JP2002009136A - 共通の案内部材を有するシャドウリング - Google Patents

共通の案内部材を有するシャドウリング

Info

Publication number
JP2002009136A
JP2002009136A JP2001123575A JP2001123575A JP2002009136A JP 2002009136 A JP2002009136 A JP 2002009136A JP 2001123575 A JP2001123575 A JP 2001123575A JP 2001123575 A JP2001123575 A JP 2001123575A JP 2002009136 A JP2002009136 A JP 2002009136A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
shadow ring
support member
common guide
guide member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001123575A
Other languages
English (en)
Inventor
Semyon Sherstinsky
シャースティンスキ セミオン
Ling Chen
チェン リン
Joseph Yudovsky
ユドフスキ ジョセフ
Maitreyee Mahajani
マハジャーニ マイトリイー
Steve G Ghanayem
ジー ギャナィエム スティーヴ
Calvin R Augason
アール オーガソン カルヴィン
Leonel A Zuniga
エイ ズニーガ レオネル
Tai T Ngo
ティ ンゴー タイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2002009136A publication Critical patent/JP2002009136A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Abstract

(57)【要約】 【課題】 少なくとも１つの共通案内部材を用いて基体
及びシャドウリングの両者を整列させる共通整列及び遮
蔽装置を提供することである。 【解決手段】 シャドウリング７０は、その下面に形成
されているカバーされた凹部を含むことが好ましく、こ
の凹部は共通案内部材２２４を受入れるが、プロセスガ
スがそれを通ることを許さない。基板１４及びシャドウ
リング７０を整列させる方法も提供され、本方法におい
ては、基板１４及びシャドウリング７０は共に基板支持
部材３０上に下降させられ、各々は共通案内部材２２４
と係合するようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【従来の技術】集積回路の製造において、基板を真空環
境から取り出すことをせず、それによって転送時間を短
縮し、基板の汚染を減少させながら処理ステップの幾つ
かのシーケンスを遂行することによって基板処理を自動
化する設備が開発されている。このようなシステムは、
例えばMaydanらの米国特許第4,951,601号に開示されて
おり、この特許では複数の処理チャンバが転送チャンバ
に接続されている。中央転送チャンバは、それに接続さ
れているいろいろな処理チャンバにスリット弁を通して
基板を渡し、またそれらのチャンバにおいて処理が完了
した後の基板を回収する。
【０００２】真空チャンバ内で遂行される処理ステップ
は、典型的には、複数の金属、誘電体、及び半導体フィ
ルムを基板の表面上に堆積させ、エッチングすることを
必要とする。これらのプロセスの例は、化学気相堆積法
（ＣＶＤ）、物理気相堆積法（ＰＶＤ）、及びエッチン
グプロセスを含む。
【０００３】真空チャンバは、基板上に薄膜を堆積させ
るために使用される。典型的には、基板上に位置決めさ
れたガスマニホルド板を通して前駆体ガスが真空チャン
バへチャージされ、基板は一般に約250乃至約650℃の範
囲内の処理温度まで加熱される。前駆体ガスは、加熱さ
れた基板表面と反応して薄い層をその上に堆積させる。
【０００４】近年になって、製造効率及びデバイス能力
を向上させるために基板上に形成させるデバイスのサイ
ズが減少し、基板上に形成させるデバイスの数が増加し
てきている。また、基板上に形成させるデバイスが全て
均一になるように、薄膜の厚みが基板全体に均一である
ことが益々重要になってきた。更にまた、基板の汚染を
減少させるために（基板が汚染されると、良好なデバイ
スの歩留まりが低下する）、処理チャンバ内での粒子の
生成を回避することも益々重要になってきている。
【０００５】典型的な処理チャンバにおいては、処理中
の基板を取付ける支持部材がチャンバ内を垂直に運動可
能である。基板は、外部ロボットブレードからチャンバ
内へ運ばれる。複数の支持指もエレベータによって垂直
に運動可能であり、支持部材を通って伸びてロボットブ
レードから支持部材への基板の転送を容易にする。殆ど
のＣＶＤプロセスでは、基板及び基板を支持する支持部
材は典型的に加熱される。
【０００６】これらの処理チャンバは、ＷＦ6前駆体か
らタングステンのような金属を、並びに他の金属及び誘
電体を堆積させるために使用することができる。ＷＦ6
は高度に揮発性のガスであり、タングステンは基板の表
側だけではなく、基板の縁表面及び裏側にも堆積される
ために問題がもたらされる。典型的には、これらの縁及
び裏側表面は、高度に研磨された表側表面より粗く、ス
パッタされた窒化チタンのような付着層で被膜されてい
ないので、堆積された材料が基板の縁及び底面から剥落
し、それによってチャンバを汚染させる傾向がある。ま
た、これらの表面上に堆積された材料が基板を支持部材
に付着させる可能性があり、基板の縁付近に形成された
デバイスの完全性が損なわれる恐れがある。更に若干の
プロセスは、基板の全表面をカバーする例えばチタン及
び窒化チタンで形成されたバリヤー膜を使用しており、
チタン層を部分的に露出させている。これらのプロセス
では、タングステンの層がバリヤー層の上に堆積される
ことが多い。しかしながら、タングステンはチタンには
付着しないので、チタンの上に堆積されたタングステン
はそれから剥離し、それによって粒子を発生する傾向が
ある。
【０００７】従って、シャドウリング及びパージガスが
使用されるに至った。シャドウリングは堆積中の基板の
周縁をカバーして基板のこの領域をマスクし、それによ
って堆積ガスが基板の縁及び裏面に到達するのを防ぐ。
しかしながら、例えばＷＦ6が揮発性であるために、シ
ャドウリングだけでは基板上の縁及び裏側への堆積を防
げない。従って、シャドウリングの陰、またはシャドウ
リングの陰の基板の縁に向かうようなパージガスが使用
されてきた。パージガスは、プロセスガスがこれらの縁
及び裏面に到達する可能性を低下させる正の圧力を加え
る。パージガスを使用するシステムでは、典型的に、支
持部材はそれを通って伸びている複数の離間したパージ
ガスオリフィスを有しており、これらのオリフィスは支
持部材の上面内の環状ガス溝へパージガスを供給する。
環状ガス溝は、基板を取り囲んでおり、基板の周縁へガ
スを供給する。典型的には、このガスは基板の縁の下か
ら基板へ供給されるので基板の縁の周りを流れて、基板
の縁に垂直な方向に基板の上面を流れる。図２−３に、
従来のシャドウリング形態の例を示す。
【０００８】スループット及び効率を向上させる要望が
増すにつれて、基板の縁に堆積されるフィルムの厚み及
び均一性を規定する標準の厳格さが絶えず増してきてい
る。理想的には、堆積されるフィルムは基板の全領域に
わたって均一の厚みを有しており、除外（もしくは、非
堆積）ゾーン上には殆ど、または全く堆積されないよう
に、縁は急速にドロップオフしている。更に、理想的に
は、基板の面取りされた縁上には堆積が存在しない。工
業的な実施はこの理想的な目標に向かって進んでおり、
現在の工業標準では、基板の面取りされた縁上にフィル
ムが堆積していないこと、基板の縁から３ｍｍの点にお
けるフィルムの厚みが基板の中心におけるフィルムの厚
みの90％またはそれ以上であり、厚みの均一性は基板の
縁から５ｍｍ以内の領域を除いて±５％であることを要
求している。
【０００９】これらの要求を満足させる１つの重要な要
素は、パージガスの供給及びその流量の最適化を含む。
もしパージガスの流れが大き過ぎれば、パージガスは堆
積を望む基板上にプロセスガスが堆積することを阻止、
または妨害し得る。流量を増加させるにつれて、パージ
ガスは益々基板の中心に向かって内向きに流れ、プロセ
スガスの流れ及びその均等な分配を更に妨害するように
なる。従って、この妨害は、基板の縁付近の、並びに基
板の中心に更に向かってフィルムの均一性の問題をもた
らし得る。即ち、パージガスの流量を大きくすると、プ
ロセスが工業標準の均一性要求を満足することを阻止し
得る。従って、ガスパージレートが一定の低い流れを得
るために、基板とシャドウリングとの間の間隙の許容ゾ
ーンを狭くすることが望ましい。このように間隙許容ゾ
ーンを狭くする場合、シャドウリングを繰り返し動作で
きるようにするためには、シャドウリングの寸法の安定
さも必要になる。
【００１０】工業要求を満足させる別の重要な要素は、
ウェーハの周りの除外縁の同心性である。従来のシャド
ウリングは、基板をシャドウリングに整列させるために
案内ピンまたは他の整列部材を設けている。しかしなが
ら、典型的にはシャドウリングは、シャドウリング及び
基板を互いに他方に対して整列させるために分離した整
列部材を使用していた。
【００１１】図１に示す従来のシャドウリングは、シャ
ドウリング１と基板１４との間を直接接触させるように
なっているが、これは基板１４とシャドウリング１との
間の接触点において過度の粒子生成をもたらし得る。更
に、シャドウリング１は基板１４に直接接触するように
設計されているので、パージガスは基板１４の縁の周囲
及び除外ゾーン上を流れない。そうではなく、パージガ
スは基板１４の下及び縁の流れ環２内だけを流れ、流れ
環から出口ポート３を通して処理チャンバ（図示してな
い）へ出て行くように設計されている。基板１４との直
接接触による望ましくない粒子の生成に加えて、図１に
示す形態は、シャドウリング１と基板１４との間に局部
的な間隙が存在し得るので、基板１４の裏側にタングス
テンが局部的に堆積する可能性がある。これらの間隙が
発生する場合には、パージガスを望ましくなく引き降ろ
して環２内へ流入させ、間隙付近の基板１４の縁または
下面の両者の上に堆積を発生させる可能性がある。更
に、基板１４をシャドウリング１と同心状に整列させる
手段は設けられていない。シャドウリング１の配置は、
シャドウリング案内ピン４によって維持されている。し
かしながら、基板１４の配置は、シャドウリング１の配
置には無関係に維持される。従って、基板１４に対する
シャドウリング１の同心性は、特定の応用において十分
に信頼できるとは言えない。
【００１２】図２は、シャドウリング５が基板１４と接
触しない従来のシャドウリング形態を示している。基板
１４とシャドウリング５との間にパージ間隙１５が設け
られており、この間隙を通ってパージガスが基板１４の
下面の周囲、基板１４の縁の上、及び基板１４の周縁の
周りの上面除外ゾーンの上を流れる。図２に示すシャド
ウリング５は、基板１４とシャドウリング５との間にほ
ぼ0.006インチのパージ間隙１５を有することができ
る。しかしながら、パージ間隙の寸法公差は、２つの部
品の公差がパージ間隙の寸法公差に影響を与え得るの
で、製造中に変化を生じ得る。図２ａに示すように、シ
ャドウリング５が取付けられているパージ環６の熱ひず
みのために、付加的な間隙変化も発生し得る。
【００１３】図３は、基板１４及びシャドウリング７の
両者の横方向整列が共通案内ピン８によって維持される
従来のシャドウリング形態を示している。基板の位置は
ピン８の前面によって限定され、シャドウリング７の一
部はピンを過ぎて伸び、その位置はピンの前面によって
限定される。従って、シャドウリング及び基板の同心性
は、均一な半径方向幅除外ゾーンを設けるのに十分であ
ることができる。しかしながら、図３に示すシャドウリ
ング７の形態は、基板１４とシャドウリングとを直接接
触させることを必要とし、それは望ましくない粒子の生
成をもたらし、またシャドウリング７とパージ環９との
間の間隙を通してパージガスを排出させることをも必要
とする。更に、案内ピン８が基板及びシャドウリングの
両者を整列させることができるようにするために、シャ
ドウリング７内に局部的な切欠き１０を設け、案内ピン
８は切欠き１０を通って伸びている。従って、タングス
テンのようなプロセスガスが切欠き１０を通って流れる
可能性があり、切欠き１０の近傍の基板の面取りされた
縁及び裏側に局部的に望ましくなく堆積する可能性があ
る。
【００１４】従って、シャドウリングに対する基板の再
現可能な同心性が得られ、シャドウリングと基板との間
に再現可能なパージ間隙が得られ、そしてシャドウリン
グ内に局部的な切欠きを有していないシステムに対する
要望が存在している。
【００１５】
【発明の概要】一面において、本発明は、基板処理シス
テム内の基板支持部材上でシャドウリングと基板とを同
心状に整列させるための整列装置に関し、本装置は、基
板の縁及びシャドウリングの案内外囲部分の両者を受入
れる少なくとも１つの共通案内部材を備え、上記シャド
ウリングの案内外囲部分は、シャドウリングの上からシ
ャドウリングに向かって導かれるプロセスガスから遮蔽
されている。シャドウリングの案内外囲部分は、シャド
ウリングの下面内に形成されている少なくとも１つの案
内部材凹部を含むことができる。シャドウリング凹部
は、その中に少なくとも１つの共通案内部材を受入れ可
能であることが好ましい。更に、シャドウリングは、各
案内外囲部分に近接して空力的に成型された上面を有す
ることができ、また処理中にシャドウリングと基板との
間に連続パージ間隙を維持することができる。更に、パ
ージ間隙は、基板支持部材上にシャドウリングを支持す
ることによって維持することができ、基板支持部材は一
体構造であることができる。
【００１６】別の面において、本発明は、基板整列及び
遮蔽装置に関する。本装置は、その中に基板支持部分が
加工されている基板支持部材を備えていることができ
る。基板支持部材はその周縁に形成されている上面を有
することができ、シャドウリングは基板支持部材の上面
に載ることができ、そして基板支持部材はその中に形成
された環状パージ間隙を更に有することができる。更
に、基板支持部材はそれに関連付けられた少なくとも１
つの共通案内部材を有することができ、また基板支持部
材は基板及びシャドウリングの両者を受入れて整列させ
ることができる。各少なくとも１つの共通案内部材は基
板支持部材に取付けることも、または各少なくとも１つ
の共通案内部材は基板支持部材と一体であることもでき
る。
【００１７】更に別の面において、本発明は、基板処理
システム内で基板とシャドウリングとを互いに整列させ
る方法を提供する。本方法は、その中に形成されている
パージ間隙を有し、それによって限定されている基板支
持部分を有し、その上に上面を有する基板支持部材を準
備するステップと、基板及びシャドウリングの両者を受
入れて整列させる基板支持部材内に形成されているパー
ジ間隙に近接している少なくとも１つの共通案内部材を
準備するステップと、共通案内部材内で基板が整列する
ようにシャドウリング及び基板支持を互いに他方に向か
って移動させるステップと、共通案内部材とシャドウリ
ングの下面内に形成されている案内部材凹部との間の整
列を維持しながら、シャドウリングを基板支持部材の上
面に載せるステップとを含んでいる。
【００１８】更に別の面において、本発明は、基板処理
システムに関する。本システムは、処理チャンバと、処
理チャンバ内に配置され、その中に加工されている基板
支持部分を有する基板支持部材とを備えている。基板支
持部材はその周縁の周りに形成された上面を有すること
ができ、またシャドウリングは基板支持部材の上面に載
ることができる。基板支持部材は、その中に形成された
環状パージ間隙を更に有することができ、また基板支持
部材は、それに関連付けられた少なくとも１つの共通案
内部材を更に有することができ、また基板支持部材は、
基板及びシャドウリングの両者を受入れて整列させるこ
とができる。本発明のこの面の特色は、各少なくとも１
つの共通案内部材を基板支持部材に取付けることができ
ることであり、また各少なくとも１つの共通案内部材を
基板支持部材と一体にできることである。
【００１９】上述した本発明の特色、長所、及び目的、
並びに詳細を理解するために、以上に要約した本発明
を、以下に添付図面に図示した実施の形態を参照して更
に詳細に説明する。しかしながら、添付図面は本発明の
典型的な実施の形態に過ぎず、本発明は他の等しく有効
な実施の形態をも受入れることができるので、これらが
本発明の範囲を限定することを意図していないことを理
解されたい。
【００２０】
【実施の形態】図４を参照する。本発明は一般的に、基
板１４の周縁の周りにパージガスの流れを供給するため
の装置を提供する。詳述すれば、本発明は、処理チャン
バ１２内のパージガスの流れをガス供給源から基板１４
の底へ、基板１４の縁１８へ、及び基板の縁に近接して
いる基板１４の上面の除外ゾーンの周りへ導く。本発明
は、改良されたシャドウリング、及び基板ペデスタル即
ち基板支持部材を更に提供する。基板ペデスタルは、シ
ャドウリング及び基板の両者を共通案内部材に整列させ
るために、それに関連付けられている少なくとも１つの
ウェーハ案内を含む。シャドウリングは、共通案内部材
と関連してそれらを通ってプロセスガスが流れるのを防
ぐためのカバーされた案内部材受入れ部分を更に含んで
いる。
【００２１】ガス供給装置２０はＣＶＤ処理チャンバに
おいて特に有用であり、説明及び理解を容易にするため
に、以下に主としてこれらのＣＶＤ処理に関して説明す
る。しかしながら、ガス供給装置２０は、ＰＶＤ及びエ
ッチング装置のような他のプロセス、処理チャンバ、及
び装置にも応用を有しており、従って記述する精密な形
状に限定されるものではないことを理解されたい。
【００２２】典型的には、基板１４は薄い、円形の部材
である。従って、それらは中心、周縁（周縁に沿う各点
は中心から実質的に等距離にある）、中心からの線形発
散であることを特徴とする半径方向、及び単一の点にお
いて周縁に触れる１つまたは複数の線であることを特徴
とする接線、または接線方向を有している。接線方向及
び半径方向は、互いに直角である。基板は典型的には円
形であるが、本発明は非円形基板に、及び１つまたは複
数の周縁フラットを含む実質的に円形の基板に等しく適
用可能である。従って、本明細書において使用する半径
方向とは、基板１４の中心からの線形発散であることを
特徴とする方向のことである。
【００２３】引き続き図４を参照する。基板１４は、処
理チャンバ１２内において、処理チャンバ１２内に位置
決めされている支持部材３０上で処理される。基板１４
を処理する際に、シャドウリング７０を使用して基板１
４の縁をカバーし、それによって堆積を望まない除外ゾ
ーンを作る。シャドウリング７０は、基板１４の外縁を
カバーすることによって、面取りすることができる基板
１４の縁を含む基板１４の上面１６の除外ゾーン上に材
料が不要に堆積しないようにする。望ましくない堆積を
防ぐには、シャドウリング７０を単独で使用しても部分
的に有効であるが、より効果的なシステムでは、基板１
４の周縁に導かれて基板１４の周縁１８及び縁に近接す
る基板上面１６上を流れるパージガスを一緒に使用して
いる。好ましくは、アルゴンのようなパージガス４８が
支持部材３０内の複数のパージガス開口４９内を通過す
ることができるように、支持部材３０内にパージガスラ
イン４８を設ける。パージガス開口４９は、支持部材３
０の上面内に形成されている連続環の形状であることが
好ましいガスオリフィス、またはパージチャネル３４へ
パージガスを導く。このようにすると、ガスの流れを基
板１４の全縁に送給することができ、それによってプロ
セスガスが基板の縁表面または除外ゾーンと接触するの
を防ぎ、また基板１４の裏側へ流れてその上に材料を堆
積させるの阻止する。
【００２４】図５を参照する。基板１４は、支持部材３
０の上に配置される。支持部材上には、互いに離間して
支持部材上に取付けられている複数の案内部材２２４が
設けられており、これらの案内部材２２４は支持部材３
０上にウェーハ１４を位置決めする。好ましくは、同じ
案内部材２２４を基板案内ピン２２４及びシャドウリン
グ整列案内２２４の両方のために動作させることができ
る。従って、案内部材２２４は“共通案内部材”２２４
と呼ぶことができる。好ましくは複数の案内部材２２４
を基板支持部材３０の周縁に離間させ、一緒になって基
板支持表面の周縁を限定させる。好ましくは、案内部材
は支持部材３０に直接取付ける。従って共通案内部材２
２４は、支持部材３０上への基板の実質的な整列を与え
ることも、またパージガスを案内部材２２４に近接する
基板の縁上に流すことも可能にする。
【００２５】図６は、図５に示したガス供給装置２０の
支持部材３０の６−６矢視断面図である。図６は、支持
部材の上に配置された基板１４と、支持部材に取付けら
れているシャドウリング７０とを示している。シャドウ
リング７０は、平らな下面７１を有していることが好ま
しく、また図６に示す動作位置まで降下させた時に支持
部材３０の平らな上面に直接載ることが好ましい。支持
部材３０は、支持部材３０の上面３１内に加工されてい
る平らな基板受入れ表面３２を更に有し、この基板受入
れ表面３２は上面３１からの深さＰdを限定している。
好ましくは、基板受入れ表面３２は、所望の基板の厚み
と、基板１４の上面とシャドウリング７０の下側との間
に設けられる所望のパージ間隙距離Ｐgとの合計にほぼ
等しいパージ深さＰdを有するように加工する。従って
パージ間隙Ｐgは、基板１４の上面とシャドウリング７
０の下面７１との間に限定される。
【００２６】好ましくは基板受入れ表面３２を取り囲む
環状の溝であるパージチャネル３４は、基板受入れ表面
３２の半径方向に直ぐ外側の支持部材３０内に加工する
ことが好ましく、基板１４を基板受入れ表面３２上に載
せた時に基板１４と垂直パージ壁３６との間に外向きの
半径方向距離が更に得られるような適当なサイズであ
る。パージチャネル３４は、基板支持部材３０の上面３
１からパージ深さＰdより大きい深さに加工することが
好ましく、リングの下面７１からパージチャネル３４の
ベースまで伸びるチャネル高さＣhを限定することが好
ましい。パージガス供給孔４９は、パージチャネル３４
と、ガスパネル（図示してない）を介して適切なガスが
供給される孔の先端の周りのマニホルドのような所望の
圧力のパージガスの源との間を流体的に通じさせるため
に、支持部材３０のベース内に錐もみその他によって加
工することが好ましい。従って、基板１４は単一の支持
部材３０によって支持され、支持部材内に設けられたパ
ージチャネル３４はパージ流体の源と流体的に通じる。
【００２７】更に図６を参照する。シャドウリング７０
は環状リングの形状であり、シャドウリング７０の内径
が基板１４の周縁よりも僅かに小さい寸法であることが
好ましい。従って、シャドウリング７０は基板１４の周
縁の除外ゾーンＥzをマスクし、基板１４の上面に向か
ってほぼ下方に導かれるプロセスガスを除外ゾーンが受
けないようにする。
【００２８】図７は、図５のガス供給装置２０の支持部
材３０の７−７矢視断面図であって、シャドウリング７
０に対する案内部材２２４の位置決めを示している。共
通案内部材２２４は、好ましくは支持部材３０の上面３
１の周りに離間して加工されている凹部２２０内に取付
けられている。共通案内部材２２４は、基板１４及びシ
ャドウリング７０の両者を受けて実質的に整列させるこ
とが好ましい。従って、パージ間隙３４は基板１４の周
縁の周囲で実質的に均一であり、シャドウリング７０に
対する基板１４の同心性は実質的に維持される。以下に
説明するようにシャドウリング７０の案内外囲部分３２
４は、プロセスガスがそれを通ってパージチャネル３４
内に流入しないようにカバー、または囲うことが好まし
い。
【００２９】図８は、図６に示した装置の一部をより詳
細に示しており、シャドウリング７０の最も内側の周縁
の実質的に全体を示している。パージチャネル３４は、
水平パージチャネル３４１、垂直パージチャネル３４
２、及び基板１４の上面とシャドウリング７０の下面７
１との間に設けられる基板パージ間隙３４３からなって
いる。パージ間隙３４３は、好ましくは0.004インチ乃
至0.006インチの間であり、好ましいスパンは0.005イン
チである。シャドウリング７０の平らな下面７１と支持
部材３０の平らな上面とを接触させることによってシャ
ドウリング７０を垂直に整列させ、シャドウリング７０
と基板１４とを接触させないパージ間隙３４３のための
精密な公差を設けることが好ましい。以下に更に詳細に
説明するように、基板１４とシャドウリング７０の横方
向整列は共通案内部材２２４によって与えられる（図
５、７、及び９）。
【００３０】図８を更に参照する。パージガスは支持部
材３０内のパージガス供給孔４９を通して供給される。
パージガス供給孔４９は、好ましくは基板１４の縁から
半径方向内側に位置決めし、それによってパージガスを
基板１４の下面に沿って水平パージチャネル３４１内へ
導き、次いで基板１４の好ましくは面取りされた縁に沿
って垂直パージチャネル３４２へ流入させ、そして基板
１４の除外ゾーンＥz（図６）に沿ってパージ間隙３４
３へ入るようにする。パージガスの流れの方向及び向き
を、矢印３００によって示す。基板１４の除外ゾーンＥ
