JPH03257089A - 炭化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方法 - Google Patents
炭化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03257089A JPH03257089A JP2053156A JP5315690A JPH03257089A JP H03257089 A JPH03257089 A JP H03257089A JP 2053156 A JP2053156 A JP 2053156A JP 5315690 A JP5315690 A JP 5315690A JP H03257089 A JPH03257089 A JP H03257089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- silicon
- layer
- film
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 139
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 120
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 75
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 33
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、シリコンウェハ等の半導体ウェハに熱処理や
拡散処理等を施す際に、サセプターポート等として用い
られる炭化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方
法に関する。
拡散処理等を施す際に、サセプターポート等として用い
られる炭化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方
法に関する。
［従来の技術］
従来、この種の炭化けい素コーティング黒鉛製品は、熱
伝導性がよく高周波話導加熱により均一に加熱できると
共に、耐熱衝撃性に優れ、かつ高純度化が可能である黒
鉛が基材として用いられるが、黒鉛は多孔質であり、吸
蔵したガスを半導体クエへの処理中に放出するのを防止
するため、例えば第６図に示すように、黒鉛基材１１に
ＣＶＤ（化学蒸着）法等の気相成長法により炭化けい素
（Ｓ ｉ Ｃ）の柱状結晶からなる炭化けい素＠１２を
形成して構成されている。
伝導性がよく高周波話導加熱により均一に加熱できると
共に、耐熱衝撃性に優れ、かつ高純度化が可能である黒
鉛が基材として用いられるが、黒鉛は多孔質であり、吸
蔵したガスを半導体クエへの処理中に放出するのを防止
するため、例えば第６図に示すように、黒鉛基材１１に
ＣＶＤ（化学蒸着）法等の気相成長法により炭化けい素
（Ｓ ｉ Ｃ）の柱状結晶からなる炭化けい素＠１２を
形成して構成されている。
図中１３は炭化けい素の微結晶からなる初期層で、通常
、ｃｖｐ法による炭化けい素膜１２の形成に先立って形
成される。
、ｃｖｐ法による炭化けい素膜１２の形成に先立って形
成される。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来の炭化けい素コーティング黒鉛
製品においては、半導体ウェハの処理に伴うヒートサイ
クル（例えば、常温：：１２００℃）の繰り返しによる
熱応力によって炭化けい素膜の結晶粒界に沿ってクラッ
クを生じ、炭化けい素膜の剥離を早期に生ずる問題があ
る。
製品においては、半導体ウェハの処理に伴うヒートサイ
クル（例えば、常温：：１２００℃）の繰り返しによる
熱応力によって炭化けい素膜の結晶粒界に沿ってクラッ
クを生じ、炭化けい素膜の剥離を早期に生ずる問題があ
る。
そこで、本発明は、黒鉛基材と炭化けい素膜との熱的、
機械的なマツチングに優れ、寿命を大幅に延ばし得る炭
化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方法の提供
を目的とする。
機械的なマツチングに優れ、寿命を大幅に延ばし得る炭
化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方法の提供
を目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記課題を解決するため、′ｓ１の発明は、黒鉛基材に
気相成長法による炭化けい素膜を形成してなる炭化けい
素コーティング黒鉛製品において、黒鉛基材の表層部に
炭化けい素が点在するＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層と、このＳｉＣ
−Ｃ−Ｃ層と炭化けい素膜との間にけい素及び炭化けい
素の微結晶が混在する５ｔ−ＳｉＣ層とが存在するもの
である。
気相成長法による炭化けい素膜を形成してなる炭化けい
素コーティング黒鉛製品において、黒鉛基材の表層部に
炭化けい素が点在するＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層と、このＳｉＣ
−Ｃ−Ｃ層と炭化けい素膜との間にけい素及び炭化けい
素の微結晶が混在する５ｔ−ＳｉＣ層とが存在するもの
である。
又、第２の発明は、第１の発明の炭化けい素コーティン
グ黒鉛製品を製造する方法であり、黒鉛基材に炭化けい
素膜を気相成長法により形成するに際し、予め黒鉛基材
にけい素膜を気相成長法により形成し、これを３０ Ｔ
ｏｒｒ以下の雰囲気圧にてけい素の融点以上の温度で熱
処理した後、これに炭化けい素膜を気相成長法により形
成する方法である。
グ黒鉛製品を製造する方法であり、黒鉛基材に炭化けい
素膜を気相成長法により形成するに際し、予め黒鉛基材
にけい素膜を気相成長法により形成し、これを３０ Ｔ
ｏｒｒ以下の雰囲気圧にてけい素の融点以上の温度で熱
処理した後、これに炭化けい素膜を気相成長法により形
成する方法である。
［作用］
上記手段においては、炭化けい素膜の柱状結晶の粒界に
沿って厚さ方向に生じたクラックは、けい素と炭化けい
素とが混在する５ｔ−ＳｉＣ層によってその進展を妨げ
られ、かつＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層及びＳｉＣ−−ＳｉＣ層は
、黒鉛基材に対する炭化けい素膜の足付（アンカー）と
して機能する。
沿って厚さ方向に生じたクラックは、けい素と炭化けい
素とが混在する５ｔ−ＳｉＣ層によってその進展を妨げ
られ、かつＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層及びＳｉＣ−−ＳｉＣ層は
、黒鉛基材に対する炭化けい素膜の足付（アンカー）と
して機能する。
けい素膜は、厚さが３μｍ以上となることが好ましく、
それにより、炭化けい素膜の寿命を一層延ばし得る。
それにより、炭化けい素膜の寿命を一層延ばし得る。
けい素膜の熱処理は、けい素（Ｓｉ）の融点（７６０Ｔ
ｏｒｒにおいて１４１４℃）以上の温度とすることによ
り、５ｔ−ＳｉＣ層上に微結晶の炭化けい素からなるＳ
ｉＣ層が積層され、クラックの進展防止に一層効果があ
る。熱処理温度が、けい素の融点未満であると、黒鉛基
材に対するけい素の浸透が起こらず、けい素膜が炭化し
、炭化けい素となって剥離してＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層及びＳ
ｉＣ−−ＳｉＣ層は生成されず、熱処理後は、面荒れが
著しい。
ｏｒｒにおいて１４１４℃）以上の温度とすることによ
り、５ｔ−ＳｉＣ層上に微結晶の炭化けい素からなるＳ
ｉＣ層が積層され、クラックの進展防止に一層効果があ
る。熱処理温度が、けい素の融点未満であると、黒鉛基
材に対するけい素の浸透が起こらず、けい素膜が炭化し
、炭化けい素となって剥離してＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層及びＳ
ｉＣ−−ＳｉＣ層は生成されず、熱処理後は、面荒れが
著しい。
けい素膜の熱処理は、アルゴンガス等の不活性ガス中で
行うことが好ましく、その雰囲気圧を３０ Ｔｏｒｒと
することにより、上記熱処理温度と相俟って黒鉛基材に
対するけい素の浸透が良好となり、３０ Ｔｏｒｒを超
えると黒鉛基材に対するけい素の浸透が生じにくい。
行うことが好ましく、その雰囲気圧を３０ Ｔｏｒｒと
することにより、上記熱処理温度と相俟って黒鉛基材に
対するけい素の浸透が良好となり、３０ Ｔｏｒｒを超
えると黒鉛基材に対するけい素の浸透が生じにくい。
なお、熱処理の雰囲気圧は、ガスの発生により、０．０
２Ｔｏｒｒ以下に保つことが難しい。
２Ｔｏｒｒ以下に保つことが難しい。
上記熱処理の時間は、はとんど必要がないが、長時間行
っても特に問題を生じない。昇温速度は、速ければ速い
ほど多数の結晶核の発生をもたらすので好ましい。
っても特に問題を生じない。昇温速度は、速ければ速い
ほど多数の結晶核の発生をもたらすので好ましい。
炭化けい素膜は、その全表面積の５０％以上が短軸径８
０μｍ以下の半球状をなす結晶集合組織（ペブル構造）
により形成されることが好ましく、このためには、２０
０ Ｔｏｒｒ〜常圧（７００〜７６０ Ｔｏｒｒ）の雰
囲気圧での気相成長法によるのが好ましい。
０μｍ以下の半球状をなす結晶集合組織（ペブル構造）
により形成されることが好ましく、このためには、２０
０ Ｔｏｒｒ〜常圧（７００〜７６０ Ｔｏｒｒ）の雰
囲気圧での気相成長法によるのが好ましい。
これは、短軸径８０μｍ以下の半球状をなす結晶集合組
織の占める面積が、炭化けい素膜全表面積の５０％未満
になると、表面粗さが大きくなり、かつ半導体ウニ八等
との接触面積が小さくなる一方、半球状をなす結晶集合
組織の短軸径が８０μｍを超えると、同様に表面粗さが
大きくなり、かつ半導体ウニ八等との接触面積が小さく
なるためである。半球状をなす結晶集合組織の短軸径は
、５０μ口以下が好ましく、より好ましくは２０μｍ以
下である。
織の占める面積が、炭化けい素膜全表面積の５０％未満
になると、表面粗さが大きくなり、かつ半導体ウニ八等
との接触面積が小さくなる一方、半球状をなす結晶集合
組織の短軸径が８０μｍを超えると、同様に表面粗さが
大きくなり、かつ半導体ウニ八等との接触面積が小さく
なるためである。半球状をなす結晶集合組織の短軸径は
、５０μ口以下が好ましく、より好ましくは２０μｍ以
下である。
又、炭化けい素膜を気相成長させる雰囲気圧が、常圧を
超えた加圧状態であると、炭化けい素膜の生成が困難と
なる一方、２００ Ｔｏｒｒ未満であると、炭化けい素
膜の生成が遅くなると共に、半球状をなす結晶集合組織
の短軸径が大きくなるためである。
超えた加圧状態であると、炭化けい素膜の生成が困難と
なる一方、２００ Ｔｏｒｒ未満であると、炭化けい素
膜の生成が遅くなると共に、半球状をなす結晶集合組織
の短軸径が大きくなるためである。
上記好ましい態様の炭化けい素膜の表面粗さは、１０μ
口以下となる。
口以下となる。
ここで、炭化けい素膜の表面における半球状をなす結晶
集合組織とは、例えばＣＶＤ法により炭化けい素の柱状
結晶を成長させる場合において、放射状に成長した炭化
けい素の結晶集合組織をいう。又、短軸径とは、この結
晶集合組織の底面に内接する円の直径をいう。
集合組織とは、例えばＣＶＤ法により炭化けい素の柱状
結晶を成長させる場合において、放射状に成長した炭化
けい素の結晶集合組織をいう。又、短軸径とは、この結
晶集合組織の底面に内接する円の直径をいう。
なお、けい素膜の形成に先立って、所望形状に加工され
た黒鉛基材に、高温下でハロゲン化ガス又はハロゲン化
水素ガスを用いて純化処理を施しておくことが好ましい
。
た黒鉛基材に、高温下でハロゲン化ガス又はハロゲン化
水素ガスを用いて純化処理を施しておくことが好ましい
。
［実施例］
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１〜８
黒鉛基材を縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの角
柱状に加工し、２０００℃の温度下でＨＣｆガスを用い
て純化処理した後、ＣＶＤ法によりけい素膜（膜厚、実
施例１，２，５．６：２０μｍ、実施例３，４，７，８
：３μｍ）を形成した。
柱状に加工し、２０００℃の温度下でＨＣｆガスを用い
て純化処理した後、ＣＶＤ法によりけい素膜（膜厚、実
施例１，２，５．６：２０μｍ、実施例３，４，７，８
：３μｍ）を形成した。
ＣＶＤ条件は、次の通りである。
原料ガス＋ Ｓ ｉＣ４２ａ ２で／分Ｈ２１０７
Ｊ２／分 温 度 ：１２００℃ 時 間＝２５分（２０μｌ１１）、４分（３μｍ）雰
囲気圧；常圧 ついで、けい素膜を形成した黒鉛基材をそれぞれ第１表
に示す温度及び雰囲気圧で熱処理した。
Ｊ２／分 温 度 ：１２００℃ 時 間＝２５分（２０μｌ１１）、４分（３μｍ）雰
囲気圧；常圧 ついで、けい素膜を形成した黒鉛基材をそれぞれ第１表
に示す温度及び雰囲気圧で熱処理した。
なお、第１表中、熱処理雰囲気圧が０．ＩＴｏｒｒとあ
るのは、ガスの発生により雰囲気圧が変動したため、雰
囲気圧を０ 、０５ Ｔｏｒｒ〜０ 、 Ｉ Ｔｏｒ
ｒの間に調整したものである。
るのは、ガスの発生により雰囲気圧が変動したため、雰
囲気圧を０ 、０５ Ｔｏｒｒ〜０ 、 Ｉ Ｔｏｒ
ｒの間に調整したものである。
熱処理の他の条件は、次の通りである。
保持時間：３０分
雰囲気：アルゴンガス中
昇温速度：１２℃／分
この熱処理によって、けい素が溶融してｊ％鉛基材中に
浸透し、かつ基材の黒鉛と反応し、いずれの実施例のも
のも、第１図、第２図に示すように、黒鉛基材１の表層
部に炭化けい素が点在するＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層２と、この
ＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層２の上に未反応のけい素及び炭化けい
素の微結晶が混在するＳｉＣ−−ＳｉＣ層３が形成され
る一方、実施例５〜８のものは、炭化けい素の再結晶に
より、！４２図に示すように、ＳｉＣ−−ＳｉＣ層３の
上に更に炭化けい素の微結晶からなるＳｉＣ層４が形成
された。
浸透し、かつ基材の黒鉛と反応し、いずれの実施例のも
のも、第１図、第２図に示すように、黒鉛基材１の表層
部に炭化けい素が点在するＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層２と、この
ＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層２の上に未反応のけい素及び炭化けい
素の微結晶が混在するＳｉＣ−−ＳｉＣ層３が形成され
る一方、実施例５〜８のものは、炭化けい素の再結晶に
より、！４２図に示すように、ＳｉＣ−−ＳｉＣ層３の
上に更に炭化けい素の微結晶からなるＳｉＣ層４が形成
された。
ＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層２は、光学顕微鏡によって断面観察し
、又、ＳｉＣ−−ＳｉＣ層３及びＳｉＣ層４は、光学顕
微鏡による断面観察並びに透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）
により透過像を観察したところ、それぞれの層の厚さは
、平均値を示す第１表のようになった。
、又、ＳｉＣ−−ＳｉＣ層３及びＳｉＣ層４は、光学顕
微鏡による断面観察並びに透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）
により透過像を観察したところ、それぞれの層の厚さは
、平均値を示す第１表のようになった。
上記熱処理後、ＣＶＤ法により柱状結晶からなる膜厚６
０μｍの炭化けい素膜５を形成し、角柱状の炭化けい素
コーティング黒鉛製品を得た。
０μｍの炭化けい素膜５を形成し、角柱状の炭化けい素
コーティング黒鉛製品を得た。
ＣＶＤ条件は、次の通りである。
原料ガス：ＳｉＣ−ＣＩ１４０．９ＪＺ／分Ｃ３Ｈ８１
Ｉｔ／分 Ｈ，７立／分 温 度＋１２５０℃ 雰囲気圧： ６００ Ｔｏｒｒ 反応時間：４５分 第１図、第２図において６は上記ＣＶＤ法による炭化け
い素膜５の形成に先立って形成された炭化けい素の微結
晶からなる初期層である。この初期層６と前記ＳｉＣ層
４との間には、連続性が見られない。初期層６は、Ｓｉ
Ｃ−−ＳｉＣ層３等と同様に透過型電子顕微鏡によって
観察され、その厚さは、平均値を示す第１表のようにな
った。
Ｉｔ／分 Ｈ，７立／分 温 度＋１２５０℃ 雰囲気圧： ６００ Ｔｏｒｒ 反応時間：４５分 第１図、第２図において６は上記ＣＶＤ法による炭化け
い素膜５の形成に先立って形成された炭化けい素の微結
晶からなる初期層である。この初期層６と前記ＳｉＣ層
４との間には、連続性が見られない。初期層６は、Ｓｉ
Ｃ−−ＳｉＣ層３等と同様に透過型電子顕微鏡によって
観察され、その厚さは、平均値を示す第１表のようにな
った。
各実施例による製品を１２００℃の温度に保たれたアル
ゴンガス雰囲気の炉内に入れ、３０分保持した後、それ
ぞれの製品を２５℃の温度に保たれた水中に浸漬して急
冷するヒートサイクルテストを行い、クラック発生まで
の回数及び剥離までの回数を調べたところ、第１表に示
すようになった。
ゴンガス雰囲気の炉内に入れ、３０分保持した後、それ
ぞれの製品を２５℃の温度に保たれた水中に浸漬して急
冷するヒートサイクルテストを行い、クラック発生まで
の回数及び剥離までの回数を調べたところ、第１表に示
すようになった。
クラックの発生は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により
観察し、２μｍ以上のマイクロクラックの存在を発生と
みなした。
観察し、２μｍ以上のマイクロクラックの存在を発生と
みなした。
又、剥離の発生は、炭化けい素膜の亀裂を目視観察した
。
。
なお、クランク及び剥離の観察は、ヒートサイクルテス
ト５回おきに行った。
ト５回おきに行った。
比較例１〜８
実施例１〜８と同一寸法の黒鉛基材に純化処理を同様に
施した後、比較例１〜７は、実施例１〜８と同一の条件
でＣＶＤ法によりけい素膜（膜厚、比較例１，２，３，
５，７：２０μｍ、比較例４．６：３μｍ）を形成し、
比較例８は、けい素膜を形成しなかった。
施した後、比較例１〜７は、実施例１〜８と同一の条件
でＣＶＤ法によりけい素膜（膜厚、比較例１，２，３，
５，７：２０μｍ、比較例４．６：３μｍ）を形成し、
比較例８は、けい素膜を形成しなかった。
ついで、けい素膜を形成した比較例１〜７の黒鉛基材を
それぞれ第２表に示す温度及び雰囲気圧で、他は実施例
１〜８と同一の条件で熱処理し、比較例８のものには、
熱処理を施さなかった。
それぞれ第２表に示す温度及び雰囲気圧で、他は実施例
１〜８と同一の条件で熱処理し、比較例８のものには、
熱処理を施さなかった。
なお、第２表中、熱処理雰囲気圧が０．ＩＴｏｒｒとあ
るのは、ガスの発生により雰囲気圧が変動したため、雰
囲気圧を０ 、０５ Ｔｏｒｒ〜０ 、 Ｉ Ｔｏｒ
ｒの間に調整したものである。
るのは、ガスの発生により雰囲気圧が変動したため、雰
囲気圧を０ 、０５ Ｔｏｒｒ〜０ 、 Ｉ Ｔｏｒ
ｒの間に調整したものである。
この結果、比較例１．２は、けい素の浸透が起こらず、
けい７素膜が炭化してＳｉＣとなフて剥離し、面荒れが
著しかったため、熱処理後のＣＶＤ法による炭化けい素
膜を形成することができなかった。
けい７素膜が炭化してＳｉＣとなフて剥離し、面荒れが
著しかったため、熱処理後のＣＶＤ法による炭化けい素
膜を形成することができなかった。
比較例３〜７は、熱処理によってけい素と黒鉛が反応し
、炭化けい素の微結晶（Ｓ ｉ Ｃ層）が形成されたが
、けい素が黒鉛基材中に浸透して基材の黒鉛と反応した
層（ＳｉＣ−Ｃ層、ＳｉＣ−−ＳｉＣ層）は見られず、
熱処理後の角柱材の表面は荒れていた。又、比較例３〜
６に形成されたＳｉＣ層には、けい素も若干含有されて
いた。
、炭化けい素の微結晶（Ｓ ｉ Ｃ層）が形成されたが
、けい素が黒鉛基材中に浸透して基材の黒鉛と反応した
層（ＳｉＣ−Ｃ層、ＳｉＣ−−ＳｉＣ層）は見られず、
熱処理後の角柱材の表面は荒れていた。又、比較例３〜
６に形成されたＳｉＣ層には、けい素も若干含有されて
いた。
ＳｉＣ層の厚さは、光学顕微鏡により断面を観察したと
ころ、平均値を示す第２表のようになった。
ころ、平均値を示す第２表のようになった。
そして、比較例３〜７及び熱処理を施さなかった比較例
８のものに、実施例１〜８と同一の条件でＣＶＤ法によ
り膜厚６０μｍの炭化けい素膜を形成し、同様のヒート
サイクルテストを行い、クラック発生までの回数及び剥
離までの回数を調べたところ、第２表に示すようになり
た。
８のものに、実施例１〜８と同一の条件でＣＶＤ法によ
り膜厚６０μｍの炭化けい素膜を形成し、同様のヒート
サイクルテストを行い、クラック発生までの回数及び剥
離までの回数を調べたところ、第２表に示すようになり
た。
従って、黒鉛基材に対する炭化けい素膜の形成に先立っ
て、膜厚３μｍ以上のけい素膜を形成し、これを３０Ｔ
ｏｒｒ以下の雰囲気圧にてけい素の融点以上の温度で熱
処理することにより、黒鉛基材の表層部に炭化けい素が
点在するＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層と、このＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層と
炭化けい素膜との間にけい素及び炭化けい素の微結晶が
混在するＳｉＣ−−ＳｉＣ−Ｃ層とが形成されることに
よって、クラック発生までの回数及び剥離までの回数を
比較例の２倍以上とし得ることがわかる。
て、膜厚３μｍ以上のけい素膜を形成し、これを３０Ｔ
ｏｒｒ以下の雰囲気圧にてけい素の融点以上の温度で熱
処理することにより、黒鉛基材の表層部に炭化けい素が
点在するＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層と、このＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層と
炭化けい素膜との間にけい素及び炭化けい素の微結晶が
混在するＳｉＣ−−ＳｉＣ−Ｃ層とが形成されることに
よって、クラック発生までの回数及び剥離までの回数を
比較例の２倍以上とし得ることがわかる。
実施例９〜２６
黒鉛基材を直径１００１ｎＬ厚さ５ｍｍの円板状に加工
し、２０００℃の温度下でＨＣ旦ガスを用いて純化処理
した後、ＣＶＤ法によりけい素膜（膜厚、実施例９〜２
０：３μ０、実施例２１〜２６：２０μｍ）を形成した
。
し、２０００℃の温度下でＨＣ旦ガスを用いて純化処理
した後、ＣＶＤ法によりけい素膜（膜厚、実施例９〜２
０：３μ０、実施例２１〜２６：２０μｍ）を形成した
。
ＣＶＤ条件は、次の通りである。
原料ガス：ＳｉＣｌ２ ２Ｊ２／分
Ｈ２１０７℃／分
温 度 ： １ ２００℃
時 間：４分（３μｍ）、２５分（２０μｍ）雰囲気
圧：常圧 ついで、けい素膜を形成した黒鉛基材をそれぞれ第３表
に示す温度で熱処理した。
圧：常圧 ついで、けい素膜を形成した黒鉛基材をそれぞれ第３表
に示す温度で熱処理した。
熱処理の他の条件は、次の通りである。
保持時間：３０分
雰囲気：アルゴンガス中
雰囲気圧：実施例９〜１４ ； １０Ｔｏｒｒ、実施例
１５〜２６；０．１〜０．０５ Ｔｏｒｒ （ガスの発生により変動す る。） 昇温速度：１２℃／分 この熱処理によって、けい素が溶融して、黒鉛基材中に
浸透し、かつ基材の黒鉛と反応し、いずれの実施例のも
のも、黒鉛基材の表層部に炭化けい素が点在するＳｉＣ
−Ｃ−Ｃ層と、このＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層の上に東反応のけ
い素及び炭化けい素の微結晶が混在するＳｉＣ−−Ｓｉ
Ｃ層が形成される一方、実施例１２〜１４．１８〜２０
及２４〜２６のものは、炭化けい素の再結晶により、Ｓ
ｉ−ＳｉＣ層の上に更に炭化けい素の微結晶からなるＳ
ｉＣ層が形成された。
１５〜２６；０．１〜０．０５ Ｔｏｒｒ （ガスの発生により変動す る。） 昇温速度：１２℃／分 この熱処理によって、けい素が溶融して、黒鉛基材中に
浸透し、かつ基材の黒鉛と反応し、いずれの実施例のも
のも、黒鉛基材の表層部に炭化けい素が点在するＳｉＣ
−Ｃ−Ｃ層と、このＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層の上に東反応のけ
い素及び炭化けい素の微結晶が混在するＳｉＣ−−Ｓｉ
Ｃ層が形成される一方、実施例１２〜１４．１８〜２０
及２４〜２６のものは、炭化けい素の再結晶により、Ｓ
ｉ−ＳｉＣ層の上に更に炭化けい素の微結晶からなるＳ
ｉＣ層が形成された。
これらの層は、光学顕微鏡及び透過型電子顕微鏡によっ
て観察され、各層の合計の厚さは、平均値を示す第３表
のようになった。
て観察され、各層の合計の厚さは、平均値を示す第３表
のようになった。
上記熱処理後、第３表に示す雰囲気圧下で反応時間を変
化させＣＶＤ法により膜厚１００μｍの炭化けい素膜を
形成し、円板状の炭化けい素コーティング黒鉛製品を得
た。
化させＣＶＤ法により膜厚１００μｍの炭化けい素膜を
形成し、円板状の炭化けい素コーティング黒鉛製品を得
た。
ＣＶＤ条件は、次の通りである。
原料ガス：ＳｉＣ−Ｃｕ４ ｏ、９４２／分Ｃ，Ｈ，１
１１／分 Ｈ２７ｆＬ／分 温 度： １ ２５０℃ 各炭化けい素コーティング黒鉛製品の表面粗さ（非接触
式の測定による）並びに短軸径８０μｍ以下、５０μｍ
以下及び２０μ０以下の半球状をなす結晶集合組織の炭
化けい素膜全表面積に占める割合Ａ、Ｂ及びＣは、それ
ぞれ第３表に示すようになった。
１１／分 Ｈ２７ｆＬ／分 温 度： １ ２５０℃ 各炭化けい素コーティング黒鉛製品の表面粗さ（非接触
式の測定による）並びに短軸径８０μｍ以下、５０μｍ
以下及び２０μ０以下の半球状をなす結晶集合組織の炭
化けい素膜全表面積に占める割合Ａ、Ｂ及びＣは、それ
ぞれ第３表に示すようになった。
結晶集合組織は、走査型電子顕！！鏡により観察した。
実施例２５の炭化けい素コーティング黒鉛製品の表面に
おける結晶構造の電子顕微鏡写真を第３図に示す。図中
７で示すようにピントのホヤけているところが結晶集合
組織である。
おける結晶構造の電子顕微鏡写真を第３図に示す。図中
７で示すようにピントのホヤけているところが結晶集合
組織である。
又、実施例２６の炭化けい素コーティング黒鉛製品の表
面における結晶構造の電子顕微鏡写真を第４図に示す。
面における結晶構造の電子顕微鏡写真を第４図に示す。
図中８で示す１つ１つが単位結晶であり、結晶集合組織
はほとんど見受けられない。
はほとんど見受けられない。
比較例９〜１７
黒鉛基材を直径１’００ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状に加
工し、２０００℃の温度下でＨＣＡガスを用いて純化処
理した後、比較例９〜１３は、実施例１５〜２６と同様
の条件でＣＶＤ法によりけい素膜（膜厚、比較例９，１
０．１３：２０μｍ、比較例１１，１２：３μｍ、ｍ）
を形成し、比較例１４〜１７は、けい素膜を形成しなか
った。
工し、２０００℃の温度下でＨＣＡガスを用いて純化処
理した後、比較例９〜１３は、実施例１５〜２６と同様
の条件でＣＶＤ法によりけい素膜（膜厚、比較例９，１
０．１３：２０μｍ、比較例１１，１２：３μｍ、ｍ）
を形成し、比較例１４〜１７は、けい素膜を形成しなか
った。
ついで、けい素膜を形成した比較例９〜１２の黒鉛基材
をそれぞれ第４表に示す温度で、他は実施例１５〜２６
と同様の条件で熱処理した。
をそれぞれ第４表に示す温度で、他は実施例１５〜２６
と同様の条件で熱処理した。
この結果、比較例９〜１２のものには、けい素が溶融し
て黒鉛基材中に浸透し、かつ基材の黒鉛と反応し、黒鉛
基材の表層部に炭化けい素が点在するＳｉＣ層−Ｃ層と
、このＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層の上に未反応のけい素及び炭化
けい素の微結晶が混在するＳｉ−ＳｉＣ層が形成される
一方、比較例１０゜１２のものは、炭化けい素の再結晶
により、ＳｉＣ−−ＳｉＣ層の上に更に炭化けい素の微
結晶からなるＳｉＣ層が形成された。
て黒鉛基材中に浸透し、かつ基材の黒鉛と反応し、黒鉛
基材の表層部に炭化けい素が点在するＳｉＣ層−Ｃ層と
、このＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層の上に未反応のけい素及び炭化
けい素の微結晶が混在するＳｉ−ＳｉＣ層が形成される
一方、比較例１０゜１２のものは、炭化けい素の再結晶
により、ＳｉＣ−−ＳｉＣ層の上に更に炭化けい素の微
結晶からなるＳｉＣ層が形成された。
こわら各層の合計の厚さは、平均値を示す第４表に示す
ようになった。
ようになった。
一方、比較例１３の黒鉛基材は、熱処理温度１６００℃
、熱処理雰囲気圧３００ Ｔｏｒｒで、他は実施例１５
〜２６と同様の条件で熱処理した。この熱処理によって
比較例１３のものには、けい素と黒鉛が反応し、炭化け
い素の微結晶層が形成された。この層は、均一なもので
はなく、表面は荒れていた。層の厚さは、平均値を示す
第４表のようになった。
、熱処理雰囲気圧３００ Ｔｏｒｒで、他は実施例１５
〜２６と同様の条件で熱処理した。この熱処理によって
比較例１３のものには、けい素と黒鉛が反応し、炭化け
い素の微結晶層が形成された。この層は、均一なもので
はなく、表面は荒れていた。層の厚さは、平均値を示す
第４表のようになった。
なお、けい素膜を形成しない比較例１４〜１７には、熱
処理を施さなかった。
処理を施さなかった。
比較例９〜１３においては熱処理後、比較例１４〜１７
においては熱処理を施さずに、第４表に示す雰囲気圧下
で実施例１５〜２６と同様の条件で反応時間を変化させ
ＣＶＤ法により膜厚１００μｍの炭化けい素膜を形成し
、円板状の炭化けい素コーティング黒鉛製品を得た。
においては熱処理を施さずに、第４表に示す雰囲気圧下
で実施例１５〜２６と同様の条件で反応時間を変化させ
ＣＶＤ法により膜厚１００μｍの炭化けい素膜を形成し
、円板状の炭化けい素コーティング黒鉛製品を得た。
各炭化けい素コーティング黒鉛製品の表面粗さ並びに短
軸径８０μｍ以下、５０μｍ以下及び２０μｍ以下の半
球状をなす結晶集合組織の炭化けい素膜全表面積に占め
る割合Ａ、Ｂ及びＣは、それぞれ第４表に示すようにな
った。
軸径８０μｍ以下、５０μｍ以下及び２０μｍ以下の半
球状をなす結晶集合組織の炭化けい素膜全表面積に占め
る割合Ａ、Ｂ及びＣは、それぞれ第４表に示すようにな
った。
比較例１３は、炭化けい素の柱状結晶が均一に成長せず
、結晶集合組織を観察するのは困難であった。
、結晶集合組織を観察するのは困難であった。
比較例１５の炭化けい素コーティング黒鉛製品の表面に
おける結晶構造の電子顕微鏡写真を第５図に示す。図中
９で示すのが半球状をなす結晶集合組織である。
おける結晶構造の電子顕微鏡写真を第５図に示す。図中
９で示すのが半球状をなす結晶集合組織である。
従りて、実施例１〜８の場合と同様に、黒鉛基材に対す
る炭化けい素膜の形成に先立って、膜厚３μｍ以上のけ
い素膜を形成し、これを３０ Ｔｏｒｒ以下の雰囲気圧
にてけい素の融点以上の温度で熱処理して、黒鉛基材の
表層部に炭化けい素が点在するＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層と、こ
のＳｉＣ−Ｃ層と炭化けい素膜との間にけい素及び炭化
けい素の微結晶が混在する５ｔ−ＳｉＣ層とを形成し、
かつ気相成長法による炭化けい素膜の形成を２００ Ｔ
ｏｒｒ〜常圧の雰囲気圧下で行い、炭化けい素膜全表面
積の５０％以上を短軸径８０μｍ以下の半球状をなす結
晶集合組織により形成することによって、クランク発生
までの回数及び剥離までの回数を倍増し、かつ炭化けい
素膜の表面粗さを１０μｍ以下として製品自体の寸法精
度を高め得ると共に、半導体ウニ八等に接触した際にそ
の表面に損傷を与えることがなく、又半導体ウニ八等に
対する均熱的な熱伝導性を大幅に向上し得る。
る炭化けい素膜の形成に先立って、膜厚３μｍ以上のけ
い素膜を形成し、これを３０ Ｔｏｒｒ以下の雰囲気圧
にてけい素の融点以上の温度で熱処理して、黒鉛基材の
表層部に炭化けい素が点在するＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層と、こ
のＳｉＣ−Ｃ層と炭化けい素膜との間にけい素及び炭化
けい素の微結晶が混在する５ｔ−ＳｉＣ層とを形成し、
かつ気相成長法による炭化けい素膜の形成を２００ Ｔ
ｏｒｒ〜常圧の雰囲気圧下で行い、炭化けい素膜全表面
積の５０％以上を短軸径８０μｍ以下の半球状をなす結
晶集合組織により形成することによって、クランク発生
までの回数及び剥離までの回数を倍増し、かつ炭化けい
素膜の表面粗さを１０μｍ以下として製品自体の寸法精
度を高め得ると共に、半導体ウニ八等に接触した際にそ
の表面に損傷を与えることがなく、又半導体ウニ八等に
対する均熱的な熱伝導性を大幅に向上し得る。
［発明の効果コ
以上のように本発明によれば、炭化けい素膜の柱状結晶
の粒界に沿って厚さ方向に生じたクラックは、これより
粒径の小さいけい素と炭化けい素とが混在する５ｔ−Ｓ
ｉＣ層によってその進展を妨げられ、カッＳ ｉ Ｃ−
ｃｌｉ及ヒｓ ｉ −Ｓ ｉ ＣＪｉが黒鉛基材に対す
る炭化けい素膜のアンカーとして機能するので、黒鉛基
材と炭化けい素膜との熱的、機械的なマツチングに優れ
、炭化けい素コーティング黒鉛製品の寿命を従来に比し
て飛躍的に高めることができる。
の粒界に沿って厚さ方向に生じたクラックは、これより
粒径の小さいけい素と炭化けい素とが混在する５ｔ−Ｓ
ｉＣ層によってその進展を妨げられ、カッＳ ｉ Ｃ−
ｃｌｉ及ヒｓ ｉ −Ｓ ｉ ＣＪｉが黒鉛基材に対す
る炭化けい素膜のアンカーとして機能するので、黒鉛基
材と炭化けい素膜との熱的、機械的なマツチングに優れ
、炭化けい素コーティング黒鉛製品の寿命を従来に比し
て飛躍的に高めることができる。
３４１図〜第４図は本発明の実施例を示し、第１図及び
第２図は実施例１〜４及び実施例５〜８に係る炭化けい
素コーティング黒鉛製品の要部の断面図、第３図及び第
４図は実施例２５及び実施例２６に係る炭化けい素コー
ティング黒鉛製品の表面における結晶構造の電子顕微鏡
写真、第５図は比較例１５の炭化けい素コーティング黒
鉛製品の表面における結晶構造の電子顕微鏡写真、第６
図は従来の炭化けい素コーティング黒鉛製品の要部の断
面図である。 １・・・黒鉛基材 ２・・・ＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層
３・・・ＳｉＣ−−ＳｉＣ層 ４・・・ＳｉＣ層５・
・・柱状結晶からなる炭化けい素膜６・・・初期層
７・・・結晶集合組織８・・・単位結晶
第２図は実施例１〜４及び実施例５〜８に係る炭化けい
素コーティング黒鉛製品の要部の断面図、第３図及び第
４図は実施例２５及び実施例２６に係る炭化けい素コー
ティング黒鉛製品の表面における結晶構造の電子顕微鏡
写真、第５図は比較例１５の炭化けい素コーティング黒
鉛製品の表面における結晶構造の電子顕微鏡写真、第６
図は従来の炭化けい素コーティング黒鉛製品の要部の断
面図である。 １・・・黒鉛基材 ２・・・ＳｉＣ−Ｃ−Ｃ層
３・・・ＳｉＣ−−ＳｉＣ層 ４・・・ＳｉＣ層５・
・・柱状結晶からなる炭化けい素膜６・・・初期層
７・・・結晶集合組織８・・・単位結晶
Claims (2)
- （１）黒鉛基材に気相成長法による炭化けい素膜を形成
してなる炭化けい素コーティング黒鉛製品において、黒
鉛基材の表層部に炭化けい素が点在するＳｉＣ−Ｃ層と
、このＳｉＣ−Ｃ層と炭化けい素膜との間にけい素及び
炭化けい素の微結晶が混在するＳｉ−ＳｉＣ層とが存在
することを特徴とする炭化けい素コーティング黒鉛製品
。 - （２）黒鉛基材に炭化けい素膜を気相成長法により形成
するに際し、予め黒鉛基材にけい素膜を気相成長法によ
り形成し、これを３０Ｔｏｒｒ以下の雰囲気圧にてけい
素の融点以上の温度で熱処理した後、これに炭化けい素
膜を気相成長法により形成することを特徴とする炭化け
い素コーティング黒鉛製品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053156A JPH0825825B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 炭化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053156A JPH0825825B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 炭化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257089A true JPH03257089A (ja) | 1991-11-15 |
| JPH0825825B2 JPH0825825B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=12934986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2053156A Expired - Fee Related JPH0825825B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 炭化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825825B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284421A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Toshiba Mach Co Ltd | Ｃｖｄ装置及びｃｖｄ装置用のサセプタ |
| KR101101368B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2012-01-02 | 한국세라믹기술원 | 탄화규소 피복 그라파이트 제조방법 |
| CN113024281A (zh) * | 2021-02-28 | 2021-06-25 | 西北工业大学 | 一种碳化硅/石墨烯仿生层叠涂层及制备方法 |
| CN115353415A (zh) * | 2017-12-27 | 2022-11-18 | 应用材料公司 | 用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS481804A (ja) * | 1971-05-19 | 1973-01-11 | ||
| JPS4826597A (ja) * | 1971-08-04 | 1973-04-07 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2053156A patent/JPH0825825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS481804A (ja) * | 1971-05-19 | 1973-01-11 | ||
| JPS4826597A (ja) * | 1971-08-04 | 1973-04-07 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284421A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Toshiba Mach Co Ltd | Ｃｖｄ装置及びｃｖｄ装置用のサセプタ |
| KR101101368B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2012-01-02 | 한국세라믹기술원 | 탄화규소 피복 그라파이트 제조방법 |
| CN115353415A (zh) * | 2017-12-27 | 2022-11-18 | 应用材料公司 | 用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺 |
| CN113024281A (zh) * | 2021-02-28 | 2021-06-25 | 西北工业大学 | 一种碳化硅/石墨烯仿生层叠涂层及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0825825B2 (ja) | 1996-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0899358B1 (en) | Silicon carbide fabrication | |
| EP3352197B1 (en) | Method for producing a composite sic substrate | |
| WO2009011407A1 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物単結晶の製造方法 | |
| JP2000302577A (ja) | 炭化珪素被覆黒鉛部材 | |
| JPH03257089A (ja) | 炭化けい素コーティング黒鉛製品及びその製造方法 | |
| JP3043675B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 | |
| JP2003218031A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP3811540B2 (ja) | 炭化珪素成形体の製造方法 | |
| JP2000302576A (ja) | 炭化珪素被覆黒鉛材 | |
| JPS5840820A (ja) | シリコン単結晶膜形成法 | |
| JPH0624900A (ja) | 単結晶炭化ケイ素層の製造方法 | |
| JPH0798708B2 (ja) | 熱分解窒化ホウ素被覆物品の製造方法 | |
| JPS62189726A (ja) | 半導体気相成長用サセプタ | |
| JP3087070B1 (ja) | 半導体デバイス製作用単結晶ＳｉＣ複合素材及びその製造方法 | |
| JP3087030B2 (ja) | ＳｉＣ複合体およびその製造方法ならびに単結晶ＳｉＣ | |
| JPH10256108A (ja) | 炭化ケイ素質ダミーウェハ | |
| JP2006103997A (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
| JPS61236672A (ja) | 熱分解窒化ホウ素被覆物品及びその製法 | |
| JP4350438B2 (ja) | 半導体熱処理用部材 | |
| JPH0229629B2 (ja) | ||
| JP4059425B2 (ja) | ＣＶＤ−ＳｉＣ自立膜構造体 | |
| JP2569321B2 (ja) | 気相成長用トレ−及び気相成長方法 | |
| JP2708612B2 (ja) | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 | |
| JP4386663B2 (ja) | 炭素複合材料 | |
| JP3185653B2 (ja) | 半導体製造装置用材料及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080313 Year of fee payment: 12 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080313 Year of fee payment: 12 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080313 Year of fee payment: 12 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080313 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090313 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |