JP3123494B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板上に形成
されたタングステン膜を有する半導体装置及びその製造
方法に関し、特に、タングステン膜の剥離の防止を図っ
た半導体装置及びその製造方法に関する。
されたタングステン膜を有する半導体装置及びその製造
方法に関し、特に、タングステン膜の剥離の防止を図っ
た半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置の配線材料と
してタングステン等の高融点配線材料が使用されてい
る。高融点配線材料の中でも、特に、タングステンは半
導体基板と配線との間又は配線間を接続する電極の材料
として使用されることが多い。また、タングステン膜の
成膜方法には、ブランケットタングステン成膜方法とよ
ばれる方法がある。
してタングステン等の高融点配線材料が使用されてい
る。高融点配線材料の中でも、特に、タングステンは半
導体基板と配線との間又は配線間を接続する電極の材料
として使用されることが多い。また、タングステン膜の
成膜方法には、ブランケットタングステン成膜方法とよ
ばれる方法がある。
【０００３】タングステン膜を有する半導体装置のブラ
ンケットタングステン成膜方法を使用した従来の成膜工
程は以下のようにして行われている。図４（ａ）乃至
（ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断
面図である。先ず、図４（ａ）に示すように、シリコン
基板４１上に層間絶縁膜４２を形成する。そして、層間
絶縁膜４２にコンタクト孔（図示せず）を開口する。
ンケットタングステン成膜方法を使用した従来の成膜工
程は以下のようにして行われている。図４（ａ）乃至
（ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断
面図である。先ず、図４（ａ）に示すように、シリコン
基板４１上に層間絶縁膜４２を形成する。そして、層間
絶縁膜４２にコンタクト孔（図示せず）を開口する。
【０００４】次に、図４（ｂ）に示すように、スパッタ
リング法により層間絶縁膜４２上にバリヤメタル膜４３
を堆積させる。バリヤメタル膜４３は、層間絶縁膜４２
とタングステン膜との密着性が良好ではないため、これ
らの膜間の密着膜として作用する。
リング法により層間絶縁膜４２上にバリヤメタル膜４３
を堆積させる。バリヤメタル膜４３は、層間絶縁膜４２
とタングステン膜との密着性が良好ではないため、これ
らの膜間の密着膜として作用する。
【０００５】次いで、図４（ｃ）に示すように、バリヤ
メタル膜４３上にブランケットタングステン膜４４を成
長させる。
メタル膜４３上にブランケットタングステン膜４４を成
長させる。
【０００６】更に、ブランケットタングステン膜４４を
プラズマエッチング法等により異方的にエッチングす
る。
プラズマエッチング法等により異方的にエッチングす
る。
【０００７】以上の工程を通じて、コンタクト孔にタン
グステン膜が埋め込まれた半導体装置を製造している。
グステン膜が埋め込まれた半導体装置を製造している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法でタングステン膜を成膜すると、ウェハ側面に形成
されたタングステン膜が成膜後に剥離するという問題点
がある。タングステン膜が剥離すると、半導体集積回路
装置の動作が不良になるばかりでなく、成膜中にタング
ステン膜堆積装置内に発塵がもたらされる虞がある。
方法でタングステン膜を成膜すると、ウェハ側面に形成
されたタングステン膜が成膜後に剥離するという問題点
がある。タングステン膜が剥離すると、半導体集積回路
装置の動作が不良になるばかりでなく、成膜中にタング
ステン膜堆積装置内に発塵がもたらされる虞がある。
【０００９】ウェハ側面でタングステン膜が剥離する理
由は、タングステン膜との密着性が高いバリヤメタル膜
はウェハ側面での被覆性に劣っているため、ウェハ側面
では露出した層間絶縁膜上に層間絶縁膜との密着性が低
いタングステン膜が直接堆積してしまうからである。
由は、タングステン膜との密着性が高いバリヤメタル膜
はウェハ側面での被覆性に劣っているため、ウェハ側面
