KR20200083617A - 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

기판 처리 장치는, 기판을 수납하는 처리 용기와, 당해 처리 용기 내에서 기판을 적재하는 적재대와, 당해 처리 용기 내의 처리 가스를 배기하는 배기부와, 당해 처리 용기 내에 배치되어 적재대를 둘러싸는 격벽을 갖고, 당해 격벽의 내부에는, 전체 둘레에 걸쳐서 배기부에 통하는 배기 유로가 연직 방향으로 연신되어 형성되고, 당해 격벽의 내측이며 적재대의 상방에 형성된 기판 처리 공간과, 당해 배기 유로에 연통하는 복수의 개구가, 당해 격벽의 내측 둘레 방향을 따라 등간격으로 형성되어 있다.

Description

기판 처리 장치

(관련 출원의 상호 참조)

본원은, 2017년 11월 30일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-230140호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

본 발명은, 기판에 소정의 처리를 행할 때 사용되는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

최근, 반도체 디바이스의 미세화에 수반하여, 플라스마 에칭이나 습식 에칭과 같은 종래의 에칭 기술 대신에, 화학적 산화물 제거(Chemical Oxide Removal: COR) 처리라고 불리는, 보다 미세화 에칭이 가능한 방법이 사용되고 있다.

COR 처리는, 진공으로 유지된 처리 용기 내에서, 예를 들어 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)에 대하여 처리 가스를 공급하여, 당해 처리 가스와 예를 들어 웨이퍼 상에 형성된 막을 반응시켜서 생성물을 생성하는 처리이다. COR 처리에 의해 웨이퍼 표면에 생성된 생성물은, 다음 공정에서 가열 처리를 행함으로써 승화하고, 이에 의해 웨이퍼 표면의 막이 제거된다.

이러한 COR 처리는, 웨이퍼를 1매씩 처리하는 매엽식 처리 장치에서 행하여지지만, 최근에는, 스루풋의 향상을 도모하기 위해서, 복수매의 웨이퍼를 동시에 처리하는 처리 장치가 사용되는 경우가 있다(특허문헌 1).

특허문헌 1의 처리 장치에서는, 복수매, 예를 들어 2매의 웨이퍼 표면에서 처리 가스의 흐름이 불균일해지는 것을 방지하기 위해서, 처리 용기 내를 처리 공간과 배기 공간으로 상하로 칸막이하는 버퍼판을 마련하는 것이 제안되어 있다.

일본 특허 공개 2012-146854호 공보

그러나, 최근, 웨이퍼 처리의 균일성 요구가 엄격해지고 있다. 그 때문에, 처리 용기 내를 처리 공간과 배기 공간으로 단순히 상하로 칸막이하는 버퍼판을 마련하고, 당해 버퍼판의 하방으로부터 처리 공간 내의 분위기를 배기하는 구성으로는, 처리 가스의 흐름, 즉 균일성 및 유속을 적절하게 제어하는 것이 어렵다. 그 때문에 특히 웨이퍼의 주변부에서의 처리의 균일성, 웨이퍼 중앙부와의 처리의 균일성에 개선의 여지가 있었다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 처리 가스의 배기의 균일성을 개선하여, 기판 처리의 면내 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 일 형태는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며, 기판을 수납하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 기판을 적재하는 적재대와, 상기 처리 용기 내의 처리 가스를 배기하는 배기부와, 상기 처리 용기 내에 배치되어, 상기 적재대를 둘러싸는 격벽을 갖고 있다. 그리고 상기 격벽의 내부에는, 전체 둘레에 걸쳐서 상기 배기부에 통하는 배기 유로가 연직 방향으로 연신되어 형성되고, 상기 격벽의 내측이며 상기 적재대의 상방에 형성된 기판 처리 공간과, 상기 배기 유로에 연통하는 복수의 개구가, 상기 격벽의 내측 둘레 방향을 따라 등간격으로 형성되어 있다.

본 발명의 일 형태에 의하면, 기판 처리에 사용된 처리 가스는, 기판 처리 공간으로부터 배기될 때, 기판 상의 주변부로부터 격벽측을 향해서 흘러 나가, 격벽 내주의 둘레 방향을 따라 형성된 복수의 개구를 통과하여, 격벽 내부의 배기 유로로 유출된다. 그리고 그 후 당해 배기 유로로부터 배기부를 지나서 배기된다. 상기 개구는 격벽의 둘레 방향을 따라 균등하게 형성되어 있기 때문에, 처리 가스의 배기 유속은 감속된 상태로 격벽측을 향해서 균일하게 흐르고, 또한 개구와 연통하고 있는 격벽 내의 배기 유로는, 격벽 내에서 연직 방향으로 연신되어 형성되어 있으므로, 상기 감속 상태를 적절하게 유지할 수 있다. 그 결과 기판의 주변부에서는 처리 가스를 체류하지 않는 범위에서 충분히 유속을 떨어뜨릴 수 있고, 게다가 균일한 흐름으로 할 수 있다. 따라서, 처리 가스에 의한 처리를, 기판 주변부에서도 중앙부와 차가 없을 정도로 실현할 수 있고, 또한 기판 주변부에서도 균일한 처리를 실현할 수 있다.

