JP2001007038A

JP2001007038A - 熱処理装置

Info

Publication number: JP2001007038A
Application number: JP11178197A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Hosokawa; 章宏細川; Kozo Terajima; 幸三寺嶋
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-06-24
Filing date: 1999-06-24
Publication date: 2001-01-12
Anticipated expiration: 2019-06-24
Also published as: JP4265839B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理室から円滑な排気を行うことができる熱
処理装置を提供する。【解決手段】ガス導入部２０から供給されたガスはパ
ンチング板３５の複数の孔３７から処理室３０内に流入
する。処理室３０内に流入したガス流は、基板Ｗの中心
から外周へと向かう水平方向の流れを形成する。排気部
６０の排気口６１は基板Ｗよりも上方に形成されている
ため、処理室３０内におけるガス流は単純な流れにてそ
のまま排気口６１から排気されることとなる。その結
果、処理室３０内のガス流がチャンバ１１の内壁等に当
たって滞留渦を発生させることはなくなり、円滑に排気
口６１から排気されることとなる。また、排気口６１を
スリット形状にするとともに、緩衝空間とその緩衝空間
よりも流体抵抗の大きい通気部とを備えた排気整流部６
２を設けることにより、処理室３０の外周部分から均一
な排気を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）に対し熱
処理を行う熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板の製造工程においては、
種々の熱処理が行われている。基板に対して熱処理を行
う熱処理装置としては、例えば、光照射によって基板の
加熱を行う光照射型の熱処理装置（いわゆるランプアニ
ール）が用いられている。

【０００３】図１３は、従来の熱処理装置を示す側面図
である。この熱処理装置は、光照射型熱処理装置であ
る。図１３の装置においては、チャンバ１０１とカバー
１１０とによって半密閉の空間である処理室１３０が形
成されている。カバー１１０の上方には光の照射源たる
ランプ１１５が複数設けられている。カバー１１０は、
透明の石英板を用いて構成されており、ランプ１１５か
らの光を処理室１３０内へ透過させることができる。

【０００４】処理室１３０内においては、熱処理の対象
である基板Ｗが均熱リング１４０に載置され、略水平姿
勢にて保持されている。均熱リング１４０は、サセプタ
１４５によって支持されている。そして、サセプタ１４
５は、回転機構部１４６によって回転可能とされてい
る。すなわち、回転機構部１４６がサセプタ１４５を回
転させるのに伴って、基板Ｗも処理室１３０内にて回転
することとなるのである。

【０００５】また、処理室１３０内には、ガス導入部１
２０が設けられている。ガス導入部１２０からは窒素ガ
スのような不活性ガスやアンモニアガスの如き活性なガ
スを処理室１３０内に供給することができる。さらに、
処理室１３０よりも下方であって、回転機構部１４６よ
りも上方には排気口１５０が形成されている。排気口１
５０は装置外部に設けられている排気手段に接続されて
いる。

【０００６】この熱処理装置において基板Ｗの熱処理を
行う際には、熱処理工程に応じてガス導入部１２０から
処理室１３０内に種々のガスが供給される。供給された
ガスは処理室１３０内に広がり、やがて隙間１５５を通
って空間１５６に流入する。空間１５６に流入したガス
は排気口１５０から装置外部に排気される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の熱処
理装置では、通常、複数種類のガスが使用される。例え
ば、装置内に基板Ｗを搬入した直後および装置から基板
Ｗを搬出する直前は、処理室１３０内が窒素ガス等の不
活性ガスの雰囲気とされる。また、基板Ｗを所定温度ま
で昇温させて加熱処理を行うときには、処理室１３０内
がアンモニアガス等の処理雰囲気とされる。すなわち、
熱処理の工程や目的に応じて、ガス導入部１２０から処
理室１３０内に所定種類のガスが供給されるとともに、
処理室１３０内の古いガスが隙間１５５を経て排気口１
５０から排気されることにより、新たに供給されたガス
によって処理室１３０内が置換され、所望の雰囲気が形
成されるのである。

【０００８】しかしながら、図１３に示すような従来の
熱処理装置では、処理室１３０内においてガスの流れが
矢印Ａ１３にて示すような滞留渦を形成している。従っ
て、処理室１３０内の古いガスは円滑に隙間１５５及び
空間１５６を経て排気口１５０から排気されず、長時間
処理室１３０内に残留することとなる。その結果、処理
室１３０内のガス置換に長時間を要するという問題が生
じていた。

【０００９】また、図１４は、図１３の装置をＶ−Ｖ線
から見た断面図である。図１４に示すように、従来の熱
処理装置においては、６つの排気口１５０がチャンバ１
０１の外周に沿って等間隔で間欠的に設けられている。
そして、６つの排気口１５０のそれぞれが排気手段に接
続されている。従って、各排気口１５０の近傍において
は迅速な排気が行われる一方、排気口１５０から離れた
位置においてはほとんど排気が行われない。その結果、
処理室１３０からの排気速度が不均一になっていた。

【００１０】図１５は、従来の熱処理装置における排気
速度を示す図である。同図の横軸には、チャンバ１０１
の周方向における位置を示し、縦軸にはそれぞれの位置
における排気速度を示している。図１５に示すように、
各排気口１５０の近傍においては排気速度が速くなるの
に対して、排気口１５０から離れた位置においては排気
速度が著しく遅くなる。よって、処理室１３０中におい
て６つの排気口１５０のそれぞれの間に対応する位置で
はほとんど排気が行われず、ガスが滞留することとな
り、このことが処理室１３０内のガス置換に長時間を要
するという問題をさらに助長していたのである。また、
処理室１３０から排気口１５０までの排気経路が長いこ
とも、ガス置換に時間がかかる問題を助長していた。

【００１１】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、処理室から円滑な排気を行うことができる熱処
理装置を提供することを目的とする。

【００１２】また、本発明は、処理室から均一な排気を
行うことができる熱処理装置を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置
であって、基板に前記熱処理が行われる処理室と、前記
処理室内にて、基板を所定の高さ位置に略水平姿勢にて
保持する基板保持部と、前記処理室に形成され、前記処
理室内の気体を排気する排気口と、を備えるとともに、
前記排気口を、前記所定の高さ位置と同一または該高さ
位置よりも上方に形成している。

【００１４】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる熱処理装置において、前記排気口に、前記基板
と平行かつ前記処理室の外周方向に沿って伸びる開口を
有させている。

【００１５】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
にかかる熱処理装置において、前記排気口よりも下流側
に、前記排気口の前記開口における単位面積当たりの排
気流量が一定となるように排気の整流を行う排気整流手
段をさらに備えている。

【００１６】また、請求項４の発明は、請求項３の発明
にかかる熱処理装置において、前記排気整流手段に、緩
衝空間と、前記緩衝空間よりも流体抵抗の大きい通気部
と、を備えさせている。

【００１７】また、請求項５の発明は、請求項４の発明
にかかる熱処理装置において、前記排気整流手段を、前
記緩衝空間と前記通気部とをこの順序で多段に配置して
設けている。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１９】図１は、本発明に係る熱処理装置を示す側
面図である。この熱処理装置は、光照射によって基板の
加熱処理を行う光照射型熱処理装置である。図１の装置
においては、チャンバ１１とパンチング板３５とによっ
て半密閉の空間である処理室３０が形成されている。基
板Ｗの熱処理は、この処理室３０において行われる。パ
ンチング板３５の上方には、透明の石英板を用いて構成
されるカバー１０が設けられ、さらにその上方には光の
照射源たるランプ１５が複数設けられている。パンチン
グ板３５も透明の石英板を用いて構成されており、ラン
プ１５から射出された光はカバー１０およびパンチング
板３５を透過して処理室３０内の基板Ｗに照射される。
また、パンチング板３５は複数の孔３７を有している。

【００２０】処理室３０内においては、熱処理の対象で
ある基板Ｗが均熱リング４０に載置され、所定の高さ位
置に略水平姿勢にて保持されている。均熱リング４０
は、熱処理中の基板Ｗの端縁部の温度を補償して、基板
Ｗの温度の面内均一性を維持するための部材である。そ
して、均熱リング４０は、サセプタ４５によって支持さ
れている。サセプタ４５は、図外の回転機構部によって
回転可能とされている。サセプタ４５が回転されると、
基板Ｗも処理室３０内にて回転することとなる。

【００２１】また、図１の熱処理装置は、支持部５０を
備えている。支持部５０は、上部に複数の支持ピン５５
を有するとともに、図示を省略する昇降機構によって鉛
直方向に昇降可能とされている。支持部５０が上昇する
と、支持ピン５５が基板Ｗの裏面に当接し、均熱リング
４０から基板Ｗを突き上げる。逆に、支持部５０が下降
すると、支持ピン５５に載置されていた基板Ｗが均熱リ
ング４０に渡される。支持部５０の昇降は、主として基
板Ｗの搬出入のために行われる。すなわち、装置外部と
の基板Ｗの受け渡しは支持ピン５５が基板Ｗの裏面に当
接した状態で支持部５０が上昇して行われ、基板Ｗの処
理中は支持部５０が下降して均熱リング４０にその基板
Ｗを渡している。

【００２２】また、この熱処理装置はガス導入部２０を
設けている。ガス導入部２０からは複数の種類のガス、
すなわち窒素ガスのような不活性ガスやアンモニアガス
の如き活性なガスを熱処理の工程や目的に応じて供給す
ることができる。ガス導入部２０から供給されたガスは
カバー１０とパンチング板３５との間の空間を流れ、パ
ンチング板３５に設けられた複数の孔３７から処理室３
０内に流入する。このときに、複数の孔３７のそれぞれ
からは鉛直方向下向きのガス流が処理室３０内に流入
し、処理室３０内にてダウンフローが形成される。すな
わち、複数の孔３７を有するパンチング板３５は、均一
な鉛直方向ガス流であるダウンフローを形成するための
シャワーノズルとしての機能を果たしている。

【００２３】また、熱処理装置は処理室３０に排気部６
０を設けている。排気部６０は、処理室３０内の気体を
装置外部に排出するための排気経路として機能するもの
であり、排気口６１と排気整流部６２とを備えている。
図２は、図１の熱処理装置をＩ−Ｉ線から見た断面図で
あって、排気部６０の平面図を示している。図３は、排
気部６０の構成を示す図である。

【００２４】排気部６０のうち処理室３０に直接隣接
し、処理室３０内の気体を排気する排気口６１は、図１
に示すように、均熱リング４０によって基板Ｗが保持さ
れている所定の高さ位置よりも上方に形成されている。
また、排気口６１は、均熱リング４０によって保持され
ている基板Ｗと平行にかつ処理室３０の外周方向に沿っ
て伸びる開口６１ａを有している。本実施形態において
は、開口６１ａは処理室３０の外周方向の全周に渡って
形成されている。換言すれば、排気口６１は均熱リング
４０によって保持されている基板Ｗと平行にかつ処理室
３０の外周方向の全周に渡って形成されているスリット
である。

【００２５】一方、排気部６０のうち排気口６１よりも
下流側に設けられている排気整流部６２は、図２及び図
３に示すように、第１バッファ６３、第１通気口６４、
第２バッファ６５、第２通気口６６、第３バッファ６７
および第３通気口６８を備えている。ここで、「下流
側」（または「上流側」）とは、処理室３０から装置外
部にまで排気される排気流の通過経路において処理室３
０よりも遠い側（または処理室３０に近い側）を言う。

【００２６】第１バッファ６３、第２バッファ６５およ
び第３バッファ６７はともに円環形状の緩衝空間を形成
している。そして、第１通気口６４、第２通気口６６お
よび第３通気口６８は、それぞれ第１バッファ６３と第
２バッファ６５、第２バッファ６５と第３バッファ６
７、第３バッファ６７と装置外部の排気手段との間を連
通している。また、第１通気口６４、第２通気口６６お
よび第３通気口６８は、いずれも上記緩衝空間よりも流
体抵抗が大きく（細く）なっている。すなわち、排気整
流部６２は、緩衝空間たるバッファとそれよりも流体抵
抗が大きい通気口とを上流側からこの順序で多段に配置
して設けているのである。

【００２７】なお、図２に示すように、本実施形態にお
いては、第１通気口６４が８つ、第２通気口６６が４
つ、第３通気口６８が１つ設けられており、排気整流部
６２の上流側から下流側へと向かうにしたがって通気口
の個数を減少させている。

【００２８】次に、以上のような排気部６０を備える本
実施形態の熱処理装置における処理室３０からの排気態
様について説明する。処理室３０内の気体は、排気口６
１から排気整流部６２、すなわち第１バッファ６３、第
１通気口６４、第２バッファ６５、第２通気口６６、第
３バッファ６７、第３通気口６８をこの順に経て装置外
部へと排出される。ここで、本実施形態の熱処理装置
は、均熱リング４０によって基板Ｗが保持されている所
定の高さ位置よりも上方に排気口６１を形成しているた
め、処理室３０の気体は滞留渦を発生させることなく円
滑に排気口６１から排気されることとなる。

【００２９】図４は、処理室３０内における気流を示す
図である。上述の如く、ガス導入部２０から供給された
ガスはカバー１０とパンチング板３５との間の空間を流
れ、パンチング板３５の複数の孔３７からダウンフロー
として処理室３０内に流入する。処理室３０内に流入し
たガス流は、図４に示すように、基板Ｗの回転によって
基板Ｗの中心から外周へと向かう水平方向の流れを形成
する。このような水平方向のガス流は主として基板Ｗよ
りもやや上方に形成される。そして、排気口６１は基板
Ｗよりも上方に形成されているため、処理室３０内にお
けるガス流は単純な流れにてそのまま排気口６１から排
気されることとなる。従って、処理室３０内のガス流が
チャンバ１１の内壁等に当たって滞留渦を発生させるこ
とはなくなり、円滑に排気口６１から排気されることと
なる。その結果、処理室３０内のガス置換を行う場合に
短時間で行うことができるのである。

【００３０】また、図５は、処理室３０内における気流
の水平面内分布を示す図である。本実施形態の熱処理装
置においては、均熱リング４０によって保持されている
基板Ｗと平行にかつ処理室３０の外周方向の全周に渡っ
て形成されているスリットである排気口６１から排気を
行っているため、図５に示す如く、処理室３０の外周部
分の全周に渡って、基板Ｗの中心から外周へと向かう均
一な排気を行うことができる。

【００３１】ところで、排気口６１に排気手段を直接接
続しても、排気口６１の全域に渡って均一な排気を行う
ことが必要である。これは、排気口６１に排気手段を直
接接続、例えば第３通気口６８を排気口６１に直接接続
すると、排気口６１におけるその接続部分近傍は排気流
に対する抵抗が小さく急速に排気することができる反
面、接続部分から離れた位置は排気流に対する抵抗が大
きくほとんど排気することができない場合があるからで
ある。すなわち、排気口６１の全域に渡って均一な排気
を行うためには、排気口６１の全域に渡って排気流に対
する抵抗を均一に調整する機構が必要となる。本実施形
態において、この役割を果たしているのが排気整流部６
２である。

【００３２】既述したように、排気整流部６２は、緩衝
空間たるバッファとそれよりも流体抵抗が大きい通気口
とを上流側からこの順序で多段に配置して設けている。
このようなバッファと通気口との組み合わせにより、流
体抵抗の小さい（太い）バッファに排気流が流入した
後、次の通気口に流入する前に、一旦その流速が緩和さ
れるとともに、気流がバッファ全体に均一に拡がる傾向
を示す。このことは、排気口６１の全域に渡って排気流
に対する抵抗が均一に分散されることを意味する。この
ような効果は、バッファと通気口との組み合わせの段数
を多くするほど得られ易くなる。本実施形態において
は、第１バッファ６３と第１通気口６４、第２バッファ
６５と第２通気口６６および第３バッファ６７と第３通
気口６８の３段の組み合わせを備えている。なお、第１
バッファ６３，第２バッファ６５，第３バッファ６７は
緩衝空間となり、第１通気口６４，第２通気口６６，第
３通気口６８は、通気部となる。

【００３３】このような流体抵抗の小さいバッファと流
体抵抗の大きい通気口とを交互に組み合わせて構成され
る排気整流部６２を備えることにより、排気口６１から
排気が行われるときに、その全域に渡って排気流に対す
る抵抗を均一に調整し、排気口６１の開口６１ａにおけ
る単位面積当たりの排気流量が一定となるようにしてい
るのである。換言すれば、排気整流部６２は排気口６１
の開口６１ａにおける単位面積当たりの排気流量が一定
となるように排気の整流を行う機構であると言える。

【００３４】上記のような排気整流部６２をスリット形
状の排気口６１の下流側に設けることによって、処理室
３０の外周部分から均一な排気を行うことができるので
ある。図６は、上記熱処理装置における排気速度を示す
図である。同図の横軸には、排気口６１の周方向におけ
る位置を示し、縦軸にはそれぞれの位置における排気速
度を示している。図１５と比較すると明らかなように、
処理室３０の外周部分から均一な排気が行われている。
なお、図６においても排気口６１の位置によって排気速
度に多少の差が生じているのは、バッファと通気口との
接続の位置関係による影響である。

【００３５】以上のように、処理室３０の外周部分から
均一な排気を行うことにより、従来のような排気口間の
ガス滞留域が存在しなくなり、処理室３０内のガス置換
をより短時間で行うことができる。

【００３６】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態においては、均熱リング４０によ
って基板Ｗが保持されている所定の高さ位置よりも上方
に排気口６１を形成していたが、これに限らず、排気口
６１は少なくとも基板Ｗの高さ位置と同一以上の位置に
形成すればよい。排気口６１を基板Ｗの高さ位置と同一
以上の位置に形成していれば、処理室３０内のガスは従
来よりも円滑に排気口６１から排気されることとなる。
もっとも、処理室３０内のガス流は主として基板Ｗより
もやや上方に形成されるため、排気口６１を基板Ｗの高
さ位置よりも上方に形成した方がより円滑に処理室３０
内のガスを排気することができる。

【００３７】また、上記実施形態においては、排気口６
１を処理室３０の外周方向の全周に渡って形成していた
が、排気口６１は間欠に形成されていてもよい。その場
合、排気口６１の長さの合計は少なくとも処理室３０の
外周方向に沿って当該外周の２分の１以上の長さにて形
成されていればよい。排気口６１を少なくとも処理室３
０の外周の２分の１以上の長さにて形成していれば、処
理室３０の外周部分から均一な排気を行うことが可能で
ある。但し、この場合は、排気口６１を処理室３０の外
周方向に沿って均等に配置する必要がある。

【００３８】また、排気整流部６２は図３に示したよう
な構成に限定されるものではなく、以下に示すような構
成としても良い。図７から図１０までは、排気整流部６
２の他の構成例を示す図である。

【００３９】図７に示す構成例が図３と異なるのは、第
１通気口６４に代えてスリット７４を用いている点であ
る。スリット７４の形状は、上述した排気口６１と同様
のものとすればよい。このようにしてもスリット７４の
方がバッファよりも流体抵抗が大きいため、図３に示し
た排気整流部６２と同様の効果を得ることができる。な
お、スリット７４は、通気部となる。

【００４０】図８に示す構成例が図３と異なるのは、第
１通気口６４に代えてスリット７４を用いている点およ
び第２通気口６６に代えてスリット７６を用いている点
である。スリット７４，７６の形状は、上述した排気口
６１と同様のものとすればよい。図８に示す構成であっ
ても、スリット７４，７６の方がバッファよりも流体抵
抗が大きいため、図３に示した排気整流部６２と同様の
効果を得ることができる。なお、スリット７４，７６は
通気部となる。

【００４１】図９に示す構成例では、筐体７０の内部に
整流板７１，７２を設けて排気整流部６２を構成してい
る。筐体７０の内部において整流板７１，７２によって
仕切られた空間がそれぞれ図３における第１バッファ６
３、第２バッファ６５および第３バッファ６７に相当す
る。また、筐体７０の内壁と整流板７１，７２との間の
隙間のそれぞれが図３における第１通気口６４および第
２通気口６６に相当する。このようにしても、緩衝空間
たるバッファとそれよりも流体抵抗が大きい通気部分と
を組み合わせて排気整流部６２を構成しているため、図
３に示したのと同様の効果を得ることができる。なお、
筐体７０の内壁と整流板７１，７２との間の隙間が通気
部となる。

【００４２】図１０に示す構成例が図９と異なるのは、
筐体７０の内壁と整流板７１，７２との間の隙間が存在
しない代わりに、整流板７１，７２のそれぞれに複数の
穴７１ａ，７２ａを設けている点である。このようにし
ても、複数の穴７１ａ，７２ａのそれぞれは図９におけ
る筐体７０の内壁と整流板７１，７２との間の隙間に相
当し、バッファよりも流体抵抗が大きくなるため、図３
に示した排気整流部６２と同様の効果を得ることができ
る。なお、整流板７１，７２のそれぞれに設けられた複
数の穴７１ａ，７２ａが通気部になる。

【００４３】換言すれば、排気整流部６２としては、緩
衝空間たるバッファになり得る部分とそれよりも流体抵
抗が大きい通気部分との組み合わせを実現できるような
構成であれば良いのである。なお、上記実施形態におい
ては、バッファ部分と通気部分との組み合わせを３段に
構成して設けていたが、この組み合わせが３段に限定さ
れるものでないことは勿論である。

【００４４】また、排気部６０全体の構成についても図
３に示したような構成に限定されるものではなく、以下
に示すような構成としても良い。図１１および図１２
は、排気部６０の他の構成例を示す図である。

【００４５】図１１に示す排気部６０は、図１０に示す
構成の排気口６１に代えて、複数の穴８０ａを有する整
流板８０を設けている。このようにしても、複数の穴８
０ａがスリット形状の排気口６１と同様の役割を果た
す。なお、複数の穴８０ａは排気口になる。