では露出した層間絶縁膜上に層間絶縁膜との密着性が低
いタングステン膜が直接堆積してしまうからである。
【００１０】その対策として層間絶縁膜を形成した後に
ウェハ側面のみの層間絶縁膜を化学的な処理により除去
する方法が挙げられる。しかし、この方法では、ウェハ
表面を保護する膜の形成工程、化学処理を行う工程及び
ウェハ表面保護膜の除去工程等を追加する必要があるた
め、半導体集積回路装置の製造工程数が著しく増加して
生産性が低下するという問題点がある。
ウェハ側面のみの層間絶縁膜を化学的な処理により除去
する方法が挙げられる。しかし、この方法では、ウェハ
表面を保護する膜の形成工程、化学処理を行う工程及び
ウェハ表面保護膜の除去工程等を追加する必要があるた
め、半導体集積回路装置の製造工程数が著しく増加して
生産性が低下するという問題点がある。
【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、生産性を低下させることなくタングステン
膜の剥離を防止することができる半導体装置及びその製
造方法を提供することを目的とする。
のであって、生産性を低下させることなくタングステン
膜の剥離を防止することができる半導体装置及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、半導体基板と、この半導体基板の側面に形成された
アモルファスＳｉ膜と、前記半導体基板及び前記アモル
ファスＳｉ膜上に形成されたタングステン膜とを有する
ことを特徴とする。
は、半導体基板と、この半導体基板の側面に形成された
アモルファスＳｉ膜と、前記半導体基板及び前記アモル
ファスＳｉ膜上に形成されたタングステン膜とを有する
ことを特徴とする。
【００１３】本発明においては、半導体基板の側面にお
いて、半導体基板とタングステン膜との間にアモルファ
スＳｉ膜が形成されているので、その下に層間絶縁膜が
形成されていてもタングステン膜の剥離は防止される。
いて、半導体基板とタングステン膜との間にアモルファ
スＳｉ膜が形成されているので、その下に層間絶縁膜が
形成されていてもタングステン膜の剥離は防止される。
【００１４】前記半導体基板と前記アモルファスＳｉ膜
及び前記タングステン膜との間に形成された層間絶縁膜
を有してもよい。
及び前記タングステン膜との間に形成された層間絶縁膜
を有してもよい。
【００１５】また、前記層間絶縁膜と前記アモルファス
Ｓｉ膜及び前記タングステン膜との間に形成された前記
層間絶縁膜よりも前記タングステン膜との密着性が高い
バリヤメタル膜を有してもよい。
Ｓｉ膜及び前記タングステン膜との間に形成された前記
層間絶縁膜よりも前記タングステン膜との密着性が高い
バリヤメタル膜を有してもよい。
【００１６】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半
導体基板の側面にアモルファスＳｉ膜を形成する工程
と、前記半導体基板及び前記アモルファスＳｉ膜上にタ
ングステン膜を形成する工程とを有することを特徴とす
る。
導体基板の側面にアモルファスＳｉ膜を形成する工程
と、前記半導体基板及び前記アモルファスＳｉ膜上にタ
ングステン膜を形成する工程とを有することを特徴とす
る。
【００１７】なお、前記アモルファスＳｉ膜を形成する
工程は、前記半導体基板の側面にＳｉＨ４ガスを供給す
ると共に、前記半導体基板の表面に不活性ガスを供給す
る工程を有することができる。
工程は、前記半導体基板の側面にＳｉＨ４ガスを供給す
ると共に、前記半導体基板の表面に不活性ガスを供給す
る工程を有することができる。
【００１８】また、前記アモルファスＳｉ膜を形成する
工程は、前記半導体基板の側面及び表面にＳｉＨ４ガス
を供給することにより、前記半導体基板の側面及び表面
にアモルファスＳｉ膜を形成する工程を有していてもよ
い。
工程は、前記半導体基板の側面及び表面にＳｉＨ４ガス
を供給することにより、前記半導体基板の側面及び表面
にアモルファスＳｉ膜を形成する工程を有していてもよ
い。
【００１９】更に、前記タングステン膜を形成する工程
は、ＷＦ６ガス、Ｈ２ガス及びＳｉＨ４ガスを含有する
混合ガスを前記半導体基板の表面に供給する工程を有す
ることができる。
は、ＷＦ６ガス、Ｈ２ガス及びＳｉＨ４ガスを含有する
混合ガスを前記半導体基板の表面に供給する工程を有す
ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例方法
について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図
１は本発明の実施例方法に使用するタングステンＣＶＤ
装置を示す模式図である。本実施例方法に使用するタン
グステンＣＶＤ装置には、成膜チャンバ２３、２４及び
２５と、成膜チャンバ２３、２４及び２５を常時真空に
保持するためのロードロック室２１と、ロードロック室
２１に搬送されたシリコン基板の向きを揃えるアライナ
２２とが設けられている。また、ロードロック室２１に
は、バルブ２７が設けられた真空排気管２６が連結され
ている。同様に、成膜チャンバ２３、２４及び２５に
は、バルブ３１、バルブ３２又はバルブ３３が設けられ
た真空排気管２８、真空排気管２９又は真空排気管３０
が連結されている。更に、真空排気管２６、２８、２９
及び３０は真空ポンプ（図示せず）に連結されている。
ロードロック室２１、成膜チャンバ２３、成膜チャンバ
２４又は成膜チャンバ２５内の真空度はバルブ２７、バ
ルブ３１、バルブ３２又はバルブ３３の開閉により調節
される。更に、成膜されるシリコン基板が載置される載
置台３４及びこの載置台３４をロードロック室２１、ア
ライナ２２及び成膜チャンバ２３乃至２５間で移動させ
る移動装置３５が設けられている。
について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図
１は本発明の実施例方法に使用するタングステンＣＶＤ
装置を示す模式図である。本実施例方法に使用するタン
グステンＣＶＤ装置には、成膜チャンバ２３、２４及び
２５と、成膜チャンバ２３、２４及び２５を常時真空に
保持するためのロードロック室２１と、ロードロック室
２１に搬送されたシリコン基板の向きを揃えるアライナ
２２とが設けられている。また、ロードロック室２１に
は、バルブ２７が設けられた真空排気管２６が連結され
ている。同様に、成膜チャンバ２３、２４及び２５に
は、バルブ３１、バルブ３２又はバルブ３３が設けられ
た真空排気管２８、真空排気管２９又は真空排気管３０
が連結されている。更に、真空排気管２６、２８、２９
及び３０は真空ポンプ（図示せず）に連結されている。
ロードロック室２１、成膜チャンバ２３、成膜チャンバ
２４又は成膜チャンバ２５内の真空度はバルブ２７、バ
ルブ３１、バルブ３２又はバルブ３３の開閉により調節
される。更に、成膜されるシリコン基板が載置される載
置台３４及びこの載置台３４をロードロック室２１、ア
ライナ２２及び成膜チャンバ２３乃至２５間で移動させ
る移動装置３５が設けられている。
【００２１】図２は成膜チャンバを示す模式的断面図で
ある。成膜チャンバには、タングステン膜が形成される
シリコン基板２が載置されるヒータ１が設けられてい
る。ヒータ１には、ガス導入口４が設けられている。ガ
ス導入口４からシリコン基板２の側面にガスが供給され
る。また、ヒータ１上には、シリコン基板２表面に原料
ガス又は不活性ガスを吹き付けるガス供給口が開口され
たガス供給器３が配設されている。
ある。成膜チャンバには、タングステン膜が形成される
シリコン基板２が載置されるヒータ１が設けられてい
る。ヒータ１には、ガス導入口４が設けられている。ガ
ス導入口４からシリコン基板２の側面にガスが供給され
る。また、ヒータ１上には、シリコン基板２表面に原料
ガス又は不活性ガスを吹き付けるガス供給口が開口され
たガス供給器３が配設されている。
【００２２】このように構成されたタングステンＣＶＤ
装置においては、成膜されるシリコン基板はロードロッ
ク室２１に搬送され、ロードロック室２１内が連結され
た真空排気管２６を介して真空ポンプにより真空排気さ
れる。その後、シリコン基板は載置台３４及び移動装置
３５を使用してアライナ２２に搬送され、アライナ２２
でその向きを揃えられる。そして、載置台３４及び移動
装置３５を使用して成膜チャンバ２３、成膜チャンバ２
４又は成膜チャンバ２５に搬送されて成膜される。
装置においては、成膜されるシリコン基板はロードロッ
ク室２１に搬送され、ロードロック室２１内が連結され
た真空排気管２６を介して真空ポンプにより真空排気さ
れる。その後、シリコン基板は載置台３４及び移動装置
３５を使用してアライナ２２に搬送され、アライナ２２
でその向きを揃えられる。そして、載置台３４及び移動
装置３５を使用して成膜チャンバ２３、成膜チャンバ２
４又は成膜チャンバ２５に搬送されて成膜される。
【００２３】次に、上述のように構成されたタングステ
ンＣＶＤ装置を使用する本実施例方法に係る半導体装置
の製造方法について説明する。図３は本実施例方法に係
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例
方法においては、先ず、シリコン基板上１２に膜厚が１
乃至２μｍの層間絶縁膜１３をＣＶＤ法により形成す
る。層間絶縁膜１３は、例えば、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ
−ｄｏｐｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇ
ｌａｓｓ）又はＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎ
ｃｅｄ ＣＶＤ）酸化膜である。その後、フォトレジス
トを利用してシリコン基板１２と配線とを接続させるた
めのコンタクト孔（図示せず）を開口する。
ンＣＶＤ装置を使用する本実施例方法に係る半導体装置
の製造方法について説明する。図３は本実施例方法に係
る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施例
方法においては、先ず、シリコン基板上１２に膜厚が１
乃至２μｍの層間絶縁膜１３をＣＶＤ法により形成す
る。層間絶縁膜１３は、例えば、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ
−ｄｏｐｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇ
ｌａｓｓ）又はＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎ
ｃｅｄ ＣＶＤ）酸化膜である。その後、フォトレジス
トを利用してシリコン基板１２と配線とを接続させるた
めのコンタクト孔（図示せず）を開口する。
【００２４】そして、層間絶縁膜１３上に、例えば、ス
パッタリング法により膜厚が１００乃至２００ｎｍの窒
化チタン膜からなるバリヤメタル膜１４を形成する。バ
リヤメタル膜１４を形成することにより、シリコン基板
２１が露出しなくなる。
パッタリング法により膜厚が１００乃至２００ｎｍの窒
化チタン膜からなるバリヤメタル膜１４を形成する。バ
リヤメタル膜１４を形成することにより、シリコン基板
２１が露出しなくなる。
【００２５】次に、図１に示すタングステンＣＶＤ装置
を使用してシリコン基板１２、層間絶縁膜１３及びバリ
ヤメタル膜１４の側面にアモルファスＳｉ膜１１を形成
し、アモルファスＳｉ膜１１及びバリヤメタル膜１４上
にタングステン膜１５を形成する。タングステン膜１５
と層間絶縁膜１３との密着性は低いが、これらの膜間に
密着膜としてバリヤメタル膜１４が形成されているの
で、層間絶縁膜１３は剥離しにくい。
を使用してシリコン基板１２、層間絶縁膜１３及びバリ
ヤメタル膜１４の側面にアモルファスＳｉ膜１１を形成
し、アモルファスＳｉ膜１１及びバリヤメタル膜１４上
にタングステン膜１５を形成する。タングステン膜１５
と層間絶縁膜１３との密着性は低いが、これらの膜間に
密着膜としてバリヤメタル膜１４が形成されているの
で、層間絶縁膜１３は剥離しにくい。
【００２６】アモルファスＳｉ膜１１及びタングステン
膜１５の成膜方法について、更に具体的に説明する。バ
リヤメタル膜１４を形成した後、シリコン基板１２を図
１に示すタングステンＣＶＤ装置内の成膜チャンバ２
３、成膜チャンバ２４又は成膜チャンバ２５に搬送し、
ヒータ１上に載置する。このとき、ヒータ１の温度を４
００乃至５００℃に保持し、チャンバ内の真空度をバル
ブの開度調節により２０乃至１００Ｔｏｒｒに保持す
る。そして、シリコン基板１２裏面側のガス導入口４か
らＳｉＨ４ガスを２０乃至４０ｓｃｃｍの流量で供給す
ると共に、シリコン基板１２上方のガス供給器３からＡ
ｒガスを１０００乃至２０００ｓｃｃｍの流量で供給す
ることにより、シリコン基板１２の側面に膜厚が約５０
乃至８０ｎｍのアモルファスＳｉ膜１１を形成する。次
に、チャンバ内を真空にした後、原料ガスとしてＷＦ６
ガスを２５乃至１００ｓｃｃｍ、Ｈ２ガスを５００乃至
２０００ｓｃｃｍ、ＳｉＨ４ガスを１０乃至３０ｓｃｃ
ｍの流量で供給することにより、膜厚が３００ｎｍ乃至
１μｍのタングステン膜１５を形成する。なお、このと
き、ガス導入口４からＡｒガスを１０００乃至３０００
ｓｃｃｍの流量で供給することにより、原料ガスがシリ
コン基板１２の側方部へ回り込むことを防止する。
膜１５の成膜方法について、更に具体的に説明する。バ
リヤメタル膜１４を形成した後、シリコン基板１２を図
１に示すタングステンＣＶＤ装置内の成膜チャンバ２
３、成膜チャンバ２４又は成膜チャンバ２５に搬送し、
ヒータ１上に載置する。このとき、ヒータ１の温度を４
００乃至５００℃に保持し、チャンバ内の真空度をバル
ブの開度調節により２０乃至１００Ｔｏｒｒに保持す
る。そして、シリコン基板１２裏面側のガス導入口４か
らＳｉＨ４ガスを２０乃至４０ｓｃｃｍの流量で供給す
ると共に、シリコン基板１２上方のガス供給器３からＡ
ｒガスを１０００乃至２０００ｓｃｃｍの流量で供給す
ることにより、シリコン基板１２の側面に膜厚が約５０
乃至８０ｎｍのアモルファスＳｉ膜１１を形成する。次
に、チャンバ内を真空にした後、原料ガスとしてＷＦ６
ガスを２５乃至１００ｓｃｃｍ、Ｈ２ガスを５００乃至
２０００ｓｃｃｍ、ＳｉＨ４ガスを１０乃至３０ｓｃｃ
ｍの流量で供給することにより、膜厚が３００ｎｍ乃至
１μｍのタングステン膜１５を形成する。なお、このと
き、ガス導入口４からＡｒガスを１０００乃至３０００
ｓｃｃｍの流量で供給することにより、原料ガスがシリ
コン基板１２の側方部へ回り込むことを防止する。
【００２７】このようにして製造された本発明の実施例
に係る半導体装置は、図３に示すように、シリコン基板
１２の側面、層間絶縁膜１３の側面及びバリヤメタル膜
１４の側面にアモルファスＳｉ膜１１が形成され、バリ
ヤメタル膜１４及びアモルファスＳｉ膜１１上にタング
ステン膜１５が形成された構造を有する。
に係る半導体装置は、図３に示すように、シリコン基板
１２の側面、層間絶縁膜１３の側面及びバリヤメタル膜
１４の側面にアモルファスＳｉ膜１１が形成され、バリ
ヤメタル膜１４及びアモルファスＳｉ膜１１上にタング
ステン膜１５が形成された構造を有する。
【００２８】本実施例においては、アモルファスＳｉ膜
１１が層間絶縁膜１３の側面及びバリヤメタル膜１４の
側面に形成されているので、タングステン膜１５が層間
絶縁膜１３と直接接触することはなく、タングステン膜
１５の剥離が防止される。また、その製造に際して、ア
モルファスＳｉ膜１１とタングステン膜１５とを同一の
チャンバ内で製造しているので、生産性を低下させるこ
とがない。
１１が層間絶縁膜１３の側面及びバリヤメタル膜１４の
側面に形成されているので、タングステン膜１５が層間
絶縁膜１３と直接接触することはなく、タングステン膜
１５の剥離が防止される。また、その製造に際して、ア
モルファスＳｉ膜１１とタングステン膜１５とを同一の
チャンバ内で製造しているので、生産性を低下させるこ
とがない。
【００２９】次に、本発明の第２の実施例方法について
説明する。本実施例方法においては、アモルファスＳｉ
膜及びタングステン膜の成膜方法が第１の実施例方法と
相違する。本実施例方法においては、シリコン基板をヒ
ータ１上に載置した後、ガス供給器３からＳｉＨ４ガス
のみを１０乃至３０ｓｃｃｍの流量で供給すると共に、
シリコン基板裏面側のガス導入口４からＳｉＨ４ガスを
供給する。これにより、シリコン基板表面に膜厚が５乃
至１０ｎｍのアモルファスＳｉ膜が形成され、シリコン
基板側面にもアモルファスＳｉ膜が形成される。
説明する。本実施例方法においては、アモルファスＳｉ
膜及びタングステン膜の成膜方法が第１の実施例方法と
相違する。本実施例方法においては、シリコン基板をヒ
ータ１上に載置した後、ガス供給器３からＳｉＨ４ガス
のみを１０乃至３０ｓｃｃｍの流量で供給すると共に、
シリコン基板裏面側のガス導入口４からＳｉＨ４ガスを
供給する。これにより、シリコン基板表面に膜厚が５乃
至１０ｎｍのアモルファスＳｉ膜が形成され、シリコン
基板側面にもアモルファスＳｉ膜が形成される。
【００３０】次に、ＷＦ６ガス、Ｈ２ガス及びＳｉＨ４
ガスからなる混合ガスを原料ガスとしてガス供給器３か
ら供給してアモルファスＳｉ膜上にタングステン膜を形
成する。
ガスからなる混合ガスを原料ガスとしてガス供給器３か
ら供給してアモルファスＳｉ膜上にタングステン膜を形
成する。
【００３１】本実施例方法においては、シリコン基板表
面に形成されるアモルファスＳｉ膜がタングステン膜形
成のためにシリコン基板表面に供給される腐食性のＷＦ
６ガスに対する腐食防止膜として作用する。このため、
アモルファスＳｉ膜を形成した後に成膜チャンバ内を真
空排気する工程が不要となり、より生産性の低下を抑制
する効果が高い。また、アモルファスＳｉ膜を形成する
際に、シリコン基板表面の均一性が良好になるように供
給されるガスの流量等を厳密に調節する必要はないの
で、作業が容易である。
面に形成されるアモルファスＳｉ膜がタングステン膜形
成のためにシリコン基板表面に供給される腐食性のＷＦ
６ガスに対する腐食防止膜として作用する。このため、
アモルファスＳｉ膜を形成した後に成膜チャンバ内を真
空排気する工程が不要となり、より生産性の低下を抑制
する効果が高い。また、アモルファスＳｉ膜を形成する
際に、シリコン基板表面の均一性が良好になるように供
給されるガスの流量等を厳密に調節する必要はないの
で、作業が容易である。
【００３２】本実施例方法により製造された半導体装置
は第１の実施例方法により製造されたもの相違し、その
側面だけでなく表面側にもアモルファスＳｉ膜が形成さ
れている。
は第１の実施例方法により製造されたもの相違し、その
側面だけでなく表面側にもアモルファスＳｉ膜が形成さ
れている。
【００３３】なお、ガス導入口４からチャンバ内へ導入
される不活性ガスはＡｒガスに限定されるものではな
い。例えば、Ｎ２ガスを使用してもよい。
される不活性ガスはＡｒガスに限定されるものではな
い。例えば、Ｎ２ガスを使用してもよい。
【００３４】また、バリヤメタル膜は、窒化チタン膜に
限定されるものではないが、その上に形成されるタング
ステン膜との密着性が高いことから窒化チタン膜からな
ることが好ましい。
限定されるものではないが、その上に形成されるタング
ステン膜との密着性が高いことから窒化チタン膜からな
ることが好ましい。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体基板の側面において、半導体基板とタングステン
膜との間にアモルファスＳｉ膜を形成しているため、そ
の下に層間絶縁膜が形成されていてもタングステン膜の
剥離を防止することができる。また、本発明方法によれ
ば、アモルファスＳｉ膜とタングステン膜とを同一チャ
ンバ内で連続して形成することができるので、生産性の
低下を抑制することができる。
半導体基板の側面において、半導体基板とタングステン
膜との間にアモルファスＳｉ膜を形成しているため、そ
の下に層間絶縁膜が形成されていてもタングステン膜の
剥離を防止することができる。また、本発明方法によれ
ば、アモルファスＳｉ膜とタングステン膜とを同一チャ
ンバ内で連続して形成することができるので、生産性の
低下を抑制することができる。
【図１】本発明の実施例方法に使用するタングステンＣ
ＶＤ装置を示す模式図である。
ＶＤ装置を示す模式図である。
【図２】成膜チャンバを示す模式的断面図である。
【図３】本実施例方法に係る半導体装置の製造方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断
面図である。
面図である。
１；ヒータ ２；シリコン基板 ３；ガス供給器 ４；ガス導入口 １１；アモルファスＳｉ膜 １２、４１；シリコン基板 １３、４２；層間絶縁膜 １４、４３；バリヤメタル膜 １５、４４；タングステン膜 ２１；ロードロック室 ２２；アライナ ２３、２４、２５；成膜チャンバ ２６、２８、２９、３０；真空排気管 ２７、３１，３２，３３；バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/47 H01L 29/872 H01L 21/3205 H01L 21/321 - 21/3213 H01L 21/768
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板と、この半導体基板の側面に
形成されたアモルファスＳｉ膜と、前記半導体基板及び
前記アモルファスＳｉ膜上に形成されたタングステン膜
とを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体基板と前記アモルファスＳｉ
膜及び前記タングステン膜との間に形成された層間絶縁
膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 前記層間絶縁膜と前記アモルファスＳｉ
膜及び前記タングステン膜との間に形成された前記層間
絶縁膜よりも前記タングステン膜との密着性が高いバリ
ヤメタル膜を有することを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。 - 【請求項４】 半導体基板の側面にアモルファスＳｉ膜
を形成する工程と、前記半導体基板及び前記アモルファ
スＳｉ膜上にタングステン膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記アモルファスＳｉ膜を形成する工程
は、前記半導体基板の側面にＳｉＨ４ガスを供給すると
共に、前記半導体基板の表面に不活性ガスを供給する工
程を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項６】 前記アモルファスＳｉ膜を形成する工程
は、前記半導体基板の側面及び表面にＳｉＨ４ガスを供
給することにより、前記半導体基板の側面及び表面にア
モルファスＳｉ膜を形成する工程を有することを特徴と
する請求項４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記タングステン膜を形成する工程は、
ＷＦ６ガス、Ｈ２ガス及びＳｉＨ４ガスを含有する混合
ガスを前記半導体基板の表面に供給する工程を有するこ
とを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09353868A JP3123494B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09353868A JP3123494B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186193A JPH11186193A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3123494B2 true JP3123494B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=18433768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09353868A Expired - Fee Related JP3123494B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123494B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394862C (zh) * | 2006-02-22 | 2008-06-18 | 中国食品发酵工业研究院 | 榆耳饲料添加剂产品及其生产方法和应用 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP09353868A patent/JP3123494B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394862C (zh) * | 2006-02-22 | 2008-06-18 | 中国食品发酵工业研究院 | 榆耳饲料添加剂产品及其生产方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11186193A (ja) | 1999-07-09 |
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