z（図６）の半径方向内側の基板１４の表面に向かって
導かれるプロセスガスとパージガスとが干渉し合わない
ように、パージ間隙３４３を出たパージガスはシャドウ
リング７０の内側を巡って流れてシャドウリング７０の
表面を辿ることが好ましい。シャドウリング７０の表面
上のパージガスの流れは、処理チャンバ１２の周縁の真
空ポート（図示してない）によって発生させられる。好
ましくは、シャドウリング７０の内側縁は、パージガス
がそれに沿って流れるのを促進するように空力的に成型
する。
【００３１】図９は、図７の装置の一部を詳細に示して
おり、共通案内部材２２４を受入れるシャドウリング７
０の部分を示している。図示した一実施の形態の共通案
内部材２２４は、支持部材３０の凹部２２０内に取付け
られており、第１の、即ちシャドウリング受入れ要素２
２５、及び第２の、即ち基板受入れ要素２２６を含むこ
とができる。第１の要素は、ステンレス鋼のような適当
に硬い材料であることが好ましく、主としてシャドウリ
ング７０と接触してそれを整列させる。第２の要素は、
主として基板１４と接触してそれを整列させる。従っ
て、第２の要素は堆積薬品と非反応性の要素であり、こ
の接触中に粒子の生成を最小にするような適当な特性で
あることが好ましい。
【００３２】図５、７、及び９を参照する。共通案内部
材２２４は、ボルトその他の適当なファスナによって基
板支持部材３０に取付ける、またはそれ以外に固定する
ことが好ましい。好ましくは、共通案内部材２２４は基
板支持部材３０の基板受入れ表面３２上にシャドウリン
グ７０を整列させるように、シャドウリング７０の下側
と対面する上側角度付き表面２２９を含むことが好まし
い内面を含む。共通案内部材２２４の内面には下側角度
付き表面２３１も設けられており、基板１４を受入れて
整列させる基板支持部材３０の基板受入れ表面３２と対
面している。
【００３３】図４を参照する。外側ボディ１３によって
限定されている典型的な処理チャンバ１２が示されてい
る。チャンバ１２は、中央転送チャンバに接続されてい
る複数の処理チャンバ１２を有する真空処理システムの
一部であることができる。処理チャンバ１２は、垂直に
配向されたシャフト３８に取付けられたペデスタルまた
はサセプタの形状であることができる支持部材３０を収
容している。支持部材３０は、その平らな上面３２上に
基板１４を支持する。典型的には、支持部材は内部に抵
抗加熱器を埋込んだ例えばアルミニウムのような金属の
ブロックからなる。しかしながら、支持部材はセラミッ
クのような他の材料で形成することができる。
【００３４】図４には、支持部材３０のボディを貫通し
ている指開口内に受入れられている基板リフティング指
２００も示されている。典型的には、処理チャンバ１２
は、このようなリフティング指２００を３本または４本
含んでいる。これらのリフティング指２００は、処理の
後に基板１４を支持部材３０の上面から片付けるために
持上げるように動作する。基板１４のこの取り外しは、
スリット弁開口を通って処理チャンバ１２に進入する普
通の処理チャンバロボットアーム（図示してない）によ
って達成される。このロボットアームは、基板１４を処
理チャンバ１２内へ挿入するためにも使用される。リフ
ティング指２００は、図４に上側部分だけが示されてい
る副運動アクチュエータ２０２の動作によって垂直に運
動可能である。
【００３５】支持部材３０に相互接続されている運動ア
クチュエータは、支持部材３０を処理チャンバ１２内で
垂直に運動させ、第１の、下降位置と、処理ステップが
遂行される第２の、上昇位置との間を交互させるように
なっている。シャドウリング７０は、処理ステップが遂
行される第２の、上昇位置では支持部材３０上に直接載
る。シャドウリング７０は、基板の挿入及び取り外しの
ために、シャドウリングリフティング部材２１０を使用
して第２の、上昇位置に上昇させることもできる。
【００３６】動作中、基板１４は、以下のようにして支
持部材３０の上面３２上に配置される。シャドウリング
リフティング部材２１０が、シャドウリング７０を第２
の、上昇位置まで上昇させる。次いで、ロボットアーム
が、スリット弁開口を通して基板１４を支持部材３０上
の位置へ挿入する。副運動アクチュエータ（図示してな
い）が支持部材３０内の指開口を通って伸びるリフティ
ング指２００を上昇させて基板１４に接触させ、基板１
４をロボットアームから持上げて支持部材３０の第１の
位置と第２の位置との中間に基板１４を支持させる。次
いで、ロボットアームが処理チャンバ１２から後退す
る。次に、運動アクチュエータが、支持部材３０を第１
の位置から、リフティング指２００のトップを通って第
２の位置まで持上げる。支持部材３０のこの運動によ
り、基板はリフティング指２００から持上げられる。こ
れらのステップを逆の順番に遂行すると、基板１４の支
持部材３０からロボットアームへ、そして処理チャンバ
１２からの転送が完了する。特定の実施の形態では、シ
ャドウリング７０がシャドウリングリフティング部材２
１０によって上昇されている間、支持部材３０は静止し
たままであることができる。他の実施の形態では、支持
部材３０は上述したように下降及び上昇し、シャドウリ
ングリフティング部材７０はシャドウリングリフティン
グ部材２１０上に静的に載ることができる。
【００３７】処理中に、支持部材３０は上昇位置まで上
方へ運動し、シャドウリング７０をシャドウリングリフ
ティング部材２１０上に載っている位置から持上げる。
シャドウリング７０は支持部材３０の上面３１上に載
り、シャドウリング７０を基板１４の上面上に支持す
る。シャドウリング７０は、それを通る円形の上側開口
８２を限定している。上側開口８２の直径は基板１４の
外径より僅かに小さく、基板１４上に除外ゾーンを形成
できる。しかしながら、新しいプロセスは、基板１４上
にシャドウリング７０のオーバーハングを必要としない
かも知れない。
【００３８】基板１４が基板支持部材３０上に配置され
る際に、基板１４は上述したように支持部材３０の周り
に離間している共通案内部材３２４によって支持部材３
０上に心合わせされ、整列される。シャドウリング７０
が下降させられて支持部材３０の上側支持表面３１に載
るか、または支持部材３０が上昇してシャドウリング７
０をシャドウリングリフティング部材２１０から持上げ
る際に、シャドウリングは、基板１４を心合わせさせて
整列させたものと同じ共通案内部材３２４によって心合
わせされ、整列される。共通案内部材２２４は、基板支
持部材３０に取付けることも、または基板支持部材３０
と一体であることもできる。
【００３９】以上に本発明の好ましい実施の形態を説明
したが、特許請求の範囲に記載されている本発明の基本
的範囲から逸脱することなく、本発明の他の、及びさら
なる実施の形態を考案することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板に直接接触する従来のシャドウリングの部
分断面図である。
【図２】パージ環を有する従来のシャドウリングの部分
断面図である。
【図２ａ】図２の従来のシャドウリングの部分断面図で
あって、パージ環が歪んだ後の基板とシャドウリングと
の間のパージ間隙を拡大して示す図である。
【図３】シャドウリング内の局部的な切欠きを通ってい
る共通案内部材を有する従来のシャドウリングの部分断
面図である。
【図４】本発明による基板処理システムの側断面図であ
る。
【図５】基板が配置されている本発明による基板支持部
材を、シャドウリングを取り除いて示す上面図である。
【図６】図５の６−６矢視断面図であって、基板に対す
るシャドウリングの整列及び間隔と、支持部材内に形成
されているパージチャネルとを示す図である。
【図７】図５の７−７矢視断面図であって、シャドウリ
ングの下面内に形成されている案内部材受入れ凹部によ
って受入れられている２つの共通案内部材を示す図であ
る。
【図８】図６の部分８の詳細部分断面図である。
【図９】図７の部分９の詳細部分断面図である。
【符号の説明】
１、５、７ シャドウリング ２ 流れ環 ３ 出口ポート ６、９ パージ環 ８ 案内ピン １０ 切欠き １２ 処理チャンバ １４ 基板（ウェーハ） １５ パージ間隙 １６ 基板の上面 １８ 基板の縁 ２０ ガス供給装置 ３０ 支持部材 ３１ 支持部材の上面 ３２ 基板受入れ表面 ３４ パージチャネル ３６ パージ壁 ３８ シャフト ４８ パージガスライン ４９ パージガス開口 ７０ シャドウリング ７１ シャドウリングの下面 ２００ 基板リフティング指 ２０２ 二次運動アクチュエータ ２１０ シャドウリングリフティング部材 ２２０ 凹部 ２２４ 共通案内部材 ２２５ シャドウリング受入れ要素 ２２６ 基板受入れ要素 ２２９ 上側角度付き表面 ２３１ 下側角度付き表面 ３００ パージガスの流れ ３２４ 案内外囲部分 ３４１ 水平パージチャネル ３４２ 垂直パージチャネル ３４３ 基板パージ間隙
フロントページの続き (72)発明者 リン チェン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94087 サニーヴェイル ダートシャー ウェイ 784 (72)発明者 ジョセフ ユドフスキ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95008 キャンベル スモーキー コート 594 (72)発明者 マイトリイー マハジャーニ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サン ホセ ブリスベン コート 7173 (72)発明者 スティーヴ ジー ギャナィエム アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94024 ロス アルトス モートン アベ ニュー 1586 (72)発明者 カルヴィン アール オーガソン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94024 ロス アルトス パークヒルズ アベニュー 1641 (72)発明者 レオネル エイ ズニーガ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95148 サン ホセ パインゲイト ウェ イ 3267 (72)発明者 タイ ティ ンゴー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95050 サンタ クララ モンロー スト リート 3302 ナンバー 705 Ｆターム(参考） 4K029 BB03 BD01 DA09 HA03 HA04 KA01 4K030 BB14 CA12 GA02 KA45 LA15 5F031 CA01 CA02 HA01 HA02 HA33 HA37 HA58 KA03 KA15 KA20 MA28 PA26 5F045 BB14 EB02 EB03 EM02 EM07 EM10 EN04

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板処理システムにおいて、基板支持部
    材上のシャドウリングと基板とを同心状に整列させるた
    めの整列装置であって、 支持部材と、 上記基板の縁と、上記シャドウリングの案内外囲部分の
    両者を受入れるようになっている１つまたはそれ以上の
    共通案内部材と、 上記１つまたはそれ以上の案内部材を受入れるための１
    つまたはそれ以上の下側表面を限定しているシャドウリ
    ングと、を備え、 上記シャドウリングの案内外囲部分は、上記シャドウリ
    ングの上方から上記シャドウリングへ向かって導かれる
    プロセスガスから遮蔽されていることを特徴とする整列
    装置。
  2. 【請求項２】 上記シャドウリングの各少なくとも１つ
    の案内外囲部分は、上記シャドウリングの下面内に形成
    されていて上記少なくとも１つの共通案内部材をその中
    に受入れるようになっている少なくとも１つの案内部材
    凹部を含むことを特徴とする請求項１に記載の整列装
    置。
  3. 【請求項３】 上記シャドウリングは、上記各案内外囲
    部分に近接していて空力的に成型されている上面を有し
    ていることを特徴とする請求項２に記載の整列装置。
  4. 【請求項４】 処理中に、上記シャドウリングと上記基
    板との間に連続パージ間隙が維持されることを特徴とす
    る請求項１に記載の整列装置。
  5. 【請求項５】 上記パージ間隙は、上記シャドウリング
    を上記基板支持部材上に支持することによって維持され
    ることを特徴とする請求項４に記載の整列装置。
  6. 【請求項６】 上記基板支持部材は、一体構造であるこ
    とを特徴とする請求項５に記載の整列装置。
  7. 【請求項７】 上記シャドウリングを支持するために上
    記基板支持部材に取付けられている分離したパージ環は
    存在していないことを特徴とする請求項５に記載の整列
    装置。
  8. 【請求項８】 基板整列及び遮蔽装置であって、 （ａ）その上に限定されている基板支持部分、 その周縁の周りに形成されている上面、 その中に形成されている環状パージ間隙、及びそれに関
    連付けられている１つまたはそれ以上の共通案内部材、
    を含む基板支持部材と、 （ｂ）上記基板支持部材の上記上面に載るようになって
    いるシャドウリングと、を備えていることを特徴とする
    基板整列及び遮蔽装置。
  9. 【請求項９】 上記各少なくとも１つの共通案内部材
    は、上記基板支持部材に取付けられていることを特徴と
    する請求項８に記載の基板整列及び遮蔽装置。
  10. 【請求項１０】 上記各少なくとも１つの共通案内部材
    は、上記基板支持部材と一体であることを特徴とする請
    求項８に記載の基板整列及び遮蔽装置。
  11. 【請求項１１】 基板処理システムにおいて、基板とシ
    ャドウリングとを整列させるための方法であって、 その中に形成されているパージ間隙を有し、その中に基
    板支持部分を有し、そしてその上に上面を有している基
    板支持部材を準備するステップ、を含み、 上記基板支持部材は、その中に形成されている上記パー
    ジ間隙に近接していて上記基板及び上記シャドウリング
    の両者を受入れて整列させるようになっている少なくと
    も１つの共通案内部材を含み、 上記方法は更に、 上記基板を上記共通案内部材に近接させて上記基板支持
    部材上に下降させ、上記基板を下降させる際に上記基板
    を上記共通案内部材内に整列させるステップと、 上記共通案内部材と上記シャドウリングの下面内に形成
    されている案内部材凹部との間の整列を維持しながら、
    上記シャドウリングを上記基板支持部材の上記上面に下
    降させるステップと、を含むことを特徴とする方法。
  12. 【請求項１２】 基板処理システムであって、 処理チャンバと、 上記処理チャンバ内に配置され、その中に加工されてい
    る基板支持部分と、その周縁の周りに形成されている上
    面とを有する基板支持部材と、 上記基板支持部材の上記上面上に載るようになっている
    シャドウリングと、を備え、 上記基板支持部材は、それに関連付けられている少なく
    とも１つの共通案内部材を更に有し、 上記基板支持部材は、基板及び上記シャドウリングの両
    者を受入れて整列させるようになっている、ことを特徴
    とする基板処理システム。
  13. 【請求項１３】 上記少なくとも１つの共通案内部材の
    各々は、上記基板支持部材に取付けられていることを特
    徴とする請求項１２に記載の基板処理システム。
  14. 【請求項１４】 上記少なくとも１つの共通案内部材の
    各々は、上記基板支持部材と一体であることを特徴とす
    る請求項１３に記載の基板整列及び遮蔽装置。
JP2001123575A 2000-03-16 2001-03-16 共通の案内部材を有するシャドウリング Withdrawn JP2002009136A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US52709000A 2000-03-16 2000-03-16
US09/527090 2000-03-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002009136A true JP2002009136A (ja) 2002-01-11

Family

ID=24100050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001123575A Withdrawn JP2002009136A (ja) 2000-03-16 2001-03-16 共通の案内部材を有するシャドウリング

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1134791A2 (ja)
JP (1) JP2002009136A (ja)
KR (1) KR20010090464A (ja)
SG (1) SG89382A1 (ja)
TW (1) TW517262B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101272334B1 (ko) * 2006-09-13 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 기판 지지 장치 및 박막 트랜지스터 표시판
US11018045B2 (en) 2017-11-16 2021-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Deposition apparatus including upper shower head and lower shower head
US11345998B2 (en) 2017-11-16 2022-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Deposition apparatus including upper shower head and lower shower head

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6652716B2 (en) * 2001-10-19 2003-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for self-aligning a cover ring in a sputter chamber
KR100914199B1 (ko) * 2002-12-27 2009-08-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자를 형성하기 위한 플라즈마 증착장비
CN104711542B (zh) * 2013-12-12 2018-01-02 圆益Ips股份有限公司 基板支撑装置及基板处理装置
