KR20210081240A - 플라즈마 에칭을 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 28
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000000047 product Substances 0.000 description 19
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000003701 inert diluent Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
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- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
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Abstract
본 발명에 따라, 기판 및 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트를 포함하는 구조물을 플라즈마 에칭하는 방법이 제공되며, 이 방법은, 기판 및 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트를 포함하는 구조물을 제공하는 단계; 하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제1 가스 입구 장치 및 하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제2 가스 입구 장치를 갖는 챔버 내의 지지체 상에 구조물을 위치시키는 단계; 제1 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 도입되는 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제1 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 구조물을 에칭하는 단계; 및 제2 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 도입되는 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제2 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 구조물을 추가로 에칭하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 플라즈마 에칭 방법, 특히 기판 및 비휘발성 금속 에칭 생성물(involatile metal etch products)을 형성하는 컴포넌트(component)를 포함하는 구조물을 플라즈마 에칭하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 플라즈마 에칭을 위한 장치에 관한 것이다.
플라즈마 에칭은 반도체 디바이스 제조 분야에서 일반적인 기술이다. 에칭 프로세스의 바람직하지 않은 부작용은 에칭이 발생하는 챔버 내부 상에 물질이 축적(build-up)되는 것이다. 물질이 특정 두께에 도달하면 물질이 챔버 벽에서 박리되어(flake away) 시스템을 오염시키는 것을 방지하기 위해 챔버를 주기적으로 세정해야 한다. 이 기간을 평균 세정 간 시간(mean time between cleans; MTBC)라고 한다. 이것은 플라즈마 장치의 생산성을 증가시키기 때문에 더 긴 MTBC가 요구된다.
기판, 및 에칭될 때 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 또 다른 컴포넌트를 포함하는 특정 구조물을 에칭할 때 실질적인 문제가 발생할 수 있다. 일반적으로 Pt와 같은 귀금속 전극을 사용하는 PZT(티탄산 지르콘산 연(lead zirconate titanate))를 에칭할 때 특정 문제가 발생한다. PZT는 초음파 변환기, AFM 액추에이터와 같은 센서/액추에이터 응용 분야 및 비휘발성 메모리 디바이스의 제조를 위한 마이크로 전자 공학에 일반적으로 사용되는 압전 물질이다. PZT 층의 건식 에칭은 특히 큰 웨이퍼 직경(> 150mm)과 높은 개방 영역(open areas)(> 80%)에서 특별한 기술적 문제를 나타낸다. 에칭 부산물은 대체로 비휘발성이어서, 전극으로부터 Pb, Zr 및 Ti(이들은 PZT로부터 유래함) 그리고 Pt가 풍부한 막과 함께, 탄소, 불소 및 산소와 같은 에칭 동안 사용되는 프로세스 가스의 부산물로 프로세스 챔버 내부를 코팅하게 된다. O2 배치 세정(batch cleans) 및 O2 웨이퍼 간 세정(inter-wafer cleans)을 사용하면 탄소 기반 부산물 퇴적을 최소화할 수 있지만 나머지 부산물은 비휘발성이므로 건식 에칭으로 제거하기가 어렵다. 특정 두께를 초과하면 퇴적된 물질의 막 응력 변화로 인해 퇴적된 물질의 박리가 발생할 수 있다. 이는 챔버의 열 구배(thermal gradients) 및/또는 유휴 시간 동안의 열 순환, 및/또는 불량한 접착의 지점으로 인해 악화된다. 박리는 프로세싱된 웨이퍼 상에서 입자 수와 결함을 증가시킨다. 그러면 진공 챔버를 대기에 개방하고 습식/기계적 방법을 사용하여 챔버 내부를 세정해야 한다. 이것은 바람직한 것보다 낮은 MTBC를 초래한다. 또한 정전 척(electrostatic chuck; ESC) 상으로 물질이 박리되면 ESC에 의해 적용되는 클램핑력의 무결성을 방해할 수 있다. 이는 PZT 함유 구조물과 ESC 사이의 열 전달에 영향을 미쳐 웨이퍼 냉각이 불균일하고 결과적으로 프로세스 성능이 저하된다. 궁극적으로 이로 인해 생성물 결함이 발생한다. 따라서 도구 생산성이 감소하고 또한 예기치 않은 입자 발생이 디바이스 수율에 부정적인 영향을 미칠 수 있으므로 박리와 연관된 상당한 경제적 결과가 있다. 그러나, PZT 기반 디바이스에 대한 수요가 증가함에 따라 디바이스 수율을 개선하고 에칭 시스템의 생산성을 높이기 위해 물질의 플라즈마 에칭 프로세싱을 개선해야 하는 요구 사항이 증가하고 있다.
본 발명의 적어도 일부 실시예에서, 본 발명은 위에서 개시된 하나 이상의 문제 및 요구에 관한 것이다.
본 발명의 양상에 따르면, 기판 및 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트를 포함하는 구조물을 플라즈마 에칭하는 방법이 제공되며, 이 방법은,
기판 및 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트를 포함하는 구조물을 제공하는 단계;
하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제1 가스 입구 장치 및 하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제2 가스 입구 장치를 갖는 챔버 내의 지지체 상에 구조물을 위치시키는 단계;
제1 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 공급되는 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제1 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 구조물을 에칭하는 단계; 및
제2 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 공급되는 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제2 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 구조물을 추가로 에칭하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 양상에 따르면, 기판 및 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트를 포함하는 구조물을 플라즈마 에칭하기 위한 플라즈마 에칭 장치가 제공되며, 이 장치는,
하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제1 가스 입구 장치 및 하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제2 가스 입구 장치를 갖는 챔버;
구조물이 위에 위치될 수 있는, 챔버 내에 위치된 지지체;
플라즈마 생성 디바이스; 및
구조물이, 제1 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 공급되는 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제1 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 에칭되고, 제2 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 공급되는 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제2 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 추가로 에칭되게끔 제1 가스 입구 장치 및 제2 가스 입구 장치를 제어하도록 구성된 제어기를 포함한다.
본 발명은 챔버 세정들 사이의 평균 시간을 연장하기 위해 가스 입구 전환을 갖는 2 단계 에칭 프로세스를 이용한다. 가스 입구 부근에서 더 높은 농도의 전구체 가스는 가스 입구 주변의 퇴적을 증가시키는 것으로 여겨진다. 전환된 가스 입구를 갖는 2 단계 에칭 프로세스를 이용함으로써, 본 발명은 챔버 퇴적에서 더 큰 균일성을 제공하고 이에 따라 MTBC를 확장한다.
제1 가스 입구 장치의 가스 입구는 제2 가스 입구 장치의 가스 입구의 반경 방향 내측에(radially inwardly) 위치되거나 그 반대로 위치될 수 있다. 챔버는 플라즈마 생성 디바이스를 더 포함할 수 있다. 플라즈마 생성 디바이스는 제2 가스 입구 장치의 가스 입구로부터 제1 가스 입구 장치의 가스 입구를 분리시킬 수 있다.
플라즈마 생성 디바이스는 환형 하우징 및 환형 하우징 내에 배치된 플라즈마 발생 요소를 포함할 수 있다. 제1 가스 입구 장치의 가스 입구는 환형 하우징의 반경 방향 내측에 위치될 수 있고 제2 가스 입구 장치의 가스 입구는 환형 하우징의 반경 방향 외측에 위치될 수 있거나 그 반대로 위치될 수 있다. 플라즈마 발생 요소는 RF 안테나일 수 있다. 환형 하우징은 세라믹 물질로 형성될 수 있다.
이 구조물은 제1 및 제2 플라즈마 에칭 단계 동안 지지체 상에 위치되고 RF 바이어스 전력이 지지체에 인가될 수 있다. 따라서, 플라즈마 에칭 장치는 RF 바이어스 전력을 지지체에 인가하기 위한 전력인가 장치를 포함할 수 있다. RF 바이어스 전력은 제2 플라즈마 에칭 단계에서보다 제1 플라즈마 에칭 단계에서 더 클 수 있다.
제1 및 제2 플라즈마 에칭 단계는 상이한 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용한다. 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물은 플루오르화탄소를 포함할 수 있다. 상기 플루오르화탄소는 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물에 없을 수 있다. 대안적으로, 제1 및 제2 플라즈마 에칭 단계는 동일한 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용할 수 있다.
구조물은 단일 제1 플라즈마 에칭 단계 및 단일 제2 플라즈마 에칭 단계를 사용하여 플라즈마 에칭될 수 있다. 대안적으로, 제1 및 제2 플라즈마 에칭 단계를 원하는 횟수만큼 교대로 반복함으로써 주기적인 방식으로 구조물을 에칭하는 것이 가능하다. 주기적 에칭 프로세스가 사용되는 경우, 에칭 사이클들 사이에 제1 및 제2 가스 입구 장치의 순서를 바꿀 수 있는데, 즉, 일부 에칭 사이클에서 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물은 제2 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 공급될 수 있고, 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물은 제2 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 공급될 수 있다. 따라서, 본 방법은, 제2 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 공급되는 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제1 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 이 구조물을 추가로 에칭하는 단계; 및 제1 가스 입구 장치를 통해서만 챔버로 공급되는 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제2 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 여전히 이 구조물을 추가로 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다.
비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 구조물의 컴포넌트는 압전 층 및/또는 금속 전극일 수 있다. 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 구조물의 컴포넌트는 PZT(티탄산 지르콘산 연) 및/또는 Pt 전극과 같은 귀금속 전극일 수 있다. PZT 층은 하나 이상의 다른 물질 층에 의해 반도체 기판으로부터 분리될 수 있다. PZT 층은 하부 표면을 포함할 수 있다. 하부 표면은 예를 들어, Pt 층과 같은 전극 층에 의해 반도체 기판으로부터 분리될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, PZT 층은 SiO2와 같은 배리어 층에 의해 반도체 기판으로부터 분리될 수 있다. PZT 층은 상부 표면을 포함할 수 있다. Pt 층과 같은 전극 층은 상부 표면 상에 존재할 수 있다. 구조물은 포토레지스트 층 또는 다른 마스크 물질을 더 포함할 수 있다.
PZT 및/또는 귀금속 전극을 에칭할 때, 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물은 본질적으로 CF4, H2 및 옵션으로 Ar과 같은 하나 이상의 불활성 희석제로 구성될 수 있고, 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물은 본질적으로 C4F8, CF4, H2 및 옵션으로 Ar과 같은 하나 이상의 불활성 희석제로 구성될 수 있다.
기판은 반도체 기판일 수 있다.
반도체 기판은 실리콘 기판일 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체 기판은 실리콘 기판이고 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트는 PZT의 층이다.
반도체 기판은 SiC 기판일 수 있고, 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트는 금속 마스크일 수 있다. 플라즈마 에칭은 금속 마스크를 통한 SiC 기판의 후면 에칭을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 가스 입구 장치는 각각 임의의 적절한 수의 가스 입구를 포함할 수 있다. 원칙적으로, 제1 및/또는 제2 가스 입구 장치는 단일 가스 입구를 가질 수 있지만, 실제로는 각 가스 장치가 복수의 가스 입구를 가질 가능성이 더 크다.
기판은 웨이퍼 형태일 수 있다. Si와 같은 반도체 기판은 일반적으로 웨이퍼 형태일 것이다.
플라즈마 에칭에 적합한 상이한 종류들의 플라즈마 생성 디바이스는 숙련된 독자에게 잘 알려져 있다. 본 발명은 이러한 다양한 플라즈마 생성 디바이스와 함께 사용될 수 있다.
본 발명이 위에서 설명되었지만, 이는 위에서 또는 다음 설명에서 제시된 특징들(features)의 임의의 진보적인 조합으로 확장된다. 예를 들어, 본 발명의 한 양상과 관련하여 설명된 피처는 본 발명의 또 다른 양상과 관련하여 개시된다. 본 발명의 예시적인 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에서 상세하게 설명되지만, 본 발명은 이러한 정확한 실시예로 제한되지 않음을 이해해야 한다. 또한, 개별적으로 또는 실시예의 일부로서 설명된 특정 피처는, 다른 피처 및 실시예가 특정 피처를 언급하지 않더라도 다른 개별적으로 설명된 피처 또는 다른 실시예의 일부와 결합될 수 있다는 것이 고려된다. 따라서, 본 발명은 이미 설명되지 않은 이러한 특정 조합으로 확장된다.
이제 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 예로서만 설명될 것이다.
도 1 및 2는 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 개략도이다.
도 3은 RF 소스 윈도우(RF source window)의 퇴적을 도시하고 도 4와 5에 해당하는 영역을 나타낸다.
도 4는 도 3에 표시된 잘 접착된 물질의 SEM 현미경 사진이다.
도 5는 도 3에 표시된 불량하게 접착된 물질의 SEM 현미경 사진이다.
도 6은 퇴적된 물질 층의 EDX 조성 분석을 도시한다.
도 1 및 2는 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 개략도이다.
도 3은 RF 소스 윈도우(RF source window)의 퇴적을 도시하고 도 4와 5에 해당하는 영역을 나타낸다.
도 4는 도 3에 표시된 잘 접착된 물질의 SEM 현미경 사진이다.
도 5는 도 3에 표시된 불량하게 접착된 물질의 SEM 현미경 사진이다.
도 6은 퇴적된 물질 층의 EDX 조성 분석을 도시한다.
본 발명은 챔버 세정들 사이의 평균 시간을 연장하기 위해 2 단계 에칭 방법(two-step etching method) 및 대응 플라즈마 에칭 장치를 이용한다.
본 발명에 따른 플라즈마 프로세싱 장치는 도 1 및 2에 도시되어 있다. 본 발명은 가스 입구 전환을 사용하여 2 단계 에칭 프로세스를 수행하도록 구성된 출원인의 Omega® Synapse™ 에칭 프로세스 모듈의 개조된 버전에서 수행될 수 있다. 배기 가스 펌핑 시스템과 같은 잘 알려진 피처는 도 1 및 2에 도시되어 있지 않지만 숙련된 독자는 잘 이해할 것이다.
이 장치는 복수의 내부 표면을 갖는 플라즈마 에칭 챔버(11)를 포함한다. 이 장치는 제1 가스 입구 장치(10), 제2 가스 입구 장치(12), 세라믹 환형 하우징(18), RF 안테나(14), 플래튼 RF 전극(16) 및 에칭을 겪는 구조물(28)을 지지하기 위한 지지체(20)를 포함한다. 도 1 및 2에 도시된 실시예에서, 지지체(20)는 정전 척이고 플래튼 RF 전극(platen RF electrode)(16)은 에칭 이온의 방향성을 제어하기 위해 사용된다. 이는 결국 프로세싱 중에 달성되는 물리적 에칭의 범위(extent)를 제어한다. 플래튼 파워가 높을수록 기판 에칭 속도가 증가할 것이다.
플라즈마 에칭 챔버(11)는 상부 벽 또는 덮개(lid)를 갖는다. 환형 하우징(18)은 챔버(11) 내에 잠기고 상부 벽으로부터 하향으로 매달려 있다. 환형 하우징(18)은 상부 벽의 내부 상의 원형 영역을 규정한다.
도 1 및 2에 도시된 실시예에서, 제1 가스 입구 장치(10)는 내부 가스 플레넘(inner gas plenum)이고 제2 가스 입구 장치(12)는 외부 가스 플레넘이다. 각각의 가스 입구 장치는 복수의 가스 입구를 포함하고, 각 가스 입구는 프로세스 가스가 챔버(11)의 내부로 들어가는 개구에서 종결된다. 내부 플레넘(10)은 환형 하우징(18)에 의해 규정된 원형 영역 내에 위치한다. 내부 가스 플레넘(10)의 가스 입구는 원형 패턴으로 배치된 복수의 개구로서 환형 하우징(18)의 내부에 위치한다. 외부 플레넘(12)은 환형 하우징(18)에 의해 규정된 원형 영역 외부에 위치한다. 외부 가스 플레넘(10)의 가스 입구는 원형 패턴으로 배치된 복수의 개구로서 환형 하우징(18)의 외측에 위치된다. 내부 가스 플레넘은 8개의 가스 입구를 가질 수 있는 반면 외부 가스 플레넘은 이보다 약 10배 많은 가스 입구를 가질 수 있다. 그러나, 제1 및 제2 가스 입구 장치는 임의의 적절한 수의 가스 입구를 가질 수 있음을 이해할 것이다.
에칭 챔버는 챔버에 존재하는 구조물(28)의 프로세싱을 나타내는 도 2에 추가로 도시되어 있다. 챔버는 구조물(28)이 그 내부에서 지지체(20) 상에 배치되는 챔버 벽(24)을 포함한다. 플라즈마(26)는 환형 하우징(18) 내에 포함된 RF 안테나(14)를 통해 챔버 내로 결합된 RF 전원(도시되지 않음)으로부터의 RF 전력에 의해 점화되고 유지된다. 환형 하우징(18)은 RF 전력이 챔버 내로 결합될 수 있도록 하는 윈도우(window) 역할을 한다. 에칭 프로세스 가스는 내부 가스 플레넘(10) 또는 외부 가스 플레넘(12)의 가스 입구를 통해 챔버로 들어간다. 제어기(30)는 가스 진입점을 제1 가스 플레넘으로부터 제2 가스 플레넘으로 전환하는 데 사용된다.
본 발명은 PZT(티탄산 지르콘산 연)를 함유하는 구조물을 에칭하는 데 사용될 수 있다. 전형적인 웨이퍼 구조물은 실리콘 기판 베이스 층에 이어 SiO2 층, 백금 층, PZT 층, 제2 백금 층, 그리고 마지막으로 웨이퍼의 상부 표면 상의 포토레지스트 마스크이다. 포토 레지스트 마스크는 플라즈마 에칭으로부터 웨이퍼를 보호한다. 마스크는 원하는 에칭 생성물에 따라 패터닝된다. 전형적으로, 백금 전극 층은 50 nm 내지 250 nm의 두께를 가질 것이고 PZT 층은 500 nm 내지 2500 nm의 두께를 가질 것이다.
에칭될 웨이퍼는 지지체(20)에 정전기적으로 클램핑된다. 헬륨은 웨이퍼를 냉각하는 데 사용된다.
제1 에칭 단계 동안, 더 높은 플래튼 전력(platen power)을 사용하여 PZT를 낮은 선택도로 높은 속도로 정지층까지 에칭한다. 정지층은 일반적으로 백금 전극이다. 플래튼 전력은 제2 단계에서 감소되며 완전히 꺼질 수 있다. 감소된 플래튼 전력은 PZT의 에칭 속도를 감소시키고 PZT/PT 선택도를 증가시킨다. 이는 제2 단계 동안 플라즈마가 임의의 남아있는 PZT를 계속 에칭하지만 정지층을 에칭하지 않거나 실질적으로 감소된 속도로 Pt를 제거하는 것을 의미한다.
챔버의 내부 표면은 퇴적된 물질의 제1 층의 접착력을 향상시키기 위해 텍스처링되었다(textured). 챔버의 금속 차폐는 대략 20 μm 내지 35 μm의 표면 거칠기를 달성하기 위해 아크 스프레이 Al로 코팅되었고, 세라믹 윈도우(18)는 대략 6 μm의 표면 거칠기를 달성하기 위해 이트리아 코팅으로 코팅되었다. 에칭 프로세스 가스를 전달하기 위해 사용되는 내부 가스 플레넘 또는 외부 가스 플레넘과 함께 표 1에 표시된 프로세스 조건을 이용하여, 포토레지스트 마스크(4.5 μm 두께)/Pt(100 nm 두께)/PZT(2 μm 두께)/Pt(100 nm 두께) 층이 위에 형성된, 고 개방 영역(80% OA)이 패터닝된 웨이퍼를 에칭하여 실험이 진행되었다.
표 1은 각 단계에 대한 일반적인 프로세스 파라미터를 보여준다. PZT 에칭은 일반적으로 55℃의 챔버 온도와 5 mTorr 내지 50 mTorr의 압력에서 수행된다.
1 단계 | 2 단계 | |
C4F8 흐름(sccm) | 0 | 5-10 |
CF4 : H2 비율 | >1.5:1 | <1:1 |
안테나 RF 전력(W) | 1000-1500 | 1500-1900 |
플래튼 RF 전력(W) | 500-1000 | 0-500 |
시간(min) | 5-10 | 10-15 |
에칭 단계를 수행하기 위해 외부 가스 플레넘이 사용되었을 때, 외부 가스 플레넘 근처의 챔버 표면 상에 퇴적이 분명하게 드러났다. 내부 가스 플레넘이 에칭 단계를 수행하는 데 사용되었을 때, 퇴적은 환형 하우징 상에와 내부 가스 플레넘 근처에서 볼 수 있었다. 환형 하우징의 세라믹 윈도우에서 물질이 박리되기 전에 내부 플레넘을 사용하여 214 마이크론을 초과하는 PZT가 성공적으로 에칭되었다.
도 3은 환형 하우징(18) 상에 퇴적된 물질을 도시한다. 물질이 일부 영역에서는 잘 접착되고 다른 영역에서는 박리되는 것을 볼 수 있다.
도 4에 도시된 SEM 현미경 사진은 도 3에 표시된 잘 접착된 영역에 해당한다. 두꺼운 층의 플루오르화탄소 중합체가 금속성 에칭 생성물의 각 층 사이에 존재한다. 챔버에서 프로세싱되는 웨이퍼 수가 증가함에 따라 에칭 생성물과 플루오르화탄소 중합체의 층상 구조물이 챔버 내부 상에 축적된다.
대조적으로, 도 5의 SEM 현미경 사진은 도 3에 표시된 불량 접착 영역(poorly-adhered area)으로부터 취해진 것이다. 이 영역에는 에칭 생성물 층들 사이에 얇거나 존재하지 않는 플루오르화탄소 층이 있다. SEM 이미지는 재퇴적된 각 에칭 생성물 층들 사이에 두꺼운 플루오르화탄소 중합체층이 있는 영역이 플루오르화탄소 층이 얇거나 없는 영역보다 더 잘 접착됨을 나타낸다.
도 6은 잘 부착된 영역으로부터 취해진 재퇴적된 물질의 EDX 조성 분석을 보여준다. 물질의 조성은 도 4에서 볼 수 있듯이 금속 에칭 생성물 층들 사이에 끼인 두꺼운 플루오르화탄소 층의 존재와 일치한다.
어떤 특정한 이론이나 추측에 의해 제한되기를 바라지 않고, 챔버 내부 상의 퇴적의 두 가지 주요 퇴적 메커니즘이 있다고 여겨진다. 제1 메커니즘은 챔버 내부 상에 프로세스 가스를 직접 퇴적하는 것이다. 제2 메커니즘은 에칭 중에 웨이퍼로부터 에칭 생성물을 재퇴적하는 것이다. 에칭 프로세스 가스 혼합물로부터의 물질 퇴적은 가스 입구로부터의 거리의 함수로서 전구체 가스 농도의 국부적인 변화로 인해 챔버 전체에 걸쳐 변하는 것으로 여겨진다. 이것은 가스 입구 근처에서 더 높은 퇴적으로 이어진다. 2 단계 에칭 방법을 사용하고 두 에칭 단계들 사이에서 가스 유입 위치를 전환함으로써 보다 균일한 퇴적이 달성될 수 있으며, 이에 따라 챔버 세정들 사이의 시간이 연장된다. 웨이퍼 에칭 생성물로부터의 퇴적은 웨이퍼로부터 시선 방식으로(line-of-sight manner) 작용하는 것으로 믿어지며, 따라서 가스 입구의 영향을 받지 않는다.
본 발명은 PZT의 에칭과 관련하여 특히 효과적인 것으로 입증되었지만, 본 발명은 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트를 포함하는 다른 구조물의 에칭에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 금속 마스크를 사용하는 SiC의 후면 에칭에 적용될 수 있다.
Claims (16)
- 기판, 및 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트(component)를 포함하는 구조물을 플라즈마 에칭하는 방법에 있어서,
기판, 및 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트를 포함하는 구조물을 제공하는 단계;
하나 이상의 가스 입구(gas inlet)를 포함하는 제1 가스 입구 장치(arrangement) 및 하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제2 가스 입구 장치를 갖는 챔버 내의 지지체 상에 상기 구조물을 위치시키는 단계;
상기 제1 가스 입구 장치를 통해서만 상기 챔버로 공급되는 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제1 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 상기 구조물을 에칭하는 단계; 및
상기 제2 가스 입구 장치를 통해서만 상기 챔버로 공급되는 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제2 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 상기 구조물을 추가로 에칭하는 단계
를 포함하는, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 가스 입구 장치의 가스 입구는 상기 제2 가스 입구 장치의 가스 입구의 반경 방향 내측에(radially inwardly) 위치되거나, 또는 그 반대로 위치되는 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제2항에 있어서,
상기 챔버는, 상기 제1 가스 입구 장치의 가스 입구를 상기 제2 가스 입구 장치의 가스 입구로부터 분리시키는 플라즈마 생성 디바이스를 더 포함하는 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제3항에 있어서,
상기 플라즈마 생성 디바이스는 환형 하우징 및 상기 환형 하우징 내에 배치된 플라즈마 발생 요소를 포함하며, 상기 제1 가스 입구 장치의 가스 입구는 상기 환형 하우징의 반경 방향 내측에 위치되고, 상기 제2 가스 입구 장치의 가스 입구는 상기 환형 하우징의 반경 방향 외측에 위치되거나, 또는 그 반대로 위치되는 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제4항에 있어서,
상기 플라즈마 발생 요소는 RF 안테나인 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구조물이 지지체 상에 위치되고, RF 바이어스 전력이 상기 제1 플라즈마 에칭 단계 및 상기 제2 플라즈마 에칭 단계 동안 상기 지지체에 인가되는 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 플라즈마 에칭 단계 및 상기 제2 플라즈마 에칭 단계는 상이한 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하는 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제7항에 있어서,
상기 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물은 플루오르화탄소를 포함하고, 상기 플루오르화탄소는 상기 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물에 없는 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 상기 구조물의 컴포넌트는 귀금속 전극 및/또는 PZT(티탄산 지르콘산 연(lead zirconate titanate))의 층인 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 반도체 기판인 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제10항에 있어서,
상기 반도체 기판은 실리콘 기판인 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 제10항에 있어서,
상기 반도체 기판은 SiC 기판이고, 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 상기 컴포넌트는 금속 마스크인 것인, 플라즈마 에칭하는 방법. - 기판 및 비휘발성 금속 에칭 생성물을 형성하는 컴포넌트를 포함하는 구조물을 플라즈마 에칭하기 위한 플라즈마 에칭 장치에 있어서,
하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제1 가스 입구 장치 및 하나 이상의 가스 입구를 포함하는 제2 가스 입구 장치를 갖는 챔버;
상기 구조물이 상부에 위치될 수 있는, 상기 챔버 내에 위치된 지지체;
플라즈마 생성 디바이스; 및
상기 구조물이, 상기 제1 가스 입구 장치를 통해서만 상기 챔버로 공급되는 제1 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제1 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 에칭되고, 상기 제2 가스 입구 장치를 통해서만 상기 챔버로 공급되는 제2 에칭 프로세스 가스 혼합물을 사용하여 제2 플라즈마 에칭 단계를 수행함으로써 추가로 에칭되게끔, 상기 제1 가스 입구 장치 및 상기 제2 가스 입구 장치를 제어하도록 구성되는 제어기
를 포함하는, 플라즈마 에칭 장치. - 제13항에 있어서,
상기 제1 가스 입구 장치의 가스 입구는 상기 제2 가스 입구 장치의 가스 입구의 반경 방향 내측에 위치되거나, 또는 그 반대로 위치되는 것인, 플라즈마 에칭 장치. - 제14항에 있어서,
상기 챔버는, 상기 제1 가스 입구 장치의 가스 입구를 상기 제2 가스 입구 장치의 가스 입구로부터 분리시키는 플라즈마 생성 디바이스를 더 포함하는 것인, 플라즈마 에칭 장치. - 제15항에 있어서,
상기 플라즈마 생성 디바이스는 환형 하우징 및 상기 환형 하우징 내에 배치된 플라즈마 발생 요소를 포함하며, 상기 제1 가스 입구 장치의 가스 입구는 상기 환형 하우징의 반경 방향 내측에 위치되고, 상기 제2 가스 입구 장치의 가스 입구는 상기 환형 하우징의 반경 방향 외측에 위치되거나, 또는 그 반대로 위치되는 것인, 플라즈마 에칭 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1919215.2 | 2019-12-23 | ||
GBGB1919215.2A GB201919215D0 (en) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | Method and apparatus for plasma etching |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210081240A true KR20210081240A (ko) | 2021-07-01 |
Family
ID=69322994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200152150A KR20210081240A (ko) | 2019-12-23 | 2020-11-13 | 플라즈마 에칭을 위한 방법 및 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11664232B2 (ko) |
EP (1) | EP3843126A1 (ko) |
JP (1) | JP2021100103A (ko) |
KR (1) | KR20210081240A (ko) |
CN (1) | CN113097042A (ko) |
GB (1) | GB201919215D0 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4199687B1 (en) | 2021-12-17 | 2024-04-10 | SPTS Technologies Limited | Plasma etching of additive-containing aln |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012523A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20050099078A1 (en) * | 1999-05-03 | 2005-05-12 | Serge Vanhaelemeersch | Method for removal of SiC |
WO2001040540A1 (en) | 1999-12-02 | 2001-06-07 | Tegal Corporation | Improved reactor with heated and textured electrodes and surfaces |
KR100825130B1 (ko) | 2001-07-06 | 2008-04-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 금속 에칭 공정 동안 플라즈마 에칭 챔버내에서 파티클을감소시키는 방법 |
US20030013314A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Chentsau Ying | Method of reducing particulates in a plasma etch chamber during a metal etch process |
US6943039B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-09-13 | Applied Materials Inc. | Method of etching ferroelectric layers |
US20040203242A1 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-14 | George Stojakovic | System and method for performing a metal layer RIE process |
WO2005104203A1 (ja) | 2004-03-31 | 2005-11-03 | Fujitsu Limited | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008078515A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
US7935637B2 (en) * | 2007-08-16 | 2011-05-03 | International Business Machines Corporation | Resist stripping methods using backfilling material layer |
JP5213496B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
WO2009142960A1 (en) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | Fujifilm Corporation | Etching piezoelectric material |
JP5461148B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング方法及び装置 |
KR101772723B1 (ko) * | 2010-06-28 | 2017-08-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 |
US8771536B2 (en) * | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
GB201217712D0 (en) * | 2012-10-03 | 2012-11-14 | Spts Technologies Ltd | methods of plasma etching |
US11133190B2 (en) * | 2017-05-05 | 2021-09-28 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Metal-based passivation-assisted plasma etching of III-v semiconductors |
US10483118B2 (en) * | 2017-05-11 | 2019-11-19 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
-
2019
- 2019-12-23 GB GBGB1919215.2A patent/GB201919215D0/en not_active Ceased
-
2020
- 2020-10-15 EP EP20202066.5A patent/EP3843126A1/en active Pending
- 2020-11-09 CN CN202011240861.9A patent/CN113097042A/zh active Pending
- 2020-11-09 JP JP2020186574A patent/JP2021100103A/ja active Pending
- 2020-11-13 KR KR1020200152150A patent/KR20210081240A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-11-15 US US17/098,426 patent/US11664232B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3843126A1 (en) | 2021-06-30 |
US11664232B2 (en) | 2023-05-30 |
CN113097042A (zh) | 2021-07-09 |
JP2021100103A (ja) | 2021-07-01 |
GB201919215D0 (en) | 2020-02-05 |
TW202133260A (zh) | 2021-09-01 |
US20210193471A1 (en) | 2021-06-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal |