KR101356664B1 - 측방배기 방식 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의함현, 기판 처리 장치는, 상부가 개방되며, 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간이 제공되는 챔버본체; 상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 챔버본체의 상부를 폐쇄하는 챔버리드; 그리고 상기 챔버리드의 하부에 설치되어 상기 내부공간을 향하여 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하되, 상기 챔버본체는, 측벽을 따라 내부에 형성되며, 상기 내부공간 내의 가스를 수렴하는 하나 이상의 수렴포트; 측벽에 형성되어 상기 수렴포트와 상기 내부공간을 연통하는 복수의 내측배기홀들; 그리고 상기 수렴포트에 각각 연결되는 복수의 내측배기포트들을 가진다.

Description

측방배기 방식 기판처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING APPARATUS HAVING SIDE PUMPING TYPE}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 측방배기 방식을 이용한 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판 표시 장치는 복수의 박막 증착 공정과 에칭 공정을 통해 제작된다. 즉, 증착공정을 통해 기판 상에 박막을 형성하고, 마스크를 이용한 에칭 공정을 통해 불필요한 박막의 일부를 제거하여, 기판 상에 원하는 소정의 회로패턴(pattern) 또는 회로 소자를 형성한다.
증착공정은 진공 분위기를 형성한 공정챔버 내에서 이루어질 수 있으며, 기판은 공정챔버 내에 로딩된다. 샤워헤드는 기판의 상부에 설치되어 기판을 향해 공정가스를 공급하며, 공정가스는 기판 상에 증착되어 원하는 박막을 형성한다.
한편, 증착공정은 배기과정과 함께 이루어지며, 배기과정에서 증착을 통해 발생된 공정부산물 및 미반응가스는 공정챔버의 외부로 배출된다.
한국공개특허공보 10-2006-0093611호 2006. 8. 25.
본 발명의 목적은 측방배기 방식을 이용한 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 균일한 배기를 통해 기판 상에 증착된 박막의 균일도를 확보할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의함현, 기판 처리 장치는, 상부가 개방되며, 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간이 제공되는 챔버본체; 상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 챔버본체의 상부를 폐쇄하는 챔버리드; 그리고 상기 챔버리드의 하부에 설치되어 상기 내부공간을 향하여 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하되, 상기 챔버본체는, 측벽을 따라 내부에 형성되며, 상기 내부공간 내의 가스를 수렴하는 하나 이상의 수렴포트; 측벽에 형성되어 상기 수렴포트와 상기 내부공간을 연통하는 복수의 내측배기홀들; 그리고 상기 수렴포트에 각각 연결되는 복수의 내측배기포트들을 가진다.
상기 기판 처리 장치는 상기 기판이 상부에 로딩되며 승강에 의해 상기 기판이 로딩되는 로딩위치 및 상기 기판에 대한 상기 공정이 이루어지는 공정위치로 전환가능한 서셉터를 더 포함하며, 상기 내측배기홀들은 상기 공정위치에 놓여진 상기 서셉터의 상부와 상기 샤워헤드 사이에 위치할 수 있다.
상기 챔버본체는 측벽에 형성되어 상기 기판이 상기 내부공간으로 출입하는 통로를 가지며, 상기 수렴포트 및 상기 내측배기홀들은 상기 통로의 상부에 위치할 수 있다.
상기 내측배기홀들의 직경은 상기 내측배기포트들로부터 이격된 거리에 따라 서로 다를 수 있다.
상기 내측배기홀들의 직경은 상기 내측배기포트들로부터 이격된 거리에 따라 비례할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 수렴포트 상에 설치되며 복수의 분배홀들을 가지는 분배링을 더 포함할 수 있다.
상기 분배홀들의 직경은 상기 내측배기포트들로부터 이격된 거리에 따라 서로 다를 수 있다.
상기 분배홀들의 직경은 상기 내측배기포트들로부터 이격된 거리에 따라 비례할 수 있다.
상기 분배홀들은 상기 내측배기홀들의 사이에 각각 배치될 수 있다.
상기 수렴포트는 링 형상일 수 있다.
상기 수렴포트는 상기 챔버본체의 상부면으로부터 함몰형성될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 수렴포트의 개방된 상부를 폐쇄하는 포트커버를 더 가질 수 있다.
상기 기판처리장치는, 상기 챔버본체의 외측을 통해 상기 내측배기포트들에 각각 연결되는 복수의 외측배기포트들; 그리고 상기 외측배기포트들에 연결되는 메인포트를 더 포함할 수 있다.
상기 기판처리장치는, 상기 외측배기포트들에 각각 설치되어 상기 외측배기포트들을 통해 배출되는 상기 가스의 유량을 조절하는 유량조절밸브들; 그리고 상기 유량조절밸브들에 각각 연결되며, 상기 유량조절밸브들을 제어하여 상기 가스의 배출량을 동일하게 조절하는 제어기를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면 측방배기 방식을 통해 공정부산물 및 미반응가스를 공정챔버의 외부로 배출할 수 있다. 특히, 균일한 배기를 통해 기판 상에 증착된 박막의 균일도를 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시한 내측배기홀 및 분배링, 그리고 내측배기포트들을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 챔버 본체의 하부를 나타내는 도면이다.
도 4 및 도 5는 공정가스의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 6을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
한편, 이하에서는 증착장치를 예로 들어 설명하나, 본 발명은 다양한 기판처리장치에 응용될 수 있다. 또한, 이하에서는 웨이퍼을 예로 들어 설명하나, 본 발명은 다양한 피처리체에 응용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판처리장치(1)는 챔버본체(10) 및 챔버리드(chamber lid)(20)를 포함한다. 챔버본체(10)는 상부가 개방된 형상이며, 챔버리드(20)는 챔버본체(10)의 개방된 상부를 개폐한다. 챔버리드(20)가 챔버본체(10)의 개방된 상부를 폐쇄하면, 챔버본체(10) 및 챔버리드(20)는 외부로부터 폐쇄된 내부공간을 형성한다.
챔버본체(10)는 내부공간에 해당하는 챔버 내부(11)를 가지며, 웨이퍼는 챔버본체(10)의 일측에 형성된 통로(10a)를 통해 챔버 내부(11)에 로딩된다. 서셉터(50)는 챔버 내부(11)에 설치되며, 로딩된 웨이퍼는 서셉터(50)의 상부면에 놓인다. 회전축(51)은 서셉터(50)의 하부에 연결된다. 회전축(51)은 서셉터(50)를 지지할 뿐만 아니라, 공정진행 중 서셉터(50)를 회전한다. 박막은 공정에 의해 웨이퍼에 증착되며, 박막은 균일한 두께(uniform thickness)를 가질 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 샤워헤드(40)는 평판 형상이며, 챔버본체(10)와 챔버리드(20) 사이에 설치된다. 따라서, 챔버본체(10)의 개방된 상부는 샤워헤드(40) 및 챔버리드(20)에 의해 폐쇄된다. 그러나, 샤워헤드(40)는 별도의 체결부재를 통해 챔버리드(20)의 하부면에 고정될 수 있으며, 챔버본체(10)의 개방된 상부는 챔버리드(20)에 의해 폐쇄될 수 있다.
가스공급포트(21)는 챔버리드(20)의 내부에 형성되며, 공정가스는 가스공급포트(21)를 통해 공급된다. 샤워헤드(40)는 오목한 상부면을 가지며, 오목한 상부면은 챔버리드(20)의 하부면으로부터 이격되어 버퍼공간을 형성한다. 공정가스는 가스공급포트(21)를 통해 버퍼공간 내에 채워지며, 샤워헤드(40)를 통해 챔버 내부(11)에 공급된다. 샤워헤드(40)는 복수의 분사홀들(42)을 가지며, 공정가스는 분사홀들(42)을 통해 챔버 내부(11)에 분사된다. 공정가스는 웨이퍼의 표면으로 이동하여 웨이퍼의 표면에서 박막을 형성하며, 공정가스는 박막의 종류에 따라 선택될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시한 내측배기홀 및 분배링, 그리고 내측배기포트들을 나타내는 단면도이다. 챔버본체(10)는 수렴포트(12) 및 내측배기홀(14), 내측배기포트(32)를 가진다. 수렴포트(12)는 챔버본체(10)의 측벽에 형성되며, 챔버본체(10)의 측벽은 서셉터(50)를 둘러싼다. 수렴포트(12)는 챔버본체(10)의 상부면으로부터 함몰형성되며, 포트커버(16)는 수렴포트(12)의 개방된 상부를 폐쇄한다. 다만, 본 실시예와 달리, 수렴포트(12)의 개방된 상부는 챔버리드(20)에 의해 폐쇄될 수 있다.
수렴포트(12)는 링 형상이며, 챔버본체(10)의 측벽을 따라 형성된다. 수렴포트(12)는 통로(10a)의 상부에 위치한다. 도 2는 하나의 링 형상을 가지는 수렴포트(12)를 도시하고 있으나, 수렴포트(12)는 분할형성된 복수개 일 수 있으며, 전체적으로 하나의 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 원형 웨이퍼가 아닌 사각 형상의 기판인 경우, 수렴포트(12)는 사각링 형상일 수 있다.
내측배기홀들(14)은 챔버본체(10)의 측벽을 따라 이격형성되며, 수렴포트(12)와 챔버 내부(11)를 연통한다. 공정진행시 발생하는 반응부산물 및 미반응가스는 내측배기홀들(14)을 통해 수렴포트(12)로 유입될 수 있다. 내측배기포트(32)는 수렴포트(12)에 연결되며, 챔버본체(10)의 하부를 향해 연장된다. 따라서, 반응부산물 및 미반응가스는 수렴포트(12)로부터 내측배기포트(32)로 이동가능하며, 내측배기포트(32)를 통해 챔버본체(10)의 외부로 배출될 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 분배링(18)은 수렴포트(12) 상에 설치되며, 복수의 분배홀들(18a)을 가질 수 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 분배홀들(18a)은 내측배기홀들(14)의 사이에 배치될 수 있다. 분배링(18)은 수렴포트(12)와 대체로 동일한 형상일 수 있으며, 챔버본체(10)의 측벽을 따라 형성된 링 형상일 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 수렴포트(12)가 분할형성된 복수개인 경우, 분배링(18)은 분할되어 각각의 수렴포트(12) 상에 설치될 수 있다. 반응부산물 및 미반응가스는 수렴포트(12)로 유입된 후 분배링(18)의 분배홀들(18a)을 통해 내측배기포트(32)로 이동할 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 내측배기포트들(32)은 서셉터(50)(또는 서셉터(50)에 놓여진 기판)의 중심을 기준으로 등각(예를 들어, 120°)을 이루도록 배치될 수 있다. 따라서, 내측배기포트들(32)을 통해 챔버 내부(11)의 반응부산물 등을 강제배기할 경우, 내측배기포트들(32)에 각각 제공된 압력은 어느 방향으로도 편중되지 않은 상태로 균형을 이룰 수 있다. 본 실시예와 달리, 내측배기포트들(32)은 2개이거나 4개 이상일 수 있다.
도 3은 도 1에 도시한 챔버 본체의 하부를 나타내는 도면이다. 외측배기포트들(34)은 내측배기포트들(32)에 각각 연결되며, 메인포트(36)는 연결포트(35)를 통해 외측배기포트들(34)에 연결된다. 메인포트(36)는 배기펌프(도시안함)에 연결될 수 있으며, 배기펌프를 작동할 경우, 메인포트(36) 내에 형성된 낮은 압력은 메인포트(36)(또는 외측배기포트(34))와 챔버 내부(11) 사이에 압력차를 형성한다. 따라서, 반응부산물 등은 내측배기포트(32) 및 외측배기포트(34)를 통해 메인포트(36)로 이동한다. 압력조절밸브(38)는 메인포트(36) 상에 연결되며, 메인포트(36)를 부분적으로 또는 전체적으로 개폐하여 챔버 내부(11)의 압력을 조절한다. 한편, 본 실시예는 외측배기포트들(34)이 챔버본체(10)의 하부를 통해 내측배기포트들(32)에 각각 연결되었으나, 외측배기포트들(34)은 챔버본체(10)의 측부를 통해 내측배기포트들(32)에 각각 연결될 수 있다.
한편, 회전축(51)은 챔버본체(10)의 하부를 통해 지지대(28)에 연결되며, 지지대(28)는 하부연결부(26) 상에 안착된다. 하부연결부(26)는 별도의 구동장치(도시안함)에 의해 승강가능하며, 이를 통해 회전축(51)은 지지대(28)와 함께 승강가능하다. 상부연결부(22)는 챔버본체(10)의 하부에 연결되며, 벨로우즈(24)는 상부연결부(22) 및 하부연결부(26)에 각각 연결되어 챔버 내부(11)를 외부로부터 차단한다. 따라서, 챔버 내부(11)는 하부연결부(26)의 승강에 관계없이 진공상태를 유지할 수 있다.
서셉터(50)는 회전축(51)과 함께 승강하며, 웨이퍼가 로딩되는 위치("로딩위치") 및 웨이퍼에 대한 공정이 이루어지는 위치("공정위치")로 전환된다. 웨이퍼는 통로(10a)를 통해 챔버 내부(11)에 로딩되며, 웨이퍼는 로딩위치에 놓여진 서셉터(50)의 상부에 놓인다. 서셉터(50)가 로딩위치에 있을 때 서셉터(50)는 통로(10a) 보다 낮은 높이에 위치할 수 있다. 서셉터(50)는 회전축(51)과 함께 상승하여 샤워헤드(40)를 향해 이동하며, 서셉터(50)가 샤워헤드(40)에 근접한 상태(도 1에 도시)에서 웨이퍼에 대한 공정이 이루어진다. 공정완료시, 서셉터(50)는 회전축(51)과 함께 하강하여 로딩위치로 복귀하며, 공정이 완료된 기판은 챔버본체(10)의 외부로 언로딩될 수 있다.
도 4 및 도 5는 공정가스의 흐름을 나타내는 도면이다. 공정진행시 서셉터(50)는 상승하여 공정위치로 이동하며, 이때, 서셉터(50)는 통로(10a) 보다 높은 위치에 위치할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 공정가스는 가스공급포트(21)를 통해 버퍼공간 내에 채워지며, 샤워헤드(40)의 분사홀들(42)을 통해 서셉터(50)의 상부를 향해 분사된다. 공정가스는 서셉터(50)에 놓여진 웨이퍼의 표면으로 이동하여 웨이퍼의 표면에서 박막을 형성한다.
배기펌프는 공정진행 중 작동하며, 배기펌프로 인해 챔버 내부(11)와 메인포트(36)(또는 외측배기포트(34)) 사이에 형성된 압력차에 의해 반응부산물 및 미반응가스는 외부로 배출될 수 있다. 수렴포트(12)는 공정위치에 놓여진 서셉터(50)의 주변에 위치하며, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 공정진행중 발생하는 반응부산물 및 미반응가스는 서셉터(50)의 반경방향으로 이동한 후 내측배기홀들(14)을 통해 수렴포트(12)로 유입된다. 즉, 서셉터(50)를 향해 분사된 공정가스는 웨이퍼의 표면으로 이동함과 동시에, 반응부산물 및 미반응가스의 형태로 가장 근접한 내측배기홀들(14)을 통과하여 수렴포트(12)로 유입되며, 분배홀들(18a)을 통해 가장 근접한 내측배기포트들(32)로 이동한다.
이때, 서셉터(50)가 샤워헤드(40)와 근접한 상태에서, 내측배기홀들(14)은 샤워헤드(40)와 서셉터(50) 사이에 위치한다. 공정가스는 서셉터(50)와 샤워헤드(40) 사이에 공급되며, 웨이퍼의 표면에 박막을 형성한 후 반응부산물 등의 형태로 내측배기홀들(14)을 통해 수렴포트(12)로 이동한다. 공정가스 또는 반응부산물 등은 서셉터(50)의 하부로 이동하지 않으며, 공정가스가 확산되는 영역을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 반응부산물 등을 빠르게 배출할 수 있다. 특히, 반응부산물 등이 서셉터(50) 하부에 위치하는 챔버본체(10)의 내벽 등에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 반면에, 하방 배기(bottom pumping)의 경우, 챔버본체(10)의 하부에 배기장치를 연결하며, 반응부산물 등은 서셉터(50)의 하부를 통해 배출되므로, 공정가스가 확산되는 영역이 증가할 뿐만 아니라 반응부산물 등을 빠르게 배출할 수 없다. 또한, 반응부산물 등이 챔버본체(10)의 내벽 등에 증착될 우려가 있다.
한편, 메인포트(36)의 내부는 배기펌프에 의해 낮은 압력이 형성되며, 낮은 압력은 외측배기포트들(34) 및 내측배기포트들(32)에 각각 분산된다. 마찬가지로, 내측배기포트(32)의 낮은 압력은 분배링(18)의 분배홀들(18a)을 통해 수렴포트(12) 내에 분산되며, 내측배기홀들(14)을 통해 챔버 내부(11)에 균일하게 전달될 수 있다. 즉, 챔버 내부(11)와 메인포트(36)(또는 내측배기포트들(32)) 사이에 형성된 압력차는 챔버 내부(11)의 위치에 따라 집중되지 않으며, 도 5에 도시한 바와 같이, 공정가스 또는 반응부산물 등은 내측배기홀들(14)을 통해 균일하게 배출될 수 있다.
특히, 분배홀들(18a)은 내측배기홀들(14) 사이에 배치되므로, 내측배기포트들(32)의 내부와 챔버 내부(11) 사이에 형성된 압력차는 더욱 효과적으로 분산된다. 즉, 하나의 분배홀(18a)에 형성된 낮은 압력은 두 개의 내측배기홀들(14)에 각각 전달되므로, 분배홀들(18a)의 배치를 통해 압력분산효과를 극대화할 수 있다.
챔버 내부(11)의 반응부산물 등을 서셉터(50)의 위치에 관계 없이 균일하게 배출하는 것은 증착 균일도(uniformity)와 밀접한 관련이 있다. 증착 균일도는 공정가스의 균일한 유동에 의해 달성될 수 있으며, 공정가스의 균일한 유동은 배기 균일도에 따라 달성될 수 있다.
한편, 도 2 및 도 5는 동일한 직경을 가지는 내측배기홀들(14) 및 분배홀들(18a)을 도시하였으나, 내측배기홀들(14) 및 분배홀들(18a)의 직경을 서로 다르게 하여 반응부산물 등의 배출을 더욱 균일하게 할 수 있다. 즉, 내측배기포트(32)의 존재로 인해, 반응부산물 등의 유동은 내측배기포트(32)를 향하는 방향(세방향)으로 집중될 수 있으며, 이로 인해, 내측배기포트(32)를 향하는 방향이 내측배기포트(32)를 향하지 않는 방향에 비해 상대적인 배출량이 많을 수 있다. 따라서, 내측배기홀들(14) 또는 분배홀들(18a)의 직경은 내측배기포트(32)로부터 이격된 거리에 따라 서로 다를 수 있으며, 내측배기홀들(14) 또는 분배홀들(18a)의 직경은 내측배기포트(32)로부터 이격된 거리에 비례할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 유량조절밸브들(mass flow controller)(34a)은 외측배기포트들(34)에 각각 설치될 수 있으며, 유량조절밸브들(34a)은 외측배기포트들(34)을 각각 개폐하여 유량을 조절할 수 있다. 제어기(도시안함)는 유량조절밸브들(34a)에 각각 연결되어 유량조절밸브들(34a)을 각각 제어할 수 있으며, 외측배기포트들(34)의 유량을 동일하게 조절하여 외측배기포트들(34)을 통해 배출되는 반응부산물 등의 양을 동일하게 조절할 수 있다.
1 : 기판처리장치 10 : 챔버본체
11 : 내부공간 12 : 수렴포트
14 : 내측배기홀 16 : 포트커버
20 : 챔버리드 21 : 가스공급포트
22 : 상부연결부 24 : 벨로우즈
26 : 하부연결부 28 : 지지대
32 : 내측배기포트 34 : 외측배기포트
35 : 연결포트 36 : 메인포트
38 : 압력조절밸브 40 : 샤워헤드
42 : 분사홀 50 : 서셉터
51 : 회전축 52 : 리프트핀

Claims (14)

  1. 상부가 개방되며, 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간이 제공되는 챔버본체;
    상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 챔버본체의 상부를 폐쇄하는 챔버리드; 및
    상기 챔버리드의 하부에 설치되어 상기 내부공간을 향하여 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하되,
    상기 챔버본체는,
    측벽을 따라 내부에 형성되며, 상기 내부공간 내의 가스를 수렴하는 하나 이상의 수렴포트;
    측벽에 형성되어 상기 수렴포트와 상기 내부공간을 연통하는 복수의 내측배기홀들; 및
    상기 수렴포트에 각각 연결되는 복수의 내측배기포트들을 가지며,
    상기 기판 처리 장치는 상기 수렴포트 상에 설치되며 복수의 분배홀들을 가지는 분배링을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 기판이 상부에 로딩되며 승강에 의해 상기 기판이 로딩되는 로딩위치 및 상기 기판에 대한 상기 공정이 이루어지는 공정위치로 전환가능한 서셉터를 더 포함하며,
    상기 내측배기홀들은 상기 공정위치에 놓여진 상기 서셉터의 상부와 상기 샤워헤드 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 챔버본체는 측벽에 형성되어 상기 기판이 상기 내부공간으로 출입하는 통로를 가지며,
    상기 수렴포트 및 상기 내측배기홀들은 상기 통로의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내측배기홀들의 직경은 상기 내측배기포트들로부터 이격된 거리에 따라 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내측배기홀들의 직경은 상기 내측배기포트들로부터 이격된 거리에 따라 비례하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 수렴포트는 상기 챔버본체의 상부면으로부터 함몰형성되며,
    상기 기판 처리 장치는 상기 수렴포트의 개방된 상부를 폐쇄하는 포트커버를 더 가지는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 분배홀들의 직경은 상기 내측배기포트들로부터 이격된 거리에 따라 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 분배홀들의 직경은 상기 내측배기포트들로부터 이격된 거리에 따라 비례하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 분배홀들은 상기 내측배기홀들의 사이에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 수렴포트는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 상부가 개방되며, 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간이 제공되는 챔버본체;
    상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 챔버본체의 상부를 폐쇄하는 챔버리드; 및
    상기 챔버리드의 하부에 설치되어 상기 내부공간을 향하여 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하되,
    상기 챔버본체는,
    상부면으로부터 함몰되어 측벽을 따라 내부에 형성되며, 상기 내부공간 내의 가스를 수렴하는 하나 이상의 링 형상인 수렴포트;
    측벽에 형성되어 상기 수렴포트와 상기 내부공간을 연통하는 복수의 내측배기홀들; 및
    상기 수렴포트에 각각 연결되는 복수의 내측배기포트들을 가지며,
    상기 기판 처리 장치는 상기 수렴포트의 개방된 상부를 폐쇄하는 포트커버를 더 가지는, 기판 처리 장치.
  12. 상부가 개방되며, 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간이 제공되는 챔버본체;
    상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 챔버본체의 상부를 폐쇄하는 챔버리드; 및
    상기 챔버리드의 하부에 설치되어 상기 내부공간을 향하여 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하되,
    상기 챔버본체는,
    상부면으로부터 함몰되어 측벽을 따라 내부에 형성되며, 상기 내부공간 내의 가스를 수렴하는 하나 이상의 수렴포트;
    측벽에 형성되어 상기 수렴포트와 상기 내부공간을 연통하는 복수의 내측배기홀들; 및
    상기 수렴포트에 각각 연결되는 복수의 내측배기포트들을 가지며,
    상기 기판 처리 장치는 상기 수렴포트의 개방된 상부를 폐쇄하는 포트커버를 더 가지는, 기판 처리 장치.
  13. 제1항,제6항,제11항,제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판처리장치는,
    상기 챔버본체의 외측을 통해 상기 내측배기포트들에 각각 연결되는 복수의 외측배기포트들; 및
    상기 외측배기포트들에 연결되는 메인포트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판처리장치는,
    상기 외측배기포트들에 각각 설치되어 상기 외측배기포트들을 통해 배출되는 상기 가스의 유량을 조절하는 유량조절밸브들; 및
    상기 유량조절밸브들에 각각 연결되며, 상기 유량조절밸브들을 제어하여 상기 가스의 배출량을 동일하게 조절하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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