KR102612810B1 - 정전척 히터 - Google Patents

정전척 히터 Download PDF

Info

Publication number
KR102612810B1
KR102612810B1 KR1020197037329A KR20197037329A KR102612810B1 KR 102612810 B1 KR102612810 B1 KR 102612810B1 KR 1020197037329 A KR1020197037329 A KR 1020197037329A KR 20197037329 A KR20197037329 A KR 20197037329A KR 102612810 B1 KR102612810 B1 KR 102612810B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
placement surface
electrostatic chuck
circumferential groove
chuck heater
Prior art date
Application number
KR1020197037329A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200133657A (ko
Inventor
유타카 운노
레오 와타나베
Original Assignee
엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔지케이 인슐레이터 엘티디 filed Critical 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Publication of KR20200133657A publication Critical patent/KR20200133657A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102612810B1 publication Critical patent/KR102612810B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Abstract

정전척 히터는 존슨 라벡형이며, 웨이퍼에 도전막을 형성하는 데 이용된다. 이 정전척 히터는, 정전 전극과 저항 발열체를 구비한 원판형상의 세라믹 기체와, 세라믹 기체의 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 부착된 중공 샤프트를 구비한다. 최외주 돌기군은, 웨이퍼 배치면 중 웨이퍼의 직경보다도 외직경이 작은 환상 영역에 있어서 세라믹 기체의 동심원을 따라 나열된 복수의 돌기를 포함한다. 원주 홈은, 최외주 돌기군의 내측에 설치되어 있다. 관통 구멍은 중공 샤프트의 둘레벽의 하단으로부터 웨이퍼 배치면 중 원주 홈의 내측의 영역까지 관통하도록 설치되어 있다. 웨이퍼 배치면과 최외주 돌기군과 웨이퍼 배치면에 배치되는 웨이퍼에 의해 둘러싸이는 웨이퍼 아래쪽 공간에는, 중공 샤프트의 하단으로부터 관통 구멍을 통하여 가스를 공급할 수 있다.

Description

정전척 히터
본 발명은 정전척 히터에 관한 것이다.
종래, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대가 알려져 있다. 예컨대, 특허문헌 1의 웨이퍼 지지대(110)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 배치하는 세라믹 기체(基體; 120)와, 세라믹 기체(120) 중 웨이퍼(W)를 배치하는 면과는 반대측의 면에 부착된 중공 샤프트(140)와, 중공 샤프트(140)의 둘레벽의 하단으로부터 세라믹 기체(120)의 외주면까지 관통하도록 설치된 관통 구멍(142)을 구비한다. 관통 구멍(142)에 공급되는 퍼지 가스는, 세라믹 기체(120)의 외주면에 분출된 후 웨이퍼(W)와 링(130) 사이를 통과하여 상방으로 빠져 나간다(도 9의 1점 쇄선 화살표). 이 퍼지 가스는, CVD에 의해 웨이퍼(W)의 상면에 박막을 형성할 때, 웨이퍼(W)의 가장자리에 박막이 형성되는 것을 방지한다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공보 제5324627호
그러나, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리의 이면에서 퍼지 가스는 밖에서 안으로 향하기 때문에, 도 10에 나타내는 바와 같이, CVD에 의해 웨이퍼(W)의 상면에 도전막(F)을 형성한 경우, 세라믹 기체(120)의 웨이퍼 접촉면(122)과 웨이퍼(W)의 사이에 도전막(F)이 들어가는 일이 있었다. 웨이퍼 지지대(110)가 웨이퍼(W)를 존슨 라벡력에 의해 세라믹 기체(120)에 흡착 유지하는 기능을 갖는 경우, 웨이퍼 접촉면(122)과 웨이퍼(W) 사이에 도전막(F)이 들어가면 흡착력이 저하되는 일이 있었다. 즉, CVD 처리 후의 웨이퍼(W)를 제거하여 새로운 웨이퍼(W)로 교환하면, 새로운 웨이퍼(W)와 세라믹 기체(120)의 웨이퍼 접촉면(122)이 도전막(F)을 통하여 동일 전위가 되기 때문에 충분한 존슨 라벡력이 발현하지 않게 되어 흡착력이 저하되는 일이 있었다. 또한, 웨이퍼(W)의 이면에서 퍼지 가스의 흐름이 불균일해지는 일이 있어, 웨이퍼의 균열성(均熱性)에 영향을 미치게 하는 일이 있었다.
본 발명은, 전술한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 안정적으로 웨이퍼를 처킹(chucking)함과 함께 웨이퍼의 균열성을 향상시키는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 정전척 히터는,
웨이퍼에 도전막을 형성하는 데 이용되는 존슨 라벡형의 정전척 히터로서,
한쪽의 면이 상기 웨이퍼를 배치하는 웨이퍼 배치면이며, 정전 전극과 저항 발열체를 구비한 원판형상의 세라믹 기체와,
상기 세라믹 기체 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 부착된 중공 샤프트와,
상기 웨이퍼 배치면 중 상기 웨이퍼의 직경보다도 외직경이 작은 환상 영역에 있어서 상기 세라믹 기체의 동심원을 따라 나열된 복수의 돌기를 포함하는 최외주 돌기군과,
상기 최외주 돌기군의 내측에 설치된 원주 홈과,
상기 중공 샤프트의 둘레벽의 하단으로부터 상기 웨이퍼 배치면 중 상기 원주 홈의 내측의 영역까지 관통하도록 설치되고, 상기 웨이퍼 배치면과 상기 최외주 돌기군과 상기 웨이퍼 배치면에 배치되는 상기 웨이퍼에 의해 둘러싸이는 웨이퍼 아래쪽 공간에 상기 중공 샤프트의 하단으로부터 가스를 공급할 수 있는 관통 구멍을 구비한 것이다.
이 정전척 히터의 사용 시에는, 최외주 돌기군을 이루는 복수의 돌기에 배치된 웨이퍼의 표면에 도전막이 형성되지만, 그것과 동시에 웨이퍼 배치면 중 최외주 돌기군의 외측의 영역에도 도전막이 부착된다. 여기서, 최외주 돌기군을 이루는 복수의 돌기가 나열된 환상 영역의 외직경은 웨이퍼의 직경보다도 작기 때문에, 평면에서 보았을 때에 이들의 돌기는 웨이퍼에 의해서 덮여 숨겨진 상태가 된다. 그 때문에, 웨이퍼의 이면과 맞닿는 돌기의 상면에는 도전막이 부착되기 어렵다. 또한, 웨이퍼 아래쪽 공간에는 가스가 공급되기 때문에, 돌기의 상면과 웨이퍼의 간극에, 도전막이 되는 성분이 들어가기 어렵고, 이 점에서도 돌기의 상면에 도전막이 부착되기 어렵다. 그 때문에, 웨이퍼에 도전막을 형성한 후의 최외주 돌기군을 이루는 복수의 돌기의 상면에 새로운 웨이퍼를 배치했다고 해도, 웨이퍼는 도전막이 부착되어 있지 않은 돌기의 상면과 밀착한다. 그 때문에, 웨이퍼 처킹력, 즉 존슨 라벡력은 당초대로 유지된다. 따라서, 프로세스 횟수가 증가하더라도 안정적으로 웨이퍼를 처킹할 수 있다. 또한, 최외주 돌기군의 내측에 설치된 원주 홈은, 관통 구멍으로부터 공급되는 가스의 흐름을 균일화하기 때문에, 웨이퍼의 균열성이 향상된다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 웨이퍼 배치면 중 상기 원주 홈의 내측의 영역에, 상기 웨이퍼와 맞닿을 수 있는 복수의 볼록부가 설치되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 웨이퍼와 세라믹 기체의 접촉 면적이 볼록부의 면적분만큼 커지기 때문에, 웨이퍼 처킹력도 커지고, 보다 안정적으로 웨이퍼를 처킹할 수 있다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 관통 구멍 중 상기 웨이퍼 배치면에서의 개구부는, 상기 관통 구멍보다도 직경이 작은 복수의 소구멍으로 구성되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 관통 구멍을 통과해 온 가스가 웨이퍼의 이면에 분산되어 닿기 때문에, 가스가 웨이퍼의 이면의 일점에 닿는 경우에 비해, 보다 안정적으로 웨이퍼를 처킹할 수 있고, 가스에 의한 웨이퍼의 온도 저하를 억제할 수도 있다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 웨이퍼 아래쪽 공간에 공급되는 가스가 상기 웨이퍼를 밀어 올리는 힘은, 상기 정전 전극에 통전함으로써 발생하는 웨이퍼 처킹력과 상기 웨이퍼의 위쪽의 분위기가 상기 웨이퍼를 밀어 내리는 힘과의 합보다 작아지도록 설정되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 웨이퍼 아래쪽 공간에 공급되는 가스에 의해서 웨이퍼가 부상하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 정전 전극은 플라즈마 전극으로서도 이용되는 것으로 해도 좋다. 정전 전극에 고주파를 인가함으로써, 정전 전극을 플라즈마 전극으로서도 사용할 수 있고, 플라즈마 CVD 프로세스에 의한 성막을 행할 수도 있다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 원주 홈의 내측에, 상기 원주 홈에 연결되는 방사상 홈을 갖고 있어도 좋다. 원주 홈의 내측에 이러한 방사상 홈을 설치함으로써, 웨이퍼 아래쪽 공간 내의 가스류가 보다 균일화하기 때문에, 최외주 돌기군을 이루는 돌기의 상면과 웨이퍼의 간극에, 도전막이 되는 성분이 들어가기가 더욱 더 어렵게 된다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 돌기의 상면의 표면 조도 Ra는, 1㎛ 이상으로 해도 좋다. 이렇게 하면, 웨이퍼 아래쪽 공간 내의 가스가, 웨이퍼 중앙으로부터, 최외주 돌기군을 이루는 돌기의 거친 상면을 통과하여, 외주에 흘러 나오기 때문에, 그 흐름에 의해서 돌기의 상면과 웨이퍼의 간극에는 도전막이 되는 성분이 들어가기가 더 어렵게 된다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 관통 구멍은, 상기 웨이퍼 배치면 중 상기 원주 홈의 내측의 영역에서의 중앙부와 외주부 양방에 개구하고 있어도 좋다. 이렇게 하면, 웨이퍼 배치면의 외주부의 개구로부터 웨이퍼 아래쪽 공간에 들어간 가스는, 최외주 돌기군까지의 거리가 가깝기 때문에, 돌기의 상면과 웨이퍼의 간극에 도전막이 되는 성분이 들어가는 것을 방지하기가 더 쉽다.
도 1은 정전척 히터(10)의 사시도.
도 2는 정전척 히터(10)의 평면도.
도 3은 도 2의 A-A 단면도.
도 4는 도전막(F)을 형성한 후의 정전척 히터(10)의 부분 단면도.
도 5는 플러그(50)가 붙어 있는 관통 구멍(42)을 구비한 정전척 히터의 부분 단면도.
도 6은 원주 홈 내측 영역(20c)에 방사상의 홈(24a)을 설치한 정전척 히터의 평면도.
도 7은 개구(42a, 42b)를 갖는 관통 구멍(42)을 구비한 정전척 히터의 평면도.
도 8은 도 7의 B-B 단면도.
도 9는 종래의 웨이퍼 지지대(110)의 단면도.
도 10은 도전막(F)을 형성한 후의 웨이퍼 지지대(110)의 부분 단면도.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 정전척 히터(10)의 사시도, 도 2는 정전척 히터(10)의 평면도, 도 3는 도 2의 A-A 단면도이다.
정전척 히터(10)는, CVD 등에 의해 도전막을 웨이퍼(W)에 형성하는 데 이용되는 것으로, 세라믹 기체(20)와, 중공 샤프트(40)를 구비하고 있다.
세라믹 기체(20)는, 질화알루미늄제의 원판이다. 세라믹 기체(20)의 직경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 300 ㎜ 정도이다. 세라믹 기체(20)는, 웨이퍼(W)를 배치하는 웨이퍼 배치면(20a)과, 웨이퍼 배치면(20a)과는 반대측의 이면(20b)을 갖는다. 세라믹 기체(20)는, 웨이퍼 배치면(20a)에 최외주 돌기군(22)을 갖고 있다. 최외주 돌기군(22)은, 웨이퍼 배치면(20a) 중 웨이퍼(W)의 직경보다도 외직경이 작은 환상 영역(21)(도 2의 2점 쇄선으로 둘러싸인 영역)에 있어서 세라믹 기체(20)의 동심원을 따라 나열된 복수의 돌기(23)를 포함하고 있다. 복수의 돌기(23)는, 편평한 원기둥 형상이며, 세라믹 기체(20)와 일체로 형성되어 있다. 돌기(23)의 직경은, 1 ㎜ 이상 5 ㎜ 이하가 바람직하다. 돌기(23)의 높이는 10㎛ 이상 30㎛ 이하가 바람직하다. 돌기(23)의 피치[이웃하는 돌기(23)의 중심간 거리]는 5 ㎜ 이상 10 ㎜ 이하가 바람직하다. 웨이퍼 배치면(20a) 중 최외주 돌기군(22)의 바로 내측에는, 원주 홈(24)이 설치되어 있다. 원주 홈(24)의 폭은 2 ㎜ 이상 5 ㎜ 이하가 바람직하다. 원주 홈(24)의 깊이는 50㎛ 이상 100㎛ 이하가 바람직하다. 웨이퍼 배치면(20a) 중 원주 홈(24)의 내측의 영역(원주 홈 내측 영역)(20c)에는, 편평한 원기둥 형상의 볼록부(25)가 간격을 두고 다수 설치되어 있다. 볼록부(25)는, 최외주 돌기군(22)의 돌기(23)와 함께, 웨이퍼(W)의 이면과 접촉하여 웨이퍼(W)를 지지하는 것이다. 볼록부(25)는 돌기(23)와 동일 형상, 동일 사이즈로 해도 좋다. 돌기(23)나 볼록부(25)는 예컨대 엠보스 가공에 의해 형성될 수 있다.
세라믹 기체(20)에는, 정전 전극(26)과 저항 발열체(28)가 매설되어 있다. 정전 전극(26)은, 세라믹 기체(20)보다도 약간 소직경인 원형의 박층 전극이며, 예컨대 가는 금속선을 망형상으로 짜 넣어 시트형상으로 한 메쉬로 형성되어 있다. 정전 전극(26)에는, 도시하지 않는 급전봉이 접속되어 있고, 급전봉은 중공 샤프트(40)의 내부 공간을 지나 도시하지 않는 외부 전원에 접속되어 있다. 정전 전극(26)은, 외부 전원에 의해서 전압이 인가되면 웨이퍼 배치면(20a)에 배치된 웨이퍼(W)를 처킹한다. 이 때의 처킹력은, 세라믹 기체(20)를 형성하는 질화알루미늄의 체적 저항율이 1×108∼1×1013Ω㎝이기 때문에 존슨 라벡력이다. 저항 발열체(28)는, 도전성의 코일을 세라믹 기체(20)의 전면에 걸쳐 일필 휘지의 요령으로 배선한 것이다. 저항 발열체(28)의 양단에는, 각각 도시하지 않는 급전봉이 접속되어 있고, 급전봉은 중공 샤프트(40)의 내부 공간을 지나 도시하지 않는 히터 전원에 접속되어 있다. 저항 발열체(28)는, 히터 전원으로부터 전력이 공급되면 발열하여 웨이퍼 배치면(20a)에 배치된 웨이퍼(W)를 가열한다. 저항 발열체(28)는, 코일에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 리본(가늘고 긴 박판)이라도 좋고, 메쉬라도 좋다.
중공 샤프트(40)는, 세라믹 기체(20)와 동일하게 질화알루미늄으로 형성되고, 상단면이 세라믹 기체(20)의 이면(20b)에 고상 접합 또는 확산 접합에 의해 부착되어 있다. 중공 샤프트(40)의 둘레벽에는, 둘레방향을 따라 등간격으로 4개의 관통 구멍(42)이 설치되어 있다. 관통 구멍(42)은 중공 샤프트(40)의 하단으로부터 상하 방향을 따라 세라믹 기체(20)의 원주 홈 내측 영역(20c)까지 관통하고 있다. 관통 구멍(42)은, 원주 홈 내측 영역(20c) 중, 중공 샤프트(40)의 둘레벽의 바로 위에 개구하고 있다. 관통 구멍(42)의 개구(42a)는, 원주 홈 내측 영역(20c) 중 볼록부(25)와 간섭하지 않는 위치에 설치되어 있다. 관통 구멍(42)에는, 도시하지 않는 가스 공급원이 접속되어 있다.
다음으로, 정전척 히터(10)의 사용예에 관해서 설명한다. 도시하지 않는 CVD용의 챔버 내에 정전척 히터(10)를 배치하고, 최외주 돌기군(22)을 이루는 복수의 돌기(23) 및 원주 홈 내측 영역(20c)에 설치된 다수의 볼록부(25)에 웨이퍼(W)를 배치한다. 이 때, 웨이퍼 배치면(20a)과 최외주 돌기군(22)과 웨이퍼(W)에 의해 둘러싸이는 공간을, 웨이퍼 아래쪽 공간(S)이라고 칭한다. 그리고, 정전 전극(26)에 전압을 인가함으로써, 웨이퍼(W)를 존슨 라벡력에 의해 처킹한다. 또한, 도시하지 않는 열전대의 검출 신호에 기초하여 웨이퍼(W)의 온도를 구하고, 그 온도가 목표 온도가 되도록, 저항 발열체(28)에 인가하는 전압을 제어한다. 또한, 가스 공급원으로부터 관통 구멍(42)에 가스를 공급한다. 가스로서는, 예컨대, N2, Ar, He 등을 들 수 있다. 이것에 의해, 관통 구멍(42)에 공급된 가스는, 원주 홈 내측 영역(20c)의 개구(42a)로부터 웨이퍼 아래쪽 공간(S)에 들어가고, 볼록부(25)와 볼록부(25) 사이를 통과하여 외주를 향하여 흐른다(도 3의 1점 쇄선 화살표). 원주 홈(24)은, 이 가스의 흐름을 균일화하는 역할을 다한다. 이 상태로, CVD에 의해 웨이퍼(W)의 상면에 도전막(F)(도 4 참조)을 형성한다.
이 때, 웨이퍼 아래쪽 공간(S)에 공급되는 가스가 웨이퍼(W)를 밀어 올리는 힘은, 정전 전극(26)에 통전함으로써 발생하는 웨이퍼 처킹력과 웨이퍼(W)의 위쪽의 분위기가 웨이퍼(W)를 밀어 내리는 힘과의 합보다 작아지도록 설정되어 있다. 그 때문에, 웨이퍼 아래쪽 공간(S)에 공급되는 가스에 의해서 웨이퍼(W)가 부상하는 것을 방지할 수 있다.
웨이퍼(W)의 표면에 도전막(F)이 형성될 때, 이와 동시에 세라믹 기체(20)의 표면 중 최외주 돌기군(22)의 외측에도 도전막(F)이 부착된다(도 4 참조). 여기서, 최외주 돌기군(22)의 환상 영역(21)의 외직경은 웨이퍼(W)의 직경보다도 작기 때문에, 평면에서 보았을 때에 최외주 돌기군(22)을 이루는 복수의 돌기(23)는 웨이퍼(W)에 의해서 덮여 숨겨진 상태가 된다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 이면과 맞닿는 돌기(23)의 상면에는 도전막(F)이 부착되기 어렵다. 또한, 웨이퍼 아래쪽 공간(S)에는 가스가 공급되기 때문에, 돌기(23)와 웨이퍼(W)의 간극에, 도전막(F)이 되는 성분이 들어가기 어렵고, 이 점에서도 돌기(23)의 상면에 도전막(F)이 부착되기 어렵다.
이상 설명한 정전척 히터(10)에 의하면, 웨이퍼(W)의 표면에 도전막(F)을 형성할 때, 최외주 돌기군(22)을 이루는 복수의 돌기(23)의 상면으로의 도전막(F)의 부착이 방지된다. 그 때문에, 웨이퍼(W)에 도전막(F)을 형성한 후의 돌기(23)의 상면에 새로운 웨이퍼(W)를 배치했다고 해도, 새로운 웨이퍼(W)는 도전막(F)이 부착되어 있지 않은 돌기(23)의 상면과 밀착하고, 존슨 라벡력은 당초대로 유지된다. 따라서, 프로세스 횟수가 증가하더라도 안정적으로 웨이퍼(W)를 처킹할 수 있다. 또한, 최외주 돌기군(22)의 내측에 설치된 원주 홈(24)은, 관통 구멍(42)으로부터 공급되는 가스의 흐름을 균일화하기 때문에, 웨이퍼(W)의 균열성이 향상된다.
또한, 돌기(23)의 상면에 도전막(F)이 부착되어 버리면, 돌기(23)의 상면에 부착된 도전막(F)을 제거하기 위한 클리닝이 필요해진다. 이러한 클리닝은 생산 효율을 저하시킨다. 본 실시형태에서는, 돌기(23)의 상면에 도전막(F)이 부착되지 않기 때문에, 그러한 클리닝이 불필요해지고 생산 효율이 향상된다.
또한, 원주 홈 내측 영역(20c)에, 웨이퍼(W)와 맞닿을 수 있는 볼록부(25)를 다수 설치했기 때문에, 웨이퍼(W)와 세라믹 기체(20)의 접촉 면적이 볼록부(25)의 면적분만큼 커진다. 그 때문에, 웨이퍼 처킹력도 커지고, 보다 안정적으로 웨이퍼를 처킹할 수 있다.
또한, 웨이퍼 아래쪽 공간(S)에 공급되는 가스가 웨이퍼(W)를 밀어 올리는 힘은, 정전 전극(26)에 통전함으로써 발생하는 웨이퍼 처킹력과 웨이퍼(W)의 위쪽의 분위기가 웨이퍼(W)를 밀어 내리는 힘과의 합보다 작아지도록 설정되어 있기 때문에, 웨이퍼 아래쪽 공간(S)에 공급되는 가스에 의해서 웨이퍼(W)가 부상하는 것을 방지할 수 있다.
또, 본 발명은 전술한 실시형태에 전혀 한정되는 일은 없고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한, 여러 가지의 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에 있어서, 최외주 돌기군(22)을 이루는 복수의 돌기(23)의 상면의 표면 조도 Ra를 1㎛ 이상으로 거칠게 해도 좋다. 이렇게 하면, 웨이퍼 아래쪽 공간(S) 내의 가스가, 웨이퍼(W)의 중앙으로부터, 돌기(23)의 거친 상면을 통과하여, 외주에 흘러 나오기 때문에, 그 흐름에 의해서 돌기(23)의 상면과 웨이퍼(W)의 간극에는 도전막(F)이 되는 성분이 들어가기가 더 어렵게 된다.
전술한 실시형태에 있어서, 도 5에 나타내는 바와 같이, 관통 구멍(42) 중 웨이퍼 배치면의 원주 홈 내측 영역(20c)에 개구하고 있는 개구부에는, 관통 구멍(42)보다도 직경이 작은 복수의 소구멍(52)을 구비한 플러그(50)가 끼워 넣어져 있어도 좋다. 그 경우, 관통 구멍(42)의 개구부는, 복수의 소구멍(52)으로 구성되게 된다. 이렇게 하면, 관통 구멍(42)을 통과해 온 가스는 소구멍(52)에 의해서 웨이퍼(W)의 이면에 분산되어 닿기 때문에, 가스가 웨이퍼(W)의 이면에 집중하여 닿은 경우에 비해, 보다 안정적으로 웨이퍼(W)를 처킹할 수 있고, 가스에 의한 웨이퍼(W)의 온도 저하를 억제할 수도 있다.
전술한 실시형태에 있어서, 도 6에 나타내는 바와 같이, 세라믹 기체(20)의 원주 홈 내측 영역(20c)에, 관통 구멍(42)의 개구(42a)에 연결되는 방사상의 4개의 홈(24a)을, 각 홈(24a)의 외주단이 원주 홈(24)에 연결되도록 설치해도 좋다. 도 6에서는, 전술한 실시형태와 동일한 구성 요소에 관해서는 동일한 부호를 붙였지만, 볼록부(25)를 생략했다. 이렇게 하면, 홈(24a)에 의해 웨이퍼 아래쪽 공간 내의 가스류가 보다 균일화되기 쉬워지기 때문에, 최외주 돌기군(22)을 이루는 복수의 돌기(23)와 웨이퍼의 간극에는 도전막이 되는 성분이 들어가기가 더 어렵게 된다.
전술한 실시형태에 있어서, 도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 관통 구멍(42)은, 세라믹 기체(20)의 내부에서 반경 외방향으로 연장되는 복수(여기서는 4개)의 분기로(46)를 갖고 있어도 좋다. 도 7 및 도 8에서는, 전술한 실시형태와 동일한 구성 요소에 관해서는 동일한 부호를 붙였지만, 볼록부(25)는 생략했다. 분기로(46)의 외주측의 단부는, 세라믹 기체(20)와 동심원이 되도록 설치된 원주 구멍(47)에 연통하고 있다. 원주 구멍(47)의 외직경은, 원주 홈(24)의 내직경보다도 약간 작다. 원주 구멍(47)은, 둘레방향을 따라 등간격으로 설치된 복수(여기서는 8개)의 수직 구멍(48)과 연통하고 있다. 수직 구멍(48)은, 원주 홈 내측 영역(20c)의 원주 홈(24)의 옆에 개구하고 있다. 이것에 의해, 관통 구멍(42)은, 원주 홈 내측 영역(20c) 중 웨이퍼 배치면(20a)의 중앙부에 개구하는 개구(42a)와 외주부에 개구하는 개구(42b)(수직 구멍(48)의 개구) 양자 모두를 갖고 있다. 이렇게 하면, 개구(42b)로부터 웨이퍼 아래쪽 공간(S)에 들어간 가스는, 최외주 돌기군(22)까지의 거리가 가깝기 때문에, 최외주 돌기군(22)과 웨이퍼(W)의 간극에, 도전막(F)이 되는 성분이 들어가는 것을 방지하기가 더욱 용이하다.
전술한 실시형태에 있어서, 정전 전극(26)은 플라즈마 전극으로서 이용해도 좋다. 정전 전극(26)에 고주파를 인가함으로써, 정전 전극(26)을 플라즈마 전극으로서도 사용할 수 있고, 플라즈마 CVD 프로세스에 의한 성막을 행할 수도 있다.
전술한 실시형태에 있어서, 중공 샤프트(40)의 둘레벽에 둘레방향을 따라 등간격으로 4개의 관통 구멍(42)을 설치했지만, 관통 구멍(42)의 수는 4개에 한정되는 것은 아니고, 2개라도 좋고, 3개라도 좋고, 5개 이상이라도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 원주 홈 내측 영역(20c)에 다수의 볼록부(25)를 설치했지만, 볼록부(25)를 설치하지 않아도 좋다. 도 5∼도 8에 있어서도, 볼록부(25)를 설치해도 좋고, 설치하지 않아도 좋다.
실시예
실시예 1로서 전술한 실시형태의 정전척 히터(10)를 제작하고, 실시예 2로서 원주 홈 내측 영역(20c)의 볼록부(25)를 갖지 않는 것 이외에는 정전척 히터(10)와 동일한 것을 제작했다. 실시예 1, 2의 구체적인 치수를 표 1에 나타낸다.
실시예 1, 2의 정전척 히터를 이용하여, 웨이퍼(W)의 상면에 CVD에 의해 도전막(F)을 형성하는 처리를, 연속하여 300장 행했다. 웨이퍼 처킹 시의 웨이퍼 이면측 압력(가스압)은 10 Torr, 챔버 압력은 4 Torr로 했다. 그 결과, 실시예 1, 2 모두, 최외주 돌기군(22)을 이루는 복수의 돌기(23)의 상면에는 도전막이 부착되지 않았고, 시종, 웨이퍼(W)를 양호하게 처킹할 수 있었다. 또한, 원주 홈(24)을 갖지 않는 이외는 정전척 히터(10)와 동일한 것을 비교예로서 제작하고, 동일한 처리를 행한 바, 평가 온도를 550℃로 했을 때의 웨이퍼 균열성은, 표 2에 나타내는 바와 같이 비교예보다도 실시예 1, 2쪽이 우수했다. 웨이퍼 균열성은, 웨이퍼를 평가 온도가 되도록 제어했을 때의 웨이퍼 전체의 온도의 최대치와 최소치의 차로 했다.
본 출원은, 2018년 3월 26일에 출원된 미국 가출원 제62/647,965호를 우선권주장의 기초로 하고 있으며, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은, 웨이퍼에 도전막을 형성하는 정전척 히터에 이용 가능하다.
10 : 정전척 히터, 20 : 세라믹 기체,
20a : 웨이퍼 배치면, 20b : 이면,
20c : 원주 홈 내측 영역, 21 : 환상 영역,
22 : 최외주 돌기군, 23 : 돌기,
24 : 원주 홈, 24a : 홈,
25 : 볼록부, 26 : 정전 전극,
28 : 저항 발열체, 40 : 중공 샤프트,
42 : 관통 구멍, 42a, 42b : 개구,
46 : 분기로, 47 : 원주 구멍,
48 : 수직 구멍, 50 : 플러그,
52 : 소구멍, 110 : 웨이퍼 지지대,
120 : 세라믹 기체, 122 : 웨이퍼 접촉면,
130 : 링, 140 : 중공 샤프트,
142 : 관통 구멍, F : 도전막,
S : 웨이퍼 아래쪽 공간, W : 웨이퍼.

Claims (8)

  1. 웨이퍼에 도전막을 형성하는 데 이용되는 존슨 라벡형의 정전척 히터로서,
    한쪽의 면이 상기 웨이퍼를 배치하는 웨이퍼 배치면이며, 정전 전극과 저항 발열체를 구비한 원판형상의 세라믹 기체(基體)와,
    상기 세라믹 기체 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 부착된 중공 샤프트와,
    상기 웨이퍼 배치면 중 상기 웨이퍼의 직경보다도 외직경이 작은 환상 영역에 있어서 상기 세라믹 기체의 동심원을 따라 나열된 복수의 돌기를 포함하는 최외주 돌기군과,
    상기 최외주 돌기군의 내측에 설치된 원주 홈과,
    상기 중공 샤프트의 둘레벽의 하단으로부터 상기 웨이퍼 배치면 중 상기 원주 홈의 내측의 영역까지 관통하도록 상기 중공 샤프트의 둘레벽에 복수 설치되고, 상기 웨이퍼 배치면과 상기 최외주 돌기군과 상기 웨이퍼 배치면에 배치되는 상기 웨이퍼에 의해 둘러싸이는 웨이퍼 아래쪽 공간에, 상기 중공 샤프트의 하단으로부터 가스를 공급할 수 있고, 상기 웨이퍼 배치면 중 상기 원주 홈의 내측의 영역 중 중앙부에 개구하는 관통 구멍과,
    상기 세라믹 기체의 내부에 설치되고, 각각의 상기 관통 구멍으로부터 반경 외방향으로 연장되는 분기로와,
    상기 세라믹 기체의 내부에 설치되고, 상기 분기로의 외주측의 단부에 연통하고, 상기 세라믹 기체와 동심이 되는 원주 구멍과,
    상기 세라믹 기체의 내부에서 상기 세라믹 기체와 동심이 되는 둘레방향을 따라 복수 설치되고, 상기 원주 구멍에 연통하고, 상기 원주 홈의 내측의 영역 중 외주부에 개구하는 수직 구멍
    을 구비한 정전척 히터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 배치면 중 상기 원주 홈의 내측의 영역에, 상기 웨이퍼와 맞닿을 수 있는 복수의 볼록부가 설치되어 있는 것인, 정전척 히터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 관통 구멍 중 상기 웨이퍼 배치면에서의 개구부는, 상기 관통 구멍보다도 직경이 작은 복수의 소구멍으로 구성되어 있는 것인, 정전척 히터.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 웨이퍼 아래쪽 공간에 공급되는 가스가 상기 웨이퍼를 밀어 올리는 힘은, 상기 정전 전극에 통전함으로써 발생하는 웨이퍼 처킹력과 상기 웨이퍼의 위쪽의 분위기가 상기 웨이퍼를 밀어 내리는 힘과의 합보다 작은 것인, 정전척 히터.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 정전 전극은, 플라즈마 전극으로서도 이용되는 것인, 정전척 히터.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 원주 홈의 내측에, 상기 원주 홈에 연결되는 방사상 홈을 갖고 있는 것인, 정전척 히터.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 돌기의 상면의 표면 조도 Ra는 1㎛ 이상인 것인, 정전척 히터.
  8. 삭제
KR1020197037329A 2018-03-26 2019-03-20 정전척 히터 KR102612810B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862647965P 2018-03-26 2018-03-26
US62/647,965 2018-03-26
PCT/JP2019/011762 WO2019188681A1 (ja) 2018-03-26 2019-03-20 静電チャックヒータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200133657A KR20200133657A (ko) 2020-11-30
KR102612810B1 true KR102612810B1 (ko) 2023-12-11

Family

ID=68060049

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207017993A KR102411272B1 (ko) 2018-03-26 2019-02-19 정전척 히터
KR1020197037329A KR102612810B1 (ko) 2018-03-26 2019-03-20 정전척 히터

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207017993A KR102411272B1 (ko) 2018-03-26 2019-02-19 정전척 히터

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11688590B2 (ko)
JP (2) JP7239560B2 (ko)
KR (2) KR102411272B1 (ko)
CN (2) CN111448647B (ko)
TW (2) TWI791774B (ko)
WO (2) WO2019187785A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111448647B (zh) * 2018-03-26 2023-08-01 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
CN111549333B (zh) * 2020-04-27 2021-11-02 长江存储科技有限责任公司 薄膜沉积装置及3d存储器件的制造方法
CN111607785A (zh) * 2020-05-26 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 一种加热装置及半导体加工设备
US11495483B2 (en) * 2020-10-15 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Backside gas leakby for bevel deposition reduction
JP2023550044A (ja) * 2020-11-18 2023-11-30 ラム リサーチ コーポレーション シールを含む台座
TW202335174A (zh) * 2022-02-15 2023-09-01 美商瓦特洛威電子製造公司 針對半導體夾盤及加熱器之製造的固態接合方法
WO2024057973A1 (ja) * 2022-09-12 2024-03-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック及び基板処理装置
JP7343069B1 (ja) 2023-03-27 2023-09-12 Toto株式会社 静電チャック

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344766A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JP2009256789A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Ngk Insulators Ltd セラミックスヒータ

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5324627B1 (ko) 1967-09-01 1978-07-21
JPH09172055A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Fujitsu Ltd 静電チャック及びウエハの吸着方法
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
JPH09256153A (ja) * 1996-03-15 1997-09-30 Anelva Corp 基板処理装置
US6063202A (en) * 1997-09-26 2000-05-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus for backside and edge exclusion of polymer film during chemical vapor deposition
US6179924B1 (en) * 1998-04-28 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten
KR100404778B1 (ko) 1998-10-29 2003-11-07 동경 엘렉트론 주식회사 진공 처리 장치
JP3965258B2 (ja) * 1999-04-30 2007-08-29 日本碍子株式会社 半導体製造装置用のセラミックス製ガス供給構造
JP3805134B2 (ja) 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
US6377437B1 (en) 1999-12-22 2002-04-23 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
TW473792B (en) * 2000-01-20 2002-01-21 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck
US6494955B1 (en) * 2000-02-15 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US6223447B1 (en) * 2000-02-15 2001-05-01 Applied Materials, Inc. Fastening device for a purge ring
JP4312394B2 (ja) * 2001-01-29 2009-08-12 日本碍子株式会社 静電チャックおよび基板処理装置
US6628503B2 (en) 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
JP2003168725A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Kyocera Corp ウエハ支持部材及びその製造方法
JP2004022585A (ja) 2002-06-12 2004-01-22 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック
JP4247739B2 (ja) 2003-07-09 2009-04-02 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックによるガラス基板の吸着方法および静電チャック
DE602004032100D1 (de) * 2003-11-05 2011-05-19 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Vorrichtungs-Halteverfahren
EP1530088B1 (en) * 2003-11-05 2007-08-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7019820B2 (en) 2003-12-16 2006-03-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005145270A (ja) 2003-11-17 2005-06-09 Yokohama Rubber Co Ltd:The 重荷重用空気入りタイヤ
KR100666039B1 (ko) * 2003-12-05 2007-01-10 동경 엘렉트론 주식회사 정전척
JP4098259B2 (ja) * 2004-02-27 2008-06-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
TWI267940B (en) * 2004-06-28 2006-12-01 Kyocera Corp Electrostatic chuck
JP4540407B2 (ja) * 2004-06-28 2010-09-08 京セラ株式会社 静電チャック
JP4942364B2 (ja) * 2005-02-24 2012-05-30 京セラ株式会社 静電チャックおよびウェハ保持部材並びにウェハ処理方法
US7646580B2 (en) * 2005-02-24 2010-01-12 Kyocera Corporation Electrostatic chuck and wafer holding member and wafer treatment method
JP4590364B2 (ja) * 2005-03-16 2010-12-01 日本碍子株式会社 処理装置
KR20070050111A (ko) 2005-11-10 2007-05-15 주성엔지니어링(주) 균일한 온도제어를 위한 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마발생장치
US8440049B2 (en) * 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
JP5003102B2 (ja) * 2006-10-27 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの診断方法、真空処理装置及び記憶媒体
JP4944600B2 (ja) 2006-12-28 2012-06-06 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
JP2010021510A (ja) * 2008-06-13 2010-01-28 Canon Anelva Corp 基板保持装置およびプラズマ処理装置
KR20100046909A (ko) 2008-10-28 2010-05-07 주성엔지니어링(주) 정전 흡착 장치와 그의 제조방법
JP5554525B2 (ja) 2009-08-25 2014-07-23 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
US8637794B2 (en) 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
JP5618638B2 (ja) 2010-06-07 2014-11-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置または試料載置台
US8546732B2 (en) 2010-11-10 2013-10-01 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
JP5550602B2 (ja) * 2011-04-28 2014-07-16 パナソニック株式会社 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置
US9117867B2 (en) * 2011-07-01 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
JP6285620B2 (ja) * 2011-08-26 2018-02-28 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
KR20130098707A (ko) 2012-02-28 2013-09-05 삼성전자주식회사 정전 척 장치 및 그 제어방법
JP5807032B2 (ja) * 2012-03-21 2015-11-10 日本碍子株式会社 加熱装置及び半導体製造装置
US9948214B2 (en) * 2012-04-26 2018-04-17 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability
JP3187554U (ja) * 2012-09-24 2013-12-05 日本碍子株式会社 静電チャック
JP6070827B2 (ja) * 2013-03-29 2017-02-01 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP6697363B2 (ja) * 2015-10-30 2020-05-20 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材、その製法及びシャフト付きヒータ
CN108476006B (zh) * 2015-11-02 2022-04-15 沃特洛电气制造公司 用于高温半导体加工中夹持的静电卡盘及其制造方法
JP6693808B2 (ja) * 2016-05-25 2020-05-13 日本特殊陶業株式会社 電極内蔵型載置台構造
KR102644272B1 (ko) * 2016-10-31 2024-03-06 삼성전자주식회사 정전척 어셈블리
US11232966B2 (en) * 2018-02-01 2022-01-25 Lam Research Corporation Electrostatic chucking pedestal with substrate backside purging and thermal sinking
CN111448647B (zh) * 2018-03-26 2023-08-01 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344766A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JP2009256789A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Ngk Insulators Ltd セラミックスヒータ

Also Published As

Publication number Publication date
US11688590B2 (en) 2023-06-27
US11664203B2 (en) 2023-05-30
TW201946203A (zh) 2019-12-01
CN110753995B (zh) 2023-10-03
KR20200133657A (ko) 2020-11-30
WO2019187785A1 (ja) 2019-10-03
KR102411272B1 (ko) 2022-06-22
TWI784145B (zh) 2022-11-21
JPWO2019187785A1 (ja) 2021-04-15
WO2019188681A1 (ja) 2019-10-03
US20200126773A1 (en) 2020-04-23
CN111448647A (zh) 2020-07-24
KR20200085339A (ko) 2020-07-14
TW201941356A (zh) 2019-10-16
CN111448647B (zh) 2023-08-01
JP7239560B2 (ja) 2023-03-14
US20200312696A1 (en) 2020-10-01
JPWO2019188681A1 (ja) 2020-07-02
JP6948458B2 (ja) 2021-10-13
CN110753995A (zh) 2020-02-04
TWI791774B (zh) 2023-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102612810B1 (ko) 정전척 히터
KR101520245B1 (ko) 서셉터 상에 배치된 기판을 코팅하는 장치
JP4669476B2 (ja) 半導体製造時にウェハを支持するホルダ
JPH04256311A (ja) 半導体ウェーハ処理装置のサセプタの熱分布を向上するサセプタ用スポーク支持体
JP6588367B2 (ja) 基板支持部材
KR102460310B1 (ko) 기판 지지대 및 기판 처리 장치
KR102090999B1 (ko) 쿼츠 히터
KR101393029B1 (ko) 진공 확산 통로의 단면적이 변하는 포러스 척
JP2019533309A (ja) 熱接触が制御された加熱装置
JP2010278196A (ja) 基板保持治具
JP2020115536A (ja) 試料保持具
JP4306080B2 (ja) 静電チャックユニット
JP5524782B2 (ja) ヒータユニット、及び半導体ウエハ製造方法
KR102592338B1 (ko) 일체형 다공성 필터를 포함하는 정전척 및 이의 제조 방법
KR102507875B1 (ko) 정전척 및 정전척 제조 방법
KR20220128543A (ko) 리프트 핀 및 이를 갖는 반도체 소자 제조 장치
JP2021093428A (ja) 試料保持具
JP2019220554A (ja) 基板載置部材
JPH0666266B2 (ja) バレル型気相成長装置
KR20110027933A (ko) 비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant