WO2002060834A1

WO2002060834A1 - Procede d'assemblage de pieces en ceramique de haute purete

Info

Publication number: WO2002060834A1
Application number: PCT/JP2001/000724
Authority: WO
Inventors: Yoichi Kamisuki; Satohiro Enomoto; Naoshi Irisawa
Original assignee: Asahi Glass Company, Limited
Priority date: 1999-08-13
Filing date: 2001-02-01
Publication date: 2002-08-08
Also published as: US20030035891A1; US7055236B2; JP2001048667A

Description

高純度セラミックス部品の接合方法技術分野

本発明は、ウェハーボートやプラズマエッチヤー装置の治具等、半導体 I ^用治具に主に側される高純度セラミックス部品の接合方法に関し、特に炭化ケィ素からなる高純度セラミックス部品の接合方法に関する。背景技術

酸化拡 ¾ 程や C VD (以下、ィ匕学^ ffi成長法ともいう）工程、また、近年ではプラズマエッチング工程などの半導体^ 装調治具として各種セラミックスカされている。なかでも炭化ケィ素からなるセラミックス（以下、 S i C質セラミックスという）は、熱伝導性、耐熱性、耐酸性に優れる材料であることから半導体製造装 TO部品として広くィ ffflされている。

半導体製造装 TOのセラミックス製品としては、ネ錢佳形 I犬や «开犬が要求されることも多い。しかし、 S i C質セラミックスをはじめとするセラミックスは、一般に難加工 1'生であり、擁職の結体等を一体加工で製造することは困難なことが多く、また «形状についても焼成炉等の製造設備の制約から製造できないことも多い。

従って、通常は、所望の製品を複数個の部品（以下、エレメントともいう）に分割して構成し、それぞれの部品を接合して最糸機品（接合体製品）とすることが行われている。従来、一般的なセラミックス部品の接合方法としては、 «前の扰態でのバインダー類での接合、焼成後での有絲 '鲥縣バインダ一類での齢などが知られているが、 « 前でのバインダー類での接合は、手間がかかり、焼成後では修正がきかないという問題点があり、一方、焼成後のバインダー類による接合は、強度や気密性に劣り、純度も悪くなるという大きな問題があった。また、の ¾ ^方法では、 ¾ί員した製品を修復することは難しかった。

また、特開平 1 0— 8 7 3 7 6号には、 ¾1隹の ¾ ^部位を備えた S i C質部品を組^: 、その接^ ¾位か成する間隙を連通し合うようにして、当該間隙を毛細管作用により溶融 S iを充填'凝固せしめて @ ^する方法が案されているが、間隙を充填する S i部分の耐熱' I生およぴ ¾·酉生について問題が、あつた。

一方、特開平 9— 2 4 9 4 5 5号には、炭素部品を組^:、これを炭養立子を含む麵ィ匕性樹脂接着剤で接合して ¾ ^体とし、当浦合体を接着剤部分を含めて S i Cに転化し、さらにその表面に化学 - 目成長法による S i C被膜を形成する方法が是案されている。しかし、この方法では、樹脂接着剤を用いているので、接部分の強度が弱くなり、また炭素部品を出 ¾¾材とするので工程が多く手間もかかるという問題があった。

また、特開平 9— 1 0 7 0 2 4号には、 S i C被膜を形成した黒鉛製品を製造するに際し、黒鉛製品を面接触により密着させて接続した後、化学^ ffi成長法により S i C被膜を形成することが是案されているが、 ¾ί本部品として強度が弱い黒铅がされているので、面接触で強く密着させることは困難である。また、接合面の間隙部を高温接着剤からなる目地埋め込み材で充填し »理して炭素化し、密着性を確保することも提案されているが、 »的に基体である黒鉛等と S i C被膜とは熱膨張率が異なるので、常に密着性を保持することは難しい。

すなわち、従来、高純度セラミックス部品を簡単に、カゝっ純度を下げることなく接合でき、しかも得られる接合体力搞温強度、耐熱性、耐食性に優れ、複雑形 I犬にも対応可能である接合方法を見出すことは難しかつた。発明の開示

本発明は、複数のセラミックス被接合部品を、所望の接合部位を近接せしめて配置し、前記セラミックス被接合部品の表面に化学目成長法により S i C固定被鶴を形成して前記セラミックス被接^^品を接合することを |敷とする高純度セラミックス部品の接合方法（以下、本接合方法という）を共する。

