JPH0881775A - 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 - Google Patents
基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法Info
- Publication number
- JPH0881775A JPH0881775A JP7153293A JP15329395A JPH0881775A JP H0881775 A JPH0881775 A JP H0881775A JP 7153293 A JP7153293 A JP 7153293A JP 15329395 A JP15329395 A JP 15329395A JP H0881775 A JPH0881775 A JP H0881775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pedestal
- chamber
- processing
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
- C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 基板をより均一に加熱し、基板のエッジ及び
裏面に堆積する物質を減らす、改良された装置及び方法
を提供。 【構成】 チャンバ内１４の基板支持体は、ヒーターペ
デスタルの形態であり、基板の下面を受けるための基板
受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング２
４は、ペデスタル６１の周囲に配置され、基板の端面エ
ッジ部分を覆う。このシャドーリング２４はまた、基板
の端面エッジでペデスタル６１とシャドーリング２４自
身の間のキャビティーを画成し、操作に際しては、チャ
ンバ１４は第１の圧力で処理ガスを受容し、第１の圧力
よりも高い第２の圧力で、シャドーリング２４とペデス
タル６１との間のキャビティー内にパージガスが導入さ
れる。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠
ざけるために、流体導管が具備される。
裏面に堆積する物質を減らす、改良された装置及び方法
を提供。 【構成】 チャンバ内１４の基板支持体は、ヒーターペ
デスタルの形態であり、基板の下面を受けるための基板
受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング２
４は、ペデスタル６１の周囲に配置され、基板の端面エ
ッジ部分を覆う。このシャドーリング２４はまた、基板
の端面エッジでペデスタル６１とシャドーリング２４自
身の間のキャビティーを画成し、操作に際しては、チャ
ンバ１４は第１の圧力で処理ガスを受容し、第１の圧力
よりも高い第２の圧力で、シャドーリング２４とペデス
タル６１との間のキャビティー内にパージガスが導入さ
れる。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠
ざけるために、流体導管が具備される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上へ物質を
堆積させる装置に関する。特に、本発明は、基板裏面へ
の物質の堆積を減少させることに関する。
堆積させる装置に関する。特に、本発明は、基板裏面へ
の物質の堆積を減少させることに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板上へ物質の層を堆
積させるには、化学気相堆積法（ＣＶＤ）又は物理気相
堆積法（ＰＶＤ）を用いることができる。このプロセス
の例としては、ＣＶＤを用いたシリコン基板上へのタン
グステンの堆積が挙げられる。
積させるには、化学気相堆積法（ＣＶＤ）又は物理気相
堆積法（ＰＶＤ）を用いることができる。このプロセス
の例としては、ＣＶＤを用いたシリコン基板上へのタン
グステンの堆積が挙げられる。
【０００３】タングステンＣＶＤを開始するに当たり、
堆積チャンバ内にウエハが移送され、ウエハはこの堆積
チャンバ内でサセプタ等の支持体上に水平に、堆積面を
上にして置かれる。ウエハの上向きの堆積面は、チャン
バ内に移送される前に、窒化チタンでコーティングされ
る。その理由は、タングステンは通常のウエハの二酸化
珪素（ＳｉＯ2 ）表面にはすぐに付着しないからであ
る。しかし、これは窒化チタンには付着する。
堆積チャンバ内にウエハが移送され、ウエハはこの堆積
チャンバ内でサセプタ等の支持体上に水平に、堆積面を
上にして置かれる。ウエハの上向きの堆積面は、チャン
バ内に移送される前に、窒化チタンでコーティングされ
る。その理由は、タングステンは通常のウエハの二酸化
珪素（ＳｉＯ2 ）表面にはすぐに付着しないからであ
る。しかし、これは窒化チタンには付着する。
【０００４】コーティングがなされたウエハがチャンバ
内に移送された後は、堆積ガス、通常は弗化タングステ
ン（ＷＦ6 ）が、ガス流入口又はウエハ上部に配置され
た「シャワーヘッド」を介してチャンバ内に導入され
る。代表的には、堆積プロセスの主要な部分は、２５０
℃〜６００℃の高温及び１０．７〜１２ｋＰａ（８０〜
９０トール）の亜大気圧の条件で行われる。
内に移送された後は、堆積ガス、通常は弗化タングステ
ン（ＷＦ6 ）が、ガス流入口又はウエハ上部に配置され
た「シャワーヘッド」を介してチャンバ内に導入され
る。代表的には、堆積プロセスの主要な部分は、２５０
℃〜６００℃の高温及び１０．７〜１２ｋＰａ（８０〜
９０トール）の亜大気圧の条件で行われる。
【０００５】タングステンＣＶＤ及びその他の基板処理
操作においては、各基板からいかに多くのダイ（チッ
プ）を得るかが最も重要な目標となる。これらの処理操
作で処理された各基板からのダイの最終的な収率には、
多くの因子が影響している。これらの因子には、基板に
付着して基板表面を汚染する汚染物の量も含まれる。ま
た、その他の因子として処理変数が挙げられ、これらは
基板表面上に堆積される物質の層の均一性及び厚さに影
響するものである。ＣＶＤ及びその他のプロセスで各基
板からのダイの収率を最大にするためには、これらの因
子をはじめとする因子が細心に制御される必要がある。
操作においては、各基板からいかに多くのダイ（チッ
プ）を得るかが最も重要な目標となる。これらの処理操
作で処理された各基板からのダイの最終的な収率には、
多くの因子が影響している。これらの因子には、基板に
付着して基板表面を汚染する汚染物の量も含まれる。ま
た、その他の因子として処理変数が挙げられ、これらは
基板表面上に堆積される物質の層の均一性及び厚さに影
響するものである。ＣＶＤ及びその他のプロセスで各基
板からのダイの収率を最大にするためには、これらの因
子をはじめとする因子が細心に制御される必要がある。
【０００６】しかし、ＣＶＤ処理チャンバには、様々な
汚染粒子の多様な発生源が含まれ、この汚染粒子が基板
表面に付着すれば、ダイの収率が減少する。ＣＶＤ処理
における粒子汚染発生源の１つに、ウエハのエッジ及び
裏面ないし下面への物質の堆積がある。様々な理由で、
この堆積物質の層は基板のエッジ又は裏面ないし下面に
はしっかりと付着せず、そのため、これらの場所に堆積
した物質の層は剥離（フレーキング）してＣＶＤ処理操
作とその後の処理操作において汚染物粒子となることが
知られている。このことは、窒化チタンがウエハのエッ
ジと裏面とに堆積されない状態で行われたタングステン
ＣＶＤプロセスにおいて特に顕著である。上述のよう
に、このことは、タングステンがこれらの場所にしっか
りとくっつかずに比較的簡単に剥離するだろうことを意
味する。
汚染粒子の多様な発生源が含まれ、この汚染粒子が基板
表面に付着すれば、ダイの収率が減少する。ＣＶＤ処理
における粒子汚染発生源の１つに、ウエハのエッジ及び
裏面ないし下面への物質の堆積がある。様々な理由で、
この堆積物質の層は基板のエッジ又は裏面ないし下面に
はしっかりと付着せず、そのため、これらの場所に堆積
した物質の層は剥離（フレーキング）してＣＶＤ処理操
作とその後の処理操作において汚染物粒子となることが
知られている。このことは、窒化チタンがウエハのエッ
ジと裏面とに堆積されない状態で行われたタングステン
ＣＶＤプロセスにおいて特に顕著である。上述のよう
に、このことは、タングステンがこれらの場所にしっか
りとくっつかずに比較的簡単に剥離するだろうことを意
味する。
【０００７】このような、エッジ及び裏面への不要な堆
積物を抑制する方法の１つに、シャドーリング(shadow
ring )を用いてこれらの場所への堆積が生じることを減
少させる方法がある。シャドーリングはマスキング材で
あり、通常は基板の上に静置されて、基板の上側、外側
及び周囲を包囲する。これは、堆積ガスが基板の接触領
域に到達する通路を制限する。シャドーリングは、プロ
セスガスが接触周囲領域に致る通路を制限するので、こ
のガスが基板のエッジ及び裏面へ致る通路も制限する。
しかし、ウエハの反りやゆがみのため、このシャドーリ
ングはあらゆる場合に良好な結果をもたらすわけではな
く、揮発性の堆積ガスはシャドーリングのリップの下を
通り抜けて基板のエッジや裏面に不要な物質を堆積させ
る。
積物を抑制する方法の１つに、シャドーリング(shadow
ring )を用いてこれらの場所への堆積が生じることを減
少させる方法がある。シャドーリングはマスキング材で
あり、通常は基板の上に静置されて、基板の上側、外側
及び周囲を包囲する。これは、堆積ガスが基板の接触領
域に到達する通路を制限する。シャドーリングは、プロ
セスガスが接触周囲領域に致る通路を制限するので、こ
のガスが基板のエッジ及び裏面へ致る通路も制限する。
しかし、ウエハの反りやゆがみのため、このシャドーリ
ングはあらゆる場合に良好な結果をもたらすわけではな
く、揮発性の堆積ガスはシャドーリングのリップの下を
通り抜けて基板のエッジや裏面に不要な物質を堆積させ
る。
【０００８】不要な堆積物による汚染物の存在から他へ
目を向ければ、処理変数もまたダイ収率に影響する。こ
の処理変数の１つ（堆積物質層の均一性に影響を与える
変数）に、ウエハ加熱の均一性が挙げられる。
目を向ければ、処理変数もまたダイ収率に影響する。こ
の処理変数の１つ（堆積物質層の均一性に影響を与える
変数）に、ウエハ加熱の均一性が挙げられる。
【０００９】従来から用いられる処理チャンバの多くで
は、ウエハはヒーターランプによって下側から加熱され
る。このヒーターランプは、赤外線の放射によって、チ
ャンバ内で基板を支持するサセプタを加熱する。次い
で、サセプタは、熱伝導により基板を加熱する。このよ
うな装置による問題の１つは、サセプタ（代表的には８
ミリ厚のアルミニウム製でセラミックのサポートプレー
トがついている）の寿命が比較的短いことである。この
ことは、サセプタを３，０００サイクル毎に交換する必
要があることを意味し、その結果、作業コストと修理時
間を増加させることになる。
は、ウエハはヒーターランプによって下側から加熱され