【００４６】図１２に示す構成例では、排気部６０に接
する処理室３０の端部にテーパ９０を形成している。テ
ーパ９０を形成することによって処理室３０内のガス流
が滞留渦を発生させることはなくなり、より円滑に排気
口６１から排気することができる。

【００４７】このように、排気部６０についても種々の
構成を採用することが可能であり、図１１および図１２
に示した例以外にも、例えば、排気整流部６２を鉛直方
向に向けて配列したような構成にすることも可能であ
る。また、通気口の断面形状についてもバッファよりも
流体抵抗が大きくなるものであれば、円形、多角形その
他の形状を採用することができる。

【００４８】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、排気口を基板が保持される所定の高さ位置と
同一または該高さ位置よりも上方に形成しているため、
処理室内のガス流が滞留渦を発生することはなくなり、
処理室から円滑な排気を行うことができる。また、排気
経路が短くなるので、迅速なガスの置換を行うことがで
きる。

【００４９】また、請求項２の発明によれば、排気口が
基板と平行かつ処理室の外周方向に沿って伸びる開口を
有するため、排気口間のガスの滞留域が存在しなくな
り、処理室から均一な排気を行うことができる。

【００５０】また、請求項３の発明によれば、排気口よ
りも下流側に、排気口の開口における単位面積当たりの
排気流量が一定となるように排気の整流を行う排気整流
手段を備えているため、処理室からより均一な排気を行
うことができる。

【００５１】また、請求項４の発明によれば、排気整流
手段が緩衝空間とその緩衝空間よりも流体抵抗の大きい
通気部と、を備えているため、排気流に対する抵抗を排
気口の全域に渡って分散することができ、処理室からよ
り均一な排気を行うことができる。

【００５２】また、請求項５の発明によれば、排気整流
手段が緩衝空間と通気部とをこの順序で多段に配置して
設けているため、請求項４の発明の効果をより確実に得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る熱処理装置を示す側面図である。

【図２】図１の熱処理装置をＩ−Ｉ線から見た断面図で
ある。

【図３】図１の熱処理装置の排気部の構成を示す図であ
る。

【図４】図１の熱処理装置の処理室内における気流を示
す図である。

【図５】図１の熱処理装置の処理室内における気流の水
平面内分布を示す図である。

【図６】図１の熱処理装置における排気速度を示す図で
ある。

【図７】排気整流部の他の構成例を示す図である。

【図８】排気整流部の他の構成例を示す図である。

【図９】排気整流部の他の構成例を示す図である。

【図１０】排気整流部の他の構成例を示す図である。

【図１１】排気部の他の構成例を示す図である。

【図１２】排気部の他の構成例を示す図である。

【図１３】従来の熱処理装置を示す側面図である。

【図１４】図１３の装置をＶ−Ｖ線から見た断面図であ
る。

【図１５】図１３の熱処理装置における排気速度を示す
図である。

【符号の説明】

３０処理室４０均熱リング６０排気部６１排気口６１ａ開口６２排気整流部６３第１バッファ６４第１通気口６５第２バッファ６６第２通気口６７第３バッファ６８第３通気口Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に熱処理を行う熱処理装置であっ
て、基板に前記熱処理が行われる処理室と、前記処理室内にて、基板を所定の高さ位置に略水平姿勢
にて保持する基板保持部と、前記処理室に形成され、前記処理室内の気体を排気する
排気口と、を備え、前記排気口は、前記所定の高さ位置と同一または該高さ
位置よりも上方に形成されることを特徴とする熱処理装
置。
【請求項２】請求項１記載の熱処理装置において、前記排気口は、前記基板と平行かつ前記処理室の外周方
向に沿って伸びる開口を有することを特徴とする熱処理
装置。
【請求項３】請求項２記載の熱処理装置において、前記排気口よりも下流側に、前記排気口の前記開口にお
ける単位面積当たりの排気流量が一定となるように排気
の整流を行う排気整流手段をさらに備えることを特徴と
する熱処理装置。
【請求項４】請求項３記載の熱処理装置において、前記排気整流手段は、緩衝空間と、前記緩衝空間よりも流体抵抗の大きい通気部と、を備え
ることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】請求項４記載の熱処理装置において、前記排気整流手段は、前記緩衝空間と前記通気部とをこの順序で多段に配置し
て設けることを特徴とする熱処理装置。