JPH10284421A - Cvd装置及びcvd装置用のサセプタ - Google Patents
Cvd装置及びcvd装置用のサセプタInfo
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- JPH10284421A JPH10284421A JP9100784A JP10078497A JPH10284421A JP H10284421 A JPH10284421 A JP H10284421A JP 9100784 A JP9100784 A JP 9100784A JP 10078497 A JP10078497 A JP 10078497A JP H10284421 A JPH10284421 A JP H10284421A
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Abstract
チングガス等の侵入を防止して、ヒータの寿命を延長す
ることができるCVD装置を提供する。 【解決手段】 サセプタ2は、中央に開口部21を有
し、開口部21の縁に形成された座面22でウエハ1の
裏面周縁部を支持する。支持部材3は、中央に空胴部8
を有し、上端に形成された座面32でサセプタ2の裏面
周縁部を支持する。ヒータ4は、周囲を支持部材3で取
り囲まれた空胴部8の中に配置される。サセプタ2及び
支持部材3は、黒鉛製の下地材の上に結晶粒径が1μm
以下のSiC被膜を堆積したSiC被覆黒鉛で形成され
ている。
Description
VD処理装置、及びCVD処理装置においてウエハを保
持するために使用されるサセプタの構造に係る。
におけるサセプタ及び加熱装置の基本的な構成を示す。
図中、1はウエハ、2はサセプタ、3はサセプタの支持
部材、4はヒータ、8は空洞部、21は開口部、22は
段部(座面)を表す。
口部21は上面付近に段部22が形成され、開口部21
の口径が上面付近において大きくなっている。ウエハ1
は、開口部21の中にセットされ、その裏面周縁部が段
部22(座面)で支持される。サセプタ2は、同様に、
その裏面周縁部が支持部材3の上端に形成された座面3
2によって支持されている。ウエハ1を加熱するための
ヒータ4は、この支持部材3によって周囲を囲まれた空
胴部8の中に収容され、ウエハ1の裏面側(下面側)に
対向する様に配置されている。
の材質としては、これまで、耐熱性、化学的安定性、ウ
エハへの汚染防止などを考慮して、高純度の黒鉛、石
英、SiC、SiC被覆黒鉛などが用いられてきた。中
でも、SiC被覆黒鉛は、耐熱性、化学的安定性、ウエ
ハへの汚染防止の全ての点に関して、とりわけ優れた特
性を有し、近年、広く使用されている。
作する場合、先ず高純度の等方性黒鉛をこれらの部品の
目標形状に加工した後、その表面にCVD処理によって
純度の高いSiC被膜を形成する。SiC被覆黒鉛は、
SiC被膜をCVD処理によって形成しているので、極
めて高い純度のSiC被膜を形成することが可能であ
る。更に、SiC被膜中では、各元素の拡散係数が極め
て低いので、下地材である黒鉛の空隙に吸着している不
純物ガス成分が、SiC被膜の外に放出されることがな
い。従って、SiC被覆黒鉛製の部品はウエハの汚染防
止の特性に優れている。
タ及びウエハ加熱装置においては、所定の枚数のウエハ
に連続してCVD処理を施した後、エッチング処理が行
われる。このエッチング処理は、CVD処理装置の内部
の清浄度を維持するために行われるもので、図4に示す
様に、サセプタ2の上にウエハ1の代わりにダミーウエ
ハ9を装着した状態で、ダミーウエハ9、サセプタ2及
び支持部材3等をヒータ4を用いて加熱しながら、ダミ
ーウエハ9の上方から高濃度のエッチングガス(例え
ば、HCl)を流す。これにより、CVD処理の際にサ
セプタ2及び支持部材3等の表面に付着した堆積物が、
エッチングされて除去される。
エハ1あるいはダミーウエハ9の裏面周縁部とサセプタ
2、及び、サセプタ2の裏面周縁部とこれを支える支持
部材3とは、それぞれ、裏面周縁部の全周に渡って面接
触が確保される様に構成されている。従って、ウエハ1
の裏面側に当たる周囲を支持部材3によって取り囲まれ
た空胴部8は、ウエハ1の表面側から隔離された空間を
形成している。この様にして、エッチングガス等がヒー
タ4の周囲へ侵入することを防止している。
どの表面にはある程度の表面粗さがあるので、面接触部
に微細なガス進入経路が形成され、このガス進入経路を
介してエッチングガスの一部がヒータ4側の空胴部8の
中へ侵入する。前述の様に、サセプタ2及び支持部材3
等は、一般的にSiC被覆黒鉛で製作される。このSi
C被覆黒鉛は、黒鉛下地上にCVD処理によってSiC
被膜を堆積することによって形成されており、SiC被
膜の堆積後に機械加工などを施すことなく、CVD処理
後の状態のままで部品として使用されている。このた
め、現状では、各部品の面粗度の管理は適正には行われ
ておらず、結果として、部品間の面接触部にガス進入経
路が形成され、ヒータ4の周囲の空胴部8へのエッチン
グガス等の侵入が完全に防止されてはいない。
HCl系のガスが使用される。この様な腐食性のガスが
ヒータの周囲へ侵入すると、ヒータ及びその周辺部品に
損傷を与える。とりわけ、高温状態で使用されるヒータ
には重大な損傷を与え、場合によってはヒータの寿命を
著しく低下させる。ヒータには100μm程度の厚さの
SiC被膜を備えたSiC被覆黒鉛が使用されるが、ヒ
ータの温度自体は運転時には約1400℃あるいはそれ
以上の温度になる。1300℃以上に加熱されたSiC
被膜にHCl系のガスが作用すると、SiCが分解し、
その分解速度は高温になるに従って顕著になる。即ち、
1400℃程度以上の高温で運転されているヒータにH
Cl系のガスが接触すると、SiC被膜の分解が進み、
エッチング回数を重ねるに従ってSiC被膜が浸食さ
れ、最終的にはSiC被膜が消失してしまう。ヒータの
下地の黒鉛が露出されると、高温状態の黒鉛から、その
気孔表面に吸着されていた不純物が放出される。この不
純物は、ウエハを汚染してウエハの品質の低下の原因と
なる。このため、ヒータの表面からSiC被膜が消失す
る前に、ヒータを交換しなければならない。
問題点に鑑みて成されたもので、本発明の目的は、CV
D装置において、ヒータの周囲へのエッチングガス等の
侵入を防止して、ヒータの寿命を延長することができる
CVD装置及びそのサセプタを提供することにある。
中央に開口部を有し、この開口部の縁に形成された座面
でウエハの裏面周縁部を支持するサセプタと、中央に空
胴部を有し、サセプタを裏面側から支持する支持部材
と、この空胴部の中に配置されたヒータと、を備えた半
導体用のCVD装置において、前記サセプタは、黒鉛製
の下地材の上に結晶粒径が1μm以下のSiC被膜を堆
積したSiC被覆黒鉛で形成されていることを特徴とす
る。
縁部を支持部材の上端に形成された座面で支持する構造
の場合には、前記支持部材も、少なくとも前記サセプタ
を支持する座面部分を、黒鉛製の下地材の上に結晶粒径
が1μm以下のSiC被膜を堆積したSiC被覆黒鉛で
形成する。
や原料ガスの流量などの調整により黒鉛製の下地材の上
に被覆するSiCの結晶粒径を1μm以下に制御する操
作のみによって、形成されるSiC被膜の表面の表面粗
さ(Rmax )を1μm以下に調整することができる。
合、堆積されたSiC被膜の結晶粒径をrとすると、S
iC被膜の表面の表面粗さRは、図5に示す様に、Si
C被膜の結晶粒径rに対して次式の関係を有する。
作する際、SiCの結晶粒径を1μm以下に制御すれ
ば、この様な部品同士、あるいはこの様な部品とウエハ
とを面接触させた際に、接触面に形成される空隙を極め
て小さく抑えることができる。これによって、面接触部
の気密性を高め、面接触部を介したガスの侵入を防止す
ることができる。
C被覆黒鉛製のサセプタの表面の状態を図1に示す。ま
た、比較のため、従来のSiC被覆黒鉛製のサセプタの
表面の状態を図2に示す。なお、図1に示したサセプタ
の結晶粒径は1μm、表面粗さ(Rmax )は0.3μ
m、一方、図2に示したサセプタの結晶粒径は35μ
m、表面粗さ(Rmax )は15μmであった。
いて製作されたSiC被覆黒鉛製のサセプタ及び支持部
材を組み込んでウエハのCVD処理を実施したところ、
10,000枚のウエハ処理後(途中のエッチング処理
400回)、ヒータ4の表面のSiC被膜の減少は1μ
m以下であった。一方、従来のSiC被覆黒鉛製のサセ
プタ及び支持部材を使用したCVD装置では、10、0
00枚のウエハ処理後、ヒータ4の表面のSiC被膜の
減少は50μmであった。
製作されたSiC被覆黒鉛製のサセプタ及び支持部材を
使用することにより、ヒータの周辺部へのエッチングガ
ス等の侵入が効果的に防止され、ヒータの寿命を増大す
ることができる。
態を表す粒子構造写真。
粒子構造写真。
成を示す図。
外面をエッチング処理する状態を示す図。
を説明する図。
材、4・・・ヒータ、8・・・空胴部、9・・・ダミー
ウエハ、21・・・開口部、22・・・段部(座面)、
32・・・座面。
Claims (3)
- 【請求項1】 中央に開口部を有し、この開口部の縁に
形成された座面でウエハの裏面周縁部を支持するサセプ
タと、 中央に空胴部を有し、サセプタを裏面側から支持する支
持部材と、 この空胴部の中に配置されたヒータと、 を備えた半導体用のCVD装置において、 前記サセプタは、黒鉛製の下地材の上に結晶粒径が1μ
m以下のSiC被膜を堆積したSiC被覆黒鉛で形成さ
れていることを特徴とするCVD装置。 - 【請求項2】 中央に開口部を有し、この開口部の縁に
形成された座面でウエハの裏面周縁部を支持するサセプ
タと、 中央に空胴部を有し、上端に形成された座面でサセプタ
の裏面周縁部を支持する支持部材と、 この空胴部の中に配置されたヒータと、 を備えた半導体用のCVD装置において、 前記サセプタは、黒鉛製の下地材の上に結晶粒径が1μ
m以下のSiC被膜を堆積したSiC被覆黒鉛で形成さ
れるとともに、 前記支持部材は、少なくとも前記サセプタを支持する座
面部分が、黒鉛製の下地材の上に結晶粒径が1μm以下
のSiC被膜を堆積したSiC被覆黒鉛で形成されてい
ることを特徴とするCVD装置。 - 【請求項3】 CVD装置で使用され、中央に開口部を
有し、この開口部の縁に形成された座面でウエハの裏面
周縁部を支持するサセプタにおいて、黒鉛製の下地材の
上に結晶粒径が1μm以下のSiC被膜を堆積したSi
C被覆黒鉛で形成されていることを特徴とするCVD装
置用のサセプタ。
Priority Applications (1)
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JP10078497A JP3488804B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | Cvd装置及びcvd装置用のサセプタ |
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- 1997-04-04 JP JP10078497A patent/JP3488804B2/ja not_active Expired - Fee Related
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