KR100696143B1 - 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법 - Google Patents

기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100696143B1
KR100696143B1 KR1020000032130A KR20000032130A KR100696143B1 KR 100696143 B1 KR100696143 B1 KR 100696143B1 KR 1020000032130 A KR1020000032130 A KR 1020000032130A KR 20000032130 A KR20000032130 A KR 20000032130A KR 100696143 B1 KR100696143 B1 KR 100696143B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ticl
layer
tin
ratio
substrate
Prior art date
Application number
KR1020000032130A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010007344A (ko
Inventor
왕슐린
시밍
우프레드
아스리니바스라마누야푸람
데마요예후다
란도비피
창메이
엘왕어러셀
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20010007344A publication Critical patent/KR20010007344A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100696143B1 publication Critical patent/KR100696143B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • H01L21/76846—Layer combinations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material

Abstract

암모니아 (NH3) 및 4염화 티타늄 (TiCl4) 간의 반응을 이용하여 질화 티타늄 (TiN) 층을 형성하는 방법에 관한 것이다. 일 실시형태에서, 약 20 Torr의 압력 및 약 500℃ 의 온도에서 TiN 층을 성막하도록 약 8.5 의 NH3 : TiCl4 비율이 이용된다. 또 다른 실시형태에서, 상이한 NH3 : TiCl4 비율을 갖는 공정 조건을 이용하여 상이한 두께의 TiN 층을 교대로 성막함으로써 복합 TiN 층이 형성된다. 바람직한 일 실시형태에서, 약 20Å 미만의 두께의 TiN 층이 약 85 의 NH3 : TiCl4 비율로 형성되고, 이후에 약 8.5 의 NH3 : TiCl4 비율로 보다 두꺼운 TiN 층이 성막된다. 2개의 상이한 공정 조건을 이용하여 막 성막을 교대로 반복함으로써, 복합 TiN 층이 형성된다. 이러한 복합 TiN 층은, 표준 TiN 공정과 비교하여 개선된 전체 단계 커버리지 및 감소된 스트레스를 갖고, 작은 기하학적 플러그 필 응용에 적합하다.

Description

기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법{METHOD OF DEPOSITING A THICK TITANIUM NITRIDE LAYER UPON A SUBSTRATE}
이해하기 쉽도록, 가능한 동일한 참조 번호를 이용하여 도면에서 공통인 동일한 요소를 지정하였다.
도 1 은 본 발명의 실행에 이용할 수 있는 장치의 개략도.
도 2a 내지 2c 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 집적회로 제조의 상이한 단계에서의 기판 구조 개략 단면도.
도 3a 내지 3d 는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 집적회로 제조의 상이한 단계에서의 기판 구조의 개략 단면도.
도 4a 는 미소 균열을 나타내는 TiN 막의 개략 단면도.
도 4b 는 도 4a 의 TiN 막의 스트레스 및 비저항을 나타내는 그래프.
도 5a 는 균열이 없는 TiN 막을 도시하는 개략 단면도.
도 5b 는 도 5a 의 TiN 막의 스트레스 및 비저항을 나타내는 그래프.
도 6 은 500℃ 에서 성막된 TiN 막의 스트레스 및 비저항을 나타내는 그래프.
도면의 주요부분에 대한 부호설명
10 시스템 100 공정 챔버
110 제어 유닛 120 샤워헤드
130 가스 패널 150 지지대
170 히터 190 웨이퍼
200 실리콘 기판 202 산화층
본 발명은 질화 티타늄막을 성막하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 균열이 없고 두꺼운 질화 티타늄막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
집적회로의 제조시, 금속이 배리어층 밑의 기저영역으로 확산되는 것을 막기위해 금속 배리어막으로서 질화 티타늄막이 흔히 이용된다. 이러한 기저영역은 트랜지스터 게이트, 커패시터 절연체, 반도체 기판, 금속 라인, 및 집적회로에서 나타내는 다른 많은 구조를 포함한다.
예를 들어, 트랜지스터의 게이트용으로 전극이 형성되고 있을 때, 게이트 재료와 금속 간에 전극의 접촉부 역할을 하는 확산 배리어가 흔히 형성된다. 확산 배리어는 폴리실리콘으로 구성될 수도 있는 게이트 재료로 금속이 확산되는 것을 방지한다. 이러한 금속 확산은 트랜지스터의 특성을 변경시키고, 또는 동작되지 않게 만들기 때문에 바람직하지 못하다. 예를 들어, 티타늄/질화 티타늄 (Ti/TiN) 의 조합이 확산 배리어로서 흔히 이용된다.
Ti/TiN 스택은 트랜지스터의 소스 및 드레인에 대한 접촉부를 제공하도록 또한 이용되어왔다. 예를 들어, 텅스텐 (W) 플러그 공정을 이용하여 접촉부를 형성하는데 있어서, Ti 층은 실리콘 (Si) 기판위에 성막되고, Ti 층이 티타늄 실리사이드 (TiSiX) 로 변환되며, 이것은 Si 와 접촉하는 보다 낮은 저항을 제공한다. 이후 Tin 층은 텅스텐 플러그를 형성하기에 앞서 TiSiX 위에 형성된다. 배리어 층이 존재하는 것에 더하여, TiN 층은 2개의 추가 기능을 나타낸다. 즉, 1) W 성막동안 6플루오르화 텅스텐 (WF6) 에 의해 TiSiX 의 화학적 공격을 방지하고 2) 글루층 (glue layer) 과 같이 작용하여 W 플러그의 부착을 향상시키는 기능을 나타낸다.
Ti 및 TiN 막은 물리적 또는 화학적 기상 성막에 의해 형성될 수 있다. Ti/TiN 조합 배리어층은 한 챔버에서 Ti 막을 성막하고 이후에 다른 챔버에서 TiN 막을 성막함으로써 다중 챔버 클러스터 툴에서 형성될 수도 있다. 화학 기상 성막 (CVD) 을 이용하여 Ti 및 TiN 을 성막할 때, 예를 들어 상이한 반응성 가스로 반응할 수 있을 때 즉, 플라즈마 상태일 때 Ti 및 TiN 막을 형성하기 위해 TiCl4 가 이용될 수도 있고, TiN 막은 TiCl4 이 질소와 반응할 때 형성된다. 일반적으로, TiN 은, 특정한 질소 함유 화합물에 의존하는 플라즈마 또는 열적 상태에서 질소 함유 화합물이 TiCl4 와 반응함으로써 형성될 수 있다. 따라서, TiN 막은 TiCl4 와 암모니아 (NH3) 간의 반응을 이용하여 고온 CVD 에 의해 형성될 수도 있다. 그러나, 이러한 TiN 막은 200Å 의 막 두께용으로 2x1010 dyne/cm2 차수로 높은 신장성 스트레스를 내재적으로 갖는 경향이 있다. 신장력은 막 두께가 증가함에 따라 증가되고, 두께가 400Å을 초과할 때 균열이 발생하기 시작한다. 사실, 균열의 밀도 및 크기는 막이 결국 박리될 때까지 막 두께와 함께 증가한다.
따라서, 우수한 단계 커버리지 및 낮은 스트레스와 같은 개선된 특성을 갖는 신뢰성있고 두꺼운 TiN 막을 형성하는 방법이 당해 기술에 필요하다.
본 발명은 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여 질화 티타늄 (TiN) 층을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에서, TiN 층은 550℃ 보다 낮은 온도 및 약 10 ~ 50 Torr 압력에서 형성된다. 보다 바람직하게, TiN 층은 약 500℃ 온도, 약 20 Torr 압력, 및 약 8.5 의 NH3 : TiCl4 비율에서 형성된다.
또다른 실시예에서, TiN 층은 상이한 NH3 : TiCl4 비율을 갖는 2개의 공정 단계를 이용하여 TiN 층을 교대로 성막함으로써 형성된다. 바람직하게, 2개의 공정 단계는 약 500℃ 에서 수행된다. 교대로 된 TiN 층은 스트레스, 단계 커버리지 및 결정 구조와 같은 막 특성에 있어서 상이하다. 교대로 된 복합층을 포함하는 최종 TiN 층은 종래 기술의 공정을 이용하여 성막된 TiN 층에 비교하여 개선된 전체 단계 커버리지 및 스트레스 특성을 갖는다. 바람직한 일실시예에서, 제 1 TiN 층은 예를 들어 약 20Å 미만의 제 1 두께, 및 40 ~ 250 의 NH3 : TiCl4 비율로 성막된다. 이러한 제 1 TiN 층은 보다 낮은 막 스트레스를 갖는 경향이 있다. 이후에 예를 들어 2.5 ~ 17, 바람직하게는 약 8.5 의 NH3 : TiCl4 비율을 이용하여 150 ~ 300Å 의 제 2 두께를 갖는 제 2 TiN 층이 성막된다. 제 2 TiN 층은 우수한 단계 커버리지를 갖지만 막 스트레스는 더 높아진다. 이러한 2개의 층을 교대로 반복하여 형성함으로써, 예를 들어 두께 1000Å 를 넘는 최종 복합 TiN 층이 단계 커버리지 및 막 스트레스가 전체적으로 개선되어 형성될 수 있다. 일반적으로, 초기 TiN 층을 형성하기 위해 이용되는 특정한 공정 단계는 중요하지 않으며, 교대층이 상이한 두께로 적절히 성막될 수 있다. 본 발명을 이용하여 형성된 복합 TiN 층은 0.18㎛ 이하의 기하학의 플러그-필 (plug-fill) 응용에 잘 적용된다.
본 발명은 두꺼운 질화 티타늄 (TiN) 막의 스트레스에 의해 유발된 균열 문제를 다룬다. 예를 들어, 두꺼운 TiN 막은 서브-0.18㎛ 기술에서의 플러그 응용을 위해 이용될 수도 있다. 막에서 발생하는 균열은 막 비저항을 증가시키게 되며, 이것은 접촉 홀에서의 접촉 저항에 직접적으로 영향을 끼친다. 본 발명은 비교적 두껍고, 낮은 스트레스의 TiN 막이 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여 형성될 수 있게 한다. 일 실시형태에서, TiN 층은 2.5 ~ 17, 보다 바람직하게는 약 8.5 의 NH3 : TiCl4 비율, 및 약 500℃ 의 공정 온도에서 성막된다. 또 다른 실시형태에서, TiN 층은 바람직하게 약 500℃ 의 온도에서 2개의 상이한 NH3 : TiCl4 비율을 이용하여 상이한 두께를 갖는 TiN 막을 교대로 성막함으로써 형성된다. 특히, 일 공정 단계는 낮은 스트레스를 갖는 얇은 TiN 막을 형성하는 단계를 포함하고, 다른 공정 단계는 향상된 단계 커버리지를 갖지만 보다 높은 막 스트레스를 갖는 보다 두꺼운 TiN 막을 성막하는데 이용된다. 이러한 2개의 공정 단계는 원하는 최종 TiN 층 두께가 얻어질 때까지 반복된다. 본 발명은 감소된 스트레스 및 우수한 전체 단계 커버리지를 갖는 두꺼운 TiN 막을 제공한다. 2개 단계 접근법으로 인해 보다 큰 공정 마진이 가능해지며, 단일 단계 접근법을 이용하여 얻어지는 특징에 비해 개선된 특징 (즉, 감소된 스트레스) 을 갖는 복합 TiN 층이 발생한다.
시스템 (10)
도 1 은 본 발명의 실시혀태를 실행하는데 이용될 수 있는 웨이퍼 처리 시스템 (10) 의 개략도이다. 시스템 (10) 은 일반적으로 전원 공급기 및 진공 펌프와 같은 다른 하드웨어 구성요소와 함께 공정 챔버 (100), 가스 패널 (130), 제어 유닛 (110) 을 포함한다. 공정 챔버 (100) 의 일 예로 TiN 챔버가 있으며, 참고로 "High Temperature Chemical Vapor Deposition Chamber" 라는 명칭으로 1998년 12월 14일 출원한 미국특허 출원번호 제 09/211,998 호에서 이미 설명되어 있다. 시스템 (10) 의 일부 주요 특징을 아래에 간략히 설명한다.
챔버 (100)
공정 챔버 (100) 는 일반적으로, 공정 챔버 (100) 내의 반도체 웨이퍼 (190) 와 같은 기판을 지지하는데 이용되는 지지대 (150) 를 포함한다. 지지대 (150) 는 변위 메카니즘 (미도시) 을 이용하여 챔버 (100) 내에서 특히 수직 방향으로 이동될 수 있다. 특정한 공정에 의존하여, 웨이퍼 기판 (190) 은 처리되기에 앞서 어떤 원하는 온도에서 가열되어야 한다. 본 발명에서, 웨이퍼 지지대 (150) 는 매입된 히터 (170) 에 의해 가열된다. 예를 들어, 지지대 (150) 는 전류를 AC 전원 (106) 으로부터 히터 소자 (170) 에 인가함으로써 저항적으로 가열된다. 이제, 웨이퍼 (190) 는 지지대 (150) 에 의해 가열되고, 예를 들어, 400 - 750℃ 의 공정 온도에서 유지될 수 있다. 열전대와 같은 온도 센서 (172) 도 종래의 방식으로 지지대 (150) 의 온도를 감시하도록 웨이퍼 지지대 (150) 내에 매입된다. 예를 들어, 측정된 온도는 가열 소자 (107) 용 전원 (106) 을 제어하도록 피드백 루프에서 이용되어, 웨이퍼 온도가 특정한 공정 응용에 적합한 소망하는 온도로 유지되거나 제어될 수 있다.
가스 패널 (130) 을 통한 가스 흐름의 적절한 제어 및 조절은 질량 유량계 (미도시) 및 컴퓨터와 같은 제어기 유닛 (110) 에 의해 수행된다. 샤워헤드 (showerhead; 120) 는 공정 가스를 가스 패널 (130) 로부터 챔버 (100) 내로 균일하게 분산 및 도입한다. 예로, 제어 유닛 (110) 은 중앙 처리 유닛 (CPU; 112), 지지 회로 (114), 및 관련된 제어 소프트웨어를 포함하는 메모리 (116) 를 포함한다. 제어 유닛 (110) 은 웨이퍼 전송, 유량 제어, 온도 제어, 챔버 배출 등과 같은 웨이퍼 처리에 필요한 수많은 단계의 자동 제어를 담당한다. 제어 유닛 (110) 과 시스템 (10) 의 다양한 구성요소 간의 양방향 통신은 신호 버스 (118) 로 총괄하여 언급되는 수많은 단일 케이블을 통하여 처리되고, 그 일부가 도 1 에 도시되어 있다.
진공 펌프 (102) 는 공정 챔버 (100) 를 배출하고 챔버 (100) 내에서 적절한 유량 및 압력을 유지하는데 이용된다. 공정 가스를 챔버 (100) 내로 도입하는 샤워헤드 (120) 는, 웨이퍼 지지대 (150) 위에 위치한다. 본 발명에서 이용되는 "듀얼 가스" 샤워헤드 (120) 는 2개의 개별적인 경로를 가지고 있어, 2개의 가스가 미리 혼합되지 않고 챔버 (100) 내로 개별적으로 도입된다. 샤워헤드 (120) 의 상세한 설명은 참고로 "Dual Gas Faceplate for a Showerhead in a Semiconductor Wafer Processing System" 이라는 명칭으로 1998년 6월 16일 출원한 미국특허 출원번호 제 09/098,969 호에서 설명되어 있다. 샤워헤드 (120) 는, 질량 유량계 (미도시) 를 통해 공정 시퀀스의 상이한 단계에서 이용되는 다양한 가스를 제어 및 공급하는 가스 패널 (130) 에 연결된다. 웨이퍼 처리동안, 퍼지 (purge) 가스 공급기 (104) 는 지지대 (150) 상에 불필요한 성막이 형성되는 것을 최소화하기 위해 지지대 (150) 의 바닥부 주위에 퍼지 가스, 예를 들어 비활성 가스도 제공한다.
TiN 막 성막
이상적인 TiN 막은 특히 0.18㎛ 이하의 작은 기하학과 관련된 플러그 필 응용에서 낮은 스트레스 및 뛰어난 단계 커버리지를 가져야 한다. 최적의 바람직한 특징을 갖는 막을 제공하기 위해 성막 공정 조건을 적절히 조절할 필요가 있다. NH3 과 TiCl4 간의 반응을 이용하여 TiN 을 성막하는 경우, 예를 들어 NH3 : TiCl4 비율은 다양한 단계 커버리지 및 스트레스 특징을 갖는 TiN 막을 제공하도록 조절될 수 있다.
표준 TiN 성막 공정에서, 650℃ 를 초과하는 지지대 온도는 약 5 의 NH3 : TiCl4 비율에서 흔히 이용된다. 이에따라 200Å 두께의 막용으로 2 x 1010 dyne/cm2 차수로 신장력을 갖는 TiN 막이 발생한다. 균열은 약 400Å 두께인 막에서 발생하기 시작한다. 일반적으로, TiN 막 스트레스는 성막 온도를 낮춤으로써 그리고/또는 NH3 : TiCl4 비율을 증가시킴으로써 감소될 수 있다. 그러나, 증가된 NH3 : TiCl4 비율은 단계 커버리지도 감소시킨다.
본 발명은 우수한 단계 커버리지를 갖고 두꺼우며 균열이 없는 TiN 층을 형성하는 2개의 대체 실시형태를 제공한다. 일 실시형태는 표 1 에 도시된 공정 단계 (a) 를 이용한다. 제 2 실시형태에서, "복합" TiN 층은 상이한 NH3 : TiCl4 비율을 갖는 2개의 공정 단계 (a 및 b) 를 교대로 수행함으로써 형성된다. 이러한 2개의 단계 (a, b) 에 대한 공정 파라미터는 표 1 에 도시된다.
단계 (a) 단계 (b)
범위 바람직한 값 범위 바람직한 값
NH3 (sccm) 30 - 200 100 100 - 500 150
N2 (sccm) 1000 - 5000 2000 1000 - 5000 2000
TiCl4 (sccm) 3 - 25 12 1 - 6 1.8
N2 (sccm) 500 - 2500 1000 500 - 2500 1000
He (sccm) 500 - 2500 1000 500 - 2500 1000
NH3:TiCl4 2.5 - 17 8.5 40 - 250 85
지지대 온도 (℃) 400 - 600 500 400 - 600 500
압력 (torr) 5 - 50 20 5 - 50 20
Ar (sccm) 퍼지 1000 - 5000 2000 1000 - 5000 2000
도 2a - 2c 는 집적회로 제조 시퀀스의 상이한 스테이지에서 기판 (200) 의 개략 단면도를 도시한다. 일반적으로, 기판 (200) 은 막 처리가 수행되는 소재이며, 기판 구조 (250) 는 일반적으로 기판 (200) 위에 형성된 다른 재료층과 함께 기판 (200) 을 나타내는데 이용된다. 특정 처리 스테이지에 의존하여, 기판 (200) 은 실리콘 반도체 웨이퍼, 또는 웨이퍼 위에 형성된 다른 재료층에 대응할 수도 있다. 예를 들어, 도 2a 는, 종래에 기판 (200) 위에 형성되어 패터닝된 (예를 들어, 리소그래피 및 에칭에 의해) 재료층 (202) 을 갖는 기판 구조 (250) 의 단면도를 도시한다. 재료층 (202) 은 기판 (200) 의 최상위면으로 연장하는 접촉 홀 (202H) 을 형성하도록 패터닝된 산화물 (예를 들어, SiO2) 일 수도 있다. 일반적으로는, 기판 (200) 이 실리콘, 실리사이드, 또는 다른 재료의 층일 수 있다. 도 2a 는 기판 (200) 이 실리콘이고, 실리사이드 층 (201), 예를 들어 다른 것들 중에서 티타늄 실리사이드 (TiSiX) 가 접촉 홀 (202H) 의 바닥부 (202B) 에 형성된 일 실시형태를 도시한다. TiSiX 층 (201) 은, 예를 들어 실리콘 기판 (200) 및 패터닝된 산화물 (202) 위에 Ti 를 성막 (예를 들어, 물리적 기상 성막 또는 CVD) 함으로써 형성될 수도 있고, 이후에 고온의 어닐링을 하여, 이에따라 TiSiX 층 (201) 이 형성된다. 반응하지 않은 Ti 층 (203) 은 산화층 (202) 의 최상면 (202T) 에 남아있다 (비등각 Ti 성막때문에 접촉홀 (202H) 의 측면 (202S) 에는 Ti 가 형성되지 않는다). 도 2b 는 도 2a 의 기판 구조 (250) 위에 성막된 TiN 층 (204) 을 도시한다.
본 발명의 일 실시형태에서, TiN 막 (204) 은, 표 1 의 공정 단계 (a) 에 따라 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여, 도 1 의 챔버 (100) 와 유사한 CVD 챔버에서 형성된다. 기판 구조 (250) 를 갖는 웨이퍼 (190) 가 웨이퍼 지지대 (150) 위로 로드된 후, 다른 가스와 함께 NH3 및 TiCl4 가 TiN 막 성막을 위해 챔버 (100) 내로 도입된다. TiCl4 는 헬륨 (He) 및 질소 (N2) 와 함께, 듀얼 가스 샤워헤드 (120) 의 한 개의 가스 라인 (미도시) 을 통해 도입된다. 상온에서 액체인 TiCl4 는, 예를 들어 액체 주입 시스템 (미도시) 을 이용하여 가스 라인으로 전달된다. 일반적으로, TiCl4 는 3 ~ 25 sccm (액체 유량으로부터 미세 조정됨), He 는 500 ~ 2500 sccm, 및 N2 는 500 ~2500 sccm 의 유량 범위를 이용할 수 있다. He 및 N2 는 일반적으로 "희석" 가스로 언급된다. He 및 N2 의 이용은 단지 예로서 언급된 것이며, 아르곤 (Ar) 및 수소 (H2) 와 같은 다른 가스도 희석 가스로 이용할 수 있다. 30 ~ 200 sccm 유량 범위의 NH3 는 1000 ~ 5000 sccm 범위의 N2 와 같은 희석 가스와 함께 듀얼 가스 샤워헤드 (120) 의 제 2 가스 라인을 통해 챔버 (100) 내로 도입된다. 양쪽 가스 라인에서의 희석 가스는 단일 가스, 또는 상이한 조합이나 비율, 즉 가스 혼합물의 한 개 이상의 가스를 포함할 수 있다. 희석 가스의 정확한 비율 또는 조합은 본 발명의 실행에 있어서 결정적인 것이 아니며, 제 1 및 제 2 가스 라인에서 각 가스 유량 간에 대략 "균형"이 유지되는 것이 바람직하다. 2개의 가스 라인에서 동일한 가스 유량을 적절히 유지함으로써, 잠재적인 "역류 문제"를 예방할 수 있다. 보다 바람직하게, TiN 성막은 제 1 가스 라인에서 약 2000sccm 의 N2 흐름 및 약 100sccm 의 NH3 흐름에서, 그리고 제 2 가스 라인에서 약 1000sccm 의 He 흐름, 약 1000sccm 의 N2 흐름, 및 약 12 sccm 의 TiCl4 의 흐름에서 수행된다. 약 5 Torr 초과, 예를 들어 10 ~ 50 Torr 범위, 바람직하게는 약 20 Torr 인 전체 압력, 및 약 400 ~ 600 ℃의 온도 범위, 예를 들어 550℃ 미만, 보다 바람직하게는 약 500℃ 인 지지대 온도를 이용할 수 있다. 특정한 공정 조건에 의존하여, 기판 온도는 지지대 온도보다 낮은 약 30 ~ 40℃ 일 수 있다. 또한, 약 2000sccm, 또는 보다 일반적으로 1000 ~ 5000 sccm 의 바닥부 비활성 가스 퍼지 흐름 (예를 들어, Ar 또는 다른 비활성 가스) 은 챔버 (100) 의 바닥부에 제공된 퍼지 가스 공급기 (104) 및 개별적인 가스 라인을 통해 서로 확립된다. 이러한 가스 퍼지 흐름은 웨이퍼 지지대 (150) 의 뒷면에서 바람직하지 못한 성막ㅇ,; 누적을 최소화하는데 도움을 준다. 이러한 공정 조건에서, 약 5x109 dynes/cm2 미만, 및 1x109 dynes/cm2 만큼 낮은 막 스트레스를 갖는 균열이 없는 TiN 층 (204) 은 약 7 의 애스펙트비 및 수직에 가까운 측벽을 갖는 접촉 홀에 걸쳐 약 95% 의 단계 커버리지를 갖도록 형성될 수 있다. (애스펙트비는 접촉홀 (202H) 의 폭 (w) 에 대한 깊이 (d) 의 비율로 정의된다.) TiN 층 (204) 은 주요 결정 배향 (220, 200) 을 갖는다. 도 2c 는 접촉 홀 (202H) 내부에 TiN 플러그 (210) 의 형성을 나타낸다. 플러그 (210) 는 적절한 평탄화 기술, 예를 들어 블랭킷 에치백 (blanket etchback) 또는 화학적 기계적 연마에 의해 도 2b 의 구조로부터 형성될 수 있다.
또다른 실시예에서, "복합" TiN 층은, 또다른 공정 단계 (b) 와 함께 단계 (a) 로 언급된 상기 공정 단계를 이용하여 형성할 수 있다. 상기한 바와 같이, NH3 : TiCl4 비율은 스트레스, 단계 커버리지 및 결정 구조와 같은 성막된 TiN 막 특성에 영향을 준다. 공정 단계 (a) 에 따라 성막된 TiN 막은 우수한 단계 커버리지를 나타내고, 막 스트레스는 두꺼운 막 응용에 있어서 최적이 되지 못할 수도 있다. 그러나, NH3 : TiCl4 비율을 증가시킴으로써, 감소된 스트레스를 갖는 TiN 막이 형성될 수 있다. 이 실시예에서, 상이한 두께를 갖는 TiN 막은 단계 (a) 및 (b) 의 공정 조건을 교대로 이용하여, 도 2a 의 기판 구조 (250) 위에 성막된다.
도 3a ~ 도 3d 는 선택적인 실시형태에 따라 처리하는 기판 (200) 의 개략적인 단면도를 도시한다. 예를 들어, 도 3a 는 도 2a 의 구조와 동일한 기판 구조 (350) 를 도시한다. 도 3b 는 t1 의 두께로 기판 (350) 위에 성막된 제 1 TiN 층 (302) 을 도시한다. 일반적으로, 기판 구조 (350) 위에 초기 TiN 층 (302) 을 형성하기 위해, 공정 단계 (a) 또는 (b) 가 이용될 수도 있다. 그러나, 실리사이드 층 (201) 이 주로 TiSiX 라면, 초기 TiN 층 (302) 을 형성하기 위하여 공정 단계 (b) 를 이용하는 것이 바람직하다. 공정 단계 (b) 를 이용하여 형성된 TiN 층 (302) 은, 배향 (111) 과 함께 결정 구조 (200) 를 나타낸다. 그 다음, t2 두께의 제 2 TiN 층 (304) 이 도 3c 에 나타낸 바와 같이 공정 단계 (a) 를 이용하여 층 (302) 위에 형성된다. 층 (304) 은 층 (302) 에 비교하여 보다 나은 단계 커버리지를 갖기 때문에, t2 가 t1 보다 큰 것이 바람직하다. 따라서, 공정 단계 (b) 는 도 3d 에 나타낸 바와 같이, 층 (304) 위에 t3 의 두께를 갖는 제 3 TiN 층 (306) 을 형성하도록 반복될 수 있다. 단계 (a 및 b) 를 이용한 선택 층 성막은 최종, 또는 복합 TiN 층 (310) 을 생성하기 위해 필요한 만큼 자주 반복될 수 있다. 복합 TiN 층 (310) 의 두께 (tc) 는 각 층 (302, 304, 306...) 의 두께 (t1 + t2 + t3 +...) 의 합으로 주어진다. 일반적으로, 선택층 (구성요소 층으로 언급될 수도 있는) (302, 304, 306) 은 상이한 두께로, 예를 들어 층 (302, 306) 이 서로 동일한 두께를 가질 필요가 없도록 성막될 수도 있다. 그러나, 보다 나은 단계 커버리지를 갖는 구성요소 층이 보다 낮은 스트레스를 갖지만 더 열화된 단계 커버리지를 갖는 또 다른 구성요소 층보다 두껍게 성막되는 것이 바람직하다. 따라서, 형성된 복합 TiN 층 (310) 은 공정 단계 (a) 에 의해 제공된 우수한 단계 커버리지 및 공정 단계 (b) 로부터 감소된 막 스트레스라는 결합된 장점을 갖는다.
예를 들어, 약 1x109 dynes/cm2 미만의 막 스트레스를 갖는 TiN 층 (302) 은 전형적으로 약 20Å 미만의 두께 (t1) 로 성막된다. 약 5x109 dynes/cm2 미만의 막 스트레스 및 약 95% 의 단계 커버리지를 갖는 층 (304) 은, 150 ~ 300Å, 보다 바람직하게는 약 200Å 의 두께 (t2) 로 성막된다. 프로시저는 원하는 최종 TiN 층 두께가 획득될 때까지 필요한 만큼 단계 (a) 및 (b) 를 교대로 반복한다. 예를 들어, 5 사이클의 성막 반복 공정을 이용하여, 1000Å 두께의 균열이 없는 TiN 층이 약 90% 의 전체 단계 커버리지로 획득된다.
특히, 공정 단계 (b) 는 40 ~ 250 의 NH3 : TiCl4 , 바람직하게는 약 85 의 비율을 이용해야 한다. NH3 흐름은 100 ~ 500sccm, 보다 바람직하게는 약 150sccm 일 수 있고, TiCl4 흐름은 1 ~ 6 sccm, 보다 바람직하게는 약 1.8sccm 일 수 있다. 다른 희석 유량, 온도 및 압력 범위는 단계 (a) 에서와 동일하다.
공정 온도의 감소 및 NH3 : TiCl4 흐름비의 증가는 본 발명의 2가지 중요한 점이다. TiN 막 특성에 대한 이 2개의 파라미터의 영향을 도 4 ~ 6 에 도시한다. 도 4a 는, 약 680℃ 의 지지대 온도에서 약 5 의 NH3 : TiCl4 비율을 갖는 표준 TiCl4/NH3 성막 공정을 이용하여 기판 (400) 및 패터닝된 층 (402) 위에 형성되는 TiN 층 (404) 의 개략 단면도를 나타낸다. 층 (404) 에서의 본질적으로 높은 막 스트레스로 인해 수많은 균열 (404C) 이 형성된다. 도 4b 는 TiN 층 (404) 의 두께 함수로서 막 스트레스 및 비저항을 나타내는 그래프이다. TiN 층 (404) 의 두께가 약 200Å 로부터 1000Å 을 초과하여 증가함에 따라, 막 스트레스는 약 2x1010 dynes/cm2 으로부터 약 1x1010 dynes/cm2 로 감소된다. 막 두께를 증가시킴에 따라 막 스트레스가 감소되는 이러한 명백한 역설은 "미세 균열", 즉 상당한 막 스트레스를 경감시키는 층 (404) 내의 균열 (404C) 의 발생으로 설명된다. 미세 균열과 함께, 막 비저항은 약 140 으로부터 260 μohm-cm 를 초과하여 증가한다.
도 5a 는 패터닝된 재료층 (502) 및 기판 (500) 위에 형성된 균열이 없는 TiN 층 (504) 을 도시한다. 층 (504) 은 NH3 : TiCl4 비율을 약 60 으로 증가시키고 공정 온도를 약 680℃ 로 유지하여 성막된다. 도 4a 의 TiN 층 (402) 과는 대조적으로, TiN 층 (504) 은 미세 균열로부터 영향을 받지 않는다. 막 스트레스는 막 두께가 증가되면서 1.5x1010 dynes/cm2 의 차수로 비교적 일정하게 유지되고, 막 비저항은 약 120 μohm-cm 으로부터 약 100 μohm-cm 미만으로 감소한다.
균열이 없는 TiN 층은, NH3 : TiCl4 비율을 약 5 로 유지하면서 공정 온도를 약 500℃ 로 감소시켜 형성될 수도 있다. 도 6 은, 약 500μohm-cm 의 비저항과 함께, 1x109 dynes/cm2 미만으로 유지되는 1000Å 두께의 층의 막 스트레스를 도시한다.
표준 TiN 성막 공정에 대하여 NH3 : TiCl4 비율을 증가시키고 공정 온도를 감소시킴으로써, 본 발명은 낮은 스트레스 및 우수한 단계 커버리지를 갖는 두꺼운 TiN 층을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명이 플러그 필과 같은 응용에 특히 적절하지만, 집적회로 제작의 다양한 스테이지에서 발생하는 다른 많은 기판 구조에 일반적으로 적용가능하다.
본 발명의 교시를 포함하는 여러 바람직한 실시형태가 도시 및 상세히 설명되었지만, 당해 기술에 숙련된 당업자는 이러한 교시를 여전히 포함하는 다양한 다른 실시예를 만들 수 있다.
형성된 복합 TiN 층 (310) 은 공정 단계 (a) 에 의해 제공되는 뛰어난 단계 커버리지 및 공정 단계 (b) 로부터 감소된 막 스트레스라는 장점을 갖는다.

Claims (32)

  1. 기판위에 두꺼운 질화 티타늄 (TiN) 층을 성막하는 방법으로서,
    (a) 10 ~ 50 Torr의 압력 및 550℃ 미만의 온도 범위에서 암모니아 (NH3) 와 4염화 티타늄 (TiCl4) 간의 반응을 이용하여 제 1 TiN 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 는 5 를 초과하는 제 1 NH3 : TiCl4 비율에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 는 500℃ 의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 는 20 Torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 는 30 ~ 200 sccm 범위의 NH3 유량 및 3 ~ 25 sccm 범위의 TiCl4 증기 유량으로 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 는 8.5 의 제 1 NH3 : TiCl4 비율, 500℃ 의 공정 온도, 및 20 Torr의 전체 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    (b) 제 2 NH3 : TiCl4 비율에서 NH3 와 TiCl4 간의 반응으로부터 제 2 TiN 층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율은 상기 제 2 NH3 : TiCl4 비율과 상이한 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    (c) 상기 제 1 및 제 2 TiN 층을 교대로 포함하는 복합 TiN 층을 형성하기 위해 상기 단계 (a) 및 (b) 를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 NH3 : TiCl4 비율은 40 을 초과하는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율은 8.5 인 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 NH3 : TiCl4 비율은 85 인 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 단계 (b) 는 550℃ 미만의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 TiN 층의 두께는 150 ~ 300Å 이고, 상기 제 2 TiN 층의 두께는 20Å 미만인 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 TiN 층을 교대로 포함하는 복합 TiN 층을 형성하기 위해 상기 단계 (a) 및 (b) 를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  15. 기판위에 두꺼운 질화 티타늄 (TiN) 층을 성막하는 방법으로서,
    (a) 40 을 초과하는 제 1 NH3 : TiCl4 비율로 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여 제 1 TiN 층을 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율과 상이한 제 2 NH3 : TiCl4 비율로 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여 제 2 TiN 층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 단계 (a 및 b) 는 550℃ 미만의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율은 상기 제 2 NH3 : TiCl4 비율보다 크고, 상기 제 1 TiN 층은 상기 제 2 TiN 층의 제 2 두께보다 작은 제 1 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    (c) 상기 제 1 및 제 2 TiN 층을 교대로 포함하는 TiN 층을 형성하기 위해 상기 단계 (a) 및 (b) 를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율은 85 인 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 NH3 : TiCl4 비율은 8.5 인 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 및 (b) 는 500℃ 의 공정 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 및 (b) 는 10 ~ 50 Torr의 압력 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  22. 기판위에 두꺼운 질화 티타늄 (TiN) 층을 성막하는 방법으로서,
    (a) 제 1 NH3 : TiCl4 비율로 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여 제 1 TiN 층을 형성하는 단계;
    (b) 제 2 NH3 : TiCl4 비율로 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여 제 2 TiN 층을 형성하는 단계; 및
    (c) 복합 TiN 층을 형성하기 위해 상기 단계 (a) 및 (b) 를 교대로 반복하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율은 상기 제 2 NH3 : TiCl4 비율과 상이한 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 및 (b) 는 550℃ 미만의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 및 (b) 는 5 Torr를 초과하는 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 NH3 : TiCl4 비율은 5 를 초과하는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율은 40 를 초과하는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 는 30 ~ 200 sccm 범위의 NH3 유량 및 3 ~ 25 sccm 범위의 TiCl4 증기 유량에서 수행되고, 상기 단계 (b) 는 100 ~ 500 sccm 범위의 NH3 유량 및 1 ~ 6 sccm 범위의 TiCl4 증기 유량에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법.
  28. 실행시에 막 성막법을 이용하여 범용 컴퓨터가 성막 챔버를 제어하도록 하는 소프트웨어 루틴을 포함하는 컴퓨터 저장 매체로서,
    상기 막 성막법은,
    (a) 10 ~ 50 Torr 및 550℃ 미만의 온도에서 암모니아 (NH3) 및 4염화 티타늄 (TiCl4) 간의 반응을 이용하여 제 1 질화 티타늄 (TiN) 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 저장 매체.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 는 5 을 초과하는 제 1 NH3 : TiCl4 비율로 수행되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 저장 매체.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 막 성막법은,
    (b) 상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율과 상이한 제 2 NH3 : TiCl4 비율에서 NH3 과 TiCl4 간의 반응으로부터 제 2 질화 티타늄 (TiN) 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 저장 매체.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 막 성막법은,
    (c) 상기 제 1 및 제 2 TiN 층을 교대로 포함하는 복합 TiN 층을 형성하기 위해 상기 단계 (a) 및 (b) 를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 저장 매체.
  32. 실행시에 박막 성막법을 이용하여 범용 컴퓨터가 성막 챔버를 제어하도록 하는 소프트웨어 루틴을 포함하는 컴퓨터 저장 매체로서,
    상기 막 성막법은,
    (a) 제 1 NH3 : TiCl4 비율로 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여 제 1 두께를 갖는 제 1 TiN 층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율보다 작은 제 2 NH3 : TiCl4 비율로 NH3 와 TiCl4 간의 반응을 이용하여 상기 제 1 두께보다 큰 두께를 갖는 제 2 TiN 층을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 제 1 및 제 2 TiN 층을 교대로 포함하는 복합 TiN 층을 형성하기 위해 상기 단계 (a) 및 (b) 를 반복하는 단계를 포함하고,
    상기 단계 (a) 및 (b) 는 550℃ 미만의 온도에서 수행되고, 상기 제 1 NH3 : TiCl4 비율은 40 을 초과하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 저장 매체.
KR1020000032130A 1999-06-11 2000-06-12 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법 KR100696143B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/330,696 1999-06-11
US09/330,696 US6548402B2 (en) 1999-06-11 1999-06-11 Method of depositing a thick titanium nitride film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010007344A KR20010007344A (ko) 2001-01-26
KR100696143B1 true KR100696143B1 (ko) 2007-03-20

Family

ID=23290915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000032130A KR100696143B1 (ko) 1999-06-11 2000-06-12 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6548402B2 (ko)
JP (1) JP2001040477A (ko)
KR (1) KR100696143B1 (ko)
TW (1) TW488012B (ko)

Families Citing this family (311)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003152165A (ja) 2001-11-15 2003-05-23 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR100439028B1 (ko) * 2001-12-27 2004-07-03 삼성전자주식회사 2단계 증착방식을 이용한 반도체 장치의 제조방법
KR100445069B1 (ko) * 2001-12-31 2004-08-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법
US6823257B2 (en) * 2002-01-04 2004-11-23 Intel Corporation Non-GPS navigation
US7311946B2 (en) * 2003-05-02 2007-12-25 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for depositing metal films on diffusion barrier layers by CVD or ALD processes
JP4545433B2 (ja) * 2003-12-26 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
TW200526806A (en) * 2004-01-15 2005-08-16 Tokyo Electron Ltd Film-forming method
US8083853B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
KR100614801B1 (ko) 2004-07-05 2006-08-22 삼성전자주식회사 반도체 장치의 막 형성방법
KR100587686B1 (ko) * 2004-07-15 2006-06-08 삼성전자주식회사 질화 티타늄막 형성방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법
KR100615602B1 (ko) * 2004-09-15 2006-08-25 삼성전자주식회사 매끄러운 표면을 갖는 타이타늄 나이트라이드 막의 형성방법들 및 이를 이용한 반도체 장치의 형성방법들
US20060128127A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-15 Jung-Hun Seo Method of depositing a metal compound layer and apparatus for depositing a metal compound layer
KR100763506B1 (ko) * 2005-06-27 2007-10-05 삼성전자주식회사 커패시터 제조 방법
KR20070104253A (ko) * 2006-04-21 2007-10-25 동경 엘렉트론 주식회사 Ｔｉ 막의 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
KR100886989B1 (ko) * 2006-04-21 2009-03-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Ｔｉ 막의 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
WO2007125836A1 (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Tokyo Electron Limited Ｔｉ膜の成膜方法
KR100996012B1 (ko) * 2006-04-24 2010-11-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Ｔｉ막의 성막 방법
JP5207615B2 (ja) * 2006-10-30 2013-06-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および基板処理装置
US20090130466A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-21 Air Products And Chemicals, Inc. Deposition Of Metal Films On Diffusion Layers By Atomic Layer Deposition And Organometallic Precursor Complexes Therefor
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9177826B2 (en) * 2012-02-02 2015-11-03 Globalfoundries Inc. Methods of forming metal nitride materials
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) * 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US20160225715A1 (en) * 2013-11-20 2016-08-04 Intel Corporation Microelectronic transistor contacts and methods of fabricating the same
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6416031B2 (ja) * 2015-03-30 2018-10-31 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
JP6653383B2 (ja) * 2016-05-16 2020-02-26 株式会社アルバック 内部応力制御膜の形成方法
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
KR102560283B1 (ko) * 2018-01-24 2023-07-26 삼성전자주식회사 샤워 헤드를 설계하고 제조하는 장치 및 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4524718A (en) 1982-11-22 1985-06-25 Gordon Roy G Reactor for continuous coating of glass
JP2776826B2 (ja) 1988-04-15 1998-07-16 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
US5462895A (en) * 1991-09-04 1995-10-31 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of making semiconductor device comprising a titanium nitride film
JPH06196482A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Kawasaki Steel Corp 半導体装置およびその製造方法
US5416045A (en) 1993-02-18 1995-05-16 Micron Technology, Inc. Method for chemical vapor depositing a titanium nitride layer on a semiconductor wafer and method of annealing tin films
US5378501A (en) 1993-10-05 1995-01-03 Foster; Robert F. Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures
US5420072A (en) 1994-02-04 1995-05-30 Motorola, Inc. Method for forming a conductive interconnect in an integrated circuit
US5975912A (en) 1994-06-03 1999-11-02 Materials Research Corporation Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits
WO1995034092A1 (en) 1994-06-03 1995-12-14 Materials Research Corporation A method of nitridization of titanium thin films
US5665640A (en) 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
JPH088212A (ja) * 1994-06-22 1996-01-12 Sony Corp プラズマｃｖｄ方法
US5610106A (en) 1995-03-10 1997-03-11 Sony Corporation Plasma enhanced chemical vapor deposition of titanium nitride using ammonia
JP3027946B2 (ja) 1997-01-24 2000-04-04 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6548402B2 (en) 2003-04-15
KR20010007344A (ko) 2001-01-26
US20020064598A1 (en) 2002-05-30
JP2001040477A (ja) 2001-02-13
TW488012B (en) 2002-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100696143B1 (ko) 기판위에 두꺼운 질화 티타늄층을 성막하는 방법
US6555183B2 (en) Plasma treatment of a titanium nitride film formed by chemical vapor deposition
US6326690B2 (en) Method of titanium/titanium nitride integration
US6218301B1 (en) Deposition of tungsten films from W(CO)6
US6524952B1 (en) Method of forming a titanium silicide layer on a substrate
US20030072884A1 (en) Method of titanium and titanium nitride layer deposition
JP4947840B2 (ja) 金属窒化物／金属スタックの処理
US7838441B2 (en) Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers
US20020114886A1 (en) Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process
US6933021B2 (en) Method of TiSiN deposition using a chemical vapor deposition (CVD) process
US6455421B1 (en) Plasma treatment of tantalum nitride compound films formed by chemical vapor deposition
US6177305B1 (en) Fabrication of metal-insulator-metal capacitive structures
US20020192396A1 (en) Method of titanium/titanium nitride integration
JP2599560B2 (ja) ケイ化タングステン膜形成方法
KR100447031B1 (ko) 텅스텐 실리사이드막의 형성방법
US6500501B1 (en) Chemical vapor deposition process for depositing titanium silicide films from an organometallic compound
US6221174B1 (en) Method of performing titanium/titanium nitride integration
KR20010007527A (ko) 반도체 장치내에 실리사이드를 형성하는 방법 및 이를이용한 프로세서 판독가능 저장매체
JP2000294517A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10163128A (ja) タングステン窒化膜の製造方法及びこれを用いた金属配線製造方法
KR20030079227A (ko) 반도체 기판을 지지하기 위한 서셉터 및 이를 갖는 가공장치
KR20020061261A (ko) 반도체 기판 상에 실리사이드막을 형성하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120228

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee