JP2007113119A - 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 - Google Patents

基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板をより均一に加熱し、しかも、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改良された基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内の基板支持体は、ヒーターペデスタル16の形態であり、基板の下面を受けるための基板受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング24は、ペデスタル61の周囲に配置され、基板の端面エッジ部分を覆う。このシャドーリング24はまた、基板の端面エッジでペデスタル61とシャドーリング24自身の間のキャビティーを画成し、操作に際しては、チャンバは第1の圧力で処理ガスを受容し、第1の圧力よりも高い第2の圧力で、シャドーリング24とペデスタル61との間のキャビティー内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管74が具備される。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体基板上へ物質を堆積させる装置に関する。特に、本発明は、基板裏面への物質の堆積を減少させることに関する。
半導体ウエハ等の基板上へ物質の層を堆積させるには、化学気相堆積法(CVD)又は物理気相堆積法(PVD)を用いることができる。このプロセスの例としては、CVDを用いたシリコン基板上へのタングステンの堆積が挙げられる。
タングステンCVDを開始するに当たり、堆積チャンバ内にウエハが移送され、ウエハはこの堆積チャンバ内でサセプタ等の支持体上に水平に、堆積面を上にして置かれる。ウエハの上向きの堆積面は、チャンバ内に移送される前に、窒化チタンでコーティングされる。その理由は、タングステンは通常のウエハの二酸化珪素(SiO)表面にはすぐに付着しないからである。しかし、これは窒化チタンには付着する。
コーティングがなされたウエハがチャンバ内に移送された後は、堆積ガス、通常は弗化タングステン(WF)が、ガス流入口又はウエハ上部に配置された「シャワーヘッド」を介してチャンバ内に導入される。代表的には、堆積プロセスの主要な部分は、250℃〜600℃の高温及び10.7〜12kPa(80〜90トール)の亜大気圧の条件で行われる。
タングステンCVD及びその他の基板処理操作においては、各基板からいかに多くのダイ(チップ)を得るかが最も重要な目標となる。これらの処理操作で処理された各基板からのダイの最終的な収率には、多くの因子が影響している。これらの因子には、基板に付着して基板表面を汚染する汚染物の量も含まれる。また、その他の因子として処理変数が挙げられ、これらは基板表面上に堆積される物質の層の均一性及び厚さに影響するものである。CVD及びその他のプロセスで各基板からのダイの収率を最大にするためには、これらの因子をはじめとする因子が細心に制御される必要がある。
しかし、CVD処理チャンバには、様々な汚染粒子の多様な発生源が含まれ、この汚染粒子が基板表面に付着すれば、ダイの収率が減少する。CVD処理における粒子汚染発生源の1つに、ウエハのエッジ及び裏面ないし下面への物質の堆積がある。様々な理由で、この堆積物質の層は基板のエッジ又は裏面ないし下面にはしっかりと付着せず、そのため、これらの場所に堆積した物質の層は剥離(フレーキング)してCVD処理操作とその後の処理操作において汚染物粒子となることが知られている。このことは、窒化チタンがウエハのエッジと裏面とに堆積されない状態で行われたタングステンCVDプロセスにおいて特に顕著である。上述のように、このことは、タングステンがこれらの場所にしっかりとくっつかずに比較的簡単に剥離するだろうことを意味する。
このような、エッジ及び裏面への不要な堆積物を抑制する方法の1つに、シャドーリング(shadow ring)を用いてこれらの場所への堆積が生じることを減少させる方法がある。シャドーリングはマスキング材であり、通常は基板の上に静置されて、基板の上側、外側及び周囲を包囲する。これは、堆積ガスが基板の接触領域に到達する通路を制限する。シャドーリングは、プロセスガスが接触周囲領域に致る通路を制限するので、このガスが基板のエッジ及び裏面へ致る通路も制限する。しかし、ウエハの反りやゆがみのため、このシャドーリングはあらゆる場合に良好な結果をもたらすわけではなく、揮発性の堆積ガスはシャドーリングのリップの下を通り抜けて基板のエッジや裏面に不要な物質を堆積させる。
不要な堆積物による汚染物の存在から他へ目を向ければ、処理変数もまたダイ収率に影響する。この処理変数の1つ(堆積物質層の均一性に影響を与える変数)に、ウエハ加熱の均一性が挙げられる。
従来から用いられる処理チャンバの多くでは、ウエハはヒーターランプによって下側から加熱される。このヒーターランプは、赤外線の放射によって、チャンバ内で基板を支持するサセプタを加熱する。次いで、サセプタは、熱伝導により基板を加熱する。このような装置による問題の1つは、サセプタ(代表的には8ミリ厚のアルミニウム製でセラミックのサポートプレートがついている)の寿命が比較的短いことである。このことは、サセプタを3,000サイクル毎に交換する必要があることを意味し、その結果、作業コストと修理時間を増加させることになる。
この1つの解決策として、ヒーターランプと薄いサセプタとを、ウエハを支持し且つ加熱する1つのヒーターペデスタルに換えることが挙げられる。このタイプも配置の1つの例が、米国特許出願通し番号08/200,079号及び08/200,862号に記載されている。ここに記載されている装置では、チャンバ内で垂直脚(ストーク)に載置されるヒーターペデスタルの平坦な支持表面上にウエハは支持される。このペデスタルは加熱コイルによって加熱され、次いで、ウエハは高温の支持ペデスタルにより加熱される。ウエハの加熱の均一性を高めるため、この装置はウエハの下面側とペデスタルの平坦な支持表面との間の界面を真空に引く機構を備えている。そして、ウエハの上と下の差圧はウエハをペデスタルに引っ張り、その結果、ウエハの加熱の均一性が改善される。
米国特許出願第08/200079号明細書 米国特許出願第08/200862号明細書
しかし、このようにウエハの裏面で真空が引かれる結果、処理ガスがウエハのエッジ近辺でウエハとペデスタルとの界面の中に引き込まれることがある。このことは、シャドーリングが存在していても起こり得ることであり、その結果、シャドーリングがウエハの上に配置されていても、ウエハのエッジと裏面とに不要な堆積を生じさせることになる。前に述べたように、この不要な堆積は汚染粒子を発生させ得る。従って、加熱の均一性を改良することに付随して、ウエハのエッジと裏面とに不要な堆積が増加する可能性が生じてしまう。
従って、基板をより均一に加熱し、しかも、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改良された装置に対する要求がある。
即ち、本発明は、端面のエッジと処理のための上側表面と支持体上にある下側表面とを有する基板を処理するための基板処理装置である。この装置は処理チャンバを有し、チャンバ内には、基板支持体を収容する。この基板支持体は、ヒーターペデスタルの形態であり、基板の下面を受けるための基板受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリングは、ペデスタルの周囲に配置され、基板の端面エッジ部分を覆う。このシャドーリングはまた、基板の端面エッジでペデスタルとシャドーリング自身の間のキャビティーを画成する。
操作に際しては、チャンバは第1の圧力で処理ガスを受容し、第1の圧力よりも高い第2の圧力で、シャドーリングとペデスタルとの間のキャビティー内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管が具備される。好適な実施例では、この流体導管は、ペデスタルとシャドーリングとの間の界面において、ペデスタル本体に形成されるチャンネルである。
パージガスを導入して流すことにより、基板の端面エッジ及び下面への不要な堆積物が減少したことが見出された。
この装置には、ペデスタルの受容面においてガスポート開口部を有していてもよい。処理中にガスポートの圧力は、上記第1の圧力よりも低い第3の圧力まで減じられる。この第3の圧力は、代表的なチャンバ圧力である。このことにより、受容面に受容された基板は、第1の圧力と第3の圧力との差圧により、ペデスタルにしっかりと保持される。
