JP4059425B2 - CVD−SiC自立膜構造体 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、CVD−SiC自立膜構造体に関し、より詳細には、CVD法により形成されるSiCによって構成され、各種構造部材、特に、半導体製造装置用部材に好適に用いることができるCVD−SiC自立構造体に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造装置においては、近年、シリコンウエハの大口径化、それに形成される回路素子の高集積化等に伴い、枚葉化および高速熱処理プロセス技術が進行している。このため、装置で使用される部材についても、軽量化、低熱容量化等の特性が要求されるようになってきた。
このような半導体製造装置用部材の材料としては、耐熱性や耐薬品性等に優れた特性を有することから、SiCが頻繁に使用されている。
【0003】
上記のようなSiCを用いた部材の製造方法としては、例えば、特開平4−358068号公報に開示されているように、基材をCVD−SiCにより被覆する方法がある。また、特開平6−188306号公報、特開平7−188927号公報等に開示されているように、基材表面にCVD−SiC膜を形成した後、基板を除去することにより、CVD−SiC自立膜構造体として、SiC成形体が得られることが知られている。
【0004】
しかしながら、上記製造方法により得られたSiC成形体は、結晶構造の異方性等に起因して、亀裂が生じやすく、反りが大きい、また、機械的強度に劣る等の問題点を有するものであった。
【0005】
したがって、これらの問題点を解決するために、種々のSiC成形体の製造技術が検討されている。
例えば、特開平8−188408号公報には、CVD法により形成されたSiC基板の両面に、SiC膜をコーティングすることにより、亀裂や反りが抑制されたSiC成形体が得られることが開示されている。
また、特開2001−158666号公報には、CVD−SiC膜からなる圧縮残留応力層および引張応力残留層を交互に複数回積層し、厚さ方向の両側に圧縮残留応力層を配置することにより、反りを解消し、さらに、機械的強度を向上させたSiC成形体が得られることが開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記CVD−SiC成形体を、例えば、エピタキシャル成長用装置の部材として用いた場合、CVD法によるSiCの生成温度は900〜1300℃であり、エピタキシャル成長プロセス温度である1000〜1250℃に近いため、該部材は、消耗しやすく、耐久性に劣るという課題を有していた。また、部材の消耗によって、CVD−SiC成形体の表面が荒れてしまい、ウエハを汚染するパーティクルの発生源となる場合もあった。
【0007】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、結晶性の良好なCVD−SiC膜を形成することにより、反り等の変形の抑制および機械的強度の向上を図るとともに、消耗によるパーティクルの発生を防止することができ、半導体製造装置用部材に好適なCVD−SiC自立膜構造体を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体は、1000〜1200℃でのCVD法により形成されたSiC基板の両面に、1500〜2000℃でのCVD法により形成されたSiC膜を有するCVD−SiC成形体であって、SiC結晶の成長方向に垂直な断面において、前記SiC基板を構成するSiC結晶と、前記SiC膜を構成するSiC結晶の両方が存在している部分であるSiC基板とSiC膜との界面は、SiC膜を構成するSiC結晶が、SiC基板にくさび状に食い込んだ構造からなり、前記SiC基板を構成するSiC結晶は、平均粒径が15μm以下であり、前記SiC膜を構成するSiC結晶は、前記界面における平均粒径が20μm以上40μm以下、かつ、膜表面における平均粒径が40μm以上200μm以下であることを特徴とする。
このように、SiC膜によって挟み込まれた内側のSiC基板よりも、外表面のSiC膜の方が、SiC結晶の粒径が大きく、しかも、SiC膜を構成するSiC結晶が、SiC基板にくさび状に食い込んだ構造を有しているため、密着性が良好であり、CVD−SiC成形体の消耗および劣化が抑制され、耐久性および機械的強度の向上を図ることができる。
【0009】
前記SiC基板は、25℃から1000℃まで昇温した際の熱膨張係数が4.20×10-6/K以上4.40×10-6/K以下であり、かつ、前記SiC膜は、25℃から1000℃まで昇温した際の熱膨張係数が4.70×10-6/K以上4.90×10-6/K以下であることが好ましい。
このように、内側のSiC基板より外表面のSiC膜の方が、熱膨張係数が大きいことにより、外表面のSiC膜における圧縮残留応力が高くなるため、機械的強度等の観点から好ましい。
【0010】
また、前記SiC基板の厚さに対するSiC膜の厚さの比が、0.2以上1以下であることが好ましい。
機械的強度等の観点から、適度な残留応力特性を得るために、SiC基板とSiC膜との厚さの比を規定したものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について、添付図面を参照して、より詳細に説明する。
図1に、本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体の結晶成長方向における断面を模式的に示す。図1に示すように、本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体は、1000〜1200℃でのCVD法により形成されたSiC基板1の両面に、1500〜2000℃でのCVD法により形成されたSiC膜2を有する構造からなるSiC成形体である。そして、前記SiC基板1とSiC膜2との界面は、SiC膜2を構成するSiC結晶が、SiC基板1にくさび状に食い込んだ構造からなる。すなわち、SiC基板1を両面から、SiC膜2が噛み合わせた構造を有する。
【0012】
図2に、本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体のSiC基板とSiC膜との界面を含む箇所におけるSiC結晶の成長方向に垂直な断面を模式的に示す。すなわち、図2は、図1におけるA−A’断面図である。
本発明においては、前記SiC基板1を構成するSiC結晶1aは、平均粒径が15μm以下であり、前記SiC膜2を構成するSiC結晶2aは、前記界面における平均粒径が20μm以上40μm以下、かつ、膜表面における平均粒径が40μm以上200μm以下である。
したがって、SiC膜2を構成するSiC結晶2aの平均粒径は、SiC基板1を構成するSiC結晶1aの平均粒径よりも大きく、しかも、SiC基板1にくさび状に食い込んでいるため、SiC基板1とSiC膜2は、密着性が良好であり、優れた機械的強度が得られる。
【0013】
ここで、本発明でいう平均粒径とは、光学顕微鏡やSEM等によって、図2に示すようなSiC基板1およびSiC膜2を構成する各SiC結晶1a、2aのうち、任意の各10個の最大径の平均値を求め、これをSiC基板1およびSiC膜2を構成する各SiC結晶1a、2aの平均粒径としたものである。
【0014】
SiC基板を構成するSiC結晶の平均粒径が15μmを超える場合は、SiC基板内に圧縮残留応力が蓄積され、大きな反りを生じたり、クラックが発生するため、歩留りが低下することとなる。
また、SiC膜表面におけるSiC結晶の平均粒径が40μm未満である場合は、十分な残留応力特性を有する膜が形成されにくい。
一方、SiC膜表面におけるSiC結晶の平均粒径が200μmを超える場合は、圧縮残留応力が過剰に蓄積され、変形が生じやすくなる。
【0015】
従来のCVD−SiC成形体は、CVD法により形成されるSiC基板とSiC膜とは、形成温度の差が小さく、粒径、熱膨張係数等がほぼ同等であり、結晶形態も同様であった。
【0016】
本発明においては、CVD法により形成されるSiCは、高温で生成するほど、結晶性が向上することから、CVD法により形成したSiC基板の両面に、該SiC基板よりも高温でSiC膜を形成させることにより、SiC膜を構成するSiC結晶が、SiC基板を構成するSiC結晶よりも結晶性が良好であり、より粒径が大きくなるようにしたものである。
このように、CVD−SiC自立膜構造体においては、SiC膜によって挟み込まれた内側のSiC基板よりも、外表面のSiC膜の方が、SiC結晶の粒径が大きいことによって、CVD−SiC成形体の消耗および劣化が抑制され、耐久性および機械的強度の向上を図ることができる。
【0017】
また、CVD法により結晶粒径が大きいSiC膜を形成する場合、SiC基板の表面に形成されたSiC結晶またはSiC膜として先に形成されたSiC結晶を核として、SiC基板にほぼ垂直な方向に、柱状のSiC結晶が成長する。そして、個々のSiC結晶は、柱状のSiC結晶粒が徐々に柱が太くなるように成長し、隣接する結晶粒同士が押し合い、膜表面を押し広げようとする圧縮応力がSiC膜に蓄積される。
また、SiC膜を構成するSiC結晶は、上記のように、SiC基板を構成するSiC結晶よりも結晶性が良好であることから、熱膨張係数もより大きく、このため、SiC基板とSiC膜との熱膨張係数の差が大きくなり、SiC基板に引張応力、SiC膜に圧縮応力が残留する。
このように、CVD−SiC自立膜構造体においては、内側のSiC基板より外表面のSiC膜の方が、熱膨張係数が大きく、外表面のSiC膜における圧縮残留応力が高いことも、機械的強度等の観点から好ましい。
【0018】
具体的には、25℃から1000℃まで昇温した際のSiC基板の熱膨張係数は4.20×10-6/K以上4.40×10-6/K以下であり、かつ、25℃から1000℃まで昇温した際のSiC膜の熱膨張係数は4.70×10-6/K以上4.90×10-6/K以下であることが好ましい。
25℃から1000℃まで昇温した際に、SiC基板の熱膨張係数が4.20×10-6/K未満である場合、または、SiC膜の熱膨張係数が4.90×10-6/Kを超える場合は、SiC基板とSiC膜との熱膨張係数の差が大きすぎてしまい、反り等の変形が生じてしまう。
一方、25℃から1000℃まで昇温した際に、SiC基板の熱膨張係数が4.40×10-6/Kを超える場合、または、SiC膜の熱膨張係数が4.70×10-6/K未満である場合は、SiC膜との熱膨張係数の差が小さすぎるため、十分な残留応力特性を得ることができない。
【0019】
また、本発明においては、SiC基板の厚さに対するSiC膜の厚さの比が、0.2以上1以下、すなわち、0.2≦SiC膜厚/SiC基板厚≦1であることが好ましい。
SiC膜厚/SiC基板厚が0.2未満である場合、十分な残留応力特性を得ることができず、また、機械的強度が低下してしまう。
一方、SiC膜厚/SiC基板厚が1を超える場合、SiC膜に蓄積される残留応力が増加し、大きな反りを生じたり、クラックの発生等により、歩留りが低下する。
【0020】
本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体の製造方法は、特に限定されるものではないが、例えば、以下の方法により製造することができる。
まず、カーボン基材、タングステン基材またはモリブデン基材等、焼成または化学的処理によって容易に除去可能な基材を、ジクロルシラン、エチレンおよび水素を含む比較的水素濃度の低い混合ガス雰囲気下で、1000〜1200℃に加熱し、CVD法により、前記基材表面にSiC結晶の平均粒径が15μm以下、厚さ100〜300μm程度の基板用SiC膜を形成する。
次いで、前記基材を焼成または化学的処理によって除去し、残ったSiC膜を、本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体のSiC基板とする。
【0021】
得られたSiC基板を反応室内に設置し、例えば、炭素粉末とシリカ粉末との混合粉末等のC源およびSi源を導入し、約1Torr以下、好ましくは0.5Torr以下の減圧下、1500℃以上、好ましくは1500〜2000℃に加熱して、CとSiを反応させる。このようにして、SiC基板の両面に厚さ40〜150μm程度のCVD−SiC膜を形成することにより、本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体が得られる。
なお、SiC膜を構成するSiC結晶の平均粒径は、SiC膜成長時間および反応温度等を適宜調整することにより、調節することができる。
【0022】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により制限されるものではない。
[実施例1]
直径200mm×厚さ5mmの円盤状の等方性黒鉛(かさ密度1.88g/cm3、表面粗さRmax20μm、熱膨張係数4.6×10-6/K(25〜450℃)、灰分5質量ppm)を基材として用いて、ジクロルシラン、エチレンおよび水素の混合ガス雰囲気下で、1000〜1200℃に加熱し、SiC結晶の平均粒径が10μm、厚さ200μmの基板用SiC膜を形成した。
次いで、大気中、800℃で24時間保持(灰化法)により、等方性黒鉛基材を除去して、厚さ200μmのSiC基板を得た。
得られたSiC基板を、0.5Torr以下の減圧下、1500〜2000℃に加熱し、前記SiC基板の両面に、厚さ150μmのCVD−SiC膜を形成し、全体の厚さが500μmのCVD−SiC自立膜構造体を作製した。
得られたCVD−SiC自立膜構造体について、SiC膜を構成するSiC結晶の平均粒径、外観、反り量、曲げ強度について評価および測定を行った。
また、消耗試験として、得られたCVD−SiC自立膜構造体について、HCl+H2雰囲気下で、1100℃で、100時間放置し、その重量減少量を測定した。
これらの結果を表1に示す。
【0023】
[実施例2、3]
表1の実施例2、3に示すSiC基板およびSiC膜を構成するSiC結晶の平均粒径およびSiC膜の厚さとして、それ以外については、実施例1と同様にして、CVD−SiC自立膜構造体を作製した。
得られたCVD−SiC自立膜構造体について、実施例1と同様にして、評価および測定を行った。
これらの結果を表1に示す。
【0024】
[比較例1]
実施例1と同様にして得られたSiC基板の両面に、ジクロルシラン、エチレンおよび水素を含む混合ガス雰囲気下で、1000〜1200℃に加熱し、SiC結晶の平均粒径10μm、厚さ150μmのSiC膜を形成し、全体の厚さが500μmのCVD−SiC自立膜構造体を作製した。
得られたCVD−SiC自立膜構造体について、実施例1と同様にして、評価および測定を行った。
これらの結果を表1に示す。
【0025】
[比較例2、3]
表1の比較例2、3に示すSiC基板およびSiC膜を構成するSiC結晶の平均粒径およびSiC膜の厚さとして、それ以外については、実施例1と同様にして、CVD−SiC自立膜構造体を作製した。
得られたCVD−SiC自立膜構造体について、実施例1と同様にして、評価および測定を行った。
これらの結果を表1に示す。
【0026】
【表1】
【0027】
表1に示したように、SiC基板を構成するSiC結晶の平均粒径が15μm以下であり、SiC膜を構成するSiC結晶は、前記SiC基板との界面における平均粒径が20μm以上40μm以下、かつ、膜表面における平均粒径が40μm以上200μm以下であるCVD−SiC自立膜構造体(実施例1〜3)は、反りが抑制され、機械的強度も大きいことが認められた。
また、消耗試験において、重量減少は認められなかったことから、該CVD−SiC自立膜構造体は、半導体製造装置用部材として好適に用いることができると言える。
【0028】
一方、SiC基板との界面において、SiC基板を構成するSiC結晶の平均粒径が20μm未満である場合(比較例1)は、大きな反りを生じ、機械的強度も小さく、消耗試験においても、消耗が激しかった。
また、膜表面において、SiC膜を構成するSiC結晶の平均粒径が40μm未満で、SiC膜厚/SiC基板厚が0.2未満である場合(比較例2)は、反りがやや大きく、機械的強度も十分ではなかった。
また、SiC基板を構成するSiC結晶の平均粒径が15μmを超え、膜表面において、SiC膜を構成するSiC結晶の平均粒径が200μmを超えるCVD−SiC自立膜構造体(比較例3)は、大きな反りが生じ、クラックが発生した。
【0029】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体は、反り等の変形が抑制され、かつ、機械的強度に優れており、高純度、緻密性、耐熱性、耐薬品性等の特性が要求される各種構造部材に好適である。
また、本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体は、消耗しにくく、耐久性に優れ、また、パーティクルの発生を防止することができるため、特に、搬送用もしくは半導体熱処理装置内でのウエハ支持用ホルダー(平板状、リング状)、均熱管、ダミーウエハ、ガス導入管等の半導体製造装置用部材として好適に用いることができる。これにより、シリコンデバイス等の製造工程における歩留まりの向上にも寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るCVD−SiC自立膜構造体の結晶成長方向における断面を模式的に示した図である。
【図2】図1におけるA−A’断面を模式的に示した図である。
【符号の説明】
1 SiC基板
1a SiC結晶
2 SiC膜
2a SiC結晶
Claims (3)
- 1000〜1200℃でのCVD法により形成されたSiC基板の両面に、1500〜2000℃でのCVD法により形成されたSiC膜を有するCVD−SiC成形体であって、
SiC結晶の成長方向に垂直な断面において、前記SiC基板を構成するSiC結晶と、前記SiC膜を構成するSiC結晶の両方が存在している部分であるSiC基板とSiC膜との界面は、SiC膜を構成するSiC結晶が、SiC基板にくさび状に食い込んだ構造からなり、
前記SiC基板を構成するSiC結晶は、平均粒径が15μm以下であり、
前記SiC膜を構成するSiC結晶は、前記界面における平均粒径が20μm以上40μm以下、かつ、膜表面における平均粒径が40μm以上200μm以下であることを特徴とするCVD−SiC自立膜構造体。 - 前記SiC基板は、25℃から1000℃まで昇温した際の熱膨張係数が4.20×10-6/K以上4.40×10-6/K以下であり、かつ、前記SiC膜は、25℃から1000℃まで昇温した際の熱膨張係数が4.70×10-6/K以上4.90×10-6/K以下であることを特徴とする請求項1記載のCVD−SiC自立膜構造体。
- 前記SiC基板の厚さに対するSiC膜の厚さの比が、0.2以上1以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のCVD−SiC自立膜構造体。
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