JPH04249322A - 枚葉式熱処理装置 - Google Patents

枚葉式熱処理装置

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Publication number
JPH04249322A
JPH04249322A JP1407091A JP1407091A JPH04249322A JP H04249322 A JPH04249322 A JP H04249322A JP 1407091 A JP1407091 A JP 1407091A JP 1407091 A JP1407091 A JP 1407091A JP H04249322 A JPH04249322 A JP H04249322A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
evacuation
process gas
heat treatment
difference
Prior art date
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Pending
Application number
JP1407091A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Hosokawa
和則 細川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH04249322A publication Critical patent/JPH04249322A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路等の製造
の一工程に用いられる枚様式熱処理装置に関し、特にプ
ロセスガス排気系の圧力制御機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉式熱処理装置は、図３の断面
図に示すように、半導体基板のアニール，酸化，窒化等
に用いられる装置であり、半導体基板４を加熱するラン
プ２と、ランプ２からの光を透過し半導体基板４を外気
から遮断する石英チューブ５と、半導体基板４の温度を
測定する放射温度計１と、プロセスガス導入口６と、半
導体基板４を石英チューブ５内で支持する半導体基板支
持部３とを有している。
【０００３】石英チューブ５内の半導体基板支持部３に
て支持された半導体基板４は、プロセスガス導入口６よ
り導入されたプロセスガスにて置換された石英チューブ
５内で、上下に設置されたランプ２により一様に加熱さ
れ、放射温度計１により温度を測定され、目的とする温
度で一定時間加熱された後、自然冷却される。この間、
プロセスガス導入口６より、最適な流量に制御されらプ
ロセスガスが継続的に導入され続け、排気口７より排気
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の枚葉式処理
装置では、排気側に排気圧力制御機構を有していない為
、排気側の圧力変動がそのまま処理室内部の圧力変動と
なり、処理中のプロセスガス濃度が変動し、熱処理条件
のばらつきを生じてしまうという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の枚葉式熱処理装
置は、プロセスガス排気系に排気圧力を測定する為の圧
力系と、あらかじめ設定された目的とする排気圧力と実
際の圧力との差を計算する為の演算部と、演算部にて計
算された圧力差に対応する信号に基づき、排気圧力調整
を行なう為の制御部、駆動部及び圧力制御バルブとを有
している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の実施例１の断面図である。
【０００７】密閉された石英チューブ５内に置かれ、半
導体基板支持部３にて支持された半導体基板４は、プロ
セスガス導入口６より導入されたプロセスガスにて置換
された石英チューブ５内で、上下に設置されたランプ２
により一様に加熱され、放射温度計により温度を測定さ
れ、目的とする温度で一定時間加熱された後自然冷却さ
れる。この間、プロセスガス導入口６より導入され最適
な流量に制御されたプロセスガスは、石英チューブ５を
通り、排気口８より排出される。そして、排気圧力を常
に圧力計８にて測定し、演算部９にて目的とする排気圧
力との差を計算し、この差圧に対応して制御部１０より
駆動部１１へ制御信号を送り、駆動部１１にて圧力制御
バルブ１２を制御し、排気圧力は一定に保たれる。また
、排気圧力を一定に保つことにより、石英チューブ５内
部とプロセスガス濃度のばらつきを最小限に抑えること
が出来、半導体基板の熱処理の再現性を向上させること
が出来る。
【０００８】図２は本発明の実施例２の断面図である。 本実施例は、圧力制御バルブ１２の後方にポンプ１３を
設け、背圧を一定にすることにより、圧力制御バルブ１
２以降の排気圧力の変動幅を小さくし、より安定した排
気圧力を得ることができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、熱処理装
置のプロセスガス排気系に排気圧力制御機構を有してい
るので、半導体基板の熱処理中の排気圧力変動を最小限
に制御し、石英チューブ内のプロセスガス濃度の変動の
ばらつきを抑え半導体基板の熱処理再現性を向上させる
ことが出来るという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の断面図である。
【図２】本発明の実施例２の断面図である。
【図３】従来の熱処理装置の断面図である。
【符号の説明】
１　　　　放射温度計 ２　　　　ランプ ３　　　　半導体基板支持部 ４　　　　半導体基板 ５　　　　石英チューブ ６　　　　プロセスガス導入口 ７　　　　排気口 ８　　　　圧力計 ９　　　　演算部 １０　　　　制御部 １１　　　　駆動部 １２　　　　圧力制御バルブ １３　　　　ポンプ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　石英チューブ内に置かれた半導体基板
    をプロセスガス中で加熱処理する枚葉式熱処理装置にお
    いて、プロセスガスの排気圧力を測定する圧力計と、あ
    らかじめ設定された排気圧力と実際の圧力との差を計算
    する演算部と、この圧力差に対応した演算部からの信号
    に基づき駆動部に制御信号を送る制御部と、駆動部によ
    り駆動される圧力制御バルブとをプロセスガス排気系に
    備えたことを特徴とする枚葉式熱処理装置。
JP1407091A 1991-02-05 1991-02-05 枚葉式熱処理装置 Pending JPH04249322A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007038A (ja) * 1999-06-24 2001-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007038A (ja) * 1999-06-24 2001-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置

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