본 발명의 일 형태에 의하면, 처리 가스를 사용해서 처리 용기 내의 적재대 상의 기판에 대하여 처리 가스를 공급해서 처리할 때, 처리 가스의 배기 유속을 적절하면서 또한 균일한 것으로 할 수 있어, 기판 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 2는 격벽의 구성의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 3은 도 2의 격벽을 각 구성 부품으로 분해해서 도시한 사시도이다.
도 4는 격벽의 주요부의 구성의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 5는 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치에 있어서, 격벽을 기판 반송 위치로 강하시킨 경우에 있어서의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 6은 개구 영역과 적재대 상의 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 설명이다.
도 7은 격벽을 비스듬히 하방에서 본 사시도이다.
도 8은 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치에서의 처리 가스의 흐름을 도시하는 설명도이다.
도 9는 종래의 웨이퍼 처리 장치에서의 주요부의 가스의 흐름을 도시하는 설명도이다.
도 10은 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치에서의 주요부의 가스의 흐름을 도시하는 설명도이다.
도 11은 도 9의 웨이퍼 처리 장치에서의 웨이퍼 표면 위치와 가스 유속의 분포 관계를 나타내는 그래프이다.
도 12는 도 10의 웨이퍼 처리 장치에서의 웨이퍼 표면 위치와 가스 유속의 분포 관계를 나타내는 그래프이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시 형태에서의 슬릿의 구성을 도시하는 격벽의 사시도이다.
도 14는 격벽이 기판 처리 위치에 있을 때의 처리 공간의 측 둘레면을 형성하는 부분의 상반부에 개구 영역을 설정했을 때의 가스의 흐름을 도시하는 설명도이다.
도 15는 격벽이 기판 처리 위치에 있을 때의 처리 공간의 측 둘레면을 형성하는 부분의 모두에 개구 영역을 설정했을 때의 가스의 흐름을 도시하는 설명도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.

우선, 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치로서의 웨이퍼 처리 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 장치(1)가, 예를 들어 웨이퍼(W)에 대하여 COR 처리를 행하는 COR 처리 장치인 경우에 대해서 설명한다.

도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 처리 장치(1)는, 기밀하게 구성된 처리 용기(10)와, 처리 용기(10) 내에서 웨이퍼(W)를 적재하는 복수, 본 실시 형태에서는 2대의 적재대(11, 11)와, 각 적재대(11)의 상방으로부터 적재대를 향해서 처리 가스를 공급하는 급기부(12)와, 각 적재대(11, 11)의 외측을 둘러싸고, 승강 가능하게 구성된 격벽(13)과, 처리 용기(10)의 저면에 고정되어, 상기 격벽(13)을 승강시키는 승강 기구(14)와, 처리 용기(10) 내를 배기하는 배기부(15)를 갖고 있다.

처리 용기(10)는, 예를 들어 알루미늄, 스테인리스 등의 금속에 의해 형성된, 전체적으로 예를 들어 대략 직육면체 형상의 용기이다. 처리 용기(10)는, 평면으로 본 형상이 예를 들어 대략 직사각형이며, 상면 및 하면이 개구된 통형의 측벽(20)과, 측벽(20)의 상면을 기밀하게 덮는 천장판(21)과, 측벽(20)의 하면을 덮는 저판(22)을 갖고 있다. 또한, 측벽(20)의 상단면과 천장판(21)의 사이에는, 처리 용기(10) 내를 기밀하게 유지하는 시일 부재(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 또한, 처리 용기(10)에는 히터(도시하지 않음)가 마련되고, 저판(22)에는 단열재(도시하지 않음)가 마련되어 있다.

적재대(11)는 대략 원통 형상으로 형성되어 있고, 웨이퍼(W)를 적재하는 적재면을 구비한 상부 대(30)와, 저판(22)에 고정되어, 상부 대(30)를 지지하는 하부 대(31)를 갖고 있다. 상부 대(30)에는, 웨이퍼(W)의 온도를 조정하는 온도 조정 기구(32)가 각각 내장되어 있다. 온도 조정 기구(32)는, 예를 들어 물 등의 냉매를 순환시킴으로써 적재대(11)의 온도를 조정하여, 적재대(11) 상의 웨이퍼(W)의 온도를, 예를 들어 -20℃ 내지 140℃의 소정의 온도로 제어한다.

저판(22)에서의 적재대(11)의 하방의 위치에는, 지지 핀 유닛(도시하지 않음)이 마련되어 있고, 이 지지 핀 유닛에 의해 상하 구동되는 지지 핀(도시하지 않음)과, 웨이퍼 처리 장치(1)의 외부에 마련된 반송 기구(도시하지 않음)의 사이에서 적재대(11)의 웨이퍼(W)는 전달 가능하다.

급기부(12)는, 적재대(11)에 적재된 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드(40)를 갖고 있다. 샤워 헤드(40)는, 처리 용기(10)의 천장판(21)의 하면에 있어서, 각 적재대(11, 11)에 대향해서 개별로 마련되어 있다. 각 샤워 헤드(40)는, 예를 들어 하면이 개구되고, 천장판(21)의 하면에 지지된 대략 원통형의 프레임체(41)와, 당해 프레임체(41)의 내측면에 끼움 삽입된 대략 원판상의 샤워 플레이트(42)를 갖고 있다. 또한, 당해 샤워 플레이트(42)는, 적재대(11)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면 전체에 균일하게 처리 가스를 공급하기 위해서, 적어도 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 직경을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한, 샤워 플레이트(42)는, 프레임체(41)의 천장부와 소정의 거리를 이격시켜 마련되어 있다. 이에 의해, 프레임체(41)의 천장부와 샤워 플레이트(42)의 상면의 사이에는 공간(43)이 형성되어 있다. 또한, 샤워 플레이트(42)에는, 당해 샤워 플레이트(42)를 두께 방향으로 관통하는 개구(44)가 복수 마련되어 있다.

프레임체(41)의 천장부와 샤워 플레이트(42)의 사이의 공간(43)에는, 가스 공급관(45)을 통해서 가스 공급원(46)이 접속되어 있다. 가스 공급원(46)은, 처리 가스로서 예를 들어 불화수소(HF) 가스나 암모니아(NH₃) 가스 등을 공급 가능하게 구성되어 있다. 그 때문에, 가스 공급원(46)으로부터 공급된 처리 가스는, 공간(43), 샤워 플레이트(42)를 통해서, 각 적재대(11, 11) 상에 적재된 웨이퍼(W)를 향해서 균일하게 공급된다. 또한, 가스 공급관(45)에는 처리 가스의 공급량을 조절하는 유량 조절 기구(47)가 마련되어 있어, 각 웨이퍼(W)에 공급하는 처리 가스의 양을 개별로 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 샤워 헤드(40)는, 예를 들어 복수 종류의 처리 가스를 혼합하지 않고 개별로 공급 가능한 포스트믹스 타입이어도 된다.

도 2, 도 3에 도시한 바와 같이 격벽(13)은, 예를 들어 2개의 적재대(11, 11)를 각각 개별로 둘러싸는, 내주가 평면으로 보아 원형인 2개의 원통부(50a, 50a)와, 각 원통부(50a)의 상단에 마련된 평면으로 보아 대략 「8」형(2개의 원환을 인접시킨 형상)의 상측 플랜지부(50b)와, 원통부(50a, 50a)의 하단에 마련된 평면으로 보아 대략 「8」형의 하측 플랜지부(50c)로 이루어지는, 기체(基體)(50)를 갖고 있다. 또한 기체(50)의 상측 플랜지부(50b)의 상면에는, 기밀하게 설치되는 평면으로 보아 대략 「8」형의 덮개(51)를 갖고 있다. 그리고 기체(50)의 2개의 원통부(50a, 50a)의 내측에는, 배기 링(52)을 갖고 있다. 배기 링(52)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 하측 플랜지부(50c), 및 덮개(51)에 각각 형성된 홈(50d, 51d)에 상하 단부가 끼움 삽입되어 기체(50)에 마련된다. 그 때, 원통부(50a)의 내측면과 배기 링(52)의 외측면의 사이에는 소정의 간격을 확보하도록 마련된다. 이 간격이 후술하는 간극(80)을 구성한다.

또한, 격벽(13)에는 히터(도시하지 않음)가 마련되어, 예를 들어 100℃ 내지 150℃로 가열된다. 이 가열에 의해, 처리 가스 중에 포함되는 이물이 격벽(13)에 부착되지 않도록 되어 있다.

또한, 격벽(13)은 승강 기구(14)에 의해 기판 처리 위치와 기판 반송 위치의 사이를 승강 가능하다. 즉, 도 1에 도시한 바와 같이 승강 기구(14)에 의해 격벽(13)이 기판 처리 위치까지 들어 올려지면, 프레임체(41)와 덮개(51)의 상단면이 맞닿아, 처리 용기(10) 내에는 적재대(11), 격벽(13), 샤워 헤드(40)로 둘러싸인 처리 공간(S)이 형성된다. 이때, 처리 공간(S) 내가 기밀하게 유지되기 위해서, 덮개(51)의 상면에는 예를 들어 O링 등의 시일 부재(53)가 마련되어 있다.

또한, 도 5에 도시하는 바와 같이 승강 기구(14)에 의해 격벽(13)이 기판 반송 위치까지 강하하면, 덮개(51)의 상면이 예를 들어 적재대(11)의 상면과 일치하는 정도의 높이가 된다. 이에 의해, 격벽(13)을 강하시킴으로써, 앞서 서술한 지지 핀 유닛에 의해 적재대(11) 상면으로부터 들어 올려진 웨이퍼(W)에 대하여, 처리 용기(10)의 외부로부터 액세스 가능하게 된다.

격벽(13)을 승강시키는 승강 기구(14)는, 처리 용기(10)의 외부에 배치된 액추에이터(60)와, 액추에이터(60)에 접속되고, 처리 용기(10)의 저판(22)을 관통해서 처리 용기(10) 내를 연직 상방으로 연신하는 구동축(61)과, 선단이 격벽(13)에 접속되고, 다른 쪽의 단부가 처리 용기(10)의 외부까지 연신되는 복수의 가이드축(62)을 갖고 있다. 가이드축(62)은, 구동축(61)에 의해 격벽(13)을 승강시킬 때 격벽(13)이 기울어지거나 하는 것을 방지하는 것이다.

구동축(61)에는, 신축 가능한 벨로우즈(63)의 하단부가 기밀하게 접속되어 있다. 벨로우즈(63)의 상단부는, 저판(22)의 하면과 기밀하게 접속되어 있다. 그 때문에, 구동축(61)이 승강했을 때, 벨로우즈(63)가 연직 방향을 따라 신축됨으로써, 처리 용기(10) 내가 기밀하게 유지되도록 되어 있다. 또한, 구동축(61)과 벨로우즈(63)의 사이에는, 승강 동작 시의 가이드로서 기능하는, 예를 들어 저판(22)에 고정된 슬리브(도시하지 않음)가 마련되어 있다.

가이드축(62)에는, 구동축(61)과 마찬가지로 신축 가능한 벨로우즈(64)가 접속되어 있다. 또한, 벨로우즈(64)의 상단부는, 저판(22)과 측벽(20)을 걸쳐서, 양쪽에 기밀하게 접속되어 있다. 그 때문에, 구동축(61)에 의한 격벽(13)의 승강 동작에 수반하여 가이드축(62)이 승강했을 때, 벨로우즈(64)가 연직 방향을 따라서 신축됨으로써, 처리 용기(10) 내가 기밀하게 유지되도록 되어 있다. 또한, 가이드축(62)과 벨로우즈(64)의 사이에도, 구동축(61)의 경우와 마찬가지로, 승강 동작 시의 가이드로서 기능하는 슬리브(도시하지 않음)가 마련되어 있다.

또한, 벨로우즈(64)의 상단부는 고정측의 단부이며, 가이드축(62)과 접속된 벨로우즈(64)의 하단부는 자유측의 단부로 되어 있기 때문에, 처리 용기(10) 내가 부압이 되면, 벨로우즈(64)의 내외 압력차에 의해 벨로우즈(64)를 연직 방향으로 압축하는 힘이 작용한다. 그 때문에, 벨로우즈(64)의 자유측의 단부에 접속된 가이드축(62)은, 벨로우즈(64)가 줄어듬으로써 연직 상방으로 상승한다. 이에 의해, 격벽(13)을 균등하게 상승시켜, 시일 부재(53)와 프레임체(41)를 적절하게 접촉시킴으로써, 격벽(13)과 프레임체(41)의 사이의 시일성을 확보할 수 있다. 마찬가지로 시일 부재(54)와 돌출부(71)를 적절하게 접촉시킴으로써, 격벽(13)과 돌출부(71)의 사이의 시일성을 확보할 수 있다. 또한, 가이드축(62)에는, 탄성 부재로서의 벨로우즈(64)로부터의 반력이나, 가이드축(62) 그 자체의 자중 등에 의해 당해 가이드축(62)을 하방으로 밀어 내리는 힘이 작용하지만, 벨로우즈(64)의 직경을 적절히 설정함으로써 가이드축(62)에 작용하는 차압이 조정된다. 또한, 돌기부(71)는, 이너 월의 일부여도 되고(도시의 예), 적재대(11)여도 된다(도시하지 않음).

또한, 돌출부(71)의 상단은 시일 부재(55)를 통해서 적재대(11)의 하측면과 기밀하게 맞닿아 있다. 격벽(13)이 상승함으로써 시일 부재(54)를 통해서 격벽(13)과 돌출부(71)가 맞닿았을 때, 돌출부(71)와 격벽(13)의 사이의 시일성을 확실하게 확보할 수 있다. 이에 의해, 처리 공간(S) 내의 처리 가스를 배기할 때 적재대(11) 외주와 격벽(13)의 사이의 간극으로부터 처리 가스가 배출되지 않아, 적재대(11) 외주 부근에서의 처리 가스의 흐름을 안정화시킬 수 있다.

도 4는 격벽(13)의 종단면을 확대해서 도시한 사시도이다. 상술한 바와 같이, 배기 링(52)은 기체(50)의 원통부(50a)의 내주면에 간격을 두고 마련되어 있고, 원통부(50a)의 내주면과 배기 링(52)의 외주면의 사이에는 연직 방향으로 연신되는 간극(80)이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되어 있다. 이 간극(80)의 크기, 즉 수평 방향의 길이(d)는, 본 실시 형태에서는 예를 들어 3 내지 5mm로 설정되어 있다.

배기 링(52)에는, 복수의 개구(81)가, 전체 둘레에 걸쳐서 등간격으로 개구 영역(R)에 형성되어 있다. 본 실시 형태에서의 개구(81)는 원형의 구멍이며, 그 직경은 3mm이다. 이 개구 영역(R)은, 도 6에 도시한 바와 같이, 승강 기구(14)에 의해 격벽(13)이 기판 처리 위치로 상승했을 때, 적재대(11)에 적재된 웨이퍼(W)와 수평 방향에 있어서 동일한 높이 위치를 포함하도록 설정되어 있다. 또한, 개구의 형태는, 물론 원형의 구멍에 한정되는 것은 아니며, 전체 둘레에 걸쳐서 등간격으로 개구가 형성되어 있으면 개구의 형태는 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 슬릿 형상을 갖고 있어도 된다.

상기한 바와 같이, 격벽(13)이 기판 처리 위치에 위치해서 적재대(11) 상에 처리 공간(S)을 형성했을 때, 적재대(11) 상의 웨이퍼(W)의 높이 위치를 포함하도록 설정되어 있지만, 물론 상하 방향으로 일정한 범위에 걸쳐서 당해 개구 영역(R)이 설정되어 있어도 된다. 이러한 경우, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판 처리 위치에 있어서 처리 공간(S)의 측 둘레면을 형성하는 격벽(13)의 부분에 있어서의, 하반부에 개구 영역(R)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한 당해 개구 영역(R)에서의 적합한 개구율은, 예를 들어 50±5％의 범위가 좋고, 본 실시 형태에서는 48.9％로 하고 있다.

이 개구율은, 지나치게 크면, 즉 개구부가 차지하는 비율이 지나치게 크면, 처리 공간(S)으로부터 간극(80)에 유입되는 처리 가스의 유속이 커져서, 적재대(11) 상에 적재된 웨이퍼(W)의 주변부에서의 처리, 예를 들어 에칭이 불충분해져버린다. 또한 반대로 개구율이 지나치게 작으면, 즉 배기 링(52)의 벽면이 차지하는 비율이 지나치게 크면, 상기 간극(80)에 충분히 처리 가스가 유입되지 않아, 처리 공간(S) 내에 처리 가스의 정체가 발생하거나, 웨이퍼(W)의 주변부에 처리 가스가 체류해버린다. 따라서 이러한 문제가 발생하지 않을 정도로 적합한 개구율로 복수의 개구(81)를 형성할 필요가 있다. 상기한 개구율의 바람직한 범위인 50±5％는, 이러한 사정을 고려해서 발명자들이 실험 등에 기초하여 지견한 것이다.

또한, 도 4, 도 7에 도시하는 바와 같이 격벽(13)의 하단 부근에는 복수의 슬릿(82)이 전체 둘레에 걸쳐서 소정의 간격 하에서 형성되어 있다. 당해 슬릿(82)은, 배기 유로가 되는 간극(80)의 하방에서, 원통부(50a)의 내주와 배기 링(52)의 외주의 사이에 형성되는 간극(80)의 크기를 적정하게 유지하기 위해서, 양자간에 마련된 빔(82a)에 의해 형성된 것이다. 또한 이 빔(82a)에 의해 형성된 슬릿(82)에 의해, 배기 유로는 격벽(13) 내의 배기 유로에서의 하방이, 상방보다도 유로 단면적이 더 작게 되어 있다. 간극(80), 슬릿(82)을 거친 배기는, 처리 용기(10)의 배기부(15)로 유도된다.

도 1에 도시한 바와 같이 배기부(15)는, 처리 용기(10) 내를 배기하는 배기 기구(90)를 갖고 있다. 배기부(15)는, 처리 용기(10)의 저판(22)에 있어서 격벽(13)의 외측에 마련된 배기 포트(91)를 갖고 있다. 즉, 배기 포트(91)는 평면으로 보아 격벽(13)과 겹치지 않는 위치에서, 격벽(13)의 외측의 저판(22)에 마련되어 있다. 배기 포트(91)는 배기관(92)에 연통하고 있다.

이들 배기 기구(90) 및 배기 포트(91), 배기관(92)은, 2개의 격벽(13)으로 구성되는 2개의 처리 공간(S)에서 공용하고 있다. 즉, 2개의 격벽(13, 13)에 각각 형성되는 슬릿(82, 82)은, 처리 용기(10) 내의 하방에 형성된 공통의 배기 공간(V)에 연통하고 있고, 이 배기 공간(V)에 유출된 처리 가스는, 공통의 배기관(92)을 통해서 배기 기구(90)에 의해 배출된다. 배기관(92)에는, 배기 기구(90)에 의한 배기량을 조절하는 조절 밸브(93)가 마련되어 있다. 또한, 천장판(21)에는, 적재대(11, 11) 각각의 처리 공간(S)의 압력을 계측하기 위한, 압력 측정 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 조절 밸브(93)의 개방도는, 예를 들어 이 압력 측정 기구에 의한 측정값에 기초해서 제어된다.

웨이퍼 처리 장치(1)에는, 제어 장치(100)가 마련되어 있다. 제어 장치(100)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록된 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(100)에 인스톨된 것이어도 된다.

본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이어서, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 웨이퍼 처리에 대해서 설명한다.

웨이퍼 처리에 있어서는, 먼저 도 5에 도시하는 바와 같이 격벽(13)이 승강 기구(14)에 의해 기판 반송 위치까지 강하한다. 이 상태에서, 웨이퍼 처리 장치(1)의 외부에 마련된 웨이퍼 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 처리 용기(10) 내에 웨이퍼(W)가 반송되어, 지지 핀(도시하지 않음) 상에 웨이퍼(W)가 전달되고, 당해 지지 핀이 하강함으로써 웨이퍼(W)는 적재대(11) 상에 적재된다.

그 후, 도 1에 도시한 바와 같이, 승강 기구(14)에 의해 격벽(13)을 기판 처리 위치까지 상승시킨다. 이에 의해 프레임체(41)와 덮개(51)가 시일 부재(53)를 통해서 맞닿아, 처리 용기(10) 내에 2개의 처리 공간(S)이 형성된다.

그리고, 소정의 시간, 배기 기구(90)에 의해 처리 용기(10)의 내부를 소정의 압력까지 배기함과 함께, 가스 공급원(46)으로부터 처리 가스가 처리 용기(10) 내에 공급되면, 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리, 본 실시 형태에서는 예를 들어 COR 처리가 행하여진다.

COR 처리에 있어서는, 가스 공급원(46)으로부터 공급된 처리 가스는, 샤워 플레이트(42)를 통해서 웨이퍼(W)에 균일하게 공급되어, 소정의 처리가 행하여진다. 샤워 플레이트(42)는, 적어도 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 직경을 갖고 있는 것이, 처리 가스의 웨이퍼(W)에 대한 공급의 균일성 면에서 보다 더 유리하다.

그 후 웨이퍼(W)에 공급된 처리 가스는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 격벽(13)의 배기 링(52)에 형성된 개구(81)로부터, 격벽(13) 내의 간극(80), 배기 공간(V), 배기 포트(91), 배기관(92)을 통해서 배기 기구(90)에 의해 처리 용기(10)로부터 배출된다.

COR 처리가 끝나면, 격벽(13)이 기판 반송 위치에 강하하고, 웨이퍼 반송 기구(도시하지 않음)에 의해, 각 적재대(11, 11) 상의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 처리 장치(1)의 외부로 반출된다. 그 후, 웨이퍼 처리 장치(1)의 외부에 마련된 가열 장치(도시하지 않음)에 의해 웨이퍼(W)가 가열되어, COR 처리에 의해 발생한 반응 생성물이 기화해서 제거된다. 이에 의해, 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.

이상의 실시 형태에 따르면, 먼저 배기 링(52)에는 배기부(15)에 통하는 복수의 개구(81)가, 배기 링(52)의 전체 둘레에 걸쳐서 등간격으로 형성되어 있으므로, 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐서 균일하게, 또한 종래, 예를 들어 웨이퍼(W)의 주변부 전체 둘레로부터 그대로 하강으로 배기하고 있었을 경우보다도 감속된 유속으로, 격벽(13) 내의 간극(80)에 처리 가스가 유출된다. 게다가 개구(81)는, 배기 링(52)의 전체 둘레에 걸쳐서 등간격으로 형성되어 있으므로, 웨이퍼(W)의 주변부의 처리 가스의 흐름은 균일하다.

또한, 격벽(13) 내에 형성된 간극(80)은, 연직 방향으로 연장되어 길게 형성되고, 또한 간극(80)의 입구에는, 처리 공간(S)에 연통하는 개구(81)가 소정의 개구율로 형성되어 있고, 또한 개구(81)가 형성되어 있는 개구 영역(R)은, 격벽(13)이 기판 처리 위치로 상승해서 처리를 행하고 있는 동안에, 적재대(11) 상의 웨이퍼(W)의 높이 위치를 포함하도록 설정되어 있으므로, 웨이퍼(W)에 공급된 처리 가스는, 그대로 격벽(13)의 개구(81)를 향해서 수평 방향으로 흘러 나간다. 이때, 개구(81)는 개구율이 상기한 바와 같이 소정의 범위 내로 설정되어 있기 때문에, 개구(81) 부근에서 유속이 종래보다도 감속된다. 그리고 개구(81)로부터 격벽(13) 내의 배기 유로가 되는 간극(80)에 처리 가스의 배기가 유출되면, 간극(80)은 수직 방향으로 연장되어 있으므로, 그대로 개방계의 공간에 방출하는 것보다도, 상응의 압력 손실에 의해 여전히 유속은 감속된 상태가 유지된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부에서의 처리 가스의 체류 시간이 길어져, 종래보다도 에칭 레이트를 웨이퍼 면내에서 균일하게 할 수 있어, 웨이퍼 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.

도 9에 종래의 웨이퍼 처리 장치(101), 즉 웨이퍼(W) 상의 처리 가스를 웨이퍼(W)의 주변부 외측으로부터 하방으로 배기하는 경로를 갖는 장치의 처리 가스의 배기 경로를 나타낸다. 도 9는 웨이퍼 처리 장치(101)의 좌측 절반만을 도시한 종단면도이며, 도면 중의 화살표는, 샤워 헤드(102)로부터 공급된 처리 가스가, 배기 공간(103)에 도달할 때까지의 경로를 나타내고 있다. 또한, 도 10은 본 발명의 실시 형태에서의, 마찬가지의 종단면도를 나타내고 있고, 도면 중의 화살표는, 도 9와 마찬가지로 샤워 플레이트(42)로부터 배기 공간(V)에 도달할 때까지의 배기 경로를 나타내고 있다.

도 11 및 도 12는, 도 9(종래의 웨이퍼 처리 장치(101)) 및 도 10(본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1))에서의, 웨이퍼 표면의 각 위치에서의 유속의 분포를 나타내고 있다. 도면 중의 횡축은 웨이퍼 표면 위치(Position)를 나타내고 있고, 중심의 0mm 위치가, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같은 적재대(11) 상에 적재된 웨이퍼(W)의 중심이며, 정방향 150mm가 우측 끝, 부방향 -150mm가 좌측 끝을 나타내고 있다. 또한, 도면 중의 종축은 웨이퍼 각각의 위치에서의 유속(Velocity)을 나타내고 있으며, 값이 클수록 그 위치에서의 처리 가스의 유속이 빠름을 나타내고 있다.

도 9에 도시하는 바와 같이, 종래의 웨이퍼 처리 장치(101)에서는, 샤워 헤드(102)로부터 공급된 처리 가스는, 적재대를 갖는 스테이지(104)와, 스테이지(104)의 둘레를 둘러싸는 격벽(105)의 사이에 형성된 간극(106)을 통해서, 배기 공간(103)으로 유도되어 있었다. 그러나, 이와 같이 처리 가스가 스테이지(104)의 주위에 형성된 간극(106)에 직접 유도됨으로써, 도 11에 도시한 바와 같이, 이 간극(106)의 근방, 즉, 웨이퍼(W)의 주연부 근방에서의 처리 가스의 유속이, 웨이퍼(W)의 중심부의 유속에 비해서 커져버리게 되었다. 이에 의해, 샤워 플레이트(42)의 웨이퍼(W) 주변부 상부로부터 공급된 처리 가스가, 웨이퍼(W)에 도달하기 전에 배기되어버리고 있었다. 이것은, 간극(106)에 연통하는 개구가 스테이지(104)의 외주를 둘러싸는 원환형이며, 스테이지(104) 주연부의 처리 가스는 즉시 간극(106)에 유입되어, 그 후 확대된 공간인 배기 공간(103)에 즉시 개방되기 때문에, 유속이 커져버리게 되었다고 생각된다.

또한 배기 공간(103) 내의 분위기를 배기함에 있어서는, 통상 배기 포트가 처리 용기의 저면에 설정되는데, 당해 배기 포트에 가까운 부분과 먼 부분에서는, 배기의 유속에 차가 발생하여, 배기 포트에 가까운 부분이 유속은 더 빨라진다. 당해 유속의 차가 스테이지(104)의 외주로부터의 유출에 영향을 미치고, 그 결과, 웨이퍼(W)의 주변부에서의 배기의 유속에 불균일이 발생하여, 유속이 빠른 부분에서는 결과적으로 처리 가스의 웨이퍼(W) 상에서의 체류 시간이 짧아져, 웨이퍼 처리의 면내 균일성에 영향을 주고 있었다고 생각된다.

이에 반해 도 10에 도시한 본 실시 형태에서는, 샤워 플레이트(42)로부터 공급된 처리 가스는, 배기 링(52)에 형성된 개구(81)를 통해서, 격벽(13)의 내부에 형성된 배기 유로인 간극(80)을 지나서 배기 공간(V)으로 유도되므로, 배기 유로에 유도되기 전에 개구(81)로 의해 유속이 줄어들어 배기된다. 이에 의해, 샤워 플레이트(42)의 웨이퍼(W) 주변부 상부로부터 공급된 처리 가스가, 웨이퍼(W)의 주연부에 도달함으로써, 웨이퍼(W)의 처리를 균일하게 할 수 있다. 그리고 당해 개구(81)는, 격벽(13)의 배기 링(52)의 전체 둘레에 걸쳐서 등간격으로 형성되어 있기 때문에, 균일하게 웨이퍼(W)의 주변부로부터 배기된다. 또한 격벽(13)의 내부에 형성된 배기 유로인 간극(80)은 수직 방향으로 연신되어 있으므로, 상응한 유로 저항이 있다. 따라서 도 12에 도시한 바와 같이, 웨이퍼의 주연부 근방에서는 종래보다도 웨이퍼(W)의 주변부에서의 배기 속도가 작아지고, 또한 웨이퍼(W)의 면내에서의 배기 속도의 균일성도 향상되어 있다. 즉, 웨이퍼(W) 주변부에서의 에칭 레이트를 향상시켜, 웨이퍼 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1)에서도, 배기 기구(90)에 의해 배기할 경우에는, 배기 공간(V)에 개구되어 있는 배기 포트(91)로부터 배기되는데, 이러한 경우, 배기 포트(91)에 가까운 장소와 먼 장소에서는, 배기 시의 유속에 차가 발생하여, 그에 의해, 웨이퍼(W) 주변부에서의 배기의 유속의 균일성에 영향을 미치는 것도 생각된다.

그러나, 본 실시 형태에서는, 상기한 바와 같이 격벽(13) 내에서 수직 방향으로 연신되어 있는 간극(80) 내를 흘러 나가므로, 종래보다도 배기 포트(91)의 위치에 의한 영향은 적어져 있다. 게다가 본 실시 형태에서는, 격벽(13) 내의 하방에는 복수의 슬릿(82)이 마련되어 있기 때문에, 배기 공간(V)에 면한 배기 포트(91)에 가까운 개소와, 배기 포트(91)에 먼 개소에서도, 배기 유로가 되는 간극(80) 내의 배기 유속은, 또한 그 영향을 받지 않게 되어 있다. 따라서, 배기 포트(91)의 설치 장소에 따른 웨이퍼(W) 주변부에서의 배기 유속의 불균일을 억제할 수 있다.

배기 포트(91)의 설정 위치에 따른 영향을 억제해서 웨이퍼(W) 주변부에서의 배기 유속의 균일성을 더욱 향상시키기 위해서는, 예를 들어 도 13에 도시하는 바와 같이, 격벽(13) 내의 하방에 형성되는 복수의 슬릿(82)의 크기를, 배기 포트(91)에 가까운 개소에서는 작고, 먼 장소에서는, 가까운 개소에 비해서 상대적으로 크게 형성하면 된다. 이에 의해 간극(80), 슬릿(82)으로부터 유출되는 처리 가스의 유속을 일정하게 제어할 수 있어, 처리 공간(S) 내에서의 웨이퍼(W) 주변부에서의 처리 가스의 배기 유속에 치우침이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에서는 예를 들어 도 4, 도 6에 도시하는 바와 같이, 개구(81)가 형성되어 있는 개구 영역(R)은, 격벽(13)이 기판 처리 위치에 들어 올려져서 처리 공간(S)이 형성되어 있는 상태에서, 적재대(11)에 적재된 웨이퍼(W)와 수평 방향으로 동일한 높이 위치를 포함하도록 설정되어 있다. 또한 개구 영역(R)의 상하 방향의 설정 범위는, 격벽(13)이 기판 처리 위치에 있을 때의 처리 공간(S)의 측 둘레면을 형성하는 부분의 하반부로 하고 있었지만, 적재대(11)에 적재된 웨이퍼(W)와 수평 방향으로 동일한 높이 위치를 포함하도록 설정하면, 개구 영역(R)의 설정 높이, 상하 방향의 범위는 이것에 한정되는 것은 아니다.

단, 개구 영역(R)은, 격벽(13)이 기판 처리 위치에 있을 때의 처리 공간(S)의 측 둘레면을 형성하는 부분의 상반부로 하면, 도 14에 도시한 바와 같이, 개구(81)에 유입되는 처리 가스의 유속은 일정하게 할 수 있지만, 샤워 플레이트(42)의 종단부로부터 나온 처리 가스는 상부에 형성된 개구(81)를 향해서 흐른다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부 근방에서는 처리 가스가 종단부에 도달하지 않기 때문에, 충분히 에칭이 행하여지지 않을 가능성이 있다. 즉, 웨이퍼 처리의 면내 균일성이 향상되지 않을 가능성이 있다.

한편, 개구 영역(R)을, 격벽(13)이 기판 처리 위치에 있을 때의 처리 공간(S)의 측 둘레면을 형성하는 부분의 모두에 형성하면, 도 15에 도시한 바와 같이, 도 14의 상반부의 경우보다도, 웨이퍼(W)의 주연부 근방에서의 처리 가스의 상승은 완화된다. 그러나, 실시 형태와 같이 하반부에 개구 영역(R)을 설정한 경우보다는, 샤워 플레이트(42)의 종단부로부터 나온 처리 가스가 웨이퍼(W) 종단부에 도달하지 않기 때문에 균일성이 향상되지 않을 가능성이 있다.

발명자들이 실험한 결과, 개구 영역(R)을, 격벽(13)이 기판 처리 위치에 있을 때의 처리 공간(S)의 측 둘레면을 형성하는 부분의 모두에 형성한 경우와, 실시 형태와 같이 하반부에 형성한 경우를 비교하면, 실제의 COR 처리에서는, 실시 형태가 웨이퍼(W) 면내의 에칭양의 면내 균일성이 3σ로 4％ 더 개선된 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 격벽(13)이 기판 처리 위치에 있을 때의 처리 공간(S)의 측 둘레면을 형성하는 부분의 하반부에 개구 영역(R)을 설정하는 것이 좋다.

또한, 이상의 실시 형태에서는, 복수의 적재대로서 2대의 적재대(11, 11)를 마련한 예에 입각해서 설명했지만, 적재대(11)의 설치수는 2대에 한정되지 않고, 1대여도 되고, 또한 3대 이상이어도 된다. 도 16은, 적재대(11)가 1대인 경우의, 웨이퍼 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 이렇게 적재대(11)가 1대일 경우, 격벽(13)의 기체(50)에서의 원통부(50a), 상측 플랜지부(50b), 하측 플랜지부(50c)도 각각 하나가 된다.

또한, 이상의 실시 형태에서는, 복수의 적재대에 대하여 하나의 격벽(13)을 마련했지만, 격벽의 구성에 대해서도 본 실시 형태의 내용에 한정되는 것은 아니고, 각 적재대에 대하여 독립된 처리 공간(S)을 형성할 수 있는 것이라면, 그 형상은 임의로 설정할 수 있다. 예를 들어, 기체(50)나 덮개(51)가 각 처리 공간에 대하여 개별로 형성되도록 구성되어 있어도 된다.

또한 본 실시 형태에 의하면, 처리 공간(S) 내의 처리 가스의 배기는, 격벽(13) 내에 형성된 간극(80)을 통해서 하방의 배기 공간(V)으로 흘러 나가므로, 처리 공간(S)에 면한 격벽(13)의 배기 링(52)의 개구(81)로부터 배기되지만, 개구(81)를 통과한 배기는, 격벽(13)의 외측으로 유출되지 않는다. 따라서, 격벽(13)의 외측 공간이 처리 가스의 배기로 오염되지 않는다. 또한 그렇게 처리 공간(S)으로부터의 배기는, 격벽(13)의 외측으로 유출되지 않고, 격벽(13)의 내부를 통과해 나가므로, 실시 형태와 같이, 복수의 적재대로서 2대의 적재대(11, 11)를 갖는 처리 용기에 적용한 경우, 처리 공간(S)으로부터의 측면 배기가, 서로 간섭하지 않는다. 또한, 배기 유로인 간극(80)은, 처리 공간(S)마다 독립적으로 형성되어 있어, 이러한 관점에서도, 각 처리 공간(S)으로부터의 배기가, 서로 간섭하지 않는다.

또한, 이상의 실시 형태에서는 처리 공간(S)을 형성함에 있어서, 덮개(51)의 상면과 프레임체(41)를 맞닿게 하도록 구성되었지만, 이러한 구성에 대해서도 본 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 천장판(21)과 덮개(51)의 상면을 맞닿게 하도록 구성되어 있어도 된다.

또한, 본 실시 형태에서의 격벽(13)은, 기체(50), 덮개(51), 배기 링(52)을 각각 개별로 구성하고, 배기 링(52)을 기체(50) 및 덮개(51)에 형성된 홈(50d, 51d)에 끼워 넣음으로써 구성하고 있었지만, 이 구성에 대해서도 본 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 각각을 개별의 부품이 아니라 일체인 것으로서 구성해도 되고, 임의의 2개의 부품, 예를 들어 기체(50)와 덮개(51), 원통부(50a)와 배기 링(52)을 일체로 구성해도 된다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 간극(80)으로부터 배기 공간(V)에 연통하는 복수의 슬릿(82)은 격벽(13) 내의 하방에 형성되어 있었지만, 간극(80) 내의 보다 상방에 설치되어 있어도 된다. 또한 슬릿 형상에 한하지 않고, 배기 유로인 간극(80)의 유로 단면적을 감소시키는 것이라면, 그 형상은 임의이다. 또한, 배기 유로인 간극(80)은 연직 하방을 향해서 형성되어 있었지만, 그 대신에 연직 상방을 향해서 형성되어 있어도 되고, 이러한 경우, 처리 공간(S)으로부터의 배기가, 격벽(13)의 상방, 즉 덮개(51)측으로부터 행하여져도 된다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자라면, 청구범위에 기재된 기술적 사상의 범주에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있음은 명확하며, 이에 대해서도, 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다. 상술한 실시 형태는, COR 처리를 행하는 경우를 예로 해서 설명했지만, 본 발명은 처리 가스를 사용하는 다른 웨이퍼 처리 장치, 예를 들어 플라스마 처리 장치 등에도 적용할 수 있다.

1: 웨이퍼 처리 장치
10: 처리 용기
11: 적재대
12: 급기부
13: 격벽
14: 승강 기구
15: 배기부
50: 기체
51: 덮개
52: 배기 링
80: 간극
81: 개구
82: 슬릿
S: 처리 공간
V: 배기 공간
W: 웨이퍼

Claims (11)

1. 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며,
   기판을 수납하는 처리 용기와,
   상기 처리 용기 내에서 기판을 적재하는 적재대와,
   상기 처리 용기 내의 처리 가스를 배기하는 배기부와,
   상기 처리 용기 내에 배치되어, 상기 적재대를 둘러싸는 격벽을 갖고,
   상기 격벽의 내부에는, 전체 둘레에 걸쳐서 상기 배기부에 통하는 배기 유로가 연직 방향으로 연신되어 형성되고,
   상기 격벽의 내측이며 상기 적재대의 상방에 형성된 기판 처리 공간과, 상기 배기 유로에 연통하는 복수의 개구가, 상기 격벽의 내측 둘레 방향을 따라 등간격으로 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 처리 용기와 상기 격벽의 사이에는 공간이 형성되고, 상기 배기 유로의 단부는 당해 공간에 통하고 있는, 기판 처리 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 격벽을 기판 반송 위치와 기판 처리 위치의 사이에서 승강시키는 승강 기구를 갖고,
   상기 격벽이 상기 기판 처리 위치에 위치했을 때, 상기 기판 처리 공간이 형성되는, 기판 처리 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 격벽에서의 상기 개구가 형성된 영역은, 상기 기판 처리 공간의 측 둘레면을 형성하는 부분에 있어서, 상기 적재대 상의 기판의 높이 위치를 포함하는 범위로 설정되어 있는, 기판 처리 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 격벽에서의 상기 기판 처리 공간의 측 둘레면을 형성하는 부분의 하반부에, 상기 개구가 형성된 영역이 설정되어 있는, 기판 처리 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 격벽은, 상기 적재대를 둘러싸는, 내주가 평면으로 보아 원형인 기체와, 당해 기체의 내측에, 당해 기체의 내측 표면과 간격을 두고 마련된 원통 형상의 배기 링을 갖고,
   상기 배기 링에 상기 개구가 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 개구가 형성된 영역에서의 개구율은, 50±5％인, 기판 처리 장치.
8. 제1항에 있어서, 상기 배기부의 배기 포트는, 평면으로 보아 상기 격벽의 외측에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
9. 제1항에 있어서, 상기 격벽 내부의 배기 유로는, 상기 배기부의 배기 포트에 가까운 부분의 유로 단면적이, 상기 개구와 연통하는 부분의 유로 단면적보다도 작은, 기판 처리 장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 처리 용기 내에는, 복수의 적재대가 마련되고,
    각 적재대를 개별로 둘러싸서 독립된 기판 처리 공간을 형성하는 격벽은, 일체인, 기판 처리 장치.
11. 제10항에 있어서, 상기 배기 유로는, 상기 기판 처리 공간마다 독립적으로 형성되어 있는, 기판 처리 장치.

Images