本接合方法の態様としては、大別して、所望の接合部位を密着させて配置させる場合と、所望の接合部位間に間隙部を設けて配置させる場合とがある。図面の簡単な説明図 1：接合すべき高純度セラミックス部品を示す斜視図である。

図 2：高純度セラミックス部品を側面部を接触させてする状態を示す縦断面図である。

図 3：組合せ体の表面に CVD— S i C固定被覆層を形成する状態を示す縦断面図である。

図 4：高純度セラミックス部品を表面部を接触させて接合する扰態を示す縦断面図である。

図 5：組合せ体の表面に C V D— S i C固定被 S を形成する扰態を示す縦断面図である。

図 6：高純度セラミックス部品を間隔をィ斜寺して側面で接合する状態を示す縦断面図である。

図 7：組合せ体の表面に C V D— S i C固定被覆層を形成する状態を示す縦断面図である。

図 8：組^:体の表面に C VD— S i C固定被覆層を形成する状態を示す縦断面図である o

符号の説明

10 (1) 、 10 (2) ：板状部品、 13 (1) 、 13 (2) ：側面部

15 (1) 、 15 (2) ：表面部 20、 20，：部品の組^:体

23、 23，： 3 固定被廳（外殻） 30， 30，：接合体

200、 200' ：咅 15品の体

230, 230' ： S i C固定被鶴（外殻）

230 d： S i C充填体 300、 300' ：接合体

d ：接^ ¾位表面間距離 e ：上部開口

e' ：下部開口発明を実施するための最良の形態

以下、本発明を詳細に説明する。本接合方法が適用できる高純度セラミックス部品としては、非酸化物系セラミックスや酸化物系セラミックスのほか、金属シリコン、石英ガラス等が使用できる。セラミックスとしては、例えば炭化ケィ素、シリコン、窒ィ匕ケィ素、炭化チタン、窒化アルミニウム、アルミナ、ジルコニァ、石英、ムライト、サイアロン等が挙げられる。なお、本明細書において高純度セラミックスとは概ね不純物が 0. 1 %以下のものをいう。

これらのセラミックスはネ复合化されていてもよい。例えば一つのセラミックスがマトリックスとなり、そのマトリックス中に繊維状や粒子状の他のセラミックスのフイラ一が分散され強化体を形成していてもよい。

また、これらのセラミックスは、多孔質であってもよく、さらにこの空隙部が別のセラミックスで充填されていてもよい。例えば、多孔質の S i C 結体に溶融金属 S iを^! せしめてその空隙を S iで完全に充填し、緻密化 ·ガス不透過性とした S i 畳 S i Cなどが好ましいものとして挙げられる。

また、ィ匕学 ^¾成長法により形成された炭化ケィ素からなる高純度セラミックス部品は、金属不純物の含有量が特に少ないことから半導体製造装置用部品として好ましい。本発明の接合方法は、このようなセラミックスで形成された部品を ¾ ^する方法であるが、部品の形 I犬としては特に限定するものではなく、その絲的な形態としては、例えば円柱状、棒状、円筒状、栃 I犬、シート状、フィルム状、角柱状、プレート状、円錐状、角錐状、球) 1犬等が挙げられる。この接合は同種の形態の部品間、例えば板状部品間だけではなく、異なった形態の部品間においても行われる。例えばネ反状部品と棒状部品、板状部品とシート状部品の間においても行われる。なお、本明細書では、接合される高純度セラミックス部品のことをセラミックス被接合部品とレ、い、また接合とはネ复数のセラミックス被接^ ¾品を最終的に一体とすることをいう。

これらの部品は、通常そのセラミックスの原料ネ分末を、所望の型により成形した後、焼結することによって得られるが、部品の开^ I犬が板状、シート状、フィルム状の場合は、ィ匕学目成長法により形成することも可能である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。本接合方法は、複数のセラミックス被接合部品をその^ ¾位を近接せしめて配置するものであり大別すると 2つの態様がある。すなわち、その接合部位が触するまで近接せしめる場合と間隙部を設けるように近接させる場合である。

まず接^ ¾位を接触せしめて配置する（以下、単に接触配置と略す）場合について説明する。接触配置の場合、複数のセラミックス被 « ^部品を、齡部位カ触するように配置して組合わせ、まず部品の組^:体を構成する。

ここで高純度セラミックス部品として図 1に示すような二つの板状部品 1 0 (1) 、 1 0 (2) について、その，』面咅 151 3 (1) 、 1 3 (2) や表面咅 (1) 、 1 5 (2) で接合する場合を考える。

まず、側面部での接合を考察する。

接合咅位である、側面部 1 3 (1) 、 1 3 (2) は、その表面の密着性を ¾雀保するようられ、図 2に示すように、組^:体 20を構成する。

接 ^fM立の接触を充分なものとするためには、両者が接触で密着することが好ましく、 ¾ ^的に両側面は平行であって反り等が無く、その表面が隙間無く重なり合うと、強固に接合された組合せ体 20が形成できるため好ましい。

さらに両表面は、良く研磨処理され、表面の平均表面粗さ R aが 1 m以下、好ましくは 0. μ m以下であり、最大表面粗さ Rm a X力 s 3〃 m以下、好ましくは 1. 5 μ mであることかましい。平均表面粗さ R aが 1 m以下で、力つ最大表面粗さ R m a Xが 3 μ m以下であるとさらに好ましい。なお、平均表面粗さ R a及び最大表面粗さ R m a Xは、電子式表面粗さ計を用いて J I SB-060 1等に従って測定できる。

さらに好ましくは、 ¾ ^部位の表面を鏡面加工し、充分な平滑度及び平坦度を確保することにより、接^ ¾位の表面の密着性は、一層向上する。

次に、接触配置の場合は、図 3に示すように、この部品の組^:体 20の表面に、化学目成長法による S i C (以下、 CVD— S i Cという）の固定被稱罾 23を形成する。すなわち、硬度の高い S i C被膜がこの組^:体 20の外表面全体を被覆する高 ¾ ^の外殻（シェル）となり、内部の組^:体 20がこの外殻により完全に固定され、全体として強固な接合体 30が形成されるのである。

この接合体 3 0は、板状部品を側面部で接合することにより、厚みが一定のより広い表面積を有するネ犬部材としたものである。

一方、二つの板状部品 1 0 (1) 、 1 0 (2) の表面部 1 5 (1) 、 1 5 (2) での接合も同様にできる。この板状部品の表面同志の ¾ ^により、セラミック積層体が！^成される。この態様も本発明の重要なものの一つである。

接合部位である、表面部 1 5 ( 1 )、 1 5 ( 2 ) は、その表面が分に接触するように重ねて組^:られ、図 4に示すように、積層された部品の組^:体 2 0 ' を構成する。側面の接合の場合と同様に、両表面が面接触で密着する程、すなわち、両表面がよく研磨処理され、表面の平均表面粗さ R aが 1 / m以下および Zまたは最大表面粗さ Rm a x が 3 m以下、であると充分な接触がなされ好ましい。ただし、積層体の場合は、面接触させるべき表面積が大きいので、その全面で ί妾触させるためには、表面の平坦度や平行度がよい程さらに好ましい。

側面の接合の場合と同様にして、図 5に示すように、この組^:体 2 0，の表面に、 C V D - S i C固定被覆層 2 3，を开诚する。かくして、高の5 i C被 B臭が'この翻^: 体の外表面全体を被覆する外殻（シェル）となり、内部の積層状の組^:体が完全に固定され、全体として強固な接合体 3 0，が'形成される。

本明において、高純度セラミックス部品を接合する際に形成される S i C固定被 ¾1 の厚みは、 2 0〜2， 0 0 O /z m、好ましくは 3 0〜： 1 , 0 0 0 m、さらに好ましくは 5 0〜 8 0 0 mとするのかましい。これより薄レ Βϋ¥では、充分な強度又は剛性が得られない。また、あまり厚い膨の場合は、これを化学目成長法により形成するのに極めて長時間を要するため、生産性が低下し、コスト的に不利である。

高純度セラミックス部品の組^:体は、力一ボンや S i C質セラミックスの^ f治具等により保持されて、 C VD炉内に設置され、 C VD— S i C膜が形成される。なお、 C V D— S i C膜は、組^:体の表面に形成されるだけでなく、これら保持治具の表面にも形成されるので、 C V D— S i C膜による組^:体の被覆を行う際に、組^:体が辦治具とも接合されてしまう。従って、これらの辦治具は、高純度セラミックス部品の接合後にサンドプラストゃ切削加工により、接合体から除去されることが好ましい。

次に、所望の接合部位間に間隙部を設けて配置（以下、単に間隙部配置と略す）する場合について説明する。間隙部配置においては、接合すべき複数の高純度セラミックス部品を、その接^ ¾位の表面間距離を保持するようにして組み合わせ、間隙部を有する部品の組^:体を構成する。接触配置の場合と同様にして、図 1に示すような二つのセラミックス板状部品 1 0 (1 ) 、 1 0 (2) について、その側面部 1 3 (1) 、 1 3 (2) や表面部 1 5 (1) 、 1 5 (2) を接合する場合を考える。

まず、側面部での接合を考えると、接^ ¾位である、側面部 1 3 (1) 、 1 3 (2) は、図 6に示すように、間隔（接合部位の表面間距離） dを保持するように組合せ、部品の B^:体 2 00を構成する。

間隔 dは、 1 0〜1， 000 mとすると好ましい。間隔 dが 1 0 m未満であると、当該隙間に C V Dの原料ガスが分に入っていかず接^ ¾分の強度が弱くなるため好ましくなく、また、間隔 dが 1， Ο Ο Ο μΐηを超えると、その隙間を埋めるのに^!:の原料ガスが必要となるほか、 C V D時間も長時間となりコスト的に不利となる。

間隙配置の場合には、 ^"部位に間隔 dを設け、この間隔を、 CVD— S i Cで充填するため、接^ ¾位間がより高強度に接合される。

間隙配置の場合にも、接^ ¾位表面が、良く研磨処理され、表面の平均表面粗さ R aが 1 μ m以下、好ましくは 0. 5 μ m以下であり、最大表面粗さ Rm a x力 ^s3 m以下、好ましくは 1. 5 μ mであると、原料ガスが均等に入りやすく、原料ガスの f!E分布が均一化し、間隙部分の接合体に空隙が形成されにくくなるため望ましい。平均表面粗さ R a力 s 1 μ m以下で、かつ最大表面粗さ R m a Xが 3 m以下であるとさらに好ましい。

最終的には、図 7に示すような接合体 300力 s得られる。すなわち、 CVD— S i C固定被聽冒 230か Ί¾¾ ^の外殻（シェル）となり、セラミックス板) It部品 1 0 (1) 、 1 0 (2) を完全に固定し、また接合部位の間隔 dを充たしている S i C部（230 d) と、この固定被 ¾1230とは、その上部開口 e及び Ύ部開口 e，において連続して一体となっている。

同様にして、板状部品を表面部で接合し、図 8に示す如き積層体（接合体） 300，を形成することも可能である。

なお、図 8のように、部品を表面部を離隔して積層させる場合には、両者を垂直に立ててその間隔 dを保持したり、カーボンや S i C質のスぺーサを表面部間に挿入して間隔 d を保持することが好ましい。これらのスぺーサは、実質的に問題が無い場合は、製品である接合体中（S i C被膜中）にそのまま残存させてもよいし、必要に応じて接合体からサンドブラストゃ切削加工により取り除くこともできる。

なお、本発明においては、接合体を形成する部品の一方の表面に突出部（凸部、雄部、突条部）を、他方にこの突出部がしうる嵌合部（凹部、雌部、溝部）を形成することにより、高純度セラミックス部品同志の接合をより確実にすることもできる。

以上のようにして配置した高純度セラミックス部品の組せ体が、カーボンや S i c質セラミックスの保持治具等によりされて、 CVD炉内にされ、 CVD—S iC膜が开诚されることは接触配置の場合と同様である。

本発明を実施するための CVD炉としては、特に限定されるものではないが、横型タイプ、縦型タイプ、ベルジャータイプ等が好ましく側され、また力 d熱方法としては、直接通電法、高周波誘導加熱またはレーザーカロ熱法が適用される。

CVD— S i C膜は、鉢的に、 1， 000〜1， 600°C、好ましくは 1， 100〜 1, 500°Cの非酸化性雰囲気中に原料ガスを導入することにより堆積される。

原料ガスとしては、（1) S iと Cを異なる化勿より供給する原料ガス系、例えば、 S iC l₄と CH₄、 S iCl₄と C₃H₈、 51 ( 1₄と( ₆11₁₄、 S i Cl₄と CC1₄、 S i ₂H₆と CH₄等でもよいし、（2) または S iと Cを同一化合物より供給する原料ガス系、例えば、 CH₃S i C 1₃、（CH₃) ₂S iCl₂、（CH₃) ₃S iCl、 (CH₃) ₄ S i、 CH₃S i HC 1₂であってもよレ。これら原料ガスは、 H₂、 He、 A r等のキヤリャガスとともに炉内に導入される。

CVD-S i C膜形成時の圧力については、特に限定はないが、部品の組^:体の間隙部内にまで原料ガスを充分導入し、この間隙部を実質的に完全に S iCで充填するために、 l〜300To r r、好ましくは 10〜100To r r程度のl ffiとすることがましい ο

すでに述べたように、上記した CVD条件により、接合すべき部品としての板状、シート状、フィルム状、 #ί反状の S i Cを予め形成すること力できる。すなわちこの場合は、として黒鉛やカーボンの *f本をィ¾¾し、この上に所望の厚みの S iC被膜を形成し、の黒鉛等は、後で空気中、 1， 000°C程度の温度で熱分解する等の手段により除去して薄板状の S i C (CVD-S i C) を得ることができる。

なお、本発明により得られる高純度セラミックス部品の接合体を、半導体の製造装翻治具として用いる場合には、接合する高純度セラミックス部品としては、不純物の少ないものがましく、特に^!不純物の合言†iが 40 p p m以下、好ましくは 30 p p m以下、さらに好ましくは 20 p p m以下、最も好ましく 1 0 p p m以下であることがましいここに云う金属不純物とは、 S iを除く、 F e、 Cu、 Mg、 V、 N i、 Mn、 Na、 K、 A 1等であり、ウエノ、に取り込まれ、半導体デバイスに対し、絶禄抵抗の低下や S i 0₂の耐電圧低下さらには p n接合リーク不良等を引き起こす可能性のある有害な元素でめる。

また、この高純度セラミックス部品の表面に形成される CVD— S i C被覆層の純度は、金属元素合計量が 5 O p p b以下、好ましくは 30 p p b以下、さらに好ましくは 1 0 p p b以下であること力ましい。

実施例

以下、本発明を実施例により詳細に説明する。

( 1 ) 高純度セラミックス部品の趣^:体の开成

〔実施例 1〕

まず、セラミックス被接 ^¾品として、図 1に示したような 4 c m角で厚みが 1 mmの /?型結晶構造をもつ CVD— S i Cウェハを 2¾ϋ備した。なお、 CVD— S i Cウェハの平均表面粗さ R aは 0. 2 μ mであり、最大表面粗さ R m a xが 2. 0 μ mであつた。これらの部品を、その両端をカーボン治具（図示せず）で押さえ、図 2に示したようにして、その側面で接触させて配置した。すなわち、 2つの部品を、 4 cmX 8 cmX l m mの形 I犬の部品の組^:体を形成するように密着させた。

〔実施例 2 )

セラミックス被接合部品として、実施例 1と同じ CVD— S i Cウェハを 2枕準備した。これを図 4に示したようにして 2枚の表面を接触させて積層して設置した。

〔実施例 3〕

実施例 1と同じ CVD— S i Cウェハを 2稱備した。続いて、カーボン治具を用いて 2枚のウェハー部品が T字型になるように配置した。

〔実施例 4〕実施例 1と同じ CVD— S i Cウェハを 2枚準備した。 2枚のウェハを図 6に示すように、側面部間隔 dが 50 0 μ mになるように配置し組^:体とした。

〔実施例 5〕

髙純度セラミックス部品として S i 受 S i Cウェハを用いた以外は、実施例 1と同様にして 2枚のウェハを配置した。なお、 S i 受 S i Cウェハの平均表面粗さ R aは 0. 2 μ mであり、最大表面粗さ Rm a x力⁵、 2. 2 μ mであった。

(2) CVD—S i C固定被 Slfの开成

続いて、実施例 1〜 5で配置した高純度セラミックス部品の組^:体を CVD炉内に設置し、真空中 1， 000°Cに加熱してベーキング処理を行った。すなわち、この) Iえ態で H ₂ガスを導入し、 1 00 T 0 r rに圧力調整して 60分間保持した。続いて、 1 5°CZ分の昇度で加熱して 1， 2 50 °Cの成膜温度まで昇温させた。

その後、 S i Cの固定被鶴形成用の原匕勿として CH₃S i C 1₃を導入し、高純度セラミックス部品の表面にそれぞれ 250; mの CVD— S i C固定被を形成した o

なお、実施例 1〜 5について接合前と接合後の表面の金属不純物髓を測定した。実施例 1〜4では、接合前、接合後ともに 4 O p p bであった。また実施例 5では、接合前が、 1 8 p pm, 接合後が 4 5 p p bであった。

CVD-S i C固定被漏の形成された接合体をカーボン治具から取り外すことにより、それぞれ S i C接合体が得られた。これら接合体をインストロン試謝幾で引張試験を行つたが、引張強度は非常に高く、接分の強度は他の部分と比較しても劣らないものとなっており、純度 ·耐酸性にも優れた接合体であることがわかった。

〔比較例 1〕

実施例 1と同様に 4 cm角 lmm厚の CVD— S i Cウェハを 2柳備した。接着剤として、変性フエノール樹脂を 65質量％と鱗状天然黒錯粉末 3 5質量⁰ /₀とを練したものを用い、実施例 1と同様に密着させた。

続いて、空気中で 200°Cに加熱し、接着剤を硬化させ、さらに非酸化性雰囲気中にて 1， 000°Cまで昇温して接着剤中の樹脂を炭化した。このようにして S i C接合体を得た。接着剤層の厚みは、 200 となっていた。 ( 3 ) 曲け搬及ぴ删顧生

実施例 1、実施例 4および比較例 1で得られた齡体を用いて曲け度およぴ獵衝撃性の評価を行った。

①曲げ強度

J I S R 1 6 0 1に規定された方法に準拠し、 S i Ci鈴体の室温での 4点曲け度を測定した。

③耐謹撃性

サーマルショック法により耐熱衝撃性の言 j西を行った。 S i C接合体をカロ熱した後、水中投下して急冷することにより温度差を与え、 S i C接合体の強度変化を測定した。表 1に、強度変化が急激となる最低の差（耐謝奇撃温度 Δ Τ) の値を曲け度の値と共に示す。

産業上の利用可能性

本発明の高純度セラミックス部品の接合方法によれば、従来の接合方法に比べて、複雑纖ゃ大型开^!犬を有し、高強度で、耐熱性、耐酸性に優れ、かつ高純度であるセラミックス接合体が簡単に得られる。

特に、高純度セラミックス部品が C VD— S i Cや S i -^f S i C等からなる S i C質部品である場合、 C VD- S i Cで固定被 P1を开诚すると、高純度セラミックス部品と固定被覆層が »的に同レベルの高純度の S i C質の材質となり、高強度で、耐熱性、耐酸性に優れ、しかも純度レベルの高レ接合体が得られる。

また、本発明の接合方法は、種々.の大きさの高純度セラミックス部品の接合にでき、例えば数 mmの小さな部品から、 l mを超える大きな部品の接合にまでできる。本発明の方法によれば、種々の开^ tの高純度セラミックス部品の接合が可能であり、ゥェハボート等のネ纖开犬の治具を^ tする際に部品どうしを^^するのに適している。このように本発明の方法によって得られるセラミックス接合体は、耐熱性や耐酸 i生に優れ、高強度でかつ高純度の半導体製造用治具として好適にィ柳される。

さらに本発明の接合方法によれば、従来の接合方法では不可能であつたした高純度 s i c治具等の修復も可能となる。また、本発明の方法は、半導体程以外の用途においても同様に翻される。

Claims

請求の範囲

1 . 複数のセラミックス被接合部品を、所望の接^^位を近接せしめて配置し、前記セラミックス被接合部品の表面に化学目成長法により S i C固定被翻を形成して前記セラミックス被接^ ¾品を接合することを ¾とする高純度セラミックス部品の方法 o

2 . 所望の接合部位を接触させて配置させる請求項 1記載の高純度セラミックス部品の接合方法。

3 . 所望の接合部位間に間隙部を設けて配置させる請求項 1記載の高純度セラミックス部品の接合方法。

4 . 間隙部の表面間距離が 1 0〜； 1， 0 0 0 mである請求項 3記載の高純度セラミックス咅 15品の接合方法。

5 . 前記接合部位表面の、表面平均表面粗さ R aが 1 m以下で、かつ最大表面粗さ R m a Xが 3 m以下である請求項 1、 2、 3または 4記載の高純度セラミックス部品の接合方法。

6 . 前記 S i C固定被の厚みが 2 0〜 2 0 0 0 mである請求項 1〜 5のいずれか記載の高純度セラミックス部品の接合方法。

7 . 高純度セラミックス部品が S i Cからなる請求項 1〜 6のいずれか記載の高純度セラミックス部品の接合方法。

8 . 高純度セラミックス部品が化学^ ffi成長法により形成された炭化ケィ素からなる請求項 7記載の高純度セラミックス部品の接合方法。

9 . 高純度セラミックス部品が S iを曼した S i Cからなる請求項 7記載の高純度セラミツクス部品の接合方法。

1 0 . 請求項 1〜 9のいずれかに記載の方法により接合されたセラミックス接合体からなるセラミックス製品。