JP2003100644A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハ裏面及びウエハ支持台内部への成膜ガス
の侵入を防止してウエハ表面にほぼ均一な膜厚の膜を堆
積できる半導体製造装置を実現する。 【解決手段】不活性ガスであるパージガスの通路３１２
を形成するアウターリング３１３の上面にカバーリング
８を配置しアウターリング３１３とカバーリング８とに
よりウエハ１の周縁部からウエハ１の半径方向に延びる
排気通路が形成される。パージガスを通路３１２を通し
てウエハ１の周縁部に向かって供給しウエハ１の周縁部
に供給されたパージガスをアウターリング３１３とカバ
ーリング８とから形成された排気通路によりウエハ１及
びウエハ支持ユニット３の内部から遠ざかるようにして
排気する。したがって、成膜ガスのウエハ１裏面への侵
入及びウエハ支持ユニット３内部への侵入が防止されウ
エハ１の表面に膜厚均一性の良い膜を堆積させることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造装置
に関し、特に、枚葉式低圧熱ＣＶＤ装置により、ウエハ
上に膜を形成する半導体製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の製造装置のひとつに、
低圧に保持された装置内にガスを導入し、加熱したウエ
ハ上に所望の膜を成膜する低圧熱ＣＶＤ装置がある。

【０００３】図１０は、一般的な低圧熱ＣＶＤ装置の一
例の概略構成図である。図１０において、真空に保持さ
れた処理室１０２内に、ゲートバルブ１０７を介してウ
エハ１０１が搬入される。

【０００４】処理室１０２内に搬入されたウエハ１０１
は、その内部が成膜室より負圧に排気され、加熱された
支持台１３１上に設置され、吸着されて加熱される。成
膜は、ガス導入口１４１からシャワーヘッド１４３を介
してウエハ１０１上へガスを供給して行われる。

【０００５】処理室１０２内に導入された反応性ガス
は、排気口１０５から排気される。所望の膜厚がウエハ
１０１に成膜されると、ガスの導入が止められた後、ゲ
ートバルブ１０７からウエハ１０１が搬出される。

【０００６】アモルファスシリコンあるいはポリシリコ
ンを成膜する場合は、ウエハ１０１を５８０℃から７０
０℃程度に保持し、ガス導入口１４１からSiH_４、Ｈ_２
あるいはＮ_２などの成膜ガスが処理室１０２内に導入さ
れてウエハ１０１上に成膜される。

【０００７】ここで、ウエハ支持台１３１内部は、ウエ
ハ１０１を吸着するために、成膜室より負圧に排気され
ている。そのため、成膜ガスが、ウエハ１０１の裏面を
通ってウエハ支持台１３１の内部にまで入り、ウエハ１
０１の裏面及びウエハ支持台１３１内部に膜を形成して
しまう可能性がある。

【０００８】ウエハ１０１の裏面に形成された膜は半導
体製造装置内で剥がれてゴミとなり、それが、新たなウ
エハ１０１の表面上にのると、半導体デバイスの不良を
引き起こす原因となる。

【０００９】また、ウエハ支持台１３１内部には、ヒー
タ１３２や温度制御のためのセンサなどが設置されてお
り、そこに成膜ガスによる膜が形成されると、安定した
温度制御ができなくなるという問題がある。

【００１０】そこで、このような半導体製造装置におい
ては、ウエハ上に均一な厚さの膜を堆積すると共に、ウ
エハ裏面へ成膜ガスが入り込まないことが要求される。

【００１１】このため、特開平８−１９１０５１号公報
には、ウエハの端部からウエハの中心部方向へ水平にパ
ージガス（被着制限ガス）が供給され、ウエハの裏面に
膜が形成されることを防止する方法が開示されている。

【００１２】また、特開２０００−２９９３１５号公報
には、ウエハの周縁部裏面にパージガスが供給され、ウ
エハ裏面からウエハ外周部を通って成膜室へパージガス
が導入され、ウエハ裏面へ成膜ガスが入り込むことを防
止する方法が開示されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術にあっては、次のような問題点がある。つまり、
特開平８−１９１０５１号公報に記載されている装置で
は、ウエハの端部からウエハの中心部方向へ向かってパ
ージガスが吹き出すため、ウエハの端部で成膜ガスの濃
度が低下し、その結果、膜厚が低下するという問題があ
ることが明らかとなった。

