JP6796692B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、所定の処理ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に関する。
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、ドライエッチングやウェットエッチングといった従来のエッチング技術に代えて、化学的酸化物除去（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ：ＣＯＲ）処理と呼ばれる、より微細化エッチングが可能な手法が用いられている。
ＣＯＲ処理は、真空に保持された処理容器内において、例えば被処理体としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）に対して処理ガスを供給し、これらのガスと例えばウェハ上に形成された膜とを反応させて生成物を生成する処理である。ＣＯＲ処理によりウェハ表面に生成された生成物は、次工程で加熱処理を行うことで昇華し、これによりウェハ表面の膜が除去される。
このようなＣＯＲ処理は、ウェハを一枚ずつ処理する枚葉式の処理装置で行われるが、近年では、スループットの向上を図るために、複数枚のウェハを同時に処理する処理装置が用いられる場合がある（特許文献１）。
特許文献１の処理装置では、複数枚、例えば２枚のウェハ表面において処理ガスの流れが不均一になることを防止するために、処理容器内を処理空間と排気空間に仕切るバッフル板を設けることが提案されている。
特開２００７−２１４５１３号公報
しかしながら、近年、ウェハ処理の均一性の要求が厳しくなっており、上述のような２枚のウェハを同時に処理する処理装置では、各ウェハ表面での処理ガスの均一性を確保することが困難であった。
また、２枚のウェハを同時に処理する処理装置では、各ウェハを別個独立したレシピで並行して処理したいという要求もあり、各ウェハに対して独立した処理空間を形成することも望まれている。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、処理容器内で複数の基板を独立して、且つ面内均一に処理することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明は、基板を処理する基板処理装置であって、基板を気密に収容する処理容器と、前記処理容器内で基板を載置する複数の載置台と、前記載置台の上方から前記載置台に向けて処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内を排気する排気機構と、前記処理容器内に配置され、前記各載置台の外周と間隔をあけて当該載置台を囲う隔壁と、前記処理容器の底面に配置され、前記載置台の外周と間隔をあけて当該載置台を囲う円筒形状のインナーウォールと、を有し、前記隔壁と前記インナーウォールにより基板の処理空間が形成され、前記インナーウォールには、スリットが形成され、前記処理空間内の処理ガスの排気は、前記スリットを介して行われ、前記インナーウォールは、前記載置台の基板載置面よりも下方に配置され、前記スリットは、前記処理容器の底部に前記インナーウォールを固定することで形成され、前記インナーウォールの側面であって前記載置台の載置面よりも下方に設けられ、且つ、前記処理容器の底面まで設けられていることを特徴としている。
本発明によれば、複数の載置台を個別に囲む隔壁とインナーウォールを有しているので、各載置台毎に個別に処理空間を形成できる。そして、インナーウォールに形成されたスリットから処理空間内の処理ガスを排気するので、各基板毎にガス流れの均一性を確保し、面内均一な基板処理を行うことができる。
前記インナーウォールは、前記処理空間内の処理ガスが前記スリットに直接流れ込まないように迂回させる仕切板を備え、前記仕切板は、前記インナーウォールの中心から前記スリットを視認できなくなる位置に配置されており、前記仕切板と前記インナーウォールの内側面との間の前記処理ガスの排気経路において、前記仕切板側の入口と前記スリット側の出口は一対に形成されていてもよい。
本発明によれば、処理容器内で複数の基板を独立して、且つ面内均一に処理することができる。
本実施の形態に係る基板処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 隔壁の構成の概略を示す斜視図である。 他の実施の形態に係る基板処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 インナーウォールの構成の概略を示す斜視図である。 インナーウォールの構成の概略を示す横断面図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置１を概略的に示した縦断面図である。なお、本実施の形態では、ウェハ処理装置１が、例えばウェハＷに対してＣＯＲ処理を行うＣＯＲ処理装置である場合を例にして説明する。
ウェハ処理装置１は、例えば図１に示すように、気密に構成された処理容器１０と、処理容器１０内でウェハＷを載置する複数、本実施の形態では２台の載置台１１、１２と、載置台１１、１２の上方から処理ガスを載置台１１、１２に向けて供給する処理ガス供給部としてのシャワーヘッド１３と、各載置台１１、１２の外方を囲む昇降自在な隔壁１４と、処理容器１０の底部に固定され、各載置台１１、１２の外方をそれぞれ個別に囲むインナーウォール１５、１５と、隔壁１４を昇降させる昇降機構１６と、を有している。
処理容器１０は、例えばアルミニウム、ステンレス等の金属により形成された、全体として例えば略直方体状の容器である。処理容器１０は、平面視の形状が例えば略矩形で上面及び下面が開口した筒状の側壁２０と、側壁２０の上面を気密に覆う天井板２１と、側壁２０の下面を覆う底板２２を有している。側壁２０の上端面と天井板２１との間には、処理容器１０内を気密に保つ図示しないシール部材が設けられている。
載置台１１、１２は略円筒形状に形成されており、ウェハＷを載置する載置面を備えた上部台１１ａ、１２ａと、底板２２に固定された、上部台１１ａ、１２ａを支持する下部台１１ｂ、１２ｂをそれぞれ有している。上部台１１ａ、１２ａには、ウェハＷの温度を調整する温度調整機構３０がそれぞれ内蔵されている。温度調整機構３０は、例えば水などの冷媒を循環させることにより載置台１１の温度を調整し、載置台１１上のウェハＷの温度を制御する。なお、載置台１１と載置台１２は上記の通り同一の構成を有しており、以下、特に言及ない場合、載置台１１についての記載は載置台１２についても同様であるので、載置台１２についての記載は省略する。
また、底板２２における載置台１１の下方の位置には、図示しない支持ピンユニットが設けられており、ウェハ処理装置１の外部に設けられた搬送機構（図示せず）との間でウェハＷを受け渡し可能に構成されている。
シャワーヘッド１３は、処理容器１０の天井板２１の下面に、載置台１１及び載置台１２とそれぞれ対向して個別に設けられている。シャワーヘッド１３は、例えば下面が開口し、天井板２１の下面に支持された略円筒形の枠体３１と、当該枠体３１の内側面に嵌め込まれた略円板状のシャワープレート３２を有している。シャワープレート３２は、枠体３１の天井部と所定の距離を離して設けられている。これにより、枠体３１の天井部とシャワープレート３２の上面との間には空間１３ａが形成されている。また、シャワープレート３２には、当該シャワープレート３２を厚み方向に貫通する開口３２ａが複数設けられている。
枠体３１の天井部とシャワープレート３２との間の空間１３ａには、ガス供給管３３を介してガス供給源３４が接続されている。ガス供給源３４は、処理ガスとして例えばフッ化水素（ＨＦ）ガスやアンモニア（ＮＨ３）ガスなどを供給可能に構成されている。そのため、ガス供給源３４から供給された処理ガスは、空間１３ａ、シャワープレート３２を介して、各載置台１１、１２上に載置されたウェハＷに向かって供給される。また、ガス供給管３３には処理ガスの供給量を調節する流量調節機構３５が設けられており、各ウェハＷに供給する処理ガスの量を個別に制御できるように構成されている。なお、シャワーヘッド１３は、例えば複数種類の処理ガスを混合することなく個別に供給可能なポストミックスタイプであってもよい。
隔壁１４は、例えば図２に示すように、２つの載置台１１、１２をそれぞれ個別に囲む２つの円筒部４０、４０と、円筒部４０、４０の上端に設けられたフランジ部４１を有している。円筒部４０の内径は、載置台１１の外側面よりも大きく設定されており、円筒部４０と載置台１１との間に隙間が形成されるようになっている。
フランジ部４１の上面には、図１に示すように、昇降機構１６により隔壁１４を上昇させることにより当該フランジ部４１と枠体３１とが当接した際に、枠体３１との間を気密に塞ぐ、例えばＯリングなどのシール部材４３が、各載置台１１、１２に対応して設けられている。そして、隔壁１４を上昇させて、枠体３１とシール部材４３とを当接させることで、載置台１１、隔壁１４、及びシャワーヘッド１３で囲まれた処理空間Ｓが形成される。
隔壁１４の高さは、図３に示すように、例えば昇降機構１６により隔壁１４を下降させたときに、フランジ部４１の上面が例えば載置台１１の上面よりも下方に位置するように設定されている。これにより、隔壁１４を下降させることで、処理容器１０の外部からウェハＷに対してアクセス可能となる。なお、隔壁１４のフランジ部４１が枠体３１と当接する（処理空間Ｓが形成される）位置を「ウェハ処理位置」と、隔壁１４を底板２２近傍或いは底板２２に当接するまで下降させた位置を「退避位置」ということがある。なお、図１では、隔壁１４がウェハ処理位置に、図３では、隔壁１４が退避位置にある状態をそれぞれ描図している。
インナーウォール１５は、略円筒形状の本体部１５ａと、本体部１５ａの上端部に設けられた、当該インナーウォール１５の外周方向に向けて水平に突出する突出部材１５ｂを有している。インナーウォール１５は、例えば図１に示すように、載置台１１、１２の下部台１１ｂ、１２ｂをそれぞれ個別に囲むように配置されている。インナーウォール１５の本体部１５ａの内径は、下部台１１ｂ、１２ｂの外径よりも大きく設定されており、インナーウォール１５と下部台１１ｂ、１２ｂとの間にそれぞれ排気空間Ｖが形成される。そして、インナーウォール１５の高さは、例えば図１に示すように、昇降機構１６により隔壁１４をウェハ処理位置まで上昇させたときに、隔壁１４の円筒部４０の内側面と、インナーウォール１５の突出部材１５ｂとが当接するように設定されている。これにより、インナーウォール１５と隔壁１４とが気密に接触する。
また、各インナーウォール１５の下方には、複数のスリット１５ｃが形成されている。このスリット１５ｃの構成の詳細については後述する。
隔壁１４を昇降させる昇降機構１６は、処理容器１０の外部に配置されたアクチュエータ５０と、アクチュエータ５０に接続され、処理容器１０の底板２２を貫通して処理容器１０内を鉛直上方に延伸する駆動軸５１と、先端が隔壁１４に接続され、他方の端部が処理容器１０の外部まで延伸する複数のガイド軸５２を有している。ガイド軸５２は、駆動軸５１により隔壁１４を昇降させる際に隔壁１４が傾いたりすることを防止するものである。
駆動軸５１には、伸縮可能なベローズ６０の下端部が気密に接続されている。ベローズ６０の上端部は、底板２２の下面と気密に接続されている。そのため、駆動軸５１が昇降した際に、ベローズ６０が鉛直方向に沿って伸縮することで、処理容器１０内が気密に維持されるようになっている。なお、駆動軸５１とベローズ６０との間には、昇降動作の際のガイドとして機能する、例えば底板２２に固定されたスリーブ（図示せず）が設けられている。
ガイド軸５２には、駆動軸５１と同様に伸縮可能なベローズ６１が接続されている。また、ベローズ６１の上端部は、底板２２と側壁２０を跨いで、双方に気密に接続されている。そのため、駆動軸５１による隔壁１４の昇降動作に伴いガイド軸５２が昇降した際に、ベローズ６１が鉛直方向に沿って伸縮することで、処理容器１０内が気密に維持されるようになっている。なお、ガイド軸５２とベローズ６１との間にも、駆動軸５１の場合と同様に、昇降動作の際のガイドとして機能するスリーブ（図示せず）が設けられている。
また、ベローズ６１の上端部は固定側の端部であり、ガイド軸５２と接続されたベローズ６１の下端部は自由側の端部となっているため、処理容器１０内が負圧になると、ベローズ６１の内外の圧力差によりベローズ６１を鉛直方向に圧縮する力が作用する。そのため、ベローズ６１の自由側の端部に接続されたガイド軸５２は、ベローズ６１が縮むことにより鉛直上方に上昇する。これにより、隔壁１４を均等に上昇させて、シール部材４３と枠体３１を適切に接触させることで、隔壁１４と枠体３１との間のシール性を確保することができる。なお、ガイド軸５２には、弾性部材としてのベローズ６１からの反力や、ガイド軸５２そのものの自重などにより当該ガイド軸５２を下方に押し下げる力が作用するが、ベローズ６１の径を適宜設定することによりガイド軸５２に作用する差圧が調整される。
処理容器１０の底板２２であってインナーウォール１５の外方には、処理容器１０内を排気する排気機構１００が、排気管１０１を介して接続されている。排気管１０１には、排気機構１００による排気量を調節する調節弁１０２が設けられている。また、底板２２には、載置台１１及び載置台１２のそれぞれの処理空間Ｓの圧力を計測するための、圧力測定機構（図示せず）が設けられている。調節弁１０２の開度は、例えばこの圧力測定機構による測定値に基づいて制御される。
ウェハ処理装置１には、図１に示すように制御装置２００が設けられている。制御装置２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置２００にインストールされたものであってもよい。
次にインナーウォール１５のスリット１５ｃ近傍の構成について図４及び図５を用いて説明する。図４はインナーウォール１５の構成の概略について示す、下方から見た斜視図であり、図５は、インナーウォール１５の横断面図である。
図４、図５に示すように、各スリット１５ｃは、インナーウォール１５の周方向に沿って等間隔で配置されており、各スリット１５ｃ近傍には、例えば略円弧状の仕切板１１０が、本体部１５ａの内側に設けられている。なお、図４、図５では、周方向に沿ってスリット１５ｃと仕切板１１０がそれぞれ３箇所に設けられた状態を描図している。
仕切板１１０と本体部１５ａとの間には、所定の幅Ｌの隙間Ｇが形成されるように、仕切板１１０は本体部１５ａと概ね同心円上に配置されている。隙間Ｇの幅Ｌは、仕切板１１０の長さ方向にわたって概ね均一になっており、本実施の形態では、隙間Ｇの幅Ｌは、概ね１３．５ｍｍに設定されている。また、スリット１５ｃの高さは概ね６０ｍｍに設定されている。
また、仕切板１１０は、例えばインナーウォール１５の中心位置から水平にスリット１５ｃの方向を見たときに、仕切板１１０によりスリット１５ｃが覆われて視認できないように配置されている。そのため、シャワーヘッド１３から供給され、処理空間Ｓを介してインナーウォール１５内の排気空間Ｖに進入した処理ガスは、最短距離で直接スリット１５ｃに流れ込むのではなく、例えば図５に破線の矢印で示すように、仕切板１１０と本体部１５ａとの間の隙間Ｇを通ってスリット１５ｃから排気される。即ち、仕切板１１０により、排気空間Ｖの処理ガスは、隙間Ｇを迂回してスリット１５ｃから排気される。なお、本実施の形態では、図５に示す、仕切板１１０の周方向の長さＭは、概ね１６４ｍｍに設定されている。したがって、排気空間Ｖに進入した処理ガスは、仕切板１１０により概ね１６４ｍｍだけ隙間Ｇを迂回してスリット１５ｃから排気される。
ここで、スリット１５ｃを設ける目的について説明する。例えば本実施の形態のウェハ処理装置１のように、複数の処理空間Ｓに対して共通で排気機構１００が設けられている場合、各処理空間Ｓ間で処理ガスが干渉しないようにするためには、スリット１５ｃを極力小さくして、処理空間Ｓの外部から処理空間Ｓ内に処理ガスが流れ込まないようにすることが好ましい。そこで、本発明者らは、スリット１５ｃを有するインナーウォール１５において最適なスリット１５ｃの寸法を設定するために、一方の処理空間Ｓと他方の処理空間Ｓにそれぞれ異なる処理ガスを供給すると共に、スリット１５ｃの寸法を変化させて、処理空間Ｓ圧力と各処理空間における処理ガスの濃度がどのように変化するかを確認する試験を行った。なお、試験におけるインナーウォール１５には仕切板１１０は設けられていない。
試験の結果、スリット１５ｃの開口面積を小さくするほど処理ガスの濃度は高くなる、即ち、他方の処理空間Ｓからの処理ガスの回り込みは少なくなるものの、処理空間Ｓの圧力が上昇し、処理ガスの回り込みを所望の値に抑えると、処理空間Ｓの圧力がウェハ処理の要求値を満足できなくなることがわかった。即ち、スリット１５ｃの開口面積を小さくすると、スリット１５ｃの圧力損失が上昇するだけで、処理ガスの回り込みと処理空間Ｓの圧力とはトレードオフの関係にある。
そこで本発明者らは、スリット１５ｃによる圧力損失を抑えつつ、処理ガスの回り込みを低減する方法について鋭意検討し、インナーウォール１５内の排気経路の長さを長くすることで、圧力損失の増加を最小限に抑えつつ、処理ガスの回り込みを低減できるとの知見を得た。本発明はこの知見に基づくものである。そのため本実施の形態では、インナーウォール１５の内側面に仕切板１１０を設けることで、本体部１５ａと仕切板１１０との間に隙間Ｇを形成し、排気空間Ｖ内の処理ガスを、この隙間Ｇを介してスリット１５ｃから排気することで、隙間Ｇの周方向に沿った長さ分だけ排気経路を長くしている。
本実施の形態にかかるウェハ処理装置１は以上のように構成されており、次に、ウェハ処理装置１におけるウェハＷ処理について説明する。
ウェハ処理にあたっては、図３に示すように、先ず隔壁１４が退避位置まで降下した状態で、ウェハ処理装置１の外部に設けられた搬送機構（図示せず）により処理容器１０内にウェハＷが搬送され、各載置台１１、１２上に載置される。
その後、図１に示すように、隔壁１４をウェハ処理位置まで上昇させる。これにより、隔壁１４により処理空間Ｓが形成される。
そして、所定の時間に、排気機構１００により処理容器１０の内部を所定の圧力まで排気すると共に、ガス供給源３４からそれぞれ処理ガスが処理容器１０内に供給され、ウェハＷに対して所定の処理、本実施の形態では、例えばＣＯＲ処理が行われる。
ＣＯＲ処理においては、ガス供給源３４から供給された処理ガスはシャワープレート３２を介してウェハＷに供給される。この際、載置台１１、１２を囲むように隔壁１４が設けられているので、シャワープレート３２から供給された処理ガスは、ウェハ面内に均一に供給される。
処理空間Ｓ内の処理ガスは、排気空間Ｖ、各インナーウォール１５のスリット１５ｃを通り、排気機構１００から排出される。この際、処理ガスは、排気空間Ｖにおいて仕切板１１０とインナーウォール１５との間の隙間Ｇを迂回して排気されるので、処理空間Ｓ内の圧力は所望の真空度まで減圧した状態を維持しつつ、各インナーウォール１５からのスリット１５ｃを介した処理ガスの周り込みが最小限に抑えられるので、各処理空間Ｓ内で処理ガスが干渉することがない。
ＣＯＲ処理が行われると、隔壁１４が退避位置に降下し、ウェハ搬送機構（図示せず）より各載置台１１、１２上のウェハＷがウェハ処理装置１の外部に搬出される。その後、ウェハ処理装置１外部に設けられた加熱装置によりウェハＷが加熱され、ＣＯＲ処理によって生じた反応生成物が気化して除去される。これにより、一連のウェハ処理が終了する。
以上の実施の形態によれば、複数の載置台１１、１２を個別に囲む隔壁１４とインナーウォール１５を有しているので、各載置台１１、１２に個別に処理空間
Ｓを形成できる。そして、インナーウォール１５に形成されたスリット１５ｃから処理空間Ｓ内の処理ガスを排気するので、各ウェハＷ毎にガス流れの均一性を確保し、面内均一なウェハ処理を行うことができる。
また、インナーウォール１５には、処理空間Ｓ内の処理ガスがスリット１５ｃに直接流れ込まないように迂回させる仕切板１１０が設けられているので、仕切板１１０を設けていない場合と比較して、インナーウォール１５内での処理ガスの排気経路が長くなる。そうすると、インナーウォール１５内に外部から処理ガスが進入しにくくなるとともに、排気経路における圧力損失の上昇は最小限に抑えることができる。その結果、各処理空間Ｓ内で処理ガスが相互に干渉することを防止し、各ウェハＷ毎に面内均一なウェハ処理を独立して行うことができる。
なお、以上の実施の形態では、仕切板１１０をインナーウォール１５の本体部１５ａに沿った円弧状に形成していたが、仕切板１１０の形状は本実施の形態の内容に限定されるものではなく、排気空間Ｖにおける排気経路を長くできるものであれば、任意に設定できる。即ち、仕切板１１０は円弧状である必要はなく、例えば直線上であってもよい。
以上の実施の形態では、インナーウォール１５は載置台１１の載置面より下方に設置されていたが、隔壁１４及びインナーウォール１５の鉛直方向の長さについては任意に設定が可能である。即ち、隔壁１４をウェハ処理位置及び退避位置に移動させたときに、適宜処理空間Ｓを形成すると共に、ウェハＷにアクセス可能となるように構成されていれば、例えばインナーウォール１５の上端が載置台１１の載置面より上方に位置していてもよい。但し、処理空間Ｓ内の気流の均一性を維持するという観点からは、載置台１１の載置面よりも上方に気流に影響する構造物は極力設けないことが好ましい。そのため、スリット１５ｃ及び仕切板１１０は、載置台１１の載置面よりも下方に配置することが好ましい。
なお、以上の実施の形態では、複数の載置台として２台の載置台１１、１２を設けたが載置台の設置数は本実施の形態の内容に限定されるものではない。また、複数の載置台とは、載置面を複数有することを意味しており、例えば１台の載置台上に、複数枚のウェハＷが載置できるように構成されている場合も、複数の載置台の範囲に属するものと了解される。
また、以上の実施の形態では、複数の載置台１１、１２に対して１つの隔壁１４を設けたが、隔壁１４の構成についても本実施の形態の内容に限定されるものではなく、各載置台１１、１２に対して独立した処理空間Ｓを形成できるものであれば、その形状は任意に設定できる。例えば円筒部４０を１つのみ有する隔壁を各載置台１１、１２に対して、それぞれ別個に設けるようにしてもよい。
以上の実施の形態では、隔壁１４と枠体３１とが当接することで処理空間Ｓを形成したが、処理空間Ｓを形成するにあたり、隔壁１４を当接させる部材は枠体３１に限定されるものではなく、例えば天井板２１と当接させることで、処理空間Ｓを形成するようにしてもよい。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。上述の実施の形態は、ウェハにＣＯＲ処理を行う場合を例にして説明したが、本発明は処理ガスを用いる他のウェハ処理装置、例えばプラズマ処理装置などにも適用できる。
１ ウェハ処理装置
１０ 処理容器
１１、１２ 載置台
１３ シャワーヘッド
１４ 隔壁
１５ インナーウォール
２０ 側壁
２１ 天井板
２２ 底板
３２ シャワープレート
１１０ 仕切板
Ｗ ウェハ
Ｇ 隙間
Ｓ 処理空間
Ｖ 排気空間

Claims (2)

  1. 基板を処理する基板処理装置であって、
    基板を気密に収容する処理容器と、
    前記処理容器内で基板を載置する複数の載置台と、
    前記載置台の上方から前記載置台に向けて処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
    前記処理容器内を排気する排気機構と、
    前記処理容器内に配置され、前記各載置台の外周と間隔をあけて当該載置台を囲う隔壁と、
    前記処理容器の底面に配置され、前記載置台の外周と間隔をあけて当該載置台を囲う円筒形状のインナーウォールと、を有し、
    前記隔壁と前記インナーウォールにより基板の処理空間が形成され、
    前記インナーウォールには、スリットが形成され、
    前記処理空間内の処理ガスの排気は、前記スリットを介して行われ、
    前記インナーウォールは、前記載置台の基板載置面よりも下方に配置され、
    前記スリットは、前記処理容器の底部に前記インナーウォールを固定することで形成され、前記インナーウォールの側面であって前記載置台の載置面よりも下方に設けられ、且つ、前記処理容器の底面まで設けられていることを特徴とする、基板処理装置。
  2. 前記インナーウォールは、前記処理空間内の処理ガスが前記スリットに直接流れ込まないように迂回させる仕切板を備え、
    前記仕切板は、前記インナーウォールの中心から前記スリットを視認できなくなる位置に配置されており、
    前記仕切板と前記インナーウォールの内側面との間の前記処理ガスの排気経路において、前記仕切板側の入口と前記スリット側の出口は一対に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
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