る。このヒーターランプは、赤外線の放射によって、チ
ャンバ内で基板を支持するサセプタを加熱する。次い
で、サセプタは、熱伝導により基板を加熱する。このよ
うな装置による問題の１つは、サセプタ（代表的には８
ミリ厚のアルミニウム製でセラミックのサポートプレー
トがついている）の寿命が比較的短いことである。この
ことは、サセプタを３，０００サイクル毎に交換する必
要があることを意味し、その結果、作業コストと修理時
間を増加させることになる。
【００１０】この１つの解決策として、ヒーターランプ
と薄いサセプタとを、ウエハを支持し且つ加熱する１つ
のヒーターペデスタルに換えることが挙げられる。この
タイプも配置の１つの例が、米国特許出願通し番号０８
／２００，０７９号及び０８／２００，８６２号に記載
されている。ここに記載されている装置では、チャンバ
内で垂直脚（ストーク）に載置されるヒーターペデスタ
ルの平坦な支持表面上にウエハは支持される。このペデ
スタルは加熱コイルによって加熱され、次いで、ウエハ
は高温の支持ペデスタルにより加熱される。ウエハの加
熱の均一性を高めるため、この装置はウエハの下面側と
ペデスタルの平坦な支持表面との間の界面を真空に引く
機構を備えている。そして、ウエハの上と下の差圧はウ
エハをペデスタルに引っ張り、その結果、ウエハの加熱
の均一性が改善される。
と薄いサセプタとを、ウエハを支持し且つ加熱する１つ
のヒーターペデスタルに換えることが挙げられる。この
タイプも配置の１つの例が、米国特許出願通し番号０８
／２００，０７９号及び０８／２００，８６２号に記載
されている。ここに記載されている装置では、チャンバ
内で垂直脚（ストーク）に載置されるヒーターペデスタ
ルの平坦な支持表面上にウエハは支持される。このペデ
スタルは加熱コイルによって加熱され、次いで、ウエハ
は高温の支持ペデスタルにより加熱される。ウエハの加
熱の均一性を高めるため、この装置はウエハの下面側と
ペデスタルの平坦な支持表面との間の界面を真空に引く
機構を備えている。そして、ウエハの上と下の差圧はウ
エハをペデスタルに引っ張り、その結果、ウエハの加熱
の均一性が改善される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにウ
エハの裏面で真空が引かれる結果、処理ガスがウエハの
エッジ近辺でウエハとペデスタルとの界面の中に引き込
まれることがある。このことは、シャドーリングが存在
していても起こり得ることであり、その結果、シャドー
リングがウエハの上に配置されていても、ウエハのエッ
ジと裏面とに不要な堆積を生じさせることになる。前に
述べたように、この不要な堆積は汚染粒子を発生させ得
る。従って、加熱の均一性を改良することに付随して、
ウエハのエッジと裏面とに不要な堆積が増加する可能性
が生じてしまう。
エハの裏面で真空が引かれる結果、処理ガスがウエハの
エッジ近辺でウエハとペデスタルとの界面の中に引き込
まれることがある。このことは、シャドーリングが存在
していても起こり得ることであり、その結果、シャドー
リングがウエハの上に配置されていても、ウエハのエッ
ジと裏面とに不要な堆積を生じさせることになる。前に
述べたように、この不要な堆積は汚染粒子を発生させ得
る。従って、加熱の均一性を改良することに付随して、
ウエハのエッジと裏面とに不要な堆積が増加する可能性
が生じてしまう。
【００１２】従って、基板をより均一に加熱し、しか
も、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改
良された装置に対する要求がある。
も、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改
良された装置に対する要求がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、端面の
エッジと処理のための上側表面と支持体上にある下側表
面とを有する基板を処理するための基板処理装置であ
る。この装置は処理チャンバを有し、チャンバ内には、
基板支持体を収容する。この基板支持体は、ヒーターペ
デスタルの形態であり、基板の下面を受けるための基板
受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング
は、ペデスタルの周囲に配置され、基板の端面エッジ部
分を覆う。このシャドーリングはまた、基板の端面エッ
ジでペデスタルとシャドーリング自身の間のキャビティ
ーを画成する。
エッジと処理のための上側表面と支持体上にある下側表
面とを有する基板を処理するための基板処理装置であ
る。この装置は処理チャンバを有し、チャンバ内には、
基板支持体を収容する。この基板支持体は、ヒーターペ
デスタルの形態であり、基板の下面を受けるための基板
受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング
は、ペデスタルの周囲に配置され、基板の端面エッジ部
分を覆う。このシャドーリングはまた、基板の端面エッ
ジでペデスタルとシャドーリング自身の間のキャビティ
ーを画成する。
【００１４】操作に際しては、チャンバは第１の圧力で
処理ガスを受容し、第１の圧力よりも高い第２の圧力
で、シャドーリングとペデスタルとの間のキャビティー
内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板
の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管が具備
される。好適な実施例では、この流体導管は、ペデスタ
ルとシャドーリングとの間の界面において、ペデスタル
本体に形成されるチャンネルである。
処理ガスを受容し、第１の圧力よりも高い第２の圧力
で、シャドーリングとペデスタルとの間のキャビティー
内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板
の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管が具備
される。好適な実施例では、この流体導管は、ペデスタ
ルとシャドーリングとの間の界面において、ペデスタル
本体に形成されるチャンネルである。
【００１５】
【作用】パージガスを導入して流すことにより、基板の
端面エッジ及び下面への不要な堆積物が減少したことが
見出された。
端面エッジ及び下面への不要な堆積物が減少したことが
見出された。
【００１６】この装置には、ペデスタルの受容面におい
てガスポート開口部を有していてもよい。処理中にガス
ポートの圧力は、上記第１の圧力よりも低い第３の圧力
まで減じられる。この第３の圧力は、代表的なチャンバ
圧力である。このことにより、受容面に受容された基板
は、第１の圧力と第３の圧力との差圧により、ペデスタ
ルにしっかりと保持される。
てガスポート開口部を有していてもよい。処理中にガス
ポートの圧力は、上記第１の圧力よりも低い第３の圧力
まで減じられる。この第３の圧力は、代表的なチャンバ
圧力である。このことにより、受容面に受容された基板
は、第１の圧力と第３の圧力との差圧により、ペデスタ
ルにしっかりと保持される。
【００１７】シャドーリングは、代表的には、リップ構
造を有する基板受容着座を画成する。このリップ構造
は、使用時には、基板の上面の端面エッジを覆う。処理
中においては、基板は、基板に支持されるシャドーリン
グと共に、この着座の内部に受容される。その結果、リ
ップは基板の表面と接触して、基板の表面に、処理中の
物質の堆積が生じない排除領域を提供する。
造を有する基板受容着座を画成する。このリップ構造
は、使用時には、基板の上面の端面エッジを覆う。処理
中においては、基板は、基板に支持されるシャドーリン
グと共に、この着座の内部に受容される。その結果、リ
ップは基板の表面と接触して、基板の表面に、処理中の
物質の堆積が生じない排除領域を提供する。
【００１８】チャンバ内に基板が存在しないときは、シ
ャドーリングは少なくとも１部においてペデスタルによ
り支持される。ペデスタルとシャドーリングの間の界面
では、ペデスタルの表面は幾つもの同心円状の溝のため
平坦ではなくなっている。この溝は、シャドーリングに
も形成されて、ペデスタルとシャドーリングの間の接触
領域を小さくする作用を有していてもよい。そしてこれ
は、シャドーリングとペデスタルの付着を減じ、シャド
ーリングとペデスタルの間の半径方向の動きを容易にす
る。
ャドーリングは少なくとも１部においてペデスタルによ
り支持される。ペデスタルとシャドーリングの間の界面
では、ペデスタルの表面は幾つもの同心円状の溝のため
平坦ではなくなっている。この溝は、シャドーリングに
も形成されて、ペデスタルとシャドーリングの間の接触
領域を小さくする作用を有していてもよい。そしてこれ
は、シャドーリングとペデスタルの付着を減じ、シャド
ーリングとペデスタルの間の半径方向の動きを容易にす
る。
【００１９】好ましくは、ペデスタルは支持体を加熱す
るヒーターを有し、この支持体に支持される基板は、熱
伝導により加熱される。
るヒーターを有し、この支持体に支持される基板は、熱
伝導により加熱される。
【００２０】本発明は、タングステンＣＶＤプロセスを
用いてウエハを処理する半導体ウエハ処理チャンバの用
途に特に有効であるが、これに限定されるわけではな
い。
用いてウエハを処理する半導体ウエハ処理チャンバの用
途に特に有効であるが、これに限定されるわけではな
い。
【００２１】本発明の最も重要な利点は、基板のエッジ
と裏面への堆積の発生を抑制することが出来ることであ
る。
と裏面への堆積の発生を抑制することが出来ることであ
る。
【００２２】本発明の別の利点は、ペデスタル上に支持
された基板を均一に加熱することが提供されることであ
る。
された基板を均一に加熱することが提供されることであ
る。
【００２３】本発明のまた別の利点は、ペデスタルが加
熱を受けても、従来の薄型サセプタよりも長い寿命を有
することである。
熱を受けても、従来の薄型サセプタよりも長い寿命を有
することである。
【００２４】以下、添付した図面を参照して、本発明を
更に詳細に説明する。
更に詳細に説明する。
【００２５】
【実施例】図１は典型的な金属ＣＶＤ処理装置１０を表
し、この図１を参照しつつ、本発明の一般的な適用例を
例示していく。装置１０は、処理チャンバ１４を画成す
る外部本体１２を有する。処理チャンバ１４は、アルミ
ニウムのヒーターペデスタル１６を収容し、このヒータ
ーペデスタル１６は略垂直向きのストーク１８上に支持
される。ヒーターペデスタル１６は、半導体ウエハ２０
をその支持面２２で支持する役割をもつ。
し、この図１を参照しつつ、本発明の一般的な適用例を
例示していく。装置１０は、処理チャンバ１４を画成す
る外部本体１２を有する。処理チャンバ１４は、アルミ
ニウムのヒーターペデスタル１６を収容し、このヒータ
ーペデスタル１６は略垂直向きのストーク１８上に支持
される。ヒーターペデスタル１６は、半導体ウエハ２０
をその支持面２２で支持する役割をもつ。
【００２６】ウエハ２０は、エッジを制限するシャドー
リング２４に囲まれる。シャドーリング２４の外側周囲
には、外側支持リング２５が配置される。この外側支持
リング２５は、従来型のポンピングプレート２７上で支
持され、このポンピングプレート２７は、さきの２つの
リング２５及び２７と共にチャンバ１４を上側部分１４
ａと下側部分１４ｂとに分割する。
リング２４に囲まれる。シャドーリング２４の外側周囲
には、外側支持リング２５が配置される。この外側支持
リング２５は、従来型のポンピングプレート２７上で支
持され、このポンピングプレート２７は、さきの２つの
リング２５及び２７と共にチャンバ１４を上側部分１４
ａと下側部分１４ｂとに分割する。
【００２７】処理中では、ペデスタル１６は上方向に移
動し、ウエハ２０をシャドーリング２４に対して押して
上方向に持ち上げ、シャドーリング２４はウエハ２０か
ら吊り下げられ同時にウエハ２０に支持される。処理が
行われない時（即ち、アイドリング状態）、ペデスタル
は下側の位置にあり、シャドーリング２４は外側シャド
ーリング２５とステップ構造体２６とにより支持され
る。このステップ構造体２６は、制限コーナーリング６
０内に形成されて、ペデスタル１６の外側エッジに溶接
で付加されている。
動し、ウエハ２０をシャドーリング２４に対して押して
上方向に持ち上げ、シャドーリング２４はウエハ２０か
ら吊り下げられ同時にウエハ２０に支持される。処理が
行われない時（即ち、アイドリング状態）、ペデスタル
は下側の位置にあり、シャドーリング２４は外側シャド
ーリング２５とステップ構造体２６とにより支持され
る。このステップ構造体２６は、制限コーナーリング６
０内に形成されて、ペデスタル１６の外側エッジに溶接
で付加されている。
【００２８】このように支持されれば、ペデスタル１６
は、加熱されたままであるので、熱伝導によりシャドー
リング２４を加熱する。処理を開始する前にシャドーリ
ングを加熱するための遅れが生じないため、このことが
反応器のスループットを向上させる。
は、加熱されたままであるので、熱伝導によりシャドー
リング２４を加熱する。処理を開始する前にシャドーリ
ングを加熱するための遅れが生じないため、このことが
反応器のスループットを向上させる。
【００２９】しかし、外側リング２５はペデスタルによ
っては加熱されず、シャドーリング２４よりも概ね低い
温度のままである。シャドーリング２４から低い温度の
外側支持リング２５への熱損失を防ぐため、シャドーリ
ング２４は、外側リング２５上の６つのパッド（図示さ
れず）の上に置かれる。その結果、シャドーリング２４
から外側リング２５への熱損失はほとんどなく、シャド
ーリング２４を横断する大きな温度勾配はなくなる。仮
に温度勾配が大きくなれば、熱応力によりシャドーリン
グにクラックが発生する。同様に、外側リング２５はポ
ンピングプレート２７の上の６つのパッド（図示され
ず）上に置かれる。
っては加熱されず、シャドーリング２４よりも概ね低い
温度のままである。シャドーリング２４から低い温度の
外側支持リング２５への熱損失を防ぐため、シャドーリ
ング２４は、外側リング２５上の６つのパッド（図示さ
れず）の上に置かれる。その結果、シャドーリング２４
から外側リング２５への熱損失はほとんどなく、シャド
ーリング２４を横断する大きな温度勾配はなくなる。仮
に温度勾配が大きくなれば、熱応力によりシャドーリン
グにクラックが発生する。同様に、外側リング２５はポ
ンピングプレート２７の上の６つのパッド（図示され
ず）上に置かれる。
【００３０】このような構成の結果、ポンピングプレー
ト２７と外側リング２５との間と、外側リング２５とシ
ャドーリング２４との間とに、それぞれ小さなギャップ
が生じる。これらのギャップは、処理中及びチャンバの
アイドリング状態において見られる。堆積ガスがこれら
のギャップを介して移動することを防止するため、パー
ジガス、通常は窒素ガス又はアルゴンガスがチャンバの
下半分１４ｂ内に導入される。このガスは、毎分５００
ミリリットル〜毎分２リットルの流量で導入され、これ
らのギャップの中を流れ、チャンバの下半分１４ｂへの
堆積ガスが移動を効果的に防止する。
ト２７と外側リング２５との間と、外側リング２５とシ
ャドーリング２４との間とに、それぞれ小さなギャップ
が生じる。これらのギャップは、処理中及びチャンバの
アイドリング状態において見られる。堆積ガスがこれら
のギャップを介して移動することを防止するため、パー
ジガス、通常は窒素ガス又はアルゴンガスがチャンバの
下半分１４ｂ内に導入される。このガスは、毎分５００
ミリリットル〜毎分２リットルの流量で導入され、これ
らのギャップの中を流れ、チャンバの下半分１４ｂへの
堆積ガスが移動を効果的に防止する。
【００３１】また、図１はペデスタル１６本体を貫通す
るアパーチャー３０内に受容されるウエハリフトフィン
ガー２８が例示される。通常、装置１０はこのリフトフ
ィンガーを４本有している。これらのリフトフィンガー
２８が作動して、ペデスタル１６の上面２２からウエハ
２０を持ち上げて離すので、ウエハを処理後にチャンバ
から除去することができる。ウエハの除去は、従来型の
処理装置ロボットアーム（図示されず）によって行わ
れ、このロボットアームは、スリットバルブを介して選
択的に開閉するポート３２を介してチャンバ内に導入さ
れる。これと同じロボットアームがチャンバ１４内にウ
エハを挿入するために用いられる。このリフトフィンガ
ー２８は、リフティング機構３４の動きにより垂直方向
に可動であり、リフティング機構３４は上部のみが図示
される。
るアパーチャー３０内に受容されるウエハリフトフィン
ガー２８が例示される。通常、装置１０はこのリフトフ
ィンガーを４本有している。これらのリフトフィンガー
２８が作動して、ペデスタル１６の上面２２からウエハ
２０を持ち上げて離すので、ウエハを処理後にチャンバ
から除去することができる。ウエハの除去は、従来型の
処理装置ロボットアーム（図示されず）によって行わ
れ、このロボットアームは、スリットバルブを介して選
択的に開閉するポート３２を介してチャンバ内に導入さ
れる。これと同じロボットアームがチャンバ１４内にウ
エハを挿入するために用いられる。このリフトフィンガ
ー２８は、リフティング機構３４の動きにより垂直方向
に可動であり、リフティング機構３４は上部のみが図示
される。
【００３２】処理中においては、ヒーターペデスタル１
６は電気ヒーター要素により内側から（約３００℃〜約
５００℃まで、代表的には４５０℃まで）加熱される。
この電気ヒーター要素の詳細は後述する。次いで、ヒー
ターペデスタル１６がウエハ２０を熱伝導により加熱す
る。ウエハが適当な温度（好ましくは約４５０℃）に達
したならば、ウエハ２０の上方に配置されたシャワーヘ
ッド３６を介して処理ガスがチャンバ１４内に導入され
る。このシャワーヘッド３６の詳細と処理ガス（タング
ステンＣＶＤプロセスの場合は弗化タングステンがよく
用いられる）がチャンバ内に導入される様式に関して
は、従来から知られている。
６は電気ヒーター要素により内側から（約３００℃〜約
５００℃まで、代表的には４５０℃まで）加熱される。
この電気ヒーター要素の詳細は後述する。次いで、ヒー
ターペデスタル１６がウエハ２０を熱伝導により加熱す
る。ウエハが適当な温度（好ましくは約４５０℃）に達
したならば、ウエハ２０の上方に配置されたシャワーヘ
ッド３６を介して処理ガスがチャンバ１４内に導入され
る。このシャワーヘッド３６の詳細と処理ガス（タング
ステンＣＶＤプロセスの場合は弗化タングステンがよく
用いられる）がチャンバ内に導入される様式に関して
は、従来から知られている。
【００３３】次に、図２及び図３を参照して、ヒーター
ペデスタル１６を詳細に説明する。図１に示されるよう
にペデスタル１６は平坦な上側のウエハ支持面２２と、
コーナーリング６０に形成されたステップ構造体２６
と、４つのフィンガーアパーチャー３０とを有する。前
述のように、これらのアパーチャー３０はリフトフィン
ガー２８を収容し、そのうちの１つは図１に例示されて
いる。
ペデスタル１６を詳細に説明する。図１に示されるよう
にペデスタル１６は平坦な上側のウエハ支持面２２と、
コーナーリング６０に形成されたステップ構造体２６
と、４つのフィンガーアパーチャー３０とを有する。前
述のように、これらのアパーチャー３０はリフトフィン
ガー２８を収容し、そのうちの１つは図１に例示されて
いる。
【００３４】図２に示されるように、ペデスタル１６
は、上側の支持表面２２に同心円状の溝（グルーヴ）４
０を複数有する。これらの同心円状の溝４０は、代表的
には、幅０．２１ｍｍ（０．００８インチ）、深さ０．
３８ｍｍ（０．０１５インチ）、間隔２．９７ｍｍ
（０．１１７インチ）のサイズである。これらの溝は、
半径方向（放射方向）に形成されているチャンネル４２
で相互につながっている。各半径方向チャンネル４２の
末端では、複数の真空ポート４４がペデスタル本体内に
形成されている。図３に示されるように、これらの真空
ポート４４は、主ペデスタル本体６１の下側に形成され
た円形マニホールドグルーヴ４６と通じている。このグ
ルーヴ４６は、プラグ４８によってペデスタルの下側で
シールされている。また、グルーヴ４６は、ストーク１
８内部に配置される真空導管５０と通じている。真空導
管５０は、ペデスタル１６主本体６１内部の略水平導管
（図示されず）少なくとも１本により、グルーヴ４６と
通気じている。
は、上側の支持表面２２に同心円状の溝（グルーヴ）４
０を複数有する。これらの同心円状の溝４０は、代表的
には、幅０．２１ｍｍ（０．００８インチ）、深さ０．
３８ｍｍ（０．０１５インチ）、間隔２．９７ｍｍ
（０．１１７インチ）のサイズである。これらの溝は、
半径方向（放射方向）に形成されているチャンネル４２
で相互につながっている。各半径方向チャンネル４２の
末端では、複数の真空ポート４４がペデスタル本体内に
形成されている。図３に示されるように、これらの真空
ポート４４は、主ペデスタル本体６１の下側に形成され
た円形マニホールドグルーヴ４６と通じている。このグ
ルーヴ４６は、プラグ４８によってペデスタルの下側で
シールされている。また、グルーヴ４６は、ストーク１
８内部に配置される真空導管５０と通じている。真空導
管５０は、ペデスタル１６主本体６１内部の略水平導管
（図示されず）少なくとも１本により、グルーヴ４６と
通気じている。
【００３５】処理中においては、半導体ウエハ２０は、
図３に示されるように、上面２２上に置かれている。上
述のように、ペデスタル１６の動きにより、ウエハ２０
がシャドーリングを僅かに持ち上げる。この時、ウエハ
の外側部分は、シャドーリング２４の突出したリップ５
２を上にして支え且つ覆われる。その結果、シャドーリ
ングは持上がってステップ構造体２６から離れ、シャド
ーリングの下部とステップ構造体２６の頂面との間に約
０．１３ｍｍ（０．００５インチ）〜約０．３８ｍｍ
（０．０１５インチ）のギャップが生じる。ペデスタル
がシャドーリング２４を続けて加熱できるよう、このギ
ャップはできるだけ小さくする必要がある。
図３に示されるように、上面２２上に置かれている。上
述のように、ペデスタル１６の動きにより、ウエハ２０
がシャドーリングを僅かに持ち上げる。この時、ウエハ
の外側部分は、シャドーリング２４の突出したリップ５
２を上にして支え且つ覆われる。その結果、シャドーリ
ングは持上がってステップ構造体２６から離れ、シャド
ーリングの下部とステップ構造体２６の頂面との間に約
０．１３ｍｍ（０．００５インチ）〜約０．３８ｍｍ
（０．０１５インチ）のギャップが生じる。ペデスタル
がシャドーリング２４を続けて加熱できるよう、このギ
ャップはできるだけ小さくする必要がある。
【００３６】典型的な堆積プロセスは、２つの別々のス
テップを含む。３０秒間続く第１のステップにおいて
は、チャンバの圧力は約０．６ｋＰａ（４．５トール）
まで減じられ、チャンバ内に弗化タングステンが導入さ
れる。このステップは核生成ステップとして知られてい
るが、このステップによりウエハ上に堆積されるタング
ステン層の厚さが非常に薄くなる。この薄い層は、タン
グステン層が更に堆積されるためのベース層として機能
する。
テップを含む。３０秒間続く第１のステップにおいて
は、チャンバの圧力は約０．６ｋＰａ（４．５トール）
まで減じられ、チャンバ内に弗化タングステンが導入さ
れる。このステップは核生成ステップとして知られてい
るが、このステップによりウエハ上に堆積されるタング
ステン層の厚さが非常に薄くなる。この薄い層は、タン
グステン層が更に堆積されるためのベース層として機能
する。
【００３７】第２のステップ（６０秒未満であり、タン
グステンのほとんどがこのステップで堆積される）で
は、ウエハ２０とペデスタル１６の上面２２との間に
「真空」が引かれる。導管５０及びグルーヴ４６を通じ
真空ポート４４を介して、約２．７ｋＰａ（２０トー
ル）まで真空を引くことにより、この真空引きが行われ
る。この真空引きによって、同心円状溝４０の全てが約
２．７ｋＰａの圧力になる。処理中のチャンバの内圧が
約１０．７ｋＰａ〜約１２ｋＰａ（８０トール〜９０ト
ール）であるので、ウエハを横断する差圧が生じる。こ
の差圧により、ウエハ２０はペデスタル１６の上面２２
に対して引っ張られる。このように堅い接触による利点
は、ペデスタルからの熱がウエハへより均一に移動する
ことである。その結果、ウエハの加熱が均一となり、従
って、ウエハ表面へのタングステンの堆積が向上する。
グステンのほとんどがこのステップで堆積される）で
は、ウエハ２０とペデスタル１６の上面２２との間に
「真空」が引かれる。導管５０及びグルーヴ４６を通じ
真空ポート４４を介して、約２．７ｋＰａ（２０トー
ル）まで真空を引くことにより、この真空引きが行われ
る。この真空引きによって、同心円状溝４０の全てが約
２．７ｋＰａの圧力になる。処理中のチャンバの内圧が
約１０．７ｋＰａ〜約１２ｋＰａ（８０トール〜９０ト
ール）であるので、ウエハを横断する差圧が生じる。こ
の差圧により、ウエハ２０はペデスタル１６の上面２２
に対して引っ張られる。このように堅い接触による利点
は、ペデスタルからの熱がウエハへより均一に移動する
ことである。その結果、ウエハの加熱が均一となり、従
って、ウエハ表面へのタングステンの堆積が向上する。
【００３８】次いで、ペデスタル１６は、ペデスタル１
６本体内に搭載された電気加熱コイル５４による抵抗に
より加熱される。ストーク１８の本体内部に配置され
る、堅いステンレス製の接続ステム５６によって、コイ
ル５４に電力が供給される。図にはコイルが１つしか示
されないが、２つ以上のコイルを用いてもよく、又は、
共に入れ子となるが電力は別々に供給される複数加熱要
素を用いてもよい。
６本体内に搭載された電気加熱コイル５４による抵抗に
より加熱される。ストーク１８の本体内部に配置され
る、堅いステンレス製の接続ステム５６によって、コイ
ル５４に電力が供給される。図にはコイルが１つしか示
されないが、２つ以上のコイルを用いてもよく、又は、
共に入れ子となるが電力は別々に供給される複数加熱要
素を用いてもよい。
【００３９】前述のように、シャドーリング２４によっ
て、ウエハのエッジにある堆積が生じない排除領域が提
供される。典型的なＣＶＤ処理操作では、ステップ構造
体は高さ約３．８１ｍｍ（０．１５インチ）、シャドー
リングの厚さは約５．０８ｍｍ（０．２インチ）、突出
し部の厚さは約０．８９ｍｍ（０．０３５インチ）であ
る。この突出し部が、通常、ウエハ２０のエッジの周囲
約３〜５ｍｍ（０．１２〜０．２０インチ）の排除領域
を画成する。
て、ウエハのエッジにある堆積が生じない排除領域が提
供される。典型的なＣＶＤ処理操作では、ステップ構造
体は高さ約３．８１ｍｍ（０．１５インチ）、シャドー
リングの厚さは約５．０８ｍｍ（０．２インチ）、突出
し部の厚さは約０．８９ｍｍ（０．０３５インチ）であ
る。この突出し部が、通常、ウエハ２０のエッジの周囲
約３〜５ｍｍ（０．１２〜０．２０インチ）の排除領域
を画成する。
【００４０】コーナーリング６０の詳細は、図４及び図
６に例示される。これらの図は、図２及び図３と関連さ
せて見ること。これらの図の全てに示されるように、コ
ーナーリング６０は内部に複数の同心円状の溝６２を有
する。これらの溝は、典型的には、等間隔に配置され、
深さは２．５４ｍｍ（０．１０インチ）、幅２．５４ｍ
ｍ（０．１０インチ）である。シャドーリング２４がコ
ーナーリング６０の上面とくっつかないように溝６２が
具備される。シャドーリングがペデスタルにくつかない
事は大変重要であり、その理由は、この２つの部品の熱
膨張係数は異なり、従って、両方とも相手に対して可動
たる必要があるからである。
６に例示される。これらの図は、図２及び図３と関連さ
せて見ること。これらの図の全てに示されるように、コ
ーナーリング６０は内部に複数の同心円状の溝６２を有
する。これらの溝は、典型的には、等間隔に配置され、
深さは２．５４ｍｍ（０．１０インチ）、幅２．５４ｍ
ｍ（０．１０インチ）である。シャドーリング２４がコ
ーナーリング６０の上面とくっつかないように溝６２が
具備される。シャドーリングがペデスタルにくつかない
事は大変重要であり、その理由は、この２つの部品の熱
膨張係数は異なり、従って、両方とも相手に対して可動
たる必要があるからである。
【００４１】コーナーリング６０はまた、放射状に伸び
るチャンネル６４を１２本有する。これらのチャンネル
は、典型的には、幅約３ｍｍ（０．１１７インチ）であ
り、図６に図示されるように、約５゜のテーパー角で、
約１．５２ｍｍ（０．０６インチ）の深さから、ペデス
タルの外側エッジに向かって下がり伸びる。チャンネル
６４は、ペデスタル１６の外側エッジで、図１に示され
るチャンバ１４の下部分１４ｂの中に通じ、ペデスタル
の内部の方に通じ、コーナーリング６０の内部エッジ６
７に沿って形成された鍵型構造体６６内部に通じる。こ
の鍵型構造体は、溝６２の深さとほぼ同じ深さを有し、
幅は約０．２５ｍｍ（０．０１インチ）である。
るチャンネル６４を１２本有する。これらのチャンネル
は、典型的には、幅約３ｍｍ（０．１１７インチ）であ
り、図６に図示されるように、約５゜のテーパー角で、
約１．５２ｍｍ（０．０６インチ）の深さから、ペデス
タルの外側エッジに向かって下がり伸びる。チャンネル
６４は、ペデスタル１６の外側エッジで、図１に示され
るチャンバ１４の下部分１４ｂの中に通じ、ペデスタル
の内部の方に通じ、コーナーリング６０の内部エッジ６
７に沿って形成された鍵型構造体６６内部に通じる。こ
の鍵型構造体は、溝６２の深さとほぼ同じ深さを有し、
幅は約０．２５ｍｍ（０．０１インチ）である。
【００４２】鍵型構造体６６の床面には、小さな、代表
的には直径０．７６ｍｍ（０．０３インチ）の、ガスポ
ート６８が複数形成されている。特に図３から明らかな
ように、ガスポート６８は上方に向かって、上円周キャ
ビティー７０に通じる。この上円周キャビティー７０
は、ウエハ２０の外周エッジから少しだけ伸び、シャド
ーリング２４と主ペデスタル本体６１とコーナーリング
６０とにより画成されている。ポート６８は、コーナー
リング６０と主ペデスタル本体６１とにより画成される
下円周キャビティー７２に通じている。ペデスタル１６
のストーク１８の中心に伸びる導管５０を介して、下キ
ャビティー７２にパージガスが供給され、従って上キャ
ビティー７０にもパージガスが供給される。この導管５
０から、８本の別の導管（図示されず）が放射状に、導
管５０の頂点から略水平の方向にキャビティー７２にわ
たって伸びる。また中央導管７４がこの図に示される
が、処理中のペデスタル温度を測定する熱電対（図示さ
れず）がこの中央導管７４に収容されている。
的には直径０．７６ｍｍ（０．０３インチ）の、ガスポ
ート６８が複数形成されている。特に図３から明らかな
ように、ガスポート６８は上方に向かって、上円周キャ
ビティー７０に通じる。この上円周キャビティー７０
は、ウエハ２０の外周エッジから少しだけ伸び、シャド
ーリング２４と主ペデスタル本体６１とコーナーリング
６０とにより画成されている。ポート６８は、コーナー
リング６０と主ペデスタル本体６１とにより画成される
下円周キャビティー７２に通じている。ペデスタル１６
のストーク１８の中心に伸びる導管５０を介して、下キ
ャビティー７２にパージガスが供給され、従って上キャ
ビティー７０にもパージガスが供給される。この導管５
０から、８本の別の導管（図示されず）が放射状に、導
管５０の頂点から略水平の方向にキャビティー７２にわ
たって伸びる。また中央導管７４がこの図に示される
が、処理中のペデスタル温度を測定する熱電対（図示さ
れず）がこの中央導管７４に収容されている。
【００４３】第２の堆積のステップでは、不活性なパー
ジガス、代表的にはアルゴンガスが毎分約２リットルの
流量でソース（図示されず）から圧力約２０７ｋＰａ
（３０ｐ．ｓ．ｉ．）で供給され、流れ制御装置（マス
フローコントローラー等）を流れる。この制御装置によ
り、パージガスの圧力が約２５％〜３３％降下する。ガ
スがキャビティーー７２及び７０にまで移動すれば、更
に圧力が降下する。しかしなお、パージガスの圧力は上
キャビティー７０内では充分高いので、このキャビティ
ー内へ移動するプロセスガスを実質的に減少させるに足
る。このキャビティー７０からパージガスは流出し、放
射状に伸びるチャンネル６４を通ってチャンバ１４の下
部分１４ｂへと致る。パージガスが流出した後は、チャ
ンバ１４の下部分１４ｂ内に入り、チャンバ内の標準的
な排気口から排気される。パージガスを供給しようとす
る場合は、第１のステップにおいて毎分約２５０ミリリ
ットルの流量で供給する。
ジガス、代表的にはアルゴンガスが毎分約２リットルの
流量でソース（図示されず）から圧力約２０７ｋＰａ
（３０ｐ．ｓ．ｉ．）で供給され、流れ制御装置（マス
フローコントローラー等）を流れる。この制御装置によ
り、パージガスの圧力が約２５％〜３３％降下する。ガ
スがキャビティーー７２及び７０にまで移動すれば、更
に圧力が降下する。しかしなお、パージガスの圧力は上
キャビティー７０内では充分高いので、このキャビティ
ー内へ移動するプロセスガスを実質的に減少させるに足
る。このキャビティー７０からパージガスは流出し、放
射状に伸びるチャンネル６４を通ってチャンバ１４の下
部分１４ｂへと致る。パージガスが流出した後は、チャ
ンバ１４の下部分１４ｂ内に入り、チャンバ内の標準的
な排気口から排気される。パージガスを供給しようとす
る場合は、第１のステップにおいて毎分約２５０ミリリ
ットルの流量で供給する。
【００４４】このパージガスを供給することにより、ウ
エハ２０のエッジ及び下面の外側部分へのタングステン
の堆積が減少ないし除去されるという利点がある。この
結果は、２つの因子によると考えられる。第１に、パー
ジガスは上キャビティー７０ではチャンバの雰囲気圧力
よりも高い圧力にあることである。その結果、ガス化し
た弗化タングステンはシャドーリング２４のリップ５４
の下面にしみ入ることが防止される。第２に、このしみ
入りが生じなかった場合でも、パージガスを流すことに
より、チャンバ７０内から弗化タングステンガスが除去
される。なぜなら、制限リング６０内に形成された放射
状のチャンネル６４を、パージガスは連続して高いマス
フローレートで流出するからである。
エハ２０のエッジ及び下面の外側部分へのタングステン
の堆積が減少ないし除去されるという利点がある。この
結果は、２つの因子によると考えられる。第１に、パー
ジガスは上キャビティー７０ではチャンバの雰囲気圧力
よりも高い圧力にあることである。その結果、ガス化し
た弗化タングステンはシャドーリング２４のリップ５４
の下面にしみ入ることが防止される。第２に、このしみ
入りが生じなかった場合でも、パージガスを流すことに
より、チャンバ７０内から弗化タングステンガスが除去
される。なぜなら、制限リング６０内に形成された放射
状のチャンネル６４を、パージガスは連続して高いマス
フローレートで流出するからである。
【００４５】前述で指摘したように、ペデスタルからシ
ャドーリングへ出来るだけ多くの熱量が移動するよう
に、シャドーリングとステップ構造体との間のギャップ
は出来るだけ小さく保つ必要がある。しかし、この小さ
なギャップはチャンバ７０内に充分なパージガスを流す
ことが出来る程度の充分な大きさをもっていない。ま
た、チャンネル６４が存在しなければ、パージガスがウ
エハ表面からシャドーリング２４を持ち上げてしまうこ
とも確認されている。このことは、シャドーリングのマ
スキング効果に対して有害であり、ウエハのエッジの周
囲の排除部分を不均一ないし不定なものにしてしまう。
しかし、チャンネル６４が存在して、パージＧスがチャ
ンネルに沿って流れれば、このような堆積が起こらな
い。従って、これらのチャンネルは、チャンバ内の圧力
をシャドーリングが浮上しないような低いレベルに維持
する機能と、チャンバからパージガスを自由に流出させ
てシャドーリングの下にしみ入る堆積ガスを除去する機
能との、２つの機能を有する。
ャドーリングへ出来るだけ多くの熱量が移動するよう
に、シャドーリングとステップ構造体との間のギャップ
は出来るだけ小さく保つ必要がある。しかし、この小さ
なギャップはチャンバ７０内に充分なパージガスを流す
ことが出来る程度の充分な大きさをもっていない。ま
た、チャンネル６４が存在しなければ、パージガスがウ
エハ表面からシャドーリング２４を持ち上げてしまうこ
とも確認されている。このことは、シャドーリングのマ
スキング効果に対して有害であり、ウエハのエッジの周
囲の排除部分を不均一ないし不定なものにしてしまう。
しかし、チャンネル６４が存在して、パージＧスがチャ
ンネルに沿って流れれば、このような堆積が起こらな
い。従って、これらのチャンネルは、チャンバ内の圧力
をシャドーリングが浮上しないような低いレベルに維持
する機能と、チャンバからパージガスを自由に流出させ
てシャドーリングの下にしみ入る堆積ガスを除去する機
能との、２つの機能を有する。
【００４６】以上のように、特定の具体例（タングステ
ンＣＶＤプロセスに用いる装置）に関して本発明を説明
してきたが、この分野で通常の知識を有する者であれ
ば、これを変形することが可能であろう。例えば、放射
状に伸びるチャンネル６４は、適当なタイプの導管であ
ってもよい。この場合、パージハスの流れを充分にし、
且つ、シャドーリング２４とペデスタル１６との間に緊
密な熱的接触を実現するように、この導管のサイズと位
置が決められるべきである。例えば、チャンネル６４
は、主ペデスタル、コーナーリング、又はシャドーリン
グへ通じる導管に置き換えてもよく、あるいは、シャド
ーリング２４の底面の放射状のグルーヴで置き換えても
よい。また、ステップ構造体２６、同心円状溝６２及び
チャンネル６４は、一体のペデスタル本体であってもよ
く、コーナーリング６０は別々でなくてもよい。更に、
ここでの特定の記載は、直径１５０ｍｍ及び２００ｍｍ
（６インチ及び８インチ）ウエハの処理のためのもので
ある。違うサイズのウエハの処理のためには、適当な変
形を行えばよい。更に、ペデスタルの厳密な形状は重要
ではなく、ドーム状でもよく投影像が円形でなくてもよ
い。同様に、ウエハは半導体ウエハでなくてもよいし、
円形でなくてもよい。別の物質の基板でもよいし、並び
に／又は、円形でなくてもよい。
ンＣＶＤプロセスに用いる装置）に関して本発明を説明
してきたが、この分野で通常の知識を有する者であれ
ば、これを変形することが可能であろう。例えば、放射
状に伸びるチャンネル６４は、適当なタイプの導管であ
ってもよい。この場合、パージハスの流れを充分にし、
且つ、シャドーリング２４とペデスタル１６との間に緊
密な熱的接触を実現するように、この導管のサイズと位
置が決められるべきである。例えば、チャンネル６４
は、主ペデスタル、コーナーリング、又はシャドーリン
グへ通じる導管に置き換えてもよく、あるいは、シャド
ーリング２４の底面の放射状のグルーヴで置き換えても
よい。また、ステップ構造体２６、同心円状溝６２及び
チャンネル６４は、一体のペデスタル本体であってもよ
く、コーナーリング６０は別々でなくてもよい。更に、
ここでの特定の記載は、直径１５０ｍｍ及び２００ｍｍ
（６インチ及び８インチ）ウエハの処理のためのもので
ある。違うサイズのウエハの処理のためには、適当な変
形を行えばよい。更に、ペデスタルの厳密な形状は重要
ではなく、ドーム状でもよく投影像が円形でなくてもよ
い。同様に、ウエハは半導体ウエハでなくてもよいし、
円形でなくてもよい。別の物質の基板でもよいし、並び
に／又は、円形でなくてもよい。
【００４７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の装
置及び方法によれば、基板がより均一に加熱され、しか
も、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質が減少する。
置及び方法によれば、基板がより均一に加熱され、しか
も、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質が減少する。
【図１】半導体処理装置の部分的な断面図である。
【図２】ヒーターペデスタルの平面図である。
【図３】図２に示される線３−３の断面図である。
【図４】ペデスタル制限リングの詳細な断面図である。
【図５】図４の線４−４の断面図である。
【図６】制限リングのエッジの部分的な断面図である。
１０…ＣＶＤ処理装置、１２…外部本体、１４…処理チ
ャンバ、１４ａ…チャンバの上側部分、１４ｂ…チャン
バの下側部分、１６…ヒーターペデスタル、１８…スト
ーク、２０…半導体ウエハ、２２…支持面、２４…シャ
ドーリング、２５…外側支持リング、２６…ステップ構
造体、２７…ポンピングプレート、２８…ウエハリフト
フィンガー、３０…アパーチャー、３２…ポート、３４
…リフティング機構、３６…シャワーヘッド、４０…同
心円状溝、４２…チャンネル、４４…真空ポート、４６
…円形マニホールドグルーヴ、４８…プラグ、５０…真
空導管、５２…リップ、５４…加熱コイル、５６…ステ
ム、６０…制限コーナーリング、６１…主ペデスタル本
体、６２…同心円状溝、６４…チャンネル、６６…鍵型
構造体、６８…ガスポート、７０…上円周キャビティ
ー、７２…下円周キャビティー、７４…中央導管。
ャンバ、１４ａ…チャンバの上側部分、１４ｂ…チャン
バの下側部分、１６…ヒーターペデスタル、１８…スト
ーク、２０…半導体ウエハ、２２…支持面、２４…シャ
ドーリング、２５…外側支持リング、２６…ステップ構
造体、２７…ポンピングプレート、２８…ウエハリフト
フィンガー、３０…アパーチャー、３２…ポート、３４
…リフティング機構、３６…シャワーヘッド、４０…同
心円状溝、４２…チャンネル、４４…真空ポート、４６
…円形マニホールドグルーヴ、４８…プラグ、５０…真
空導管、５２…リップ、５４…加熱コイル、５６…ステ
ム、６０…制限コーナーリング、６１…主ペデスタル本
体、６２…同心円状溝、６４…チャンネル、６６…鍵型
構造体、６８…ガスポート、７０…上円周キャビティ
ー、７２…下円周キャビティー、７４…中央導管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シシィ エス． リューン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95439， フレモント， パゴサ ウェイ 348 (72)発明者 エリック エー． エングルハード アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94301， パロ アルト， ホーマー ア ヴェニュー 435 (72)発明者 アショク ケイ． シンハ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94306， パロ アルト， ハバート ド ライヴ 4176
Claims (20)
- 【請求項１】 外周エッジと処理のための上面と下面と
を有する基板を処理するための基板処理装置であって、
（ａ）操作中に処理ガスを受容するチャンバを画成する
ハウジングと、（ｂ）該チャンバ内にあり該基板の該下
面を受容する基板受容面を有する基板支持体と、（ｃ）
該基板支持体を制限して、該基板支持体との間にキャビ
ティーを画成し、該基板の該外周エッジに隣接する基板
支持体制限リングと、（ｄ）該基板の該外周エッジでパ
ージガスを該チャンバ内に導入するためのパージガス供
給手段と、（ｅ）パージガスの流れを該基板の該外周エ
ッジから離れさせることを促進することにより、パージ
ガスの導入と流れとが、該基板の該外周エッジ及び該下
面への該チャンバ内処理ガスの接触を減少させる、少な
くとも１つの流体通路とを備える基板処理装置。 - 【請求項２】 該流体通路が少なくとも１つの流体導管
で画成される請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 該制限リングが、該基板支持体とそれぞ
れ隣接面で隣接し、該流体導管が該リング及び該支持体
の該隣接面で画成される請求項２に記載の基板処理装
置。 - 【請求項４】 該基板支持体が、該基板受容面に少なく
とも１つのガスポート開口を有し、該装置が更に、第１
の圧力よりも低い第３の圧力までガスポートでの圧力を
減少させるための吸引手段を有し、第１の圧力と第３の
圧力との圧力差により該受容面に受容された基板が該受
容面に抑えつけられる請求項３に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 該基板支持体が該支持体を加熱するため
のヒーターを有し、該支持体に支持された基板が熱伝導
により加熱される請求項４に記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 該制限リングが基板突出し部を有し、該
基板突出し部はウエハが該基板支持体に支持された際に
ウエハの該上面の外周エッジ部を覆うような寸法である
請求項３に記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 該支持体と該制限リングの該隣接面の少
なくとも１つが平坦でない請求項６に記載の基板処理装
置。 - 【請求項８】 該平坦でない面に形成された複数の同心
円状の溝が該平坦でない面を画成する請求項７に記載の
半導体処理装置。 - 【請求項９】 処理反応器であって、基板を処理するた
めその上側の部分で処理ガスを受容する処理チャンバ
と、 前記上側部分内で前記基板を支持するペデスタルと、 前記基板の上側外周に係合し、前記外周の近傍で前記ペ
デスタルとの間にキャビティーを形成するシャドーリン
グと、 前記キャビティーにパージガスを供給するガスライン
と、 前記キャビティーから前記チャンバの下側部分まで伸び
る複数の流体通路とを備える処理反応器。 - 【請求項１０】 前記シャドーリングが前記外周の外側
の前記ペデスタルの部分から所定のギャップだけ距離を
もち、前記複数の流体通路が前記所定のギャップと同じ
ではない請求項９に記載の処理反応器。 - 【請求項１１】 前記ペデスタルが、前記基板を加熱す
るための抵抗ヒーターを有する請求項１０に記載の処理
反応器。 - 【請求項１２】 前記流体通路が、前記シャドーリング
と前記ギャップに面する前記ペデスタルとの少なくとも
１つに形成される、放射状に伸びるグルーヴないし溝を
備える請求項９に記載の処理反応器。 - 【請求項１３】 前記グルーヴないし溝が、前記ペデス
タルに形成される請求項１２に記載の処理反応器。 - 【請求項１４】 前記流体通路が、前記ペデスタルに形
成された閉導管である請求項９に記載の処理反応器。 - 【請求項１５】 前記ペデスタルが、前記ギャップに面
する表面に形成された複数の円周グルーヴないし円周溝
を有する請求項９に記載の処理反応器。 - 【請求項１６】 処理反応器であって。基板を処理する
ためその上側の部分で処理ガスを受容する処理チャンバ
と、 前記上側部分内で前記基板を支持するペデスタルと、 前記基板の上側外周に係合するリップ部と、前記リップ
部から外側へ伸び且つ前記ペデスタルと面する下面を有
する本体部とを有するリング体とを有し、前記リング体
の前記本体の前記下面と面する前記ペデスタルの対面部
が、複数の円周グルーヴないし溝によって形成される処
理反応器。 - 【請求項１７】 前記対面部分が前記グルーヴないし溝
の間の高くなった円周部分を有する請求項１６に記載の
処理反応器。 - 【請求項１８】 前記リング体の前記リップ部が前記基
板の前記上側外周に係合したときに、前記高くなった円
周部分が前記リング体の前記本体の前記下面と所定のギ
ャップをもって分離し、前記対面部が更に、前記基板の
外周部の周囲で前記リング体と前記ペデスタルとの間に
形成されたキャビティーから前記処理チャンバの下側部
分まで伸びる複数の放射状のグルーヴないし溝を有する
請求項１７に記載の処理反応器。 - 【請求項１９】 前記ペデスタルが、前記基板を加熱す
るためのヒーターを有する請求項１８に記載の処理反応
器。 - 【請求項２０】 化学気相堆積の方法であって、 チャンバ内のペデスタル上に基板を支持するステップ
と、 リング体であって、前記ペデスタルと前記リング体との
間の基板外周近傍にキャビティーが形成され且つ円周状
の所定のギャップが前記キャビティーから放射状外側に
向かって伸びるように前記リング体と前記ペデスタルと
の間に形成されるように配置された、前記基板の前記外
周から外側に向かって伸びる前記リング体によって、前
記基板の上側周囲部を覆うステップと、 前記基板が加熱されて熱が前記ギャップを越えて前記リ
ング体へ致るように、前記ペデスタルを電気で加熱する
ステップと、 前記チャンバ内の前記基板の上の部分に堆積ガスを流す
ステップと、 前記キャビティーに不活性なガスを流し、前記不活性な
ガスが前記キャビティーから外側へ前記所定のギャップ
を通って流れるステップと、 前記所定のギャップではない通路を介して前記不活性な
ガスを前記キャビティーに更に流すステップとを備える
化学気相堆積の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/263,617 US5476548A (en) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | Reducing backside deposition in a substrate processing apparatus through the use of a shadow ring |
| US08/263617 | 1994-06-20 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006309527A Division JP4563984B2 (ja) | 1994-06-20 | 2006-11-15 | 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0881775A true JPH0881775A (ja) | 1996-03-26 |
| JP3963966B2 JP3963966B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=23002524
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15329395A Expired - Lifetime JP3963966B2 (ja) | 1994-06-20 | 1995-06-20 | 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 |
| JP2006309527A Expired - Lifetime JP4563984B2 (ja) | 1994-06-20 | 2006-11-15 | 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006309527A Expired - Lifetime JP4563984B2 (ja) | 1994-06-20 | 2006-11-15 | 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5476548A (ja) |
| EP (1) | EP0688888B1 (ja) |
| JP (2) | JP3963966B2 (ja) |
| KR (1) | KR960002527A (ja) |
| DE (1) | DE69528217T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100696029B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2007-03-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 퍼지 링을 가지는 웨이퍼 받침대 |
| JP2014098202A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| KR20170137800A (ko) * | 2015-04-17 | 2017-12-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 베벨 폴리머 감소를 위한 에지 링 |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855687A (en) * | 1990-12-05 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate support shield in wafer processing reactors |
| US5695568A (en) * | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| US5766365A (en) * | 1994-02-23 | 1998-06-16 | Applied Materials, Inc. | Removable ring for controlling edge deposition in substrate processing apparatus |
| US6033480A (en) * | 1994-02-23 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge deposition elimination |
| US5888304A (en) * | 1996-04-02 | 1999-03-30 | Applied Materials, Inc. | Heater with shadow ring and purge above wafer surface |
| US5590239A (en) * | 1994-06-06 | 1996-12-31 | Motorola | Planar uniform heating surface with additional circumscribing ring |
| US5705080A (en) * | 1994-07-06 | 1998-01-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma-inert cover and plasma cleaning process |
| JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JPH08302474A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-19 | Anelva Corp | Ｃｖｄ装置の加熱装置 |
| US5908530A (en) * | 1995-05-18 | 1999-06-01 | Obsidian, Inc. | Apparatus for chemical mechanical polishing |
| US5772773A (en) * | 1996-05-20 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Co-axial motorized wafer lift |
| US5866067A (en) * | 1997-03-24 | 1999-02-02 | Sony Corporation And Materials Research Corporation | High purity chromium metal by casting with controlled oxygen content |
| US6110025A (en) * | 1997-05-07 | 2000-08-29 | Obsidian, Inc. | Containment ring for substrate carrier apparatus |
| FR2763964B1 (fr) * | 1997-05-28 | 1999-08-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Amelioration du flux gazeux dans un reacteur d'epitaxie |
| US5985033A (en) * | 1997-07-11 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a gas |
| US6063440A (en) * | 1997-07-11 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Method for aligning a wafer |
| US6296712B1 (en) | 1997-12-02 | 2001-10-02 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition hardware and process |
| US6210483B1 (en) | 1997-12-02 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Anti-notch thinning heater |
| US5955381A (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-21 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit fabrication |
| US6323129B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-11-27 | National Semiconductor Corporation | Process for maintaining a semiconductor substrate layer deposition equipment chamber in a preconditioned and low particulate state |
| US6423949B1 (en) * | 1999-05-19 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
| US6464795B1 (en) | 1999-05-21 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member for a processing chamber |
| US6176931B1 (en) | 1999-10-29 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Wafer clamp ring for use in an ionized physical vapor deposition apparatus |
| US6589352B1 (en) * | 1999-12-10 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Self aligning non contact shadow ring process kit |
| US6494955B1 (en) | 2000-02-15 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Ceramic substrate support |
| US6350320B1 (en) * | 2000-02-22 | 2002-02-26 | Applied Materials, Inc. | Heater for processing chamber |
| US6488565B1 (en) | 2000-08-29 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for chemical mechanical planarization having nested load cups |
| JP4583591B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2010-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
| US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
| US6795292B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-09-21 | Dennis Grimard | Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber |
| US6730175B2 (en) | 2002-01-22 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Ceramic substrate support |
| US7582186B2 (en) * | 2002-12-20 | 2009-09-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system |
| US20040244949A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-09 | Tokyo Electron Limited | Temperature controlled shield ring |
| JP5189294B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2013-04-24 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | オートドーピングおよび裏面堆積を減少させるための基板支持システム |
| US7691204B2 (en) * | 2005-09-30 | 2010-04-06 | Applied Materials, Inc. | Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation |
| US8372203B2 (en) * | 2005-09-30 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus temperature control and pattern compensation |
| US9917001B2 (en) * | 2008-01-21 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature fine grain aluminum heater |
| JP2009277720A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法及びエッチング装置 |
| US8449679B2 (en) | 2008-08-15 | 2013-05-28 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly |
| US8753447B2 (en) * | 2009-06-10 | 2014-06-17 | Novellus Systems, Inc. | Heat shield for heater in semiconductor processing apparatus |
| WO2011082020A2 (en) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | Applied Materials, Inc. | Shadow ring for modifying wafer edge and bevel deposition |
| WO2011094230A2 (en) | 2010-01-27 | 2011-08-04 | Applied Materials, Inc. | Life enhancement of ring assembly in semiconductor manufacturing chambers |
| US9997381B2 (en) * | 2013-02-18 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Hybrid edge ring for plasma wafer processing |
| JP6024921B2 (ja) * | 2013-11-01 | 2016-11-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| ITCO20130058A1 (it) * | 2013-11-11 | 2015-05-12 | Lpe Spa | Suscettore con lavorazioni di forma arcuata nella superficie d'appoggio dei substrati |
| ITCO20130072A1 (it) * | 2013-12-19 | 2015-06-20 | Lpe Spa | Suscettore con lavorazioni curve e concentriche nella superficie d'appoggio dei substrati |
| TWI734770B (zh) | 2016-04-24 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於防止空間ald處理腔室中之背側沉積的設備 |
| US10147610B1 (en) | 2017-05-30 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including metallized ceramic tubes for RF and gas delivery |
| US11330673B2 (en) | 2017-11-20 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support |
| KR20210030074A (ko) * | 2019-09-09 | 2021-03-17 | 삼성전자주식회사 | 진공 척 및 상기 진공 척을 포함하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262029A (en) * | 1988-05-23 | 1993-11-16 | Lam Research | Method and system for clamping semiconductor wafers |
| JPH04226027A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-08-14 | Genus Inc | ガス阻止装置を有するウエファ周辺封止装置 |
| US5230741A (en) * | 1990-07-16 | 1993-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
| WO1993013241A1 (en) * | 1991-12-23 | 1993-07-08 | Genus, Inc. | Purge gas in wafer coating area selection |
| US5328722A (en) * | 1992-11-06 | 1994-07-12 | Applied Materials, Inc. | Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring |
| US5292554A (en) * | 1992-11-12 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus using a perforated pumping plate |
| US5326725A (en) * | 1993-03-11 | 1994-07-05 | Applied Materials, Inc. | Clamping ring and susceptor therefor |
| US5695568A (en) * | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| DE69432383D1 (de) * | 1993-05-27 | 2003-05-08 | Applied Materials Inc | Verbesserungen betreffend Substrathalter geeignet für den Gebrauch in Vorrichtungen für die chemische Abscheidung aus der Dampfphase |
| US5511799A (en) * | 1993-06-07 | 1996-04-30 | Applied Materials, Inc. | Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential |
| EP0634786B1 (en) * | 1993-07-15 | 1997-03-05 | Applied Materials, Inc. | Improved susceptor |
| WO1995023428A2 (en) * | 1994-02-23 | 1995-08-31 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
-
1994
- 1994-06-20 US US08/263,617 patent/US5476548A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-15 EP EP95304139A patent/EP0688888B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-15 DE DE69528217T patent/DE69528217T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-20 JP JP15329395A patent/JP3963966B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-20 KR KR1019950016322A patent/KR960002527A/ko not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-11-15 JP JP2006309527A patent/JP4563984B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100696029B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2007-03-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 퍼지 링을 가지는 웨이퍼 받침대 |
| JP2014098202A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| KR20170137800A (ko) * | 2015-04-17 | 2017-12-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 베벨 폴리머 감소를 위한 에지 링 |
| JP2018516449A (ja) * | 2015-04-17 | 2018-06-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 面取り部のポリマー低減のためのエッジリング |
| US10903055B2 (en) | 2015-04-17 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Edge ring for bevel polymer reduction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007113119A (ja) | 2007-05-10 |
| DE69528217T2 (de) | 2003-04-30 |
| US5476548A (en) | 1995-12-19 |
| KR960002527A (ko) | 1996-01-26 |
| JP3963966B2 (ja) | 2007-08-22 |
| EP0688888B1 (en) | 2002-09-18 |
| DE69528217D1 (de) | 2002-10-24 |
| JP4563984B2 (ja) | 2010-10-20 |
| EP0688888A2 (en) | 1995-12-27 |
| EP0688888A3 (en) | 1998-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0881775A (ja) | 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 | |
| JP5578478B2 (ja) | 基板プロセス装置でのエッジ堆積を制御する移動可能リング | |
| US5888304A (en) | Heater with shadow ring and purge above wafer surface | |
| JP4361614B2 (ja) | 半導体基板のエッジ成膜の制御 | |
| US6231674B1 (en) | Wafer edge deposition elimination | |
| US5882419A (en) | Chemical vapor deposition chamber | |
| US7718930B2 (en) | Loading table and heat treating apparatus having the loading table | |
| US5855687A (en) | Substrate support shield in wafer processing reactors | |
| US5328722A (en) | Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring | |
| KR100574116B1 (ko) | 반도체 처리 시스템의 매엽식 처리 장치 | |
| KR20010034921A (ko) | 정화 가스 채널과 펌핑 시스템을 갖는 기판 지지 부재 | |
| JPH06342760A (ja) | 差圧ｃｖｄチャック | |
| JP4108119B2 (ja) | 改良型化学気相堆積チャンバ | |
| JP5179482B2 (ja) | パージガスアセンブリ | |
| JP2023501304A (ja) | 基板のエッジ膜厚均一性を向上させる処理キット | |
| JP3131860B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JP2560986B2 (ja) | タングステンｃｖｄ装置 | |
| JP3131855B2 (ja) | 成膜処理方法及びその装置 | |
| JPH10214798A (ja) | ウエハエッジ堆積の排除 | |
| JP4286981B2 (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
| JP3738494B2 (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| JP4149694B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| JP2002025914A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060511 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060718 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061115 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20061218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070515 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070523 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |