KR910007069A - 다구역 평면 히이터 어셈블리 및 그의 운전방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

다구역 평면 히이터 어셈블리 및 그의 운전방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 상부에 원통형 디스크 형태의 기판 또는 실리콘 웨이퍼가 장착된 히이터 어셈블리의 평면도이고,
제2도는 히이터 어셈블리의 내부 구조를 더욱 상세히 예시하기 위해 제1도의 II-II의 절선을 따라 절단된 측면도이며,
제3도는 다수의 가열 소자부를 더욱 상세히 예시하기 위해 기판가 덮개가 제거된 것을 제외하고 제1도와 동일한 히이터 어셈블리의 평면도이다.

Claims (27)

  1. 원형 표면을 갖는 절연 히이터; 원형 표면의 히이터 베이스 상에 배치되어, 방사상으로 일정 간격을 두고 원주상으로 연장되는 소자부를 형성하며, 원형 표면을 거의 덮고 있는 다수의 히이터 소자; 다수의 히이터 소자를 각기 조절하기 위한 별도의 장치; 다수의 히이터 소자로부터 공간을 두고 떨어져 히이터 소자와 반도체 웨이퍼의 중간에 배치된 히이터 덮개 및 히이터 소자와 히이터 덮개 사이에 불활성 가스 분위기를 유지시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼의 가공 등에 있어서 웨이퍼에 고온으로 균일하게 상승 및 유지시키는데 유용한 히이터 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서, 히이터 소자가 내열성 전도성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서, 히이터 소자가 열분해성 흑연으로 형성되는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  4. 제2항에 있어서, 상기 히이터 소자가 전도성 물질을 절연 히이터 베이스의 원형 표면상에 균일하게 증착시키고, 이어서 전도성 물질 부분을 선택적으로 제거시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 히이터어셈블리.
  5. 제4항에 있어서, 상기 히이터 소자부들은 원주상으로 연장되는 영역들에 의해 서로 분리되고, 각 히이터 소자부는 방사상으로 연장되는 영역들에 의해 차단되며, 각 히이터 소자부 부분 상에 각 방사상으로 연장되는 영역을 사이에 두고 형성된 전극쌍들을 갖는 다수의 히이터 소자를 각기 조절하기 위한 별도의 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  6. 제2항에 있어서, 상기 히이터 소자부들은 원주상으로 연장되는 영역들에 의해 서로 분리되고, 각 히이터 소자부는 방사상으로 연장되는 영역들에 의해 차단되며, 각 히이터 소자부 부분상에 각각 방사상으로 연장되는 영역을 사이에 두고 형성된 전극쌍을 갖는 다수의 히이터 소자를 각기 조절하기 위한 별도의 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  7. 제2항에 있어서, 히이터 베이스가 히이터 소자의 전도성 금속과 동일한 열팽창 계수를 갖고, 전도성 금속으로부터의 분리에 견디고, 급속하고 광범위한 온도 변화에 칫수 안정성을 유지하도록 선정된 절연 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  8. 제7항에 있어서, 히이터 베이스가 질화 붕소로 형성되고, 히이터 소자부는 열분해성 흑연으로 형성되는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  9. 제2항에 있어서, 히이터 덮개가 그 상부에 웨이퍼를 지지하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  10. 제2항에 있어서, 불활성 가스 분위기를 유지하기 위한 수단이 유입된 불활성 가스가 중앙 유입구에서 히이터 소자부와 히이터 덮개 사이를 통해 방사상으로 외부를 향해 흐르도록 히이터 베이스에 불활성 가스 유입구를 형성하는 중앙 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  11. 제10항에 있어서, 추가로 불활성 가스를 배출시키기 위해 히이터 덮개의 주변부에 형성된 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  12. 제10항에 있어서, 추가로 반도체 웨이퍼의 가공을 용이하게 하기 위해 중앙의 개구를 통해 유입된 불활성 가스의 흐름을 조절하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  13. 제1항에 있어서, 불활성 가스 분위기 유지 수단이 유입된 불활성 가스가 중앙 유입구에서 히이터 소자부와 히이터 덮개 사이를 통해 방사상으로 외부를 향해 흐르도록 히이터 베이스에 불활성 가스 유입구를 형성하는 중앙 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  14. 제13항에 있어서, 추가로 히이터 덮개의 주변부에 형성된 불활성 가스배출 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  15. 제13항에 있어서, 추가로 반도체 웨이퍼의 가공을 용이하게 하기 위해 중앙 개구를 통해 유입되는 불활성 가스 흐름을 조절하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  16. 제1항에 있어서, 상기 히이터 어셈블리 및 웨이퍼가 화학 증착(CVD)반응기의 반응실내에 배치되는 것을 특징으로 하는 히이터 어셈블리.
  17. 원형 표면을 갖는 절연 히이터, 원형 표면의 히이터 베이스 상에 배치되어 있고, 방사상으로 일정 간격을 두고 원주상으로 연장된 히이터 소자부를 형성하며 원형 표면을 거의 덮고 있는 다수의 히이터 소자, 다수의 히이터 소자로부터 일정 간격을 두고 히이터 소자와 기판 사이에 분리 배치된 히이터 덮개 및 다수의 히이터 소자를 개별 조절하기 위한 수단을 포함하는 히이터 어셈블리를 제조하고, 히이터 어셈블리 운전 중 히이터 소자와 히이터 덮개 사이에 불활성 가스의 분위기를 유지하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 가공 등의 과정에서 기판을 고온으로 균일하게 상승 및 유지시키는데 유용한 기판 가열 방법.
  18. 제17항에 있어서 히이터소자가 내열성 전도성 물질 중에서 선택된 전도성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제18항에 있어서 히이터소자가 열분해성 흑연으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제18항에 있어서 히이터소자가 히이터 베이스의 원형 표면상에 전도성 금속을 균일하게 증착시키고, 이어서 전도성 금속을 제거시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제17항에 있어서, 추가로 히이터 덮개 상에 열 전도성 관계에 있는 기판을 올려 놓는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제17항에 있어서, 불활성 가스분위기가 히이터 베이스의 중앙 개구를 통해서 유입되고, 이 불활성 가스를 히이터 소자를 거쳐 방사상으로 외부를 향해 흐르게 함으로써 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 추가로 히이터 덮개의 주변부에 방사상으로 흐르는 불활성 가스를 배출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 추가로 기판의 가공을 용이하게 하기 위해 히이터 베이스의 중앙 개구를 통하여 유입되는 불활성 가스의 흐름을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 추가로 히이터 어셈블리와 기판을 화학 증착(CVD)반응기의 반응실 내에 장착한 후, 기판 처리를 위해서 CVD반응기의 일부로서 히이터 어셈블리를 운전하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제17항에 있어서, 추가로 기판의 가공을 용이하게 하기 위해 히이터 베이스의 중앙 개구를 통하여 유입되는 불활성 가스의 흐름을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 추가로 히이터 어셈블리 및 기판을 화학 증착(CVD)반응기의 반응실내에 장착시킨 후 기판 처리를 위해 CVD반응기의 일부로서 히이터 어셈블리를 운전하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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