US20190259635A1 (en) * 2018-02-17 2019-08-22 Applied Materials, Inc. Process kit for processing reduced sized substrates
KR102605121B1 (ko) * 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11380575B2 (en) 2020-07-27 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Film thickness uniformity improvement using edge ring and bias electrode geometry

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0595054A1 (en) * 1992-10-30 1994-05-04 Applied Materials, Inc. Method for processing semiconductor wafers at temperatures exceeding 400 degrees C.
US5328722A (en) * 1992-11-06 1994-07-12 Applied Materials, Inc. Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring
US6096135A (en) * 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101272334B1 (ko) * 2006-09-13 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 기판 지지 장치 및 박막 트랜지스터 표시판
US11018045B2 (en) 2017-11-16 2021-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Deposition apparatus including upper shower head and lower shower head
US11345998B2 (en) 2017-11-16 2022-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Deposition apparatus including upper shower head and lower shower head

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010090464A (ko) 2001-10-18
EP1134791A2 (en) 2001-09-19
SG89382A1 (en) 2002-06-18
TW517262B (en) 2003-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100794507B1 (ko) 처리챔버용 히터
KR100764534B1 (ko) Ｃｖｄ 장치
US6248176B1 (en) Apparatus and method for delivering a gas
KR102556016B1 (ko) 플라즈마 프로세싱을 위한 가변하는 두께를 갖는 상부 전극
US6555164B1 (en) Shadow ring and guide for supporting the shadow ring in a chamber
US6374512B1 (en) Method for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
US6364949B1 (en) 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition
KR100635975B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재
US6146463A (en) Apparatus and method for aligning a substrate on a support member
US6186092B1 (en) Apparatus and method for aligning and controlling edge deposition on a substrate
JP3595354B2 (ja) 半導体処理中に基板の熱移動を確保する装置及び方法
KR101924488B1 (ko) 프로세스 공간이 한정된 ｐｅｃｖｄ 챔버
JPH08236451A (ja) 半導体基板のエッジ成膜の制御
KR20010034921A (ko) 정화 가스 채널과 펌핑 시스템을 갖는 기판 지지 부재
JP2007113119A (ja) 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法
JP2008211252A (ja) ワークピースの縁部をシールドする装置
US11952663B2 (en) Hardware to prevent bottom purge incursion in application volume and process gas diffusion below heater
JP2001308079A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2002009136A (ja) 共通の案内部材を有するシャドウリング
US20210388495A1 (en) Asymmetric exhaust pumping plate design for a semiconductor processing chamber
US20220199373A1 (en) Methods to eliminate of deposition on wafer bevel and backside
US20220406573A1 (en) Process kit having tall deposition ring and smaller diameter electrostatic chuck (esc) for pvd chamber

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080603