KR960002527A - 기판의 후면상에 대한 재료의 증착을 감소시킬 수 있는 기판 처리장치 - Google Patents

기판의 후면상에 대한 재료의 증착을 감소시킬 수 있는 기판 처리장치 Download PDF

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KR960002527A
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에스. 리웅 시씨
에이. 잉글하드트 에릭
케이. 신하 아쇼크
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제임스 조셉 드롱
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Abstract

본 발명은 처리될 상부면, 지지부상에 놓이는 하부면 및 주변부 테두리를 갖춘 기판을 처리하기 위한 장치를 제공하려는 것이다. 본 발명의 장치는 처리챔버를 포함하고 있는데, 이 처리챔버는 기판의 하부면을 수용하기 위한 기판 수용면을 포함하는 가열기 받침대의 형태를 취하고 있는 기판 지지부를 포함하고 있다. 기판의 주변부 테두리를 덮기 위해서 상기 가열기 받침대 주위로 쉐도우 링이 위치된다. 쉐도우 링은 기판의 주변부 테두리에서 가열기 받침대와의 사이에 공동을 한정한다. 작동중에, 챔버는 제1압력하에서 처리가스를 수용하고, 제1압력보다 큰 제2압력하에서 쉐도우링과 가열기 받침대 사이에 형성된 공동내로 정화가스가 도입된다. 기판의 주변부 테두리로부터 정화가스가 유동하는 것을 지원하기 위해서 유체도관이 제공된다.

Description

기판의 후면상에 대한 재료의 증착을 감소시킬 수 있는 기판 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 처리장치의 상부를 일부 절개하여 도시한 단면도.

Claims (20)

  1. 처리될 상부면, 하부면 및 주변부 테두리를 갖춘 기판을 처리하기 위한 장치로서, (a) 작동중에 처리가스를 수용하는 처리챔버를 한정하는 하우징과, (b) 상기 챔버내에 위치하며, 상기 기판의 상기 하부면을 수용하기 우한 기판 수용면을 포함하고 있는 기판 지지부와, (c) 상기 기판 지지부를 에워싸며, 상기 기판의 상기 주변부 테두리에 인접하게 상기 기판 지지부와의 사이에 공동을 한정하는 기판 지지부 외집링과, (d) 상기 기판의 상기 주변부 테두리에서 상기 챔버내로 정화가스를 도입하기 위한 정화가스 공급원과, 그리고 (e) 상기 기판의 상기 주변부 테두리로부터 상기 정화가스가 유동하는 것을 돕기 위한 적어도 하나의 유체경로로서, 이에 의해 상기 정화가스의 유입 및 유동으로 인하여 상기 챔버내의 처리가스와 상기 기판의 상기 주변부 테두리 및 상기 하부면 사이의 접촉이 감소되는, 적어도 하나의 유체경로를 포함하는 기판 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유체경로는 적어도 하나의 유체도관에 의하여 한정되는 기판 처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 링은 각각의 인접면에서 상기 기판 지지부와 접하고, 상기 유체도관은 상기 링과 상기 기판 지지부의 인접면에 한정되는 기판 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기관 지지부는 상기 기판 수용면에서 적어도 하나의 가스구를 포함하고 있고, 상기 기판 처리장치는 상기 가스구에서의 압력을 제1압력 보다 낮은 제3압력으로 저하시키기 위한 흡입수단을 더 포함하고 있으며, 이에 의해, 상기 기판 수용면상에 수용된 기판은 상기 제1압력과 상기 제3압력 사이의 압력차에 의해서 상기 기판 수용면 위로 하방향 고정되는 기판 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지부를 가열시키기 위한 가열기를 포함하고 있고, 이에 의해 상기 기판은 전도에 의해서 가열되는 기판 처리장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 링은 상기 기판 지지부에 의해서 지지되는 경우에 상기 기판의 상기 상부면의 상기 주변부 테두리를 덮을 수 있는 기판 현수부를 포함하고 있는 기판 처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 지지부와 상기 링의 적어도 하나는 편평하지 않은 면을 갖는 기판 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 편평하지 않은 면은 상기 기판에 형성된 다수의 동심 홈에 의해서 한정되는 기판 처리장치.
  9. 처리 반응기로서, 기판을 처리하기 위하여 상부에 처리가스를 수용하는 처리챔버와, 상기 처리챔버의 상기 상부에서 상기 기판을 지지하기 위한 가열기 받침대와, 상기 기판의 상기 주변부 테두리와 결합하며, 상기 주변부 테두리의 근처에서 상기 가열기 받침대와의 사이에 공동을 형성하는 쉐도우 링과, 상기 공동으로 정화 가스를 공급하기 위한 가스라인과, 그리고 상기 공동으로부터 상기 챔버의 상기 하부로 연장된 다수의 유체경로를 포함하는 처리 반응기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 쉐도우 링은 상기 주변부 테두리의 상기 가열기 받침대 바깥쪽의 일부분으로부터 소정의 간격만큼 이격되어 있고, 상기 다수의 유체경로는 상기 소정의 간격과는 다르게 구비되어 있는 처리 반응기.
  11. 제10항에 있어서, 상기 가열기 받침대는 상기 기판을 가열하기 위한 저항성 기울기를 포함하고 있는 처리 반응기.
  12. 제9항에 있어서, 상기 유체경로는 상기 간격을 향하고 있는 상기 가열기 받침대와 상기 쉐도우 링중 적어도 하나의 표면에 형성된 방사상의 홈을 포함하고 있는 처리 반응기.
  13. 제12항에 있어서, 상기 홈들은 상기 가열기 받침대에 형성되어 있는 처리 반응기.
  14. 제9항에 있어서, 상기 유체 경로는 상기 가열기 받침대에 형성되어 있는 폐쇄도관을 포함하는 처리 반응기.
  15. 제9항에 있어서, 상기 가열기 받침대는 상기 간격을 향하고 있는 표면에 형성된 다수의 원주상 홈을 포함하고 있는 처리 반응기.
  16. 처리 반응기로서, 기판을 처리하기 위하여 상부에 처리가스를 수용하는 처리챔버와, 상기 처리챔버의 상기 상부에서 상기 기판을 지지하기 위한 가열기 받침대와, 그리고 상기 기판의 상부 주변부와 결합하는 립부분 및 상기 립부분으로부터 외부로 여장된 몸체 부분을 가지며, 상기 가열기 받침대를 향하고 있는 하부면을 갖춘 링부재를 포함하고 있으며, 상기 링부재의 상기 몸체부분의 상기 하부를 지향하는 상기 가열기 받침대의 지향부에 다수의 원주상 홈이 형성되어 있는 처리 반응기.
  17. 제16항에 있어서, 상기 지향부는 상기 홈들 사이에 융기된 원주상 영역을 포함하고 있는 처리 반응기.
  18. 제17항에 있어서, 상기 융기된 원주상 영역은 상기 링부재의 상기 립부분이 상기 기판의 상기 상부 주변부와 결합하는 경우에 소정의 간격에 의해서 상기 몸체 부분의 상기 하부면으로부터 분리되고, 상기 지향부분은 상기 기판의 외부 주변부 주위에서 상기 링부재와 상기 가열기 받침대 사이에 형성된 공동으로부터 상기 처리장치의 하부로 연장된 다수의 방사상 홈들을 추가로 포함하고 있는 처리 반응기.
  19. 제18항에 있어서, 상기 가열기 받침대는 상기 기판을 가열하기 위한 가열기를 포함하고 있는 처리 반응기.
  20. 화학적인 증기증착 방법으로서, (a) 챔버내에서 가열기 받침대상에 기판을 지지하는 단계와, (b) 상기 기판의 외부 주변부로부터 외부로 연장된 링부재로 상기 기판의 상부 주변부를 덮는 단계로서, 상기 링부재는 상기 외부 주변부의 근처에서 상기 링부재와 상기 가열기 받침대 사이에 공동이 형성되도록 위치되고, 상기 공동으로부터 방사상 외부로 연장된 상기 가열기 받침대와 상기 링부재 사이에 소정의 원주상 간격이 형성되는, 단계와, (c) 상기 기판이 가열되고 열이 상기 간격을 통해서 상기 링부재로 전달되도록 상기 가열기 받침대를 전기적으로 가열하는 단계와, (d) 상기 기판 윗쪽의 상기 챔버부분으로 증착가스를 유동시키는 단계와, (e) 불활성 가스를 상기 공동내로 유동시킴으로써 상기 불활성 가스가 상기 공동으로부터 상기 간격을 통해서 외부로 유동하게 되는 단계와, 그리고 (F) 상기 불활성 가스를 상기 간격과는 다른 유동경로를 통해서 상기 공동의 외부로 유동시키는 단계를 포함하는 화학적인 증기증착 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950016322A 1994-06-20 1995-06-20 기판의 후면상에 대한 재료의 증착을 감소시킬 수 있는 기판 처리장치 KR960002527A (ko)

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