【００１４】この特開平８−１９１０５１号公報の図９
に示されるように、ウエハの端部以外にも吹き出し口
（狭窄開口７０６）が形成されており、温度が高い部分
であり、吹き出し口の開口部に膜が堆積しやすく、開口
部が塞がってしまうという問題があった。

【００１５】また、特開２０００−２９９３１５号公報
に記載されている装置では、ウエハの裏面に供給された
パージガス（エッジパージガス）は、全てのウエハのエ
ッジを通って成膜室に出るようになっている。そのた
め、ウエハエッジ部付近で成膜ガス（処理ガス）の濃度
が低下し、膜厚が減少するするという問題があることが
明らかとなった。

【００１６】本発明の目的は、ウエハ裏面及びウエハ支
持台内部へ成膜ガスが入り込むことを防止して膜の堆積
を防ぐと共に、ウエハ表面に膜厚均一性の良い膜を堆積
させることができる半導体製造装置を実現することであ
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次のように構成される。 （１）真空吸着により処理対象であるウエハをウエハ支
持台に吸着し、反応性ガスを上記ウエハに供給して成膜
処理する半導体製造装置において、上記真空吸着される
ウエハの外周側に配置されるカバーリングと、上記ウエ
ハ支持台から上記カバーリング下面に向けて不活性ガス
を吹き出させる不活性ガス供給通路と、上記カバーリン
グの下面に沿って形成され、上記不活性ガスを排気する
排気通路とを備える。

【００１８】（２）好ましくは、上記（1）において、
上記カバーリングはリング形状であり、その内径は、上
記処理対象であるウエハの直径以上である。

【００１９】（３）また、好ましくは、上記（１）にお
いて、上記カバーリングはリング形状であり、その内径
は、上記処理対象であるウエハの直径以下である。

【００２０】（４）また、好ましくは、上記（1）にお
いて、上記カバーリングはリング形状であり、その内周
端部は、上記処理対象であるウエハの直径より大の部分
と小の部分とを有する。

【００２１】（５）真空吸着により処理対象であるウエ
ハをウエハ支持台に吸着して保持し、反応性ガスを上記
ウエハに供給して成膜処理する半導体製造装置におい
て、上記反応性ガスの排気路と、上記ウエハの外周部に
供給する不活性ガスの主排気路とを備える。

【００２２】（６）好ましくは、上記（１）、（２）、
（３）、（4）、（５）において、上記ウエハの裏面へ
供給する第１の不活性ガス通路と、上記支持台及びカバ
ーリングが、その内部に配置される処理室の側壁へ、不
活性ガスを供給する第２の不活性ガス通路とを備える。

【００２３】（７）好ましくは、上記（１）、（２）、
（３）、（4）、（５）、（６）において、上記反応性
ガスの流量又は圧力に基づいて、上記不活性ガスの供給
流量を設定する。

【００２４】（８）半導体の製造方法において、真空吸
着により処理対象であるウエハをウエハ支持台に吸着す
る工程と、反応性ガスを上記ウエハに供給する工程と、
上記真空吸着されるウエハの裏面側から外周縁に向け
て、不活性ガスを吹き出す工程と、上記ウエハの裏面側
から外周縁側に向けて吹き出された不活性ガスを上記ウ
エハの半径方向に沿って排気する工程とを備える。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施
形態による半導体製造装置の概略構成断面図である。な
お、この第１の実施形態は、本発明をＣＶＤ装置に適用
した場合の例であり、図１はこのＣＶＤの処理室断面を
示す。

【００２６】図１において、処理室２の上部には成膜ガ
ス４２を導入するためのガス供給部４があり、成膜ガス
をウエハ１に均一に供給するためのシャワーヘッド４１
を介して成膜ガスが成膜室１０へ供給される。また、処
理室２の側面には排気口５が形成されており、バルブ
（図示せず）を介して真空ポンプ６により排気してい
る。

【００２７】また、ウエハ１はシャワーヘッド４１と対
向して設置されたウエハ支持台ユニット３上に設置され
る。このウエハ支持台ユニット３は、図１の上方から円
板状サセプタ３１と、円板状ヒータ３２と、円筒状の側
壁３３と、円板状の底面３４とを備えている。

【００２８】支持台ユニット３の底面３４は、真空ポン
プ７に繋がっていて、成膜室１０より圧力が低く保持さ
れる。そのため、ウエハ１は、サセプタ３１に形成され
た吸着穴３１１により吸着される。

【００２９】このように、ウエハ１は、真空吸着によっ
てサセプタ３１に吸着されるため、ウエハ１が変形せ
ず、平坦な状態で処理でき、さらに、ウエハ１とサセプ
タ３１との隙間が均一となるため、ウエハ１の温度均一
性も向上し、膜厚均一性が向上する。

【００３０】処理室２の下部には、側壁パージガス導入
口１１とウエハ裏面パージガス導入口１２があり、不要
な部分への膜の堆積を防ぐためにパージガス（不活性ガ
ス）９が導入される。ここでは、窒素ガスがパージガス
として用いられているが、不活性ガスあれば、アルゴン
ガス等の他のガスでもよい。

【００３１】パージガス９は、側壁パージガス導入口１
１から処理室２の側壁に沿って流れ、排気口５から排気
される「側壁パージ流路」と、ウエハ裏面パージガス導
入口１２からウエハ支持台ユニット３の側壁と中間壁３
５との間を流れ、サセプタ３１とアウターリング３１３
との間に形成されたパージガス路３１２を通り、ウエハ
１の下へ吹き出した後、主に、カバーリング８の裏面を
通って排気口５から排気される「ウエハ裏面パージ流
路」の２系統の流路を通って流れる。

【００３２】つまり、不活性ガスが、ウエハ１の裏面側
から周縁部に向けて供給される第１の不活性ガス通路
と、処理室の側壁に供給される第２の不活性ガス通路と
を備えている。

【００３３】上述した２系統の流路のうち、「ウエハ裏
面パージ流路」について、図１中のＡ部を拡大した図で
ある図２を参照して説明する。

【００３４】流路３１２からウエハ１の下部へ流れてき
たパージガスは、大部分がカバーリング８とアウターリ
ング３１３との間を流れて排気口５から排気されるが、
一部のパージガスは、ウエハ１の裏面とサセプタ３１と
の間を通って吸着穴３１１から排気され、さらに、一部
のパージガスは、ウエハ1のエッジとカバーリング8との
間の隙間から成膜室１０へ流れて成膜ガスと共に排気口
5から排気される。

【００３５】これにより、反応性の成膜ガスがウエハ１
のエッジからウエハ１の裏面に入り込むこと、さらに
は、吸着口３１１を通ってウエハ支持台ユニット３の中
に入り込むことを防止している。

【００３６】次に、ウエハ1の処理手順について説明す
る。まず、ウエハ1を処理室2内に導入する前に、ウエハ
支持台ユニット3を、予めヒータ３２を発熱させてサセ
プタ３１が所定の温度になるように加熱しておく。これ
と同時に、処理室２内の圧力が成膜時とほぼ同一となる
ように、ガス導入口4からN_２などの不活性ガスを導入
し、シャワーヘッド４１を介して処理室２内に供給す
る。また、パージガス9を、パージガス導入口１１から
導入する。なお、ウエハ支持台ユニット３は真空ポンプ
７により排気しておく。

【００３７】次に、図示しない搬送治具に載せられたウ
エハ1を図示しない搬入出口から処理室2内へ搬入し、サ
セプタ３１上にウエハ１を設置し、高温に保持したサセ
プタ３１により加熱する。ウエハ1が所定の温度（ポリ
シリコン膜の場合は５５０℃から７５０ ℃）になるま
で待機した後、不活性ガスに代わって、成膜ガス４２
（ポリシリコン膜の場合はSiH_４、H_２あるいはN_２）を
上部の導入口4から導入し、シャワーヘッド４１を介し
てウエハ1に供給し、ウエハ１上へ膜を堆積させる。シ
ャワーヘッド４１から供給された供給された成膜ガス４
２は、ウエハ１上に膜を膜を形成すると共に、ウエハ１
とシャワーヘッド４１との間を通って処理室2の側面に
設けた排気口5から排気される。しかし、一部のガス
は、ウエハ１とカバーリング8との間の隙間からウエハ
１の裏面へ回り込み、吸着穴３１１を通って、成膜室１
０より圧力の低いウエハ支持台ユニット3の内部へ入る
可能性がある。

【００３８】ウエハ1の裏面もウエハ支持台ユニット3の
内部も、温度が高いため、成膜ガスが入ってくれば、膜
が堆積してしまい、異物の原因となったり、ウエハ１の
温度制御性に悪影響を及ぼす原因となる。

【００３９】そこで、これを防ぐため、上述したよう
に、パージガスをパージガス路３１２からウエハ１の裏
面に供給し、ウエハ１の裏面への成膜ガスの進入を防い
でいる。

【００４０】ここで、ウエハ１とカバーリング8との隙
間から成膜室１０へ吹き出すパージガスの量が多いと、
ウエハ１のエッジ付近の成膜ガスの濃度が低下し図８の
(ｂ)に示すように、ウエハ１の端部の膜厚が薄くなって
しまう問題が生じる。なお、図８は、ウエハ１の表面上
に堆積される膜厚を示すグラフであり、縦軸は膜厚を示
し、横軸はウエハ１の表面上の中心からの距離を示す。

【００４１】ウエハ１の表面内での膜厚の均一性が悪い
と、制作したデバイスの性能にばらつきができてしま
い、大きな問題となる。

【００４２】そこで、パージガスのメイン排気経路とし
て、カバーリング８とアウターリング３１３との間にパ
ージガスの排気流路を設けている。これにより、ウエハ
１の端部とカバーリング８との間の隙間を通って成膜室
１０へ出るパージガス量が減り、ウエハ１の端部におけ
る膜厚低下が防止される。

【００４３】ウエハ１のエッジ部から出るパージガス量
が減少すると、成膜ガスが侵入し易くなるが、たとえウ
エハ１のエッジ部から成膜ガスが侵入してきたとして
も、ウエハ１のエッジ部でのパージガスの流れは、ウエ
ハ１の端部からカバーリング８の下部に向かっているた
め、ウエハ１の裏面や吸着口３１１には、侵入しにくく
なっている。

【００４４】また、制御ユニット１３は、パージガス導
入口１１と１２から導入するパージガス量が適切となる
ように、成膜ガスの流量や成膜ガス圧力等から、それぞ
れの適切なパージガス流量を求め、コントロールしてい
る。

【００４５】以上により、図８の(ａ)に示すように、ウ
エハ１の端部での膜厚低下がなく、膜厚均一性の良好な
成膜が可能となる。このようにして、所望の厚さの膜が
ウエハ１に堆積すると、原料ガスの導入をやめ、再びシ
ャワーヘッド４３から不活性ガスを供給する。処理室２
内のガスが不活性ガスに置換された後、搬入する手順と
反対の手順でウエハ1を搬入出口から運び出す。

【００４６】以上のように、本発明の第１の実施形態に
よれば、不活性ガスであるパージガスの通路３１２を形
成するアウターリング３１３の上面にカバーリング８を
配置し、アウターリング３１３とカバーリング８との間
により、ウエハ１の周縁部からウエハ１の半径方向に延
びる排気通路が形成される。

【００４７】そして、パージガスを通路３１２を通して
ウエハ１の周縁部に向かって供給し、ウエハ１の周縁部
に供給されたパージガスを、アウターリング３１３とカ
バーリング８との間により形成された排気通路により、
ウエハ１及びウエハ支持ユニット３の内部から遠ざかる
ようにして排気するように構成される。

【００４８】したがって、成膜ガスのウエハ１の裏面へ
の侵入及びウエハ支持ユニット３の内部への侵入が防止
され、ウエハ１の表面に膜厚均一性の良い膜を堆積させ
ることができる半導体製造装置を実現することができ
る。

【００４９】なお、カバーリング８のウエハ１側の上面
端部は、テーパー状となっている。これは、アウターリ
ング３１３とカバーリング８との間により形成された排
気通路により排気されなかったパージガスが存在する場
合、ガスは、このテーパ形状に沿って、ウエハ１の表面
からは遠ざかる方向に流れる。これにより、成膜ガスの
ウエハ１表面上への堆積をパージガスが阻害することが
ないように構成されている。

【００５０】また、カバーリング８に形成されたテーパ
ー形状により、ウエハ１がカバーリング８上に搭載され
てしまうことが回避可能となる。

【００５１】上述した本発明の第１の実施形態において
は、サセプタ3に設けたパージガス路３１２の吹き出し
角度は、図１及び図２に示すように、ウエハ１のエッジ
（周縁部）側に向かって傾斜している。これは、パージ
ガスがウエハ１の周縁部から遠ざかるように流れ、成膜
ガスが、確実に、ウエハ１の裏面に導入されないように
するためである。

【００５２】しかし、上述したように、アウターリング
３１３とカバーリング８との間の排気通路が形成されて
いるため、必ずしも、パージガス路３１２の吹き出し角
度は、図１及び図２に示すように、ウエハ１のエッジ側
に向かって傾斜させる必要はない。

【００５３】図３は、本発明の第２の実施形態である半
導体製造装置の要部概略断面図であり、図１のＡ部に対
応する部分である。他の構成は第１の実施形態と同様と
なるため、図示及び詳細な説明は省略する。

【００５４】この第２の実施形態と第１の実施形態との
異なるところは、パージガス路３１２の吹き出し角度
が、ウエハ１にほぼ垂直となっているところである。

【００５５】この第２の実施形態にように構成しても、
第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。

【００５６】図４は、本発明の第３の実施形態である半
導体製造装置の要部概略断面図であり、図１のＡ部に対
応する部分である。他の構成は第１の実施形態と同様と
なるため、図示及び詳細な説明は省略する。

【００５７】この第３の実施形態と第１の実施形態との
異なるところは、カバーリング8の端部がステップ形状
となっており、第１段の内径は、ウエハ１の外径より小
となっており、第２段の内径は、ウエハ１の外径より大
となっている。

【００５８】この第３の実施形態のように構成すれば、
第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。

【００５９】なお、図示した例では、カバーリング８の
第２段は、パージガス通路３１２の開口部には対向して
いないが、対向するように構成することも可能である。
このように構成することにより、成膜ガスのウエハ１裏
面への侵入を防止することができるるとともに、パージ
ガスがウエハ１の周縁部を通過することが抑制されるた
め、ウエハ１の周縁部の成膜をより均一化することが可
能となる。

【００６０】図５、図６、図７は、本発明の第４、第
５、第６の実施形態である半導体製造装置の要部概略断
面図であり、図１のＡ部に対応する部分である。他の構
成は第１の実施形態と同様となるため、図示及び詳細な
説明は省略する。

【００６１】これら第４、第５、第６の実施形態は、パ
ージガス路３１２の吹き出し口がカバーリング８の裏面
に面している例である。

【００６２】第４の実施形態においては、パージガス路
３１２の吹き出し口がウエハ１の中心部方向から周縁部
方向に向かって傾斜する例であり、第５の実施形態にお
いては、カバーリング８にほぼ垂直となっている例であ
る。

【００６３】また、第６の実施形態においては、パージ
ガス路３１２の吹き出し口が、ウエハ１の周縁部方向か
ら中心部方向に向かって傾斜する例である。

【００６４】上記第４、第５、第６の実施形態において
も、第３の実施形態と同様な効果を得ることができる。

【００６５】また、パージガスをウエハ１の裏面に吹き
出させるようにすると、ウエハ１の端部温度の低下を招
くことが考えられるが、第４〜第６の実施形態のよう
に、カバーリング８の裏面にパージガスを吹き付けるよ
うに構成すると、ウエハ１の端部に供給されるパージガ
スの量を低下することができ、ウエハ１の温度低下を招
く可能性を抑制することができる。

【００６６】なお、以上説明した例は、サセプタ３１と
ヒータ３２とが分離されている例であるが、図９に示す
ように、サセプタ３１内にヒータ３２を埋め込んだ場合
の例にも本発明は適用可能である。

【００６７】また、上述した例においては、図４に示し
た第３の実施形態を除いては、カバーリング８の内周縁
部は、ウエハの直径より大の部分を有するもののみ示し
たが、カバーリング８の内周縁部の全てがウエハの直径
より小となっている場合にも、本発明は適用可能であ
る。

【００６８】また、排気口５も、カバーリング８より成
膜室１０側に形成してもよい。

【００６９】また、上述した例においては、パージガス
導入口を２系統設けているが、導入口を１系統とし、内
部で２系統に分割する構成とすることも可能である。

【００７０】また、アウターリング３１３を、中間壁３
５の一部あるいは全部と一体的に形成されていていもよ
い。

【００７１】また、上述した例においては、成膜する膜
としてポリシリコンを例としたが、これに限る物ではな
い。

【００７２】また、カバーリングは、リング形状となっ
ているものが好ましいが、リング形状でなくともこの発
明は適用可能である。

【００７３】さらに、本発明は成膜装置に限らず、例え
ば、エッチング装置等の他の半導体製造装置にも適用す
ることができる。

【００７４】

【発明の効果】本発明によれば、ウエハ裏面及びウエハ
支持台内部へ成膜ガスが入り込むことを防止して膜の堆
積を防ぐと共に、ウエハ表面に膜厚均一性の良い膜を堆
積させることができる半導体製造装置を実現することが
できる。

【００７５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態による半導体製造装置
の概略構成断面図である。

【００７６】

【図２】図１におけるＡ部の拡大図である。

【００７７】

【図３】本発明の第２の実施形態による半導体製造装置
の概略構成断面図である。

【００７８】

【図４】本発明の第３の実施形態による半導体製造装置
の概略構成断面図である。

【００７９】

【図５】本発明の第４の実施形態による半導体製造装置
の概略構成断面図である。

【００８０】

【図６】本発明の第５の実施形態による半導体製造装置
の概略構成断面図である。

【００８１】

【図７】本発明の第６の実施形態による半導体製造装置
の概略構成断面図である。

【００８２】

【図８】ウエハ１の表面上に堆積される膜厚を示すグラ
フである。

【００８３】

【図９】本発明が適用される半導体製造装置の他の構成
例を示す概略断面図である。

【００８４】

【図１０】従来のＣＶＤ装置の一例を示す概略構成図で
ある。

【符号の説明】

１ ウエハ ２ 処理室 ３ ウエハ支持台ユニット ４ ガス供給部 ５ 排気口 ８ カバーリング １０ 成膜室 １１ パージガス導入口 ３１ サセプタ ３２ ヒータ ３３ 側壁 ３５ 中間壁 ４１ シャワーヘッド ３１１ 吸着穴 ３１２ パージガス路

フロントページの続き (72)発明者 渡辺 智司 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 西谷 英輔 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 吉田 正義 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 石坂 光範 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA17 BA29 BA30 BB03 CA04 EA03 FA10 LA15 5F045 AA06 AB03 AB04 AC01 AC15 AD09 AD10 AD11 AE01 AF01 DP03 DQ10 EF05 EM02 EM04 EM07

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空吸着により処理対象であるウエハをウ
   エハ支持台に吸着し、反応性ガスを上記ウエハに供給し
   て処理する半導体製造装置において、 上記真空吸着されるウエハの外周側に配置されるカバー
   リングと、 上記ウエハ支持台から上記カバーリング下面に向けて不
   活性ガスを吹き出させる不活性ガス供給通路と、 上記カバーリングの下面に沿って形成され、上記不活性
   ガスを排気する排気通路と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】請求項1の半導体製造装置において、上記
   カバーリングはリング形状であり、その内径は、上記処
   理対象であるウエハの直径以上であることを特徴とする
   半導体製造装置。
3. 【請求項３】請求項1の半導体製造装置において、上記
   カバーリングはリング形状であり、その内径は、上記処
   理対象であるウエハの直径以下であることを特徴とする
   半導体製造装置。
4. 【請求項４】請求項1の半導体製造装置において、上記
   カバーリングはリング形状であり、その内周端部は、上
   記処理対象であるウエハの直径より大の部分と小の部分
   とを有することを特徴とする半導体製造装置。
5. 【請求項５】真空吸着により処理対象であるウエハをウ
   エハ支持台に吸着して保持し、反応性ガスを上記ウエハ
   に供給して成膜処理する半導体製造装置において、 上記反応性ガスの排気路と、 上記ウエハの外周部に供給する不活性ガスの主排気路
   と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。
6. 【請求項６】請求項１、２、３、4、５のうちのいずれ
   か一項記載の半導体製造装置において、上記ウエハの裏
   面へ供給する第１の不活性ガス通路と、上記支持台及び
   カバーリングが、その内部に配置される処理室の側壁
   へ、不活性ガスを供給する第２の不活性ガス通路とを備
   えることを特徴とする半導体製造装置。
7. 【請求項７】請求項１、２、３、4、５、６のうちのい
   ずれか一項記載の半導体製造装置において、上記反応性
   ガスの流量又は圧力に基づいて、上記不活性ガスの供給
   流量を設定することを特徴とする半導体製造装置。
8. 【請求項８】半導体の製造方法において、 真空吸着により処理対象であるウエハをウエハ支持台に
   吸着する工程と、 反応性ガスを上記ウエハに供給する工程と、 上記真空吸着されるウエハの裏面側から外周縁に向け
   て、不活性ガスを吹き出す工程と、 上記ウエハの裏面側から外周縁側に向けて吹き出された
   不活性ガスを上記ウエハの半径方向に沿って排気する工
   程と、 を備えることを特徴とする半導体製造方法。