に晒さ
れる状態であり、そのため熱ショックを受け、セラミッ
ク材料の強度上の問題がある。また、断熱のため壁面の
セラミック材料の厚さを厚くすると、熱容量が大きくな
る。そのため吸入行程時に吸入空気が燃焼室から多く受
熱して高温になり、その熱が吸気に影響し、吸入効率が
低下して空気が吸入されなくなるという現象が生じると
いう問題がある。
ところで、上記の問題点を解消するため、例えば、断
熱ピストンについて、極めて高度の断熱性を得ると共
に、燃焼ガスに晒されて高温になる燃焼室側に面するピ
ストンヘッドの表面部の熱容量を可及的に小さく構成
し、吸入効率及びサイクル効率を向上させるため、エン
ジンの燃焼室に面する壁面側を薄型セラミック円板で構
成することが考えられるが、ピストンヘッド部に薄型セ
ラミック円板を配置する場合に、該薄型セラミック円板
をピストンヘッド部に対して強固に且つ確実に取付ける
ことは極めて困難であり、問題点を有している。
この発明の目的は、上記の問題を解決することであ
り、一方のセラミック部材と他方のセラミック部材とを
接合する場合にセラミック材による化学蒸着法(即ち、
CVD法)を適用し、該接合部に極めて強固な接合層を得
ることができ、該接合法を断熱ピストンに適用した場合
に、薄肉円板をピストンヘッド部に極めて強固に且つ確
実に接合することができ、それによって極めて高度の断
熱性を得ると共に、燃焼ガスに晒されて高温になる燃焼
室側に面するピストンヘッドの表面部即ち内壁面の熱容
量を可及的に小さく構成し、吸入効率及びサイクル効率
を向上させ、しかも熱ショックを受けても強度上の問題
が生じることなく耐熱性、耐腐食性、耐変形性を向上さ
せ、しかも安定した取付状態を得ることができるセラミ
ック部材接合法を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明は、上記の目的を達成するために、次のよう
に構成されている。即ち、この発明は、Si3N4から成る
一方のセラミック部材とSi3N4から成る他方のセラミッ
ク部材との接合部に、Ti−Cu又はTi−Coの合金粉末から
成る接合補助材を塗布し、化学蒸着によって前記セラミ
ック部材間に析出するSi3N4と前記接合補助材のTi−Cu
又はTi−Coとを反応させてTiNとSi3N4とを含む接合層を
形成して前記両セラミック部材を接合したことを特徴と
するセラミック部材接合法に関する。
又は、この発明は、Si3N4から成る一方のセラミック
部材とSi3N4から成る他方のセラミック部材との接合部
に、Al2O3−SiO2の粉末から成る接合補助材を塗布し、
化学蒸着によって前記セラミック部材間に析出するSi3N
4と前記接合補助材のAl2O3−SiO2とから成る接合層を形
成して前記両セラミック部材を接合したことを特徴とす
るセラミック部材接合法に関する。
このセラミック部材接合法において、前記セラミック
部材の前記接合部は楔形溝に形成されている。
更に、このセラミック部材接合法において、一方の前
記セラミック部材は断熱材を介してピストンヘッド部に
取り付けられた薄肉円板であり、他方の前記セラミック
部材は前記ピストンヘッド部を構成する外周リングであ
る。
〔作用〕
この発明によるセラミック部材接合法は、以上のよう
に構成されており、次のように作用する。即ち、このセ
ラミック部材接合法は、一方のセラミック部材と他方の
セラミック部材との接合部に接合補助材を塗布し、同一
のセラミック材による化学蒸着によって前記セラミック
部材と反応させて接合層を形成するものであり、特に、
前記セラミック部材がSi3N4のセラミック材である場合
に、前記接合補助材として、Ti−Cu、Ti−Co等の合金粉
末を用いると、CVDによる反応によりSi3N4の粒子が析出
する部分に、Si3N4と前記接合補助材は反応性がよく、
接合部にTiN、Si3N4等が積層し、強固な接合層が形成さ
れる。しかも、前記接合補助材として、Al2O3−SiO2
粉末を用いると、Si3N4の析出部の粒界にAl2O3又はSiO2
が配置され、CVDによって強固に接合される。
更に、セラミック部材の前記接合部を楔型溝に形成す
ることによって、前記楔型溝にセラミック材が強力に浸
透して両者の前記セラミック部材を強固に且つ確実に接
合できる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して、この発明によるセラミック部
材接合法の実施例を詳述する。第1図はこの発明による
セラミック部材接合法を達成するために用いられるCVD
装置(化学蒸着装置)の一部を示す概略図であり、及び
第2図は第1図の符号A部分の拡大断面図である。
第1図には、この発明によるセラミック部材接合法が
ピストンヘッド10を形成するのに適用されたCVD装置が
示されている。CVD装置の高温炉を構成するCVDタンク6
には回転台7が設けられている。また、CVDタンク6に
は2本のガスパイプ8,9が設けられている。回転台7に
は接合されるべきワークが取付けられるが、このワーク
はここではピストンヘッド10を示している。ピストンヘ
ッド10の回転運動に従ってピストンヘッド10の接合部4
が回転移動し、その際に、セラミック部材の該接合部4
に対してガスパイプ8,9からのガスの流出に伴って該ガ
スが反応してセラミック材となり、セラミック部材が互
いに接合されるものである。
ピストンヘッド10については、ピストンヘッド部11に
断熱材5を介してセラミック部材から成る薄肉円板1が
配置され、これらの外周にセラミック部材から成る外周
リング2が配置された構成を有するものである。
薄肉円板1をSi3N4のセラミック部材で形成すると共
に、外周リング2をSi3N4のセラミック部材で形成して
いる。この場合に、薄肉円板1の外周部と外周リング2
の内周部とをセラミック材によるCVD法によって接合す
るものであり、接合部4には楔型溝13が形成されてい
る。図では、薄肉円板1の外周部をテーパ面14に形成す
ることによって接合部4を楔型溝13に形成している。
薄肉円板1のテーパ面14に接合補助材3を全面又は一
部に塗布し、図では2列に塗布し、セラミック材による
CVDによって前記セラミック部材と反応させて接合層を
形成し、薄肉円板1と外周リング2とを強固に接合す
る。
接合補助材3としては、例えば、Si3N4と反応性の良
いTi−Cuの合金粉末(Ti:50%,Cu:50%)、或いはTi−C
o等の合金粉末(Co:28%)を使用し、該合金粉末をテー
パ面14に塗布する。接合部材であるセラミック部材及び
接合補助材を上記のように選定した場合には、一方のガ
スパイプ8からはNH3ガスを送り出し、他方のガスパイ
プ9からはSiCl4ガスを送り出す。上記のように構成す
ることによって、CVDによって該合金粉末をSi3N4のセラ
ミック材と反応させると、接合部4には、例えば、Ti
N、Si3N4等が積層し、強固な接合層が形成される。或い
は、接合補助材3として、Al2O3−SiO2の粉末を用いる
ことも可能であり、この場合には、Si3N4の析出部の粒
界にAl2O3又はSiO2が配置され、セラミック材によるCVD
によって強固に接合される。
ところで、ピストンヘッド10を上記のように構成する
のは、次の理由からである。即ち、ピストンヘッド10は
ピストンヘッド部11、断熱材5、薄肉円板1及び結合リ
ングである外周リング2から成る。ピストンヘッド10そ
のものには燃焼室が形成されておらず、ピストンヘッド
10の燃焼室側即ち薄肉円板1はフラットな形状に構成さ
れている。
外周リング2については、断面L字型のセラミック部
材から成り、その下部内周面にピストンヘッド部11を受
ける段部12が形成されている。
また、薄肉円板1については、熱容量を小さくするた
めできるだけ薄く形成したセラミック部材から成り、燃
焼室に面するようにピストンヘッド部11に断熱材5を介
して配置されている。ピストンヘッド10は、外周リング
2の段部12に、ピストンヘッド部11を嵌合し、次いで断
熱材5を介在させてエンジンの燃焼室側に面する側に薄
肉円板1を配置して構成したものである。薄肉円板1
は、粒子外周の添加物の結合力に依存する窒化珪素(Si
3N4)等のセラミック材料から平らな円板状に形成さ
れ、厚さ約1mm前後、或いは1mm以下に製作されている。
薄肉円板1の外周部には、外周リング2の内周面が対応
し、外周リング2との間に楔型溝13を形成するためテー
パ面14に形成されている。
また、薄肉円板1をピストンヘッド部11に対して断熱
材3を介して押圧状態に固着することができる。燃焼室
に臨む外周リング2は、薄肉円板1をピストンヘッド部
11に対して固定できる程度の厚さでよい。
更に、断熱材5については、例えば、チタン酸カリウ
ムとアルミナファイバとの混合材で製作したものであ
る。勿論、断熱材5については、上記材料に限らず、例
えば、チタン酸カリウムウイスカー、ジルコニアファイ
バ、ポロシティの大きい耐熱材等で製作することができ
る。断熱材5は、断熱機能を果たすと共に、爆発時に薄
肉円板1に作用する圧力を受け止める構造材としても機
能する。この断熱ピストンであるピストンヘッド10につ
いては、爆発による圧縮力を、チタン酸カリウム、ポロ
シティの大きい耐熱材等の断熱材5によって均等に受け
る必要があり、そのため、ピストンヘッド部11の燃焼室
側の面及び薄肉円板1は、平らな形状即ちフラットな形
状に構成されている。
〔発明の効果〕
この発明によるセラミック部材接合法は、以上のよう
に構成されており、次のような効果を有する。即ち、こ
の発明は、一方のセラミック部材と他方のセラミック部
材との接合部に接合補助材を塗布し、セラミック材によ
る化学蒸着によって前記セラミック部材と前記接合補助
材とを反応させて接合層を形成し、前記両セラミック部
材を互いに接合するものである。
特に、前記セラミック部材がSi3N4のセラミック材で
ある場合に、前記接合補助材として、Ti−Cu、Ti−Co等
の合金粉末を用いると、セラミック材によるCVDでセラ
ミック部材と良好に反応するものであるから、Si3N4
粒子が析出する前記セラミック部材の部分に前記接合補
助材を塗布し、Si3N4と該接合補助材とは反応性がよい
ので接合部にTiN、Si3N4等が積層し、強固な接合層が形
成される。
また、前記接合補助材として、Al2O3−SiO2の粉末を
用いると、Si3N4の析出部の粒界にAl2O3又はSiO2が配置
され、セラミック材によるCVD法によって接合される。
また、前記セラミック部材の前記接合部を楔型溝に形
成することによって、該楔型溝に強力に浸透して両者の
前記セラミック部材を強固に且つ確実に接合できる。
更に、このセラミック部材接合法を断熱エンジンにお
ける断熱ピストンに適用した場合に、燃焼ガスに晒され
て高温になるピストンヘッド部に配置する薄肉円板のセ
ラミック部材と該セラミック部材の外周に配置する外周
リングであるセラミック部材とを強固に接合できるの
で、断熱ピストンの燃焼室側に面する壁面の熱容量を可
及的に小さく構成することができ、吸入効率及びサイク
ル効率を向上させる。
前記薄肉円板のセラミック部材の厚さを薄く構成する
程、ガス温度への追従性がよくなり、そして、燃焼室内
の高温時と低温時との壁温振幅は厚さが厚い場合に比較
して大きくなり、結果的に燃焼ガスと前記薄肉円板のセ
ラミック部材との温度差が小さくなり、熱伝達量が減少
するため、吸入空気の受熱を減少させる。しかも、エン
ジンの燃焼室側の高温になる前記ピストンヘッド部につ
いて、断熱材を介して前記薄肉円板が直接晒される状態
に構成されており、断熱性、耐熱性、耐変形性、耐腐食
性等を向上させることができ、熱ショックを受けても強
度上の問題が生じることがなく、安定した強固な取付状
態を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明によるセラミック部材接合法を達成す
るために用いられるCVD装置を示す概略図、及び第2図
は第1図の符号A部分の拡大断面図である。 1……薄肉円板のセラミック部材、2……外周リング、
3……接合補助材、4……接合部、5……断熱材、6…
…CVDタンク、7……回転台、8……NH3ガスパイプ、9
……SiCl4ガスパイプ、10……ピストンヘッド、11……
ピストンヘッド部、12……段部、13……楔型溝、14……
テーパ面。

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Si3N4から成る一方のセラミック部材とSi3
    N4から成る他方のセラミック部材との接合部に、Ti−Cu
    又はTi−Coの合金粉末から成る接合補助材を塗布し、化
    学蒸着によって前記セラミック部材間に析出するSi3N4
    と前記接合補助材のTi−Cu又はTi−Coとを反応させてTi
    NとSi3N4とを含む接合層を形成して前記両セラミック部
    材を接合したことを特徴とするセラミック部材接合法。
  2. 【請求項2】前記セラミック部材の前記接合部は楔形溝
    に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項に記載のセラミック部材接合法。
  3. 【請求項3】一方の前記セラミック部材は断熱材を介し
    てピストンヘッド部に取り付けられた薄肉円板であり、
    他方の前記サラミック部材は前記ピストンヘッド部を構
    成する外周リングであることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項に記載のセラミック部材接合法。
  4. 【請求項4】Si3N4から成る一方のセラミック部材とSi3
    N4から成る他方のセラミック部材との接合部に、Al2O3
    −SiO2の粉末から成る接合補助材を塗布し、化学蒸着に
    よって前記セラミック部材間に析出するSi3N4と前記接
    合補助材のAl2O3−SiO2とから成る接合層を形成して前
    記両セラミック部材を接合したことを特徴とするセラミ
    ック部材接合法。
  5. 【請求項5】前記セラミック部材の前記接合部は楔形溝
    に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第4
    項に記載のセラミック部材接合法。
  6. 【請求項6】一方の前記セラミック部材は断熱材を介し
    てピストンヘッド部に取り付けられた薄肉円板であり、
    他方の前記セラミック部材は前記ピストンヘッド部を構
    成する外周リングであることを特徴とする特許請求の範
    囲第4項に記載のセラミック部材接合法。
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