JP4265839B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、「基板」と称する)に対し熱処理を行う熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、基板の製造工程においては、種々の熱処理が行われている。基板に対して熱処理を行う熱処理装置としては、例えば、光照射によって基板の加熱を行う光照射型の熱処理装置(いわゆるランプアニール)が用いられている。
【0003】
図13は、従来の熱処理装置を示す側面図である。この熱処理装置は、光照射型熱処理装置である。図13の装置においては、チャンバ101とカバー110とによって半密閉の空間である処理室130が形成されている。カバー110の上方には光の照射源たるランプ115が複数設けられている。カバー110は、透明の石英板を用いて構成されており、ランプ115からの光を処理室130内へ透過させることができる。
【0004】
処理室130内においては、熱処理の対象である基板Wが均熱リング140に載置され、略水平姿勢にて保持されている。均熱リング140は、サセプタ145によって支持されている。そして、サセプタ145は、回転機構部146によって回転可能とされている。すなわち、回転機構部146がサセプタ145を回転させるのに伴って、基板Wも処理室130内にて回転することとなるのである。
【0005】
また、処理室130内には、ガス導入部120が設けられている。ガス導入部120からは窒素ガスのような不活性ガスやアンモニアガスの如き活性なガスを処理室130内に供給することができる。さらに、処理室130よりも下方であって、回転機構部146よりも上方には排気口150が形成されている。排気口150は装置外部に設けられている排気手段に接続されている。
【0006】
この熱処理装置において基板Wの熱処理を行う際には、熱処理工程に応じてガス導入部120から処理室130内に種々のガスが供給される。供給されたガスは処理室130内に広がり、やがて隙間155を通って空間156に流入する。空間156に流入したガスは排気口150から装置外部に排気される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記の熱処理装置では、通常、複数種類のガスが使用される。例えば、装置内に基板Wを搬入した直後および装置から基板Wを搬出する直前は、処理室130内が窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気とされる。また、基板Wを所定温度まで昇温させて加熱処理を行うときには、処理室130内がアンモニアガス等の処理雰囲気とされる。すなわち、熱処理の工程や目的に応じて、ガス導入部120から処理室130内に所定種類のガスが供給されるとともに、処理室130内の古いガスが隙間155を経て排気口150から排気されることにより、新たに供給されたガスによって処理室130内が置換され、所望の雰囲気が形成されるのである。
【0008】
しかしながら、図13に示すような従来の熱処理装置では、処理室130内においてガスの流れが矢印A13にて示すような滞留渦を形成している。従って、処理室130内の古いガスは円滑に隙間155及び空間156を経て排気口150から排気されず、長時間処理室130内に残留することとなる。その結果、処理室130内のガス置換に長時間を要するという問題が生じていた。
【0009】
また、図14は、図13の装置をV−V線から見た断面図である。図14に示すように、従来の熱処理装置においては、6つの排気口150がチャンバ101の外周に沿って等間隔で間欠的に設けられている。そして、6つの排気口150のそれぞれが排気手段に接続されている。従って、各排気口150の近傍においては迅速な排気が行われる一方、排気口150から離れた位置においてはほとんど排気が行われない。その結果、処理室130からの排気速度が不均一になっていた。
【0010】
図15は、従来の熱処理装置における排気速度を示す図である。同図の横軸には、チャンバ101の周方向における位置を示し、縦軸にはそれぞれの位置における排気速度を示している。図15に示すように、各排気口150の近傍においては排気速度が速くなるのに対して、排気口150から離れた位置においては排気速度が著しく遅くなる。よって、処理室130中において6つの排気口150のそれぞれの間に対応する位置ではほとんど排気が行われず、ガスが滞留することとなり、このことが処理室130内のガス置換に長時間を要するという問題をさらに助長していたのである。また、処理室130から排気口150までの排気経路が長いことも、ガス置換に時間がかかる問題を助長していた。
【0011】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理室から円滑な排気を行うことができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【0012】
また、本発明は、処理室から均一な排気を行うことができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置であって、基板に前記熱処理が行われる処理室と、前記処理室内にて、基板を所定の高さ位置に略水平姿勢にて保持する基板保持部と、前記処理室に形成され、前記処理室内の気体を排気する排気口と、前記排気口よりも下流側に設けられた排気整流手段と、を備えるとともに、前記排気口を、前記所定の高さ位置と同一または該高さ位置よりも上方に形成するとともに、前記排気口に、前記基板と平行かつ前記処理室の外周の2分の1以上の長さにて当該外周の周方向に沿って伸びるスリット形状の開口を有させ、前記排気整流手段に、緩衝空間と前記緩衝空間よりも流体抵抗の大きい通気部とをこの順序で多段に配置して設けて前記排気口の前記開口における単位面積当たりの排気流量が一定となるように排気の整流を行わせている。
【0017】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る熱処理装置において、前記処理室内に鉛直方向下向きの気体流を形成する複数の孔を有するパンチング板をさらに備える。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0019】
図1は、本発明に係る熱処理装置を示す側面図である。この熱処理装置は、光照射によって基板の加熱処理を行う光照射型熱処理装置である。図1の装置においては、チャンバ11とパンチング板35とによって半密閉の空間である処理室30が形成されている。基板Wの熱処理は、この処理室30において行われる。パンチング板35の上方には、透明の石英板を用いて構成されるカバー10が設けられ、さらにその上方には光の照射源たるランプ15が複数設けられている。パンチング板35も透明の石英板を用いて構成されており、ランプ15から射出された光はカバー10およびパンチング板35を透過して処理室30内の基板Wに照射される。また、パンチング板35は複数の孔37を有している。
【0020】
処理室30内においては、熱処理の対象である基板Wが均熱リング40に載置され、所定の高さ位置に略水平姿勢にて保持されている。均熱リング40は、熱処理中の基板Wの端縁部の温度を補償して、基板Wの温度の面内均一性を維持するための部材である。そして、均熱リング40は、サセプタ45によって支持されている。サセプタ45は、図外の回転機構部によって回転可能とされている。サセプタ45が回転されると、基板Wも処理室30内にて回転することとなる。
【0021】
また、図1の熱処理装置は、支持部50を備えている。支持部50は、上部に複数の支持ピン55を有するとともに、図示を省略する昇降機構によって鉛直方向に昇降可能とされている。支持部50が上昇すると、支持ピン55が基板Wの裏面に当接し、均熱リング40から基板Wを突き上げる。逆に、支持部50が下降すると、支持ピン55に載置されていた基板Wが均熱リング40に渡される。支持部50の昇降は、主として基板Wの搬出入のために行われる。すなわち、装置外部との基板Wの受け渡しは支持ピン55が基板Wの裏面に当接した状態で支持部50が上昇して行われ、基板Wの処理中は支持部50が下降して均熱リング40にその基板Wを渡している。
【0022】
また、この熱処理装置はガス導入部20を設けている。ガス導入部20からは複数の種類のガス、すなわち窒素ガスのような不活性ガスやアンモニアガスの如き活性なガスを熱処理の工程や目的に応じて供給することができる。ガス導入部20から供給されたガスはカバー10とパンチング板35との間の空間を流れ、パンチング板35に設けられた複数の孔37から処理室30内に流入する。このときに、複数の孔37のそれぞれからは鉛直方向下向きのガス流が処理室30内に流入し、処理室30内にてダウンフローが形成される。すなわち、複数の孔37を有するパンチング板35は、均一な鉛直方向ガス流であるダウンフローを形成するためのシャワーノズルとしての機能を果たしている。
【0023】
また、熱処理装置は処理室30に排気部60を設けている。排気部60は、処理室30内の気体を装置外部に排出するための排気経路として機能するものであり、排気口61と排気整流部62とを備えている。図2は、図1の熱処理装置をI−I線から見た断面図であって、排気部60の平面図を示している。図3は、排気部60の構成を示す図である。
【0024】
排気部60のうち処理室30に直接隣接し、処理室30内の気体を排気する排気口61は、図1に示すように、均熱リング40によって基板Wが保持されている所定の高さ位置よりも上方に形成されている。また、排気口61は、均熱リング40によって保持されている基板Wと平行にかつ処理室30の外周方向に沿って伸びる開口61aを有している。本実施形態においては、開口61aは処理室30の外周方向の全周に渡って形成されている。換言すれば、排気口61は均熱リング40によって保持されている基板Wと平行にかつ処理室30の外周方向の全周に渡って形成されているスリットである。
【0025】
一方、排気部60のうち排気口61よりも下流側に設けられている排気整流部62は、図2及び図3に示すように、第1バッファ63、第1通気口64、第2バッファ65、第2通気口66、第3バッファ67および第3通気口68を備えている。ここで、「下流側」(または「上流側」)とは、処理室30から装置外部にまで排気される排気流の通過経路において処理室30よりも遠い側(または処理室30に近い側)を言う。
【0026】
第1バッファ63、第2バッファ65および第3バッファ67はともに円環形状の緩衝空間を形成している。そして、第1通気口64、第2通気口66および第3通気口68は、それぞれ第1バッファ63と第2バッファ65、第2バッファ65と第3バッファ67、第3バッファ67と装置外部の排気手段との間を連通している。また、第1通気口64、第2通気口66および第3通気口68は、いずれも上記緩衝空間よりも流体抵抗が大きく(細く)なっている。すなわち、排気整流部62は、緩衝空間たるバッファとそれよりも流体抵抗が大きい通気口とを上流側からこの順序で多段に配置して設けているのである。
【0027】
なお、図2に示すように、本実施形態においては、第1通気口64が8つ、第2通気口66が4つ、第3通気口68が1つ設けられており、排気整流部62の上流側から下流側へと向かうにしたがって通気口の個数を減少させている。
【0028】
次に、以上のような排気部60を備える本実施形態の熱処理装置における処理室30からの排気態様について説明する。処理室30内の気体は、排気口61から排気整流部62、すなわち第1バッファ63、第1通気口64、第2バッファ65、第2通気口66、第3バッファ67、第3通気口68をこの順に経て装置外部へと排出される。ここで、本実施形態の熱処理装置は、均熱リング40によって基板Wが保持されている所定の高さ位置よりも上方に排気口61を形成しているため、処理室30の気体は滞留渦を発生させることなく円滑に排気口61から排気されることとなる。
【0029】
図4は、処理室30内における気流を示す図である。上述の如く、ガス導入部20から供給されたガスはカバー10とパンチング板35との間の空間を流れ、パンチング板35の複数の孔37からダウンフローとして処理室30内に流入する。処理室30内に流入したガス流は、図4に示すように、基板Wの回転によって基板Wの中心から外周へと向かう水平方向の流れを形成する。このような水平方向のガス流は主として基板Wよりもやや上方に形成される。そして、排気口61は基板Wよりも上方に形成されているため、処理室30内におけるガス流は単純な流れにてそのまま排気口61から排気されることとなる。従って、処理室30内のガス流がチャンバ11の内壁等に当たって滞留渦を発生させることはなくなり、円滑に排気口61から排気されることとなる。その結果、処理室30内のガス置換を行う場合に短時間で行うことができるのである。
【0030】
また、図5は、処理室30内における気流の水平面内分布を示す図である。本実施形態の熱処理装置においては、均熱リング40によって保持されている基板Wと平行にかつ処理室30の外周方向の全周に渡って形成されているスリットである排気口61から排気を行っているため、図5に示す如く、処理室30の外周部分の全周に渡って、基板Wの中心から外周へと向かう均一な排気を行うことができる。
【0031】
ところで、排気口61に排気手段を直接接続しても、排気口61の全域に渡って均一な排気を行うことが必要である。これは、排気口61に排気手段を直接接続、例えば第3通気口68を排気口61に直接接続すると、排気口61におけるその接続部分近傍は排気流に対する抵抗が小さく急速に排気することができる反面、接続部分から離れた位置は排気流に対する抵抗が大きくほとんど排気することができない場合があるからである。すなわち、排気口61の全域に渡って均一な排気を行うためには、排気口61の全域に渡って排気流に対する抵抗を均一に調整する機構が必要となる。本実施形態において、この役割を果たしているのが排気整流部62である。
【0032】
既述したように、排気整流部62は、緩衝空間たるバッファとそれよりも流体抵抗が大きい通気口とを上流側からこの順序で多段に配置して設けている。このようなバッファと通気口との組み合わせにより、流体抵抗の小さい(太い)バッファに排気流が流入した後、次の通気口に流入する前に、一旦その流速が緩和されるとともに、気流がバッファ全体に均一に拡がる傾向を示す。このことは、排気口61の全域に渡って排気流に対する抵抗が均一に分散されることを意味する。このような効果は、バッファと通気口との組み合わせの段数を多くするほど得られ易くなる。本実施形態においては、第1バッファ63と第1通気口64、第2バッファ65と第2通気口66および第3バッファ67と第3通気口68の3段の組み合わせを備えている。なお、第1バッファ63,第2バッファ65,第3バッファ67は緩衝空間となり、第1通気口64,第2通気口66,第3通気口68は、通気部となる。
【0033】
このような流体抵抗の小さいバッファと流体抵抗の大きい通気口とを交互に組み合わせて構成される排気整流部62を備えることにより、排気口61から排気が行われるときに、その全域に渡って排気流に対する抵抗を均一に調整し、排気口61の開口61aにおける単位面積当たりの排気流量が一定となるようにしているのである。換言すれば、排気整流部62は排気口61の開口61aにおける単位面積当たりの排気流量が一定となるように排気の整流を行う機構であると言える。
【0034】
上記のような排気整流部62をスリット形状の排気口61の下流側に設けることによって、処理室30の外周部分から均一な排気を行うことができるのである。図6は、上記熱処理装置における排気速度を示す図である。同図の横軸には、排気口61の周方向における位置を示し、縦軸にはそれぞれの位置における排気速度を示している。図15と比較すると明らかなように、処理室30の外周部分から均一な排気が行われている。なお、図6においても排気口61の位置によって排気速度に多少の差が生じているのは、バッファと通気口との接続の位置関係による影響である。
【0035】
以上のように、処理室30の外周部分から均一な排気を行うことにより、従来のような排気口間のガス滞留域が存在しなくなり、処理室30内のガス置換をより短時間で行うことができる。
【0036】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、均熱リング40によって基板Wが保持されている所定の高さ位置よりも上方に排気口61を形成していたが、これに限らず、排気口61は少なくとも基板Wの高さ位置と同一以上の位置に形成すればよい。排気口61を基板Wの高さ位置と同一以上の位置に形成していれば、処理室30内のガスは従来よりも円滑に排気口61から排気されることとなる。もっとも、処理室30内のガス流は主として基板Wよりもやや上方に形成されるため、排気口61を基板Wの高さ位置よりも上方に形成した方がより円滑に処理室30内のガスを排気することができる。
【0037】
また、上記実施形態においては、排気口61を処理室30の外周方向の全周に渡って形成していたが、排気口61は間欠に形成されていてもよい。その場合、排気口61の長さの合計は少なくとも処理室30の外周方向に沿って当該外周の2分の1以上の長さにて形成されていればよい。排気口61を少なくとも処理室30の外周の2分の1以上の長さにて形成していれば、処理室30の外周部分から均一な排気を行うことが可能である。但し、この場合は、排気口61を処理室30の外周方向に沿って均等に配置する必要がある。
【0038】
また、排気整流部62は図3に示したような構成に限定されるものではなく、以下に示すような構成としても良い。図7から図10までは、排気整流部62の他の構成例を示す図である。
【0039】
図7に示す構成例が図3と異なるのは、第1通気口64に代えてスリット74を用いている点である。スリット74の形状は、上述した排気口61と同様のものとすればよい。このようにしてもスリット74の方がバッファよりも流体抵抗が大きいため、図3に示した排気整流部62と同様の効果を得ることができる。なお、スリット74は、通気部となる。
【0040】
図8に示す構成例が図3と異なるのは、第1通気口64に代えてスリット74を用いている点および第2通気口66に代えてスリット76を用いている点である。スリット74,76の形状は、上述した排気口61と同様のものとすればよい。図8に示す構成であっても、スリット74,76の方がバッファよりも流体抵抗が大きいため、図3に示した排気整流部62と同様の効果を得ることができる。なお、スリット74,76は通気部となる。
【0041】
図9に示す構成例では、筐体70の内部に整流板71,72を設けて排気整流部62を構成している。筐体70の内部において整流板71,72によって仕切られた空間がそれぞれ図3における第1バッファ63、第2バッファ65および第3バッファ67に相当する。また、筐体70の内壁と整流板71,72との間の隙間のそれぞれが図3における第1通気口64および第2通気口66に相当する。このようにしても、緩衝空間たるバッファとそれよりも流体抵抗が大きい通気部分とを組み合わせて排気整流部62を構成しているため、図3に示したのと同様の効果を得ることができる。なお、筐体70の内壁と整流板71,72との間の隙間が通気部となる。
【0042】
図10に示す構成例が図9と異なるのは、筐体70の内壁と整流板71,72との間の隙間が存在しない代わりに、整流板71,72のそれぞれに複数の穴71a,72aを設けている点である。このようにしても、複数の穴71a,72aのそれぞれは図9における筐体70の内壁と整流板71,72との間の隙間に相当し、バッファよりも流体抵抗が大きくなるため、図3に示した排気整流部62と同様の効果を得ることができる。なお、整流板71,72のそれぞれに設けられた複数の穴71a,72aが通気部になる。
【0043】
換言すれば、排気整流部62としては、緩衝空間たるバッファになり得る部分とそれよりも流体抵抗が大きい通気部分との組み合わせを実現できるような構成であれば良いのである。なお、上記実施形態においては、バッファ部分と通気部分との組み合わせを3段に構成して設けていたが、この組み合わせが3段に限定されるものでないことは勿論である。
【0044】
また、排気部60全体の構成についても図3に示したような構成に限定されるものではなく、以下に示すような構成としても良い。図11および図12は、排気部60の他の構成例を示す図である。
【0045】
図11に示す排気部60は、図10に示す構成の排気口61に代えて、複数の穴80aを有する整流板80を設けている。このようにしても、複数の穴80aがスリット形状の排気口61と同様の役割を果たす。なお、複数の穴80aは排気口になる。
【0046】
図12に示す構成例では、排気部60に接する処理室30の端部にテーパ90を形成している。テーパ90を形成することによって処理室30内のガス流が滞留渦を発生させることはなくなり、より円滑に排気口61から排気することができる。
【0047】
このように、排気部60についても種々の構成を採用することが可能であり、図11および図12に示した例以外にも、例えば、排気整流部62を鉛直方向に向けて配列したような構成にすることも可能である。また、通気口の断面形状についてもバッファよりも流体抵抗が大きくなるものであれば、円形、多角形その他の形状を採用することができる。
【0048】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1および請求項2の発明によれば、排気口を基板が保持される所定の高さ位置と同一または該高さ位置よりも上方に形成しているため、処理室内のガス流が滞留渦を発生することはなくなり、処理室から円滑な排気を行うことができる。また、排気経路が短くなるので、迅速なガスの置換を行うことができる。また、排気口が基板と平行かつ処理室の外周の2分の1以上の長さにて当該外周の周方向に沿って伸びるスリット形状の開口を有するため、排気口間のガスの滞留域が存在しなくなり、処理室から均一な排気を行うことができる。また、排気整流手段が緩衝空間とその緩衝空間よりも流体抵抗の大きい通気部とをこの順序で多段に配置して設けて排気口の開口における単位面積当たりの排気流量が一定となるように排気の整流を行うため、処理室からより均一な排気を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る熱処理装置を示す側面図である。
【図2】図1の熱処理装置をI−I線から見た断面図である。
【図3】図1の熱処理装置の排気部の構成を示す図である。
【図4】図1の熱処理装置の処理室内における気流を示す図である。
【図5】図1の熱処理装置の処理室内における気流の水平面内分布を示す図である。
【図6】図1の熱処理装置における排気速度を示す図である。
【図7】排気整流部の他の構成例を示す図である。
【図8】排気整流部の他の構成例を示す図である。
【図9】排気整流部の他の構成例を示す図である。
【図10】排気整流部の他の構成例を示す図である。
【図11】排気部の他の構成例を示す図である。
【図12】排気部の他の構成例を示す図である。
【図13】従来の熱処理装置を示す側面図である。
【図14】図13の装置をV−V線から見た断面図である。
【図15】図13の熱処理装置における排気速度を示す図である。
【符号の説明】
30 処理室
40 均熱リング
60 排気部
61 排気口
61a 開口
62 排気整流部
63 第1バッファ
64 第1通気口
65 第2バッファ
66 第2通気口
67 第3バッファ
68 第3通気口
W 基板
Claims (2)
- 基板に熱処理を行う熱処理装置であって、
基板に前記熱処理が行われる処理室と、
前記処理室内にて、基板を所定の高さ位置に略水平姿勢にて保持する基板保持部と、
前記処理室に形成され、前記処理室内の気体を排気する排気口と、
前記排気口よりも下流側に設けられた排気整流手段と、
を備え、
前記排気口は、前記所定の高さ位置と同一または該高さ位置よりも上方に形成されるとともに、前記基板と平行かつ前記処理室の外周の2分の1以上の長さにて当該外周の周方向に沿って伸びるスリット形状の開口を有し、
前記排気整流手段は、緩衝空間と前記緩衝空間よりも流体抵抗の大きい通気部とをこの順序で多段に配置して設けて前記排気口の前記開口における単位面積当たりの排気流量が一定となるように排気の整流を行うことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記処理室内に鉛直方向下向きの気体流を形成する複数の孔を有するパンチング板をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
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