シャドーリングは、代表的には、リップ構造を有する基板受容着座を画成する。このリップ構造は、使用時には、基板の上面の端面エッジを覆う。処理中においては、基板は、基板に支持されるシャドーリングと共に、この着座の内部に受容される。その結果、リップは基板の表面と接触して、基板の表面に、処理中の物質の堆積が生じない排除領域を提供する。
チャンバ内に基板が存在しないときは、シャドーリングは少なくとも1部においてペデスタルにより支持される。ペデスタルとシャドーリングの間の界面では、ペデスタルの表面は幾つもの同心円状の溝のため平坦ではなくなっている。この溝は、シャドーリングにも形成されて、ペデスタルとシャドーリングの間の接触領域を小さくする作用を有していてもよい。そしてこれは、シャドーリングとペデスタルの付着を減じ、シャドーリングとペデスタルの間の半径方向の動きを容易にする。
好ましくは、ペデスタルは支持体を加熱するヒーターを有し、この支持体に支持される基板は、熱伝導により加熱される。
本発明は、タングステンCVDプロセスを用いてウエハを処理する半導体ウエハ処理チャンバの用途に特に有効であるが、これに限定されるわけではない。
本発明の最も重要な利点は、基板のエッジと裏面への堆積の発生を抑制することが出来ることである。
本発明の別の利点は、ペデスタル上に支持された基板を均一に加熱することが提供されることである。
本発明のまた別の利点は、ペデスタルが加熱を受けても、従来の薄型サセプタよりも長い寿命を有することである。
以下、添付した図面を参照して、本発明を更に詳細に説明する。
図1は典型的な金属CVD処理装置10を表し、この図1を参照しつつ、本発明の一般的な適用例を例示していく。装置10は、処理チャンバ14を画成する外部本体12を有する。処理チャンバ14は、アルミニウムのヒーターペデスタル16を収容し、このヒーターペデスタル16は略垂直向きのストーク18上に支持される。ヒーターペデスタル16は、半導体ウエハ20をその支持面22で支持する役割をもつ。
ウエハ20は、エッジを制限するシャドーリング24に囲まれる。シャドーリング24の外側周囲には、外側支持リング25が配置される。この外側支持リング25は、従来型のポンピングプレート27上で支持され、このポンピングプレート27は、さきの2つのリング25及び27と共にチャンバ14を上側部分14aと下側部分14bとに分割する。
処理中では、ペデスタル16は上方向に移動し、ウエハ20をシャドーリング24に対して押して上方向に持ち上げ、シャドーリング24はウエハ20から吊り下げられ同時にウエハ20に支持される。処理が行われない時(即ち、アイドリング状態)、ペデスタルは下側の位置にあり、シャドーリング24は外側シャドーリング25とステップ構造体26とにより支持される。このステップ構造体26は、制限コーナーリング60内に形成されて、ペデスタル16の外側エッジに溶接で付加されている。
このように支持されれば、ペデスタル16は、加熱されたままであるので、熱伝導によりシャドーリング24を加熱する。処理を開始する前にシャドーリングを加熱するための遅れが生じないため、このことが反応器のスループットを向上させる。
しかし、外側リング25はペデスタルによっては加熱されず、シャドーリング24よりも概ね低い温度のままである。シャドーリング24から低い温度の外側支持リング25への熱損失を防ぐため、シャドーリング24は、外側リング25上の6つのパッド(図示されず)の上に置かれる。その結果、シャドーリング24から外側リング25への熱損失はほとんどなく、シャドーリング24を横断する大きな温度勾配はなくなる。仮に温度勾配が大きくなれば、熱応力によりシャドーリングにクラックが発生する。同様に、外側リング25はポンピングプレート27の上の6つのパッド(図示されず)上に置かれる。
このような構成の結果、ポンピングプレート27と外側リング25との間と、外側リング25とシャドーリング24との間とに、それぞれ小さなギャップが生じる。これらのギャップは、処理中及びチャンバのアイドリング状態において見られる。堆積ガスがこれらのギャップを介して移動することを防止するため、パージガス、通常は窒素ガス又はアルゴンガスがチャンバの下半分14b内に導入される。このガスは、毎分500ミリリットル〜毎分2リットルの流量で導入され、これらのギャップの中を流れ、チャンバの下半分14bへの堆積ガスが移動を効果的に防止する。
また、図1はペデスタル16本体を貫通するアパーチャー30内に受容されるウエハリフトフィンガー28が例示される。通常、装置10はこのリフトフィンガーを4本有している。これらのリフトフィンガー28が作動して、ペデスタル16の上面22からウエハ20を持ち上げて離すので、ウエハを処理後にチャンバから除去することができる。ウエハの除去は、従来型の処理装置ロボットアーム(図示されず)によって行われ、このロボットアームは、スリットバルブを介して選択的に開閉するポート32を介してチャンバ内に導入される。これと同じロボットアームがチャンバ14内にウエハを挿入するために用いられる。このリフトフィンガー28は、リフティング機構34の動きにより垂直方向に可動であり、リフティング機構34は上部のみが図示される。
処理中においては、ヒーターペデスタル16は電気ヒーター要素により内側から(約300℃〜約500℃まで、代表的には450℃まで)加熱される。この電気ヒーター要素の詳細は後述する。次いで、ヒーターペデスタル16がウエハ20を熱伝導により加熱する。ウエハが適当な温度(好ましくは約450℃)に達したならば、ウエハ20の上方に配置されたシャワーヘッド36を介して処理ガスがチャンバ14内に導入される。このシャワーヘッド36の詳細と処理ガス(タングステンCVDプロセスの場合は弗化タングステンがよく用いられる)がチャンバ内に導入される様式に関しては、従来から知られている。
次に、図2及び図3を参照して、ヒーターペデスタル16を詳細に説明する。図1に示されるようにペデスタル16は平坦な上側のウエハ支持面22と、コーナーリング60に形成されたステップ構造体26と、4つのフィンガーアパーチャー30とを有する。前述のように、これらのアパーチャー30はリフトフィンガー28を収容し、そのうちの1つは図1に例示されている。
図2に示されるように、ペデスタル16は、上側の支持表面22に同心円状の溝(グルーヴ)40を複数有する。これらの同心円状の溝40は、代表的には、幅0.21mm(0.008インチ)、深さ0.38mm(0.015インチ)、間隔2.97mm(0.117インチ)のサイズである。これらの溝は、半径方向(放射方向)に形成されているチャンネル42で相互につながっている。各半径方向チャンネル42の末端では、複数の真空ポート44がペデスタル本体内に形成されている。図3に示されるように、これらの真空ポート44は、主ペデスタル本体61の下側に形成された円形マニホールドグルーヴ46と通じている。このグルーヴ46は、プラグ48によってペデスタルの下側でシールされている。また、グルーヴ46は、ストーク18内部に配置される真空導管50と通じている。真空導管50は、ペデスタル16主本体61内部の略水平導管(図示されず)少なくとも1本により、グルーヴ46と通じている。
処理中においては、半導体ウエハ20は、図3に示されるように、上面22上に置かれている。上述のように、ペデスタル16の動きにより、ウエハ20がシャドーリングを僅かに持ち上げる。この時、ウエハの外側部分は、シャドーリング24の突出したリップ52を上にして支え且つ覆われる。その結果、シャドーリングは持上がってステップ構造体26から離れ、シャドーリングの下部とステップ構造体26の頂面との間に約0.13mm(0.005インチ)〜約0.38mm(0.015インチ)のギャップが生じる。ペデスタルがシャドーリング24を続けて加熱できるよう、このギャップはできるだけ小さくする必要がある。
典型的な堆積プロセスは、2つの別々のステップを含む。30秒間続く第1のステップにおいては、チャンバの圧力は約0.6kPa(4.5トール)まで減じられ、チャンバ内に弗化タングステンが導入される。このステップは核生成ステップとして知られているが、このステップによりウエハ上に堆積されるタングステン層の厚さが非常に薄くなる。この薄い層は、タングステン層が更に堆積されるためのベース層として機能する。
第2のステップ(60秒未満であり、タングステンのほとんどがこのステップで堆積される)では、ウエハ20とペデスタル16の上面22との間に「真空」が引かれる。導管50及びグルーヴ46を通じ真空ポート44を介して、約2.7kPa(20トール)まで真空を引くことにより、この真空引きが行われる。この真空引きによって、同心円状溝40の全てが約2.7kPaの圧力になる。処理中のチャンバの内圧が約10.7kPa〜約12kPa(80トール〜90トール)であるので、ウエハを横断する差圧が生じる。この差圧により、ウエハ20はペデスタル16の上面22に対して引っ張られる。このように堅い接触による利点は、ペデスタルからの熱がウエハへより均一に移動することである。その結果、ウエハの加熱が均一となり、従って、ウエハ表面へのタングステンの堆積が向上する。
次いで、ペデスタル16は、ペデスタル16本体内に搭載された電気加熱コイル54による抵抗により加熱される。ストーク18の本体内部に配置される、堅いステンレス製の接続ステム56によって、コイル54に電力が供給される。図にはコイルが1つしか示されないが、2つ以上のコイルを用いてもよく、又は、共に入れ子となるが電力は別々に供給される複数加熱要素を用いてもよい。
前述のように、シャドーリング24によって、ウエハのエッジにある堆積が生じない排除領域が提供される。典型的なCVD処理操作では、ステップ構造体は高さ約3.81mm(0.15インチ)、シャドーリングの厚さは約5.08mm(0.2インチ)、突出し部の厚さは約0.89mm(0.035インチ)である。この突出し部が、通常、ウエハ20のエッジの周囲約3〜5mm(0.12〜0.20インチ)の排除領域を画成する。
コーナーリング60の詳細は、図4及び図6に例示される。これらの図は、図2及び図3と関連させて見ること。これらの図の全てに示されるように、コーナーリング60は内部に複数の同心円状の溝62を有する。これらの溝は、典型的には、等間隔に配置され、深さは2.54mm(0.10インチ)、幅2.54mm(0.10インチ)である。シャドーリング24がコーナーリング60の上面とくっつかないように溝62が具備される。シャドーリングがペデスタルにくっつかない事は大変重要であり、その理由は、この2つの部品の熱膨張係数は異なり、従って、両方とも相手に対して可動たる必要があるからである。
コーナーリング60はまた、放射状に伸びるチャンネル64を12本有する。これらのチャンネルは、典型的には、幅約3mm(0.117インチ)であり、図6に図示されるように、約5゜のテーパー角で、約1.52mm(0.06インチ)の深さから、ペデスタルの外側エッジに向かって下がり伸びる。チャンネル64は、ペデスタル16の外側エッジで、図1に示されるチャンバ14の下部分14bの中に通じ、ペデスタルの内部の方に通じ、コーナーリング60の内部エッジ67に沿って形成された鍵型構造体66内部に通じる。この鍵型構造体は、溝62の深さとほぼ同じ深さを有し、幅は約0.25mm(0.01インチ)である。
鍵型構造体66の床面には、小さな、代表的には直径0.76mm(0.03インチ)の、ガスポート68が複数形成されている。特に図3から明らかなように、ガスポート68は上方に向かって、上円周キャビティー70に通じる。この上円周キャビティー70は、ウエハ20の外周エッジから少しだけ伸び、シャドーリング24と主ペデスタル本体61とコーナーリング60とにより画成されている。ポート68は、コーナーリング60と主ペデスタル本体61とにより画成される下円周キャビティー72に通じている。ペデスタル16のストーク18の中心に伸びる導管50を介して、下キャビティー72にパージガスが供給され、従って上キャビティー70にもパージガスが供給される。この導管50から、8本の別の導管(図示されず)が放射状に、導管50の頂点から略水平の方向にキャビティー72にわたって伸びる。また中央導管74がこの図に示されるが、処理中のペデスタル温度を測定する熱電対(図示されず)がこの中央導管74に収容されている。
第2の堆積のステップでは、不活性なパージガス、代表的にはアルゴンガスが毎分約2リットルの流量でソース(図示されず)から圧力約207kPa(30p.s.i.)で供給され、流れ制御装置(マスフローコントローラー等)を流れる。この制御装置により、パージガスの圧力が約25%〜33%降下する。ガスがキャビティー72及び70にまで移動すれば、更に圧力が降下する。しかしなお、パージガスの圧力は上キャビティー70内では充分高いので、このキャビティー内へ移動するプロセスガスを実質的に減少させるに足る。このキャビティー70からパージガスは流出し、放射状に伸びるチャンネル64を通ってチャンバ14の下部分14bへと致る。パージガスが流出した後は、チャンバ14の下部分14b内に入り、チャンバ内の標準的な排気口から排気される。パージガスを供給しようとする場合は、第1のステップにおいて毎分約250ミリリットルの流量で供給する。
このパージガスを供給することにより、ウエハ20のエッジ及び下面の外側部分へのタングステンの堆積が減少ないし除去されるという利点がある。この結果は、2つの因子によると考えられる。第1に、パージガスは上キャビティー70ではチャンバの雰囲気圧力よりも高い圧力にあることである。その結果、ガス化した弗化タングステンはシャドーリング24のリップ54の下面にしみ入ることが防止される。第2に、このしみ入りが生じなかった場合でも、パージガスを流すことにより、チャンバ70内から弗化タングステンガスが除去される。なぜなら、制限リング60内に形成された放射状のチャンネル64を、パージガスは連続して高いマスフローレートで流出するからである。
前述で指摘したように、ペデスタルからシャドーリングへ出来るだけ多くの熱量が移動するように、シャドーリングとステップ構造体との間のギャップは出来るだけ小さく保つ必要がある。しかし、この小さなギャップはチャンバ70内に充分なパージガスを流すことが出来る程度の充分な大きさをもっていない。また、チャンネル64が存在しなければ、パージガスがウエハ表面からシャドーリング24を持ち上げてしまうことも確認されている。このことは、シャドーリングのマスキング効果に対して有害であり、ウエハのエッジの周囲の排除部分を不均一ないし不定なものにしてしまう。しかし、チャンネル64が存在して、パージガスがチャンネルに沿って流れれば、このような堆積が起こらない。従って、これらのチャンネルは、チャンバ内の圧力をシャドーリングが浮上しないような低いレベルに維持する機能と、チャンバからパージガスを自由に流出させてシャドーリングの下にしみ入る堆積ガスを除去する機能との、2つの機能を有する。
以上のように、特定の具体例(タングステンCVDプロセスに用いる装置)に関して本発明を説明してきたが、この分野で通常の知識を有する者であれば、これを変形することが可能であろう。例えば、放射状に伸びるチャンネル64は、適当なタイプの導管であってもよい。この場合、パージガスの流れを充分にし、且つ、シャドーリング24とペデスタル16との間に緊密な熱的接触を実現するように、この導管のサイズと位置が決められるべきである。例えば、チャンネル64は、主ペデスタル、コーナーリング、又はシャドーリングへ通じる導管に置き換えてもよく、あるいは、シャドーリング24の底面の放射状のグルーヴで置き換えてもよい。また、ステップ構造体26、同心円状溝62及びチャンネル64は、一体のペデスタル本体であってもよく、コーナーリング60は別々でなくてもよい。更に、ここでの特定の記載は、直径150mm及び200mm(6インチ及び8インチ)ウエハの処理のためのものである。違うサイズのウエハの処理のためには、適当な変形を行えばよい。更に、ペデスタルの厳密な形状は重要ではなく、ドーム状でもよく投影像が円形でなくてもよい。同様に、ウエハは半導体ウエハでなくてもよいし、円形でなくてもよい。別の物質の基板でもよいし、並びに/又は、円形でなくてもよい。
以上詳細に説明したように、本発明の装置及び方法によれば、基板がより均一に加熱され、しかも、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質が減少する。
半導体処理装置の部分的な断面図である。 ヒーターペデスタルの平面図である。 図2に示される線3−3の断面図である。 ペデスタル制限リングの詳細な断面図である。 図4の線4−4の断面図である。 制限リングのエッジの部分的な断面図である。
符号の説明
10…CVD処理装置、12…外部本体、14…処理チャンバ、14a…チャンバの上側部分、14b…チャンバの下側部分、16…ヒーターペデスタル、18…ストーク、20…半導体ウエハ、22…支持面、24…シャドーリング、25…外側支持リング、26…ステップ構造体、27…ポンピングプレート、28…ウエハリフトフィンガー、30…アパーチャー、32…ポート、34…リフティング機構、36…シャワーヘッド、40…同心円状溝、42…チャンネル、44…真空ポート、46…円形マニホールドグルーヴ、48…プラグ、50…真空導管、52…リップ、54…加熱コイル、56…ステム、60…制限コーナーリング、61…主ペデスタル本体、62…同心円状溝、64…チャンネル、66…鍵型構造体、68…ガスポート、70…上円周キャビティー、72…下円周キャビティー、74…中央導管。

Claims (13)

  1. 外周エッジと処理のための上面と下面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、
    (a)操作中に処理ガスを受容するチャンバを画成するハウジングと、
    (b)該チャンバ内にあり該基板の該下面を受容する基板受容面、ガスポート、及び該ガスポートに形成されて該チャンバの下側部分に通じている通路を有する基板支持体と、
    (c)該基板支持体を制限して、該基板支持体との間に該ガスポート及び該通路に通じているキャビティーを画成し、該基板支持体を通る該通路で該キャビティーを該チャンバの該下側部分に滑らかに通じさせ、該基板の該外周エッジに隣接する基板支持体制限リングと、
    (d)該ガスポートを通じてパージガスを該キャビティー内に導入するとともに、該基板の該外周エッジで該通路を通じてパージガスを該チャンバ内に導入するためのパージガス供給手段と、
    (e)該パージガスの流れを該基板の該外周エッジから離れさせることを促進することにより、該パージガスの導入と流れとが、該基板の該外周エッジ及び該下面への該チャンバ内処理ガスの接触を減少させる、少なくとも1つの流体通路と
    を備える基板処理装置。
  2. 該流体通路が、該基板支持体を通って形成されるとともに該通路を通って該キャビティーに滑らかに接続される少なくとも1つの流体導管で画成される請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 該制限リングが、該基板支持体とそれぞれ隣接面で隣接し、該流体導管が該リング及び該支持体の該隣接面で画成される請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 該基板支持体が、該基板受容面に少なくとも1つのガスポート開口を有し、該装置が更に、該チャンバ内で画成される第1の圧力よりも低い第3の圧力まで該ガスポートでの圧力を減少させるための吸引手段を有し、該第1の圧力と該第3の圧力との圧力差により該基板受容面に受容された基板が該基板受容面に抑えつけられる請求項3に記載の基板処理装置。
  5. 該基板支持体が該支持体を加熱するためのヒーターを有し、該支持体に支持された基板が熱伝導により加熱される請求項4に記載の基板処理装置。
  6. 該制限リングが基板突出し部を有し、該基板突出し部はウエハが該基板支持体に支持された際にウエハの該上面の外周エッジ部を覆うような寸法である請求項3に記載の基板処理装置。
  7. 該支持体と該制限リングの該隣接面の少なくとも1つが平坦でない請求項6に記載の基板処理装置。
  8. 処理反応器であって、
    基板を処理するためその上側の部分で処理ガスを受容する処理チャンバと、
    前記上側部分内で前記基板を支持するペデスタルと、
    前記基板の上側外周に係合し、前記外周の近傍で前記ペデスタルとの間にキャビティーを形成するシャドーリングと、
    前記キャビティーにパージガスを供給するガスラインと、
    前記キャビティーから前記チャンバの下側部分まで伸びる複数の流体通路と
    を備える処理反応器。
  9. 前記シャドーリングが前記外周の外側の前記ペデスタルの部分から所定のギャップだけ距離をもち、前記複数の流体通路が前記所定のギャップと同じではない請求項8に記載の処理反応器。
  10. 前記ペデスタルが、前記基板を加熱するための抵抗ヒーターを有する請求項9に記載の処理反応器。
  11. 前記流体通路が、前記シャドーリングと前記ギャップに面する前記ペデスタルとの少なくとも1つに形成される、放射状に伸びるグルーヴないし溝を備える請求項8に記載の処理反応器。
  12. 前記グルーヴないし溝が、前記ペデスタルに形成される請求項11に記載の処理反応器。
  13. 前記流体通路が、前記ペデスタルに形成された閉導管である請求項8に記載の処理反応器。
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