ITCO20130058A1 - Suscettore con lavorazioni di forma arcuata nella superficie d'appoggio dei substrati - Google Patents
Suscettore con lavorazioni di forma arcuata nella superficie d'appoggio dei substratiInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003245 working effect Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Description
TITOLO
SUSCETTORE CON LAVORAZIONI DI FORMA ARCUATA NELLA SUPERFICIE D'APPOGGIO DEI SUBSTRATI
DESCRIZIONE CAMPO DELL’INVENZIONE
La presente invenzione riguarda un suscettore con lavorazioni nella superficie d’appoggio dei substrati da sottoporre a “crescita epitassiale”. STATO DELLA TECNICA
La crescita epitassiale ed i reattori per ottenerla sono noti da molti decenni; la tecnica sulla quale si basano è nota come “CVD”, ossia “Chemical Vapor Deposition”.
Un settore della tecnica dove vengono utilizzati è quello della produzione di componenti elettronici; i processi ed i reattori per questa applicazione sono particolari perché è richiesta una elevatissima qualità agli strati depositati ed i requisiti di qualità sono in continuo aumento.
Una delle tipologie di reattori epitassiali impiega un “suscettore" che è inserito in una camera di reazione e che supporta uno o più substrati da sottoporre a crescita epitassiale posti su superfici d’appoggio all’interno di appositi recessi (si vedano i riferimenti 10 e 1000 in Fig.lA); come noto, i substrati possono essere perfettamente circolari oppure, spesso, con un “fiat” (si veda il substrato 1000 in Fig .1 B all’interno di un recesso perfettamente circolare).
Per la crescita epitassiale ad alta temperatura (non meno di 800°C, non più di 2000°C, e, generalmente, tra 1000°C e 1800°C a seconda del materiale da crescere), vengono spesso usati reattori con riscaldamento della camera e, soprattutto, del suscettore che è ottenuto per induzione elettromagnetica o per resistenza.
Gran parte della tecnica nota (Fig .1 ) si riferisce alla crescita epitassiale di silicio, con temperature di processo generalmente tra 1100°C e 1200°C, ed ai relativi reattori; infatti, solo recentemente si sono diffusi i componenti elettronici in carburo di silicio.
Il posizionamento e l’appoggio dei substrati presenta vari problemi: adesione del substrato alla superficie d’appoggio, spostamento laterale del substrato rispetto alla superficie d’appoggio durante e/o dopo il posizionamento del substrato, deformazione del substrato posto sulla superficie d’appoggio (generalmente il substrato tende a diventare concavo), non-uniformità della trasmissione del calore dalla superficie d’appoggio al substrato, migrazione di sostanze dalla superficie d’appoggio al substrato.
Pertanto, vi è una continua attività di ricerca volta a trovare soluzioni sempre migliori a questi problemi. Ciò è dovuto anche ai requisiti sempre crescenti di qualità dei substrati cresciuti e di qualità e velocità dei processi produttivi.
SOMMARIO
La Richiedente si è quindi posta l’obiettivo di offrire una buona soluzione a questi problemi.
Tale obiettivo è raggiunto grazie al suscettore avente le caratteristiche tecniche esposte nelle rivendicazioni annesse che formano parte integrante della presente descrizione.
L’idea alla base della presente invenzione è quella di usare solchi di forma arcuata come lavorazioni della superficie d’appoggio dei substrati.
In particolare, le lavorazioni comprendono almeno tre pluralità di solchi di forma arcuata; i solchi di ciascuna pluralità sono tipicamente paralleli tra loro; preferibilmente, ciascun solco di dette pluralità inizia in un primo punto sul bordo della superficie d’appoggio e finisce in un secondo punto sul bordo di della superficie d’appoggio, detto primo punto e detto secondo punto essendo remoti tra loro; la superficie d’appoggio può essere circondata da un solco anulare.
Secondo una forma di realizzazione preferita, ciascun solco di dette pluralità comprende un primo ed un secondo tratti estremi rettilinei uguali ed inclinati tra loro ed un terzo tratto intermedio circolare che raccorda il primo ed il secondo tratti estremi rettilinei.
ELENCO DELLE FIGURE
La presente invenzione risulterà più chiara dalla descrizione dettagliata che segue da considerare assieme ai disegni annessi in cui:
Fig. 1 mostra una vista in sezione semplificata ed una vista dall’alto parziale di un corpo discoidale di un suscettore secondo l’arte nota con un substrato inserito in un suo recesso,
Fig. 2 mostra una vista in sezione semplificata di un primo corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione con un substrato appoggiato su una superficie di una sua zona,
Fig. 3 mostra una vista in sezione semplificata di un secondo corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione con un substrato appoggiato su una superficie di una sua zona,
Fig. 4 mostra una vista in sezione semplificata di un terzo corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione abbinato ad un primo elemento di supporto con un substrato appoggiato su una superficie dell’elemento,
Fig. 5 mostra una vista in sezione semplificata di un quarto corpo discoidale di un suscettore secondo l'invenzione abbinato ad un primo elemento di supporto con un substrato appoggiato su una superficie dell’elemento,
Fig. 6 mostra, secondo cinque differenti viste parziali, un suscettore con una superficie d’appoggio per substrati secondo la presente invenzione con lavorazioni secondo la presente invenzione,
Fig. 7 mostra una vista in sezione semplificata di un corpo discoidale di un suscettore secondo l’arte nota,
Fig. 8 mostra una vista in sezione semplificata di un quinto corpo discoidale di un suscettore secondo l'invenzione,
Fig. 9 mostra una vista in sezione semplificata di un sesto corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione,
Fig. 10 mostra una vista in sezione semplificata di un settimo corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione,
Fig. 11 mostra una vista in sezione semplificata di un ottavo corpo discoidale di un suscettore secondo l'invenzione abbinato ad un secondo elemento di supporto con un substrato appoggiato su una superficie dell’elemento,
Fig. 12 mostra una vista in sezione semplificata di un nono corpo discoidale di un suscettore secondo l'invenzione abbinato ad un terzo elemento di supporto con un substrato appoggiato su una superficie dell’elemento,
Fig. 13 mostra una vista in sezione semplificata di un decimo corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione abbinato ad un quarto elemento di supporto con un substrato appoggiato su una superficie dell’elemento,
Fig. 14 mostra una vista in sezione semplificata di un undicesimo corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione abbinato ad un quinto elemento di supporto con un substrato appoggiato su una superficie dell’elemento,
Fig. 15 mostra una vista in sezione semplificata di un dodicesimo corpo discoidale di un suscettore secondo l'invenzione abbinato ad un quinto elemento di supporto con un substrato appoggiato su una superficie dell’elemento,
Fig. 16 mostra una vista in sezione semplificata di un tredicesimo corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione abbinato ad una cornice e ad un sesto elemento di supporto con un substrato appoggiato su una superficie dell’elemento, e
Fig. 17 mostra una vista in sezione semplificata di un quattordicesimo corpo discoidale di un suscettore secondo l’invenzione abbinato a settimi elementi di supporto con substrati appoggiati su una superficie degli elementi.
Sia tale descrizione che tali disegni sono da considerare solo a fini illustrativi e quindi non limitativi.
Come si comprende facilmente, vi sono vari modi di implementare in pratica ed applicare la presente invenzione che è definita nei suoi principali aspetti vantaggiosi nelle rivendicazioni annesse.
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Come già detto, l’elemento chiave della presente invenzione è una lavorazione della superficie d’appoggio dei substrati.
Nell’esempio di Fig.2, il suscettore 20 è simile al suscettore 10 di Fig .1 , ha forma discoidale ed è dotato di un recesso circolare in cui è appoggiato il substrato 1000; a differenza del suscettore 10 di Fig.1 , il suscettore 20 di Fig.2 presenta una superficie d’appoggio del recesso con una lavorazione (indicata con una linea tratteggiata) secondo la presente invenzione.
Il suscettore 30 di Fig.3 comprende un rilievo che presenta una superficie d’appoggio con una lavorazione (indicata con una linea tratteggiata) secondo la presente invenzione; sul rilievo è appoggiato il substrato 1000. Il suscettore 40 di Fig.4 è simile al suscettore 20; tuttavia, il suo recesso è più spesso; infatti dentro è inserito stabilmente un elemento di supporto 41 ; il substrato 1000 è appoggiato su una superficie d’appoggio dell'elemento 41 dotata di una lavorazione (indicata con una linea tratteggiata) secondo la presente invenzione.
Il suscettore 50 di Fig. 5 è simile al suscettore 30; tuttavia, il suo rialzo è meno spesso; infatti sopra è montato stabilmente un elemento di supporto 51; il substrato 1000 è appoggiato su una superficie d’appoggio dell’elemento 51 dotata di una lavorazione (indicata con una linea tratteggiata) secondo la presente invenzione.
Questi suscettori sono costituiti essenzialmente da corpi discoidali; i loro recessi o rilievi (possono essere in un numero che varia tipicamente da uno a dieci) possono essere perfettamente circolari oppure circolari con un “fiat”.
Gli elementi 41 e 51 sono dei sottili dischi perfettamente circolari oppure circolari con un “fiat”.
Un esempio molto vantaggioso di questa lavorazione è mostrato in Fig.6. In Fig.6 (si veda in particolare Fig.6D), il corpo discoidale del suscettore è indicato con il riferimento 601 ed ha una faccia 602 con una zona 603 atta a ricevere un substrato da sottoporre a crescita epitassiale (non mostrato in figura); la zona 603 è un recesso e presenta una superficie d’appoggio 604 per l’appoggio diretto di substrati.
In questo esempio, sia il recesso che la superficie d’appoggio sono perfettamente circolari (si veda in particolare Fig.6A); inoltre, la superficie d’appoggio è lievemente concava (si veda Fig.6D).
La lavorazione della superficie 604 comprende almeno tre pluralità 605A, 605B, 605C di solchi 606 di forma arcuata; il numero tipico di pluralità da utilizzare è tre o quattro o cinque, ma il numero preferibile è tre (come si vede Fig.6A).
Ognuna delle pluralità 605A, 605B, 605C si estende in un differente settore 607A, 607B, 607C della superficie 604; i solchi 606 di ciascuna delle pluralità 605A, 605B, 605C non si incrociano tra loro ed i solchi di una pluralità (ad esempio 605A) non incrociano i solchi di nessuna altra pluralità (ad esempio 605B e 605C).
Preferibilmente, i solchi 606 di ciascuna delle pluralità 605A, 605B, 605C sono sostanzialmente paralleli tra loro.
Tipicamente, tutti i settori 607A, 607B, 607C sono uguali tra loro.
Ogni solco 606 inizia in un primo punto (ad esempio 608 in Fig.6B) sul bordo della superficie 604 e finisce in un secondo punto (ad esempio 609 in Fig.6B) sul bordo della superficie 604; il primo punto (ad esempio 608 in Fig.6B) ed il secondo punto (ad esempio 609 in Fig.6B) sono remore e lontani tra loro.
Secondo un esempio di realizzazione vantaggioso (si veda Fig.6A), la forma dei solchi 606 comprende un primo ed un secondo tratti estremi rettilinei uguali ed inclinati tra loro (ad esempio dì un angolo di 90° oppure 120° oppure 72° come si vede in Fig.16C) ed un terzo tratto intermedio circolare che raccorda il primo ed il secondo tratti estremi rettilinei. Secondo questo esempio di realizzazione (si veda Fig.6A), i primi tratti rettilinei di tutti i solchi di una pluralità di solchi sono perfettamente paralleli tra loro; i secondi tratti rettilinei di tutti i solchi di una pluralità di solchi sono perfettamente paralleli tra loro; i terzi tratti circolari di tutti i solchi di una pluralità di solchi sono sostanzialmente paralleli tra loro. Il raggio di curvatura dei terzi tratti è molto grande ed è di valore simile per tutti i solchi; ad esempio a seconda dell’esempio di realizzazione, il raggio di curvatura può andare dal 5% al 20% del raggio esterno della superficie d’appoggio.
La forma della sezione dei solchi è vantaggiosamente sostanzialmente triangolare (in particolare con spigoli smussati come si vede in Fig.6E); l’angolo di apertura del triangolo può essere, ad esempio, 90°-150° .
La profondità dei solchi può essere, ad esempio, 0.1-0.2 mm.
La distanza tra i solchi adiacenti può essere, ad esempio, 0.5-1 .0 mm.
Nell'esempio mostrato in Fig.6, il recesso per ricevere i substrati comprende due sottili volumi cilindrici (come si vede in particolare in Fig.6C ed in Fig.6D); il cilindro superiore ha un raggio lievemente maggiore del cilindro inferiore per facilitare la manipolazione dei substrati (ad esempio 2-4 mm); il diametro dei substrati è quasi uguale o lievemente minore del diametro del cilindro inferiore.
Nell’esempio mostrato in Fig.6, la superficie di appoggio è circondata da un solco circolare 610 che è in comunicazione con tutti i solchi 606 delle pluralità 605A, 605B, 605C (come si vede in Fig.16C); la larghezza di questo solco circolare può essere, ad esempio, 1-2 mm. Alternativamente, il solco che circonda la superficie di appoggio potrebbe essere interrotto in più punti e quindi essere costituito dall'insieme di una pluralità (ad esempio tre o quattro o cinque pari al numero di pluralità di solchi) di tratti di solco circolari di lunghezza diversa o, vantaggiosamente, uguale.
La distanza tra solchi 606 successivi e paralleli può essere variabile (si veda Fig.6B e Fig.6E); può essere simile alla larghezza dei solchi stessi ossia 1-2 mm (attenzione che si tratta di una ondulazione nella teoria -nella pratica tale forma è puramente teorica); può essere maggiore ossia 2-10 mm; può essere molto maggiore ossia 10-20 mm; in questo ultimo caso, vi sono delle zone piane 611 che è vantaggioso siano parte rugose oppure ruvide oppure zigrinate.
Questa lavorazione ha il vantaggio di scaricare il gas attorno al substrato, in particolare nel solco anulare; tale scarico del gas è graduale man mano il substrato si bomba e si adagia sulla superficie concava del fondo della cava. La forma arcuata e quindi senza nessun tipo di spigoli è particolarmente vantaggiosa perché non da origine a picchi di sforzo o termici o sullo strato di SiC applicato al sottostante C (naturalmente anche la sezione trasversale del solco dovrà essere graduale ossia senza spigoli ad esempio né quadrata né rettangolare); inoltre, permette uno scarico molto uniforme del gas in tutte le direzioni e quindi minimizza il rischio di movimenti orizzontali del substrato; infine, raccoglie circonferenzialmente (quindi con grande superficie) e scarica radialmente.
Nell’esempio di Fig.6, la lavorazione interessa l’intera superficie d’appoggio, ma, alternativamente, la lavorazione potrebbe interessarla solo parzialmente, ad esempio solo un’area anulare esterna.
In Fig.7, è mostrato un corpo 701 di un suscettore discoidale secondo l’arte nota, in cui un recesso 703 presenta una superficie d’appoggio 704 lievemente concava, liscia e piatta.
Nell’esempio di Fig.8, un corpo 801 di un suscettore discoidale comprende un recesso 803 circolare che presenta con una superficie d’appoggio 804 lievemente concava; la superficie 804 è lavorata ed in figura è visibile schematicamente uno di tanti solchi 806 (ad esempio come i solchi 606) a profondità costante che sbocca in un solco anulare 810, assai più profondo dei solchi 806.
Nell'esempio di Fig.9, un corpo 901 di un suscettore discoidale comprende un recesso 903 circolare che presenta con una superficie d’appoggio 904 lievemente concava; la superficie 904 è lavorata ed in figura è visibile schematicamente uno di tanti solchi 906 (ad esempio come i solchi 606) a profondità variabile che sbocca in un solco anulare 810; il fondo dei solchi 906 e 910 è allo stesso livello e ciò può facilitare la lavorazione del pezzo.
Nell’esempio di Fig. 10, un corpo 1001 di un suscettore discoidale comprende un recesso 1003 circolare che presenta con una superficie d’appoggio 1004 lievemente concava; la superficie 1004 è lavorata ed in figura è visibile schematicamente uno di tanti solchi 1006 (ad esempio come i solchi 606) a profondità variabile che sbocca in un solco anulare 1010; il fondo dei solchi 1006 e 1010 è allo stesso livello e ciò può facilitare la lavorazione del pezzo; è da notare che la profondità del solco 1006 al centro del recesso 1003 è nulla (o pressoché nulla).
Soluzioni alternative a quelle di Fig.8, Fig.9, Fig.10 possono comprendere una pluralità di recessi come quelli illustrati in queste figure.
Gli esempi delle figure da Fig .11 a Fig .15, prevedono un suscettore con un corpo discoidale comprendente un recesso; nel recesso è inserito un elemento supporto; l’elemento di supporto presenta una superficie d’appoggio dotata di una lavorazione (indicata con una linea tratteggiata) secondo la presente invenzione; in altre parole, il recesso è semplicemente associato ad una superficie d’appoggio per substrati, ma non la presenta direttamente.
Nell’esempio di Fig .11 , il corpo è indicato con il riferimento 1101 e l’elemento di supporto 1120 è un disco con un sottile bordo in rialzo; quindi esso presenta un recesso per il substrato 1000 ed il bordo circonda il substrato 1000 e la superficie d’appoggio. Il recesso del corpo 1101 presenta uno smusso sul bordo per facilitare la presa meccanica dell’elemento 1120.
Nell’esempio di Fig. 12, il corpo è indicato con il riferimento 1201 e l’elemento di supporto 1220 è un disco con uno spesso bordo in rialzo; quindi esso presenta un recesso per il substrato 1000 ed il bordo circonda il substrato 1000 e la superficie d’appoggio.
Nell’esempio di Fig. 13, il corpo è indicato con il riferimento 1301 e l’elemento di supporto 1320 è un disco con uno sottile anello in rialzo che si trova rientrato rispetto al bordo del disco; quindi esso presenta un recesso per il substrato 1000 e l’anello circonda il substrato 1000 e la superficie d’appoggio.
Nell’esempio di Fig.14, il corpo è indicato con il riferimento 1401 e l’elemento di supporto 1420 è un disco con un bordo sagomato che si a forma di “L" in sezione; quindi esso presenta un recesso per il substrato 1000 ed il borso circonda il substrato 1000 e la superficie d’appoggio.
Nell’esempio di Fig .15, il corpo è indicato con il riferimento 1501 e l’elemento di supporto 1520 è identico all’elemento di supporto di Fig.14. La differenza tra la soluzione di Fig.14 e la soluzione di Fig.15 consiste nel fatto che il recesso del corpo 1401 è complementare all’elemento 1420, mentre il recesso 1501 lascia dello spazio tra la superficie del recesso e la superficie dell’elemento 1520; tale spazio può essere usato ad esempio per facilitare la manipolazione dell’elemento di supporto.
E’ da notare che elementi di supporto con superficie d’appoggio lavorata uguali o simili a quelli mostrati nelle figure da Fig. 11 a Fig. 15 possono essere abbinati non solo a corpi suscettori con uno o più recessi, ma anche a corpi suscettori con uno o più rilievi.
Inoltre, è da notare che la sagoma esterna di elementi di supporto uguali o simili a quelli mostrati nelle figure da Fig. 11 a Fig. 15 può essere perfettamente circolare oppure circolare con un “fiat”.
Infine, è da notare che la sagoma dei recessi di elementi di supporto uguali o simili a quelli mostrati nelle figure da Fig. 11 a Fig. 15 può essere perfettamente circolare oppure circolare con un “fiat”.
Fig. 16 si riferisce all’applicazione della presente invenzione ad un caso in cui il suscettore comprende un corpo discoidale ed almeno un elemento di supporto ed una relativa cornice; la soluzione di Fig. 16 prevede un solo elemento dì supporto ed una sola cornice; ma soluzioni alternative possono prevedere una pluralità (ad esempio tre o quattro o cinque o sei) di elementi di supporto ed una corrispondente pluralità (ad esempio tre o quattro o cinque o sei) di cornici.
Fig. 16 mostra l’accoppiamento di un elemento di supporto 1630 e di una cornice 1640 che lo circonda; in Fig.16, tale accoppiamento è mostrato in fase di inserimento in un recesso 1603 del corpo 1601 del suscettore e, in seguito, si adagerà stabilmente sul fondo del recesso 1603; alla fine della operazione, anche l’elemento di supporto 1630 risulterà adagiato stabilmente sul fondo del recesso 1603; alternativamente, l’elemento di supporto 1630 potrebbe risultare un po’ distante (ad esempio 0.5 mm) dal fondo del recesso 1603.
L’elemento di supporto 1630 presenta sulla faccia superiore una superficie d’appoggio lavorata (indicata dalla linea tratteggiata) secondo la presente invenzione per l’appoggio di un substrato (si consideri il substrato 1000 in figura adiacente all’elemento 1630)
L’elemento 1630 è sostanzialmente uno spesso disco, ma sulla faccia inferiore presenta una scanalatura per accoppiarsi con la cornice 1640. Fig.17 si riferisce all’applicazione della presente invenzione ad un caso in cui il suscettore comprende un corpo discoidale 1701 ed una pluralità (ad esempio tre o quattro o cinque o sei) di elementi di supporto 1720.
Il corpo 1701 comprende una pluralità di fori passati in cui sono inseriti rispettivamente gli elementi 1720.
Gli elementi di supporto 1720 presentano sulla faccia superiore una superficie d’appoggio lavorata (indicata dalla linea tratteggiata) secondo la presente invenzione per l’appoggio di substrati (si consideri i substrati 1000 in figura adiacenti agli elementi 1720).
Gli elementi 1720 sono sostanzialmente degli spessi dischi, ma sulla faccia inferiore presentano una scanalatura per accoppiarsi con i fori del corpo 1701.
In Fig.17, si nota un recesso centrale sul retro del corpo suscettore che serve a guidare la rotazione del corpo stesso.
Claims (14)
- RIVENDICAZIONI 1. Suscettore per un reattore per crescita epitassiale, costituito da un corpo (601) avente una faccia (602) che comprende almeno una zona (603) atta a ricevere un substrato da sottoporre a crescita epitassiale, in cui detta zona (603) presenta oppure è associata ad una superficie d’appoggio (604) per l’appoggio di detto substrato, ed in cui detta superficie d’appoggio (604) è dotata di lavorazioni, caratterizzato dal fatto che dette lavorazioni comprendono almeno tre pluralità (605A, 605B, 605C) di solchi (606) di forma arcuata.
- 2. Suscettore secondo la rivendicazione 1 , in cui ogni pluralità (605A, 605B, 605C) di solchi (606) si estende in un differente e separato settore (607A, 607B, 607C) di detta superficie d’appoggio (604).
- 3. Suscettore secondo la rivendicazione 2, in cui i settori (607A, 607B, 607C) di detta superficie d’appoggio (604) sono uguali tra loro.
- 4. Suscettore secondo la rivendicazione 2 oppure 3, in cui, in ciascuna pluralità (605A, 605B, 605C), i solchi (606) sono separati tra loro.
- 5. Suscettore secondo la rivendicazione 4, in cui i solchi (606) di ciascuna pluralità (605A, 605B, 605C) sono paralleli tra loro.
- 6. Suscettore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui ciascun solco (606) di dette pluralità (605A, 605B, 605C) inizia in un primo punto (608) sul bordo di detta superficie d’appoggio (604) e finisce in un secondo punto (609) sul bordo di detta superficie d’appoggio (604), detto primo punto (608) e detto secondo punto (609) essendo remoti tra loro.
- 7. Suscettore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui detta superficie d’appoggio (604) è circondata da un solco anulare (610).
- 8. Suscettore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui ciascun solco (606) di dette pluralità (605A, 605B, 605C) comprende un primo ed un secondo tratti estremi rettilinei uguali ed inclinati tra loro ed un terzo tratto intermedio circolare che raccorda il primo ed il secondo tratti estremi rettilinei.
- 9. Suscettore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la superficie (61 1 ) tra due solchi (606) successivi è rugosa oppure ruvida oppure zigrinata.
- 10. Suscettore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui detta superficie d’appoggio (604) è concava.
- 11. Suscettore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui detta zona è un recesso (603) oppure un rilievo di detto corpo (601 ).
- 12. Suscettore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti da 1 a 11 , comprendente almeno un elemento di supporto per detto substrato, in cui detto elemento di supporto presenta detta superficie d’appoggio, ed in cui detto almeno un elemento supporto è adagiato su detta almeno una zona.
- 13. Suscettore secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti da 1 a 11 , comprendente almeno un elemento di supporto per detto substrato ed almeno una cornice per detto elemento di supporto, in cui detta almeno una cornice comprende un foro, in cui detto elemento di supporto presenta detta superficie d’appoggio, ed in cui detta almeno una cornice è adagiata su detta almeno una zona, e detto almeno un elemento di supporto è inserito in detto foro.
- 14. Reattore per crescita epitassiale comprendente almeno un suscettore per supportare e riscaldare substrati secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT000058A ITCO20130058A1 (it) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | Suscettore con lavorazioni di forma arcuata nella superficie d'appoggio dei substrati |
CN201480061427.0A CN105705679B (zh) | 2013-11-11 | 2014-11-06 | 具有衬底支撑表面上的拱形凹槽的衬托器 |
PCT/IB2014/002357 WO2015068022A1 (en) | 2013-11-11 | 2014-11-06 | Susceptor with arched shape grooves on the substrates support surface |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT000058A ITCO20130058A1 (it) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | Suscettore con lavorazioni di forma arcuata nella superficie d'appoggio dei substrati |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ITCO20130058A1 true ITCO20130058A1 (it) | 2015-05-12 |
Family
ID=50031426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
IT000058A ITCO20130058A1 (it) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | Suscettore con lavorazioni di forma arcuata nella superficie d'appoggio dei substrati |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105705679B (it) |
IT (1) | ITCO20130058A1 (it) |
WO (1) | WO2015068022A1 (it) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ITUB20154925A1 (it) * | 2015-11-03 | 2017-05-03 | L P E S P A | Suscettore con recessi asimmetrici, reattore per deposizione epitassiale e metodo di produzione |
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-
2013
- 2013-11-11 IT IT000058A patent/ITCO20130058A1/it unknown
-
2014
- 2014-11-06 CN CN201480061427.0A patent/CN105705679B/zh active Active
- 2014-11-06 WO PCT/IB2014/002357 patent/WO2015068022A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105705679A (zh) | 2016-06-22 |
WO2015068022A1 (en) | 2015-05-14 |
CN105705679B (zh) | 2019-06-07 |
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