KR20010106245A - Cvd 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 189
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 102
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 60
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 239
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 47
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 28
- 239000000284 extract Substances 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45508—Radial flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
- C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
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Abstract
Description
Claims (22)
- 감압용기내에 형성된 가열홀더상에 기판을 탑재시키고, 원료가스 및 부생성가스의 상기 기판이면으로의 회입 (回入) 을 방지하는 기능을 갖는 링척으로 고정시키고, 상기 기판에 대향하여 형성된 가스도입부에서 원료가스를 취출 (吹出) 하여, 상기 기판상에 하나 이상의 원료가스의 구성원소를 포함하는 박막을 퇴적시키는 CVD 장치에 있어서,상기 링척을 받는 지지부재를 상기 감압용기의 측벽에 형성하여, 상기 링척, 상기 지지부재 및 상기 기판으로 상기 감압용기 내부를 상하로 분할하고, 상부측을 또한 용기 천판 (天板) 과 상기 지지부재를 연결하여 형성된 내부벽에 의하여 성막실과 배기실로 분할하고, 하부측을 상기 기판의 반송실로 하고, 상기 성막실과 상기 배기실은 모두 동일 중심축의 둘레에 축대칭으로 형성되고, 또한 상기 내부벽에 형성된 관통구에 의하여 연통되어 있고, 상기 성막실과 상기 반송실과는 상기 링척과 상기 지지부재간에 형성된 틈새에 의하여 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 감압용기내에 형성된 가열홀더상에 기판을 탑재시키고, 원료가스 및 부생성가스의 상기 기판이면으로의 회입을 방지하는 기능을 갖는 링척으로 고정시키고, 상기 기판에 대향하여 형성된 가스도입부에서 원료가스를 취출하여, 상기 기판상에 하나 이상의 원료가스의 구성원소를 포함하는 박막을 퇴적시키는 CVD 장치에 있어서,상기 링척을 받는 지지부재를 상기 감압용기의 측벽에 형성하여, 상기 링척, 상기 지지부재 및 상기 기판으로 상기 감압용기 내부를 상하로 분할하고, 상부측을 또한 용기 천판에서 상기 링척으로 소정의 틈새를 남기고 내려간 내부벽에 의하여 성막실과 배기실로 분할하고, 하부측을 상기 기판의 반송실로 하고, 상기 성막실과 상기 배기실은 모두 동일 중심축의 둘레에 축대칭으로 형성되고, 또한 상기 내부벽과 상기 링척간의 틈새 및/또는 상기 내부벽에 형성된 관통구에 의하여 연통되어 있고, 상기 배기실과 상기 반송실과는 상기 링척과 상기 지지부재간에 형성된 틈새에 의하여 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반송실에 제 1 퍼지가스의 도입부를 형성하고, 상기 링척과 상기 지지부재간에 형성된 상기 틈새에 의하여 상기 반송실에서 상기 성막실 또는 상기 배기실에 상기 제 1 퍼지가스가 흐르는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 링척과 상기 지지부재의 대향하는 부분에, 적어도 일부분이 서로 깊게 합치는 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 가열홀더의 내부에 상기 제 1 퍼지가스의 공급로를 복수개 형성하고, 상기 제 1 퍼지가스를 축대칭으로 상기 반송실로 취출하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 링척은 내주연의 하부에 테이퍼부가 형성되고, 상기 테이퍼부에 의하여 상기 기판을 눌러 고정시킴과 동시에, 상기 테이퍼부에 형성된 제 2 퍼지가스의 출구에서 상기 기판 외주부에 상기 제 2 퍼지가스를 방출하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 퍼지가스의 출구는 상기 링척의 내주를 따라서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 퍼지가스의 출구는 상기 기판과의 접촉부보다 내주측에 위치하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 퍼지가스의 출구는 상기 퍼지가스가 상기 기판면에 대하여 거의 수직으로 방출되도록 구성한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 링척에 상기 제 2 퍼지가스의 도입구 및 이것과 연통되는 가스공급구를 복수개 형성하고, 상기 복수의 가스공급로가 상기 내주측에 형성된 환형상 공급로를 통하여 상기 제 2 퍼지가스의 출구에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 가열홀더에 상기 제 2 퍼지가스의 공급로와 이것에 연통되는 취출구가 복수개 형성되고, 상기 복수의 취출구를 상기 링척의 상기 복수의 제 2 퍼지가스의 도입구에 대응하는 위치에 형성하고, 상기 제 2 퍼지가스의 상기 취출구에서 취출된 상기 제 2 퍼지가스가 상기 링척의 상기 제 2 퍼지가스의 도입구로 보내지는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 가열홀더의 상기 제 2 퍼지가스의 상기 취출구부와 상기 링척의 상기 제 2 퍼지가스의 상기 도입구부가 서로 깊게 합치도록 요철 관계에 있는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 1 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스도입부의 내부를 배기하기 위한 제 2 의 배기기구를 형성하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 1 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 링척은 상기 반송실과 상기 성막실 및/또는 상기 배기실과의 압력차에 의하여 이동하지 않는 중량으로 한 구성인 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 14 항에 있어서, 상기 링척은 상기 기판을 균등하게 가중하는 구조로 한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 감압용기내에 형성된 가열홀더상에 기판을 탑재시키고, 원료가스 및 부생성가스의 상기 기판이면으로의 회입을 방지하는 기능을 갖는 링척으로 고정시키고, 상기 기판에 대향하여 형성된 가스도입부에서 원료가스를 취출하여, 상기 기판상에 하나 이상의 원료가스의 구성원소를 포함하는 박막을 퇴적시키는 CVD 장치에 있어서,상기 링척은 내주연의 하부에 테이퍼부가 형성되고, 상기 테이퍼부에 의하여 상기 기판을 눌러 상기 가열홀더상에 고정시킴과 동시에, 상기 테이퍼부에 형성된 퍼지가스 출구에서 상기 기판 외주부로 퍼지가스를 방출하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 퍼지가스의 출구는 상기 링척의 내주를 따라서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 퍼지가스의 출구는 상기 기판과의 접촉부보다 내주측에 위치하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 퍼지가스의 출구는상기 퍼지가스가 상기 기판면에 대하여 거의 수직으로 방출되도록 구성한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 링척에 상기 퍼지가스의 도입구 및 이것과 연통되는 가스공급구를 복수개 형성하고, 상기 복수의 가스공급로가 내주측에 형성된 환형상 공급로를 통하여 상기 제 2 퍼지가스의 상기 출구에 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 20 항에 있어서, 상기 가열홀더에 상기 퍼지가스의 상기 공급로와 이것에 연통되는 취출구가 복수개 형성되고, 상기 복수의 취출구를 상기 링척의 상기 복수의 퍼지가스의 도입구에 대응하는 위치에 형성하고, 상기 퍼지가스의 취출구에서 취출된 퍼지가스가 상기 링척의 상기 퍼지가스의 도입구로 보내어지는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
- 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, Cu 의 박막형성에 사용하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-145631 | 2000-05-17 | ||
JP2000145631A JP4422295B2 (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | Cvd装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070060587A Division KR100764534B1 (ko) | 2000-05-17 | 2007-06-20 | Cvd 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010106245A true KR20010106245A (ko) | 2001-11-29 |
KR100779445B1 KR100779445B1 (ko) | 2007-11-26 |
Family
ID=18652113
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010026228A KR100779445B1 (ko) | 2000-05-17 | 2001-05-14 | Cvd 장치 |
KR1020070060587A KR100764534B1 (ko) | 2000-05-17 | 2007-06-20 | Cvd 장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070060587A KR100764534B1 (ko) | 2000-05-17 | 2007-06-20 | Cvd 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6663714B2 (ko) |
JP (1) | JP4422295B2 (ko) |
KR (2) | KR100779445B1 (ko) |
TW (1) | TW573044B (ko) |
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US6096135A (en) * | 1998-07-21 | 2000-08-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system |
-
2000
- 2000-05-17 JP JP2000145631A patent/JP4422295B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-14 KR KR1020010026228A patent/KR100779445B1/ko active IP Right Grant
- 2001-05-17 TW TW90111819A patent/TW573044B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-17 US US09/858,239 patent/US6663714B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-06-20 KR KR1020070060587A patent/KR100764534B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100764534B1 (ko) | 2007-10-09 |
US6663714B2 (en) | 2003-12-16 |
US20010042514A1 (en) | 2001-11-22 |
JP4422295B2 (ja) | 2010-02-24 |
KR100779445B1 (ko) | 2007-11-26 |
JP2001329370A (ja) | 2001-11-27 |
KR20070073704A (ko) | 2007-07-10 |
TW573044B (en) | 2004-01-21 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
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GRNT | Written decision to grant | ||
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