JP5164950B2 - Cvd装置 - Google Patents
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Description
本発明者が原料ガスの回り込み防止効果のより高い装置構成を検討する中で、図5の構成のCVD装置には重大な問題があることが判明した。すなわち、生産装置の場合は基板搬送機構を設ける必要があるが、室71の外側壁及び内側壁37に基板搬送用アームの出入口(基板搬送口)を設ける構成にすると、たとえパージガスを流した場合であっても原料ガス回り込み防止効果が大きく低下してしまうことが判明した。この問題を解決すべく、基板搬送口の取り付け位置等を含めた装置全体構造を種々検討したところ、原料ガスが減圧容器に導入されてから容器外に排出される経路のおける原料ガスの流れが原料ガスの回り込みの程度に大きく影響し、ガス流れを軸対称として淀みのないガス流を形成することにより、原料ガス回り込み防止効果を向上できることが分かった。すなわち、図5の装置に、基板搬送口を設けることにより原料ガス回り込み防止効果が低下したのは、少なくとも基板径の幅にわたって開口39を設けることができなくなるため、ガスの流れが不均一となり原料ガスの滞留等が起こり、室72側に回り込んで基板の裏面汚染を引き起こしたものと考えられる。また、室72にパージガスを導入し、室70側にパージガスを流したとしても、このような構成ではパージガスの流れが偏ってしまい、十分な効果を発揮できなくなるものと考えられる。
2 基板、
3 加熱ホルダ、
4 リングチャック、
5 ガス導入部、
6 内部壁、
7 スリットバルブ、
8 搬送口、
9 ピン、
10 排気ポート、
11 貫通口、
12 ヒーター、
13 熱電対、
14 圧力調整バルブ、
15 切換バルブ、
16 支持部材、
17、18 排気機構、
19 原料ガス供給機構、
20 第2パージガス供給機構、
21 第1パージガス供給機構、
22 ヒーターパワー供給機構、
31 減圧容器、
32 基板、
33 ホルダ、
34 リングチャック、
35 原料ガス導入部、
36 支持部材、
37 内側壁、
38 排気ポート、
39 開口、
41 リフト、
42 パージガス導入管、
43 ピン、
44 チャック溝、
45 パージガス溝、
50 リングチャックと支持部材との間の隙間、
60 リングチャックと内部壁との間の隙間、
100 成膜室、
101 排気室、
102 搬送室、
200 リングチャックパージガス供給管、
201 円環状供給路、
202 隙間、
203、204 第2パージガス供給路、
205,207 円環状分配路、
206 第1パージガス供給路。
Claims (5)
- 減圧容器内に設けられた加熱ホルダ上に基板を載置して原料ガス及び副生成ガスの基板裏面への回り込みを防止する機能を有するリングチャックで固定し、基板に対向して設けられたガス導入部から原料ガスを吹出して、基板上に原料ガスの構成元素の少なくとも1つを含む薄膜を堆積させるCVD装置において、
前記リングチャックは、内周縁の下部にテーパー部が形成され、該テーパー部の傾斜面により基板を押さえて前記加熱ホルダ上に固定するとともに、前記リングチャックが基板を押さえた際に、基板との接触部より内周側に設けられたパージガス出口から基板外周部にパージガスを放出する構成とされていることを特徴とするCVD装置。 - 前記パージガス出口は、前記リングチャックの内周に沿って形成されていることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。
- 前記パージガス出口は、前記パージガスが基板面に対し略垂直に放出されるように構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のCVD装置。
- 前記リングチャックに、パージガスの導入口及びこれと連通するガス供給路を複数設け、該複数のガス供給路が内周側に設けられた環状供給路を介して前記パージガスの出口に連結されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のCVD装置。
- 前記加熱ホルダに、パージガスの供給路とこれに連通する吹出し口が複数設けられ、該複数の吹出し口を前記リングチャックの複数のパージガスの導入口に対応する位置に形成し、前記パージガスの吹出し口から吹出されたパージガスが前記リングチャックのパージガスの導入口に送られる構成とされていることを特徴とする請求項4に記載のCVD装置。
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