KR20010049835A - 램프 유닛 및 광조사식 가열장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 램프 입력 밀도가 크고, 또한 램프의 효율이 좋은 냉각이 용이하고, 반도체 웨이퍼의 승온을 종래보다도 고속으로 행하는 것이 가능한 램프 유닛 및 광조사식 가열장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
고리형상의 발광관(7) 내에 필라멘트가 설치된 다수개의 필라멘트 램프(4)를 동일 면내에서 동심원형상으로 배치하여 램프군을 구성하고, 다수개의 램프군이 그 중심이 일치한 상태에서 계단형상으로 배치하여 램프 유닛(LU)으로 한다. 이 램프 유닛이 배치된 램프실(1)에 냉각풍의 도입구(18) 및 배기구(19)를 설치한다. 램프실의 측벽 내면에 미러(51)를 설치한다. 램프실 아래쪽의 광조사실(2)에 배치된 워크 지지대(3)를 회전가능하게 한다.
Description
본 발명은, 피처리물인 반도체 웨이퍼에 성막(成膜), 확산, 어닐링 등의 처리를 행하기 위해, 광조사에 의해 가열처리하기 위한 램프 유닛 및 이 램프 유닛을 사용한 광조사식 가열장치에 관한 것이고, 또한, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 어닐링 공정에서 얇은 접합면을 형성하기 위해 고속가열처리가 가능한 램프 유닛 및 이 램프 유닛을 사용한 광조사식 가열장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정에서, 반도체 웨이퍼에 성막, 확산, 어닐링 등의 처리를 행하기 위해 필라멘트 램프로부터 방사되는 적외선을 많이 포함하는 광에 의해서 가열처리하는 광조사식 가열장치가 사용된다. 이들 중 어느 처리나 반도체 웨이퍼를 고온으로 가열처리하는 것이지만, 광조사식의 가열처리장치를 사용하면, 반도체 웨이퍼를 급속히 가열할 수 있고, 예를 들면, 십수초에서 수십초로 1000℃ 이상의 온도까지 승온시킬 수 있다. 또, 광조사를 정지하면, 급속히 냉각할 수 있다.
도 1은 종래의 광조사식 가열장치의 일례의 단면도를 나타낸다. 램프실(1)에 후술하는 필라멘트 램프(4)가 배치되고, 필라멘트 램프(4)의 배면에 미러(5)가 배치되어 있다. 이 램프실(1)은 광조사실(2)과 석영창(9)에 의해서 구획이 나누어져 있다. 광조사실(2) 내에서는 웨이퍼 지지대(3) 상에 가열처리되는 워크인 반도체 웨이퍼(W)가 설치되어 있다. 또한, 석영창(9)은 반도체 웨이퍼(W) 근방의 분위기가 램프실(1)의 분위기와 다른 경우에 사용된다.
필라멘트 램프(4)의 일례를 도 2에 나타내지만, 필라멘트 램프(4)의 봉체(封體)는 원형 고리형상의 발광관(7)과 발광관(7)의 단부에 직각으로 연이어 설치된 한쌍의 도입관(8)으로 이루어지고, 발광관(7) 내에 텅스텐 가닥을 코일형상으로 감은 필라멘트(12)가 배치되어 있다. 그리고, 도입관(8)의 단부에 시일부(11)가 형성되고, 필라멘트(12)의 단부와 리드선(19)이 시일부(11)에서 몰리브덴 박(11a)을 통해서 접속되어 있다. 봉체 내에는 불활성 가스와 함께 미량의 할로겐 가스가 봉입되어 있다.
또한, 필라멘트 램프(4)의 원형 고리형상의 발광관(7)은 도 3에 도시하는 바와 같이, 원형 고리를 분할한 반원, 또는 원호형상의 발광관(7)을 조합하여 원형 고리형상으로 한 것이어도 좋다.
도 1에서, 발광관(7)이 원형 고리형상이고 그 원형 고리의 직경(D)이 다른 다수개의 필라멘트 램프(4)가 그 원형 고리의 중심(X)을 중심으로 하여 발광관(7)이 동심원형상으로 배치되어 있다. 필라멘트 램프(4)의 배면에 배치된 미러(5)는 금속, 예를 들면, 알루미늄으로 이루어지고, 필라멘트 램프(4)의 발광관(7)을 덮은 동심원형상의 홈(13)과, 도입관(8)이 삽통되는 관통구멍(6)이 설치되어 있다. 미러(5)의 반사면에는 광을 좋게 반사하도록 금속도금, 예를 들면, 금도금이 실시되어 있다. 각 필라멘트 램프(4)의 발광관(7)은 미러(5)의 동심원형상의 홈에 끼우도록 배치되어 있다. 또, 각 필라멘트 램프(4)의 도입관(8)은 미러(5)의 관통구멍(6)에 삽통되어 미러(5)의 배면에 돌출되어 있다.
따라서, 필라멘트 램프(4)에 전력을 투입하면, 필라멘트(12)가 발광하고, 광을 방사하지만, 그 광은 미러(5)에서 반사되어, 광조사실(2) 내의 웨이퍼 지지대(3) 상의 반도체 웨이퍼(W)에 조사된다.
그러나, 근래에는 반도체 집적회로의 고집적화·미세화가 점점 요구되고, 예를 들면, 이온 주입에 의해 반도체 웨이퍼의 Si 결정에 불순물을 투입하여 확산시키는 공정에서, 불순물의 확산층을 얇게 하고, 얇은 접합면을 형성할 필요성이 커지고 있다. 이온 주입법에 의한 불순물 확산은 이온화한 불순물을 전계에서 가속하여 Si 결정에 물리적으로 투입하는 주입공정과, 주입으로 결정이 받은 손해를 회복하면서 불순물을 결정내부에 확산하는 어닐링 공정으로 행해지지만, 얇은 접합면을 형성하기 위해서는 어닐링 공정에서 불순물의 확산을 억제하여 얇은 확산막을 얻을 필요가 있고, 이를 위해서는, 반도체 웨이퍼의 승온속도를 고속으로 행할 필요가 있다. 승온속도가 느리면, 어닐링 처리시간이 길어지고, 불순물의 확산이 소정의 확산막 두께를 넘어서 넓어져 버린다. 확산층의 막두께의 요구가 예를 들면, 0.13∼0.15㎛이면, 150∼200℃/초의 승온속도가 필요하게 된다.
그러나, 종래의 광조사식 가열장치에서는, 반도체 웨이퍼의 승온속도는 겨우 50∼100℃/초 정도였다. 따라서, 근래의 반도체 집적회로의 보다 고집적화·미세화의 요청을 위해서, 이온주입법에 의한 불순물 확산에서의 어닐링 공정에서 불순물의 확산층을 얇게 하여, 얇은 접합면을 형성하는 요구에 응답할 수 없게 된다.
그래서, 본 발명은, 램프 입력 밀도(단위 면적당 램프 입력)가 크고, 또한 램프의 효율이 좋은 냉각이 용이하고, 반도체 웨이퍼의 승온을 종래보다도 고속으로 행하는 것이 가능한 램프 유닛 및 광조사식 가열장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위해, 청구항 1의 램프 유닛의 발명은 발광관이 원형 고리형상이고, 그 원형 고리의 직경이 다른 다수개의 필라멘트 램프를 그 발광관이 동일 면내에서 동심원형상으로 배치하여 램프군을 구성하고, 이 램프군의 다수개를 그 중심이 일치한 상태에서 계단형상으로 배치한다.
또, 청구항 2의 광조사식 가열장치의 발명은, 효율적으로 램프를 냉각하기 위해, 램프 유닛이 배치되는 램프실에 냉각풍의 도입구 및 배기구를 설치한다. 청구항 3의 발명은, 조사효율을 상승시키기 위해, 이 램프실의 측벽 내면에 미러를 설치한다. 청구항 4의 발명은, 워크인 반도체 웨이퍼를 균일하게 가열할 수 있도록, 램프실 아래쪽의 광조사실에 배치된 워크 지지대를 회전가능하게 한다.
도 1은 종래의 광조사식 가열장치의 설명 단면도,
도 2는 발광관이 둥근 고리형상인 필라멘트 램프의 사시도,
도 3은 반원형상의 발광관을 갖는 필라멘트 램프의 사시도,
도 4는 램프 유닛의 본 발명의 실시예의 설명 단면도,
도 5는 냉각풍 흐름의 설명 단면도,
도 6은 램프 유닛의 다른 실시예의 설명 단면도,
도 7은 램프 유닛의 다른 실시예의 설명 단면도,
도 8은 램프 유닛의 다른 실시예의 설명 단면도,
도 9는 본 발명의 램프 유닛을 사용한 광조사식 가열장치의 설명 단면도,
도 10은 배열 피치가 작은 램프 유닛의 평면도,
도 11은 도 10의 A-A선에서의 단면도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 램프실 2 : 광조사실
3 : 웨이퍼 지지대 4 : 필라멘트 램프
5 : 미러 6 : 미러의 관통구멍
7 : 필라멘트 램프의 발광관 8 : 필라멘트 램프의 도입관
9 : 석영창 11 : 필라멘트 램프의 시일부
12 : 필라멘트 18 : 냉각풍의 도입구
19 : 냉각풍의 배기구 31 : 가이드 링
32 : 베어링 40 : 할로겐 램프
51 : 미러 W : 반도체 웨이퍼
LU : 램프 유닛
이하에, 도면을 기초하여 본 발명의 실시형태를 구체적으로 설명한다. 도 4는, 광조사식 가열장치에 사용하는 본 발명의 램프 유닛의 실시예의 단면도를 나타낸다. 미러(5)의 반사면의 앞쪽에는 발광관(7A)이 원형 고리이고, 그 원형 고리의 직경이 다른 다수개의 필라멘트 램프(4)가 가상선(A)으로 나타내는 동일 평면내에서 그 원형 고리의 중심(X)을 중심으로 해서 동심원형상으로 배치되어 있으며, 이들 램프가 제1 램프군이다. 구체적으로는, 관직경이 10㎜인 필라멘트 램프(4)의 발광관(7)이 21㎜ 피치로 배치되어 있다. 또한, 발광관(7)은 그 단면도를 나타내고 있지만, 내부의 필라멘트의 도시는 생략하고 있다.
동일하게 발광관(7B)이 원형 고리이고, 그 원형 고리의 직경이 다른 다수개의 필라멘트 램프(4)가 가상선(B)으로 나타내는 동일 평면 내에서 그 원형 고리의 중심(X)을 중심으로 해서 동심원형상으로 배치되어 있으며, 이들 램프가 제2 램프군이다. 그리고, 제1 램프군과 제2 램프군은 2단의 계단형상으로 배치되고, 그 각 동심원의 중심은 X로 일치하고 있고, 제1 램프군의 필라멘트 램프(4)의 발광관(7A)은 제2 램프군의 이웃하는 2개의 필라멘트 램프(4)의 발광관(7B)의 중간에 위치하고 있다. 결국, 제1 램프군과 제2 램프군의 발광관(7A, 7B)은 도 4의 단면도에서 보아 지그재그형상으로 배열되어 있고, 반도체 웨이퍼의 위치에 대한 레벨, 결국 고저의 레벨이 이웃하는 필라멘트 램프(4)에서 상호 다르다. 제2 램프군의 필라멘트 램프(4)도 관직경이 10㎜이고, 21㎜ 피치로 배치되어 있다. 따라서, 제1 램프군과 제2 램프군의 이웃하는 필라멘트 램프(4)의 발광관(7)의 피치는 10.5㎜이고, 평면에 투영하면 이웃하는 필라멘트 램프(4)의 발광관(7)은 대부분 접촉한 상태로 되어 있고, 종래예보다도 배열 피치가 훨씬 작아서, 램프 입력 밀도를 크게 할 수 있다.
도 10, 11에 제1 램프군과 제2 램프군의 각 동심원의 중심을 일치시켜서 설치한 경우의 일례를 나타낸다. 발광관(7A)은 동일 평면 내에서 동심원형상으로 배치한 제1 램프군이고, 발광관(7B)은 제2 램프군이다. 발광관(7A)의 제1 램프군의 동심원의 중심(X)과, 발광관(7B)의 제2 램프군의 동심원의 중심(X)은 도 10에 도시하는 바와 같이, 발광관(7)이 형성하는 원형 고리에 대해서 수직인 방향에서 보았을 때 일치하고 있다.
또한, 상기한 바와 같이, 각 램프군을 구성하는 필라멘트 램프는 도 10, 11과 같이 발광관(7)이 원형 고리형상의 램프이어도 좋고, 도 3에 도시하는 바와 같은 원형 고리를 분할한 반원 또는 원호형상의 발광관을 갖는 램프를 다수 조합하여 원형 고리형상으로 배치한 것이어도 좋다.
이러한 램프 유닛에서, 필라멘트 단위 길이당 입력전력이 180W/㎝의 필라멘트 램프(4)를 10.5㎜의 피치로 배열하여 점등하면, 반도체 웨이퍼를 150℃/초 정도의 속도로 승온할 수 있고, 예를 들면 반도체 웨이퍼의 어닐링 공정에서 접합면을 얇게 하는 요청에 대응할 수 있다.
이와 같이, 배열 피치가 매우 작음에도 불구하고, 이웃하는 필라멘트 램프(4)의 고저의 레벨이 다르기 때문에, 이웃하는 필라멘트 램프(4) 사이의 경사방향의 거리가 커진다. 따라서, 필라멘트 램프(4)의 냉각은 도 5의 단면도에 도시하는 바와 같이, 미러(5)에 소직경의 둥근 구멍이나 슬릿형상의 통풍부(14)를 설치하고, 이 통풍부(14)로부터 냉각풍을 송풍하거나, 혹은 배풍하면, 냉각풍이 필라멘트 램프(4)의 사이를 빠져나가서 효율적으로 냉각할 수 있다.
도 6은 램프의 배열 피치를 더욱 작게 한 예를 나타내는 단면도이다. 다수개의 필라멘트 램프(4)의 발광관(7A)이 가상선(A)으로 나타내는 동일 평면내에서 동심원형상으로 배치된 제1 램프군과 다수개의 필라멘트 램프(4)의 발광관(7B)이 가상선(B)으로 나타내는 동일 평면 내에서 동심원형상으로 배치된 제2 램프군이 2단의 계단형상으로 배치되어 있는 것은 도 4에 나타내는 예와 동일하지만, 관직경이 10㎜인 필라멘트 램프(4)의 발광관(7)이 7.5㎜ 피치로 배치되어 있다. 결국, 인접하는 필라멘트 램프(4)의 발광관(7)끼리의 간격이 관직경보다 작게 되어 있다. 따라서, 평면에 투영하면 이웃하는 필라멘트 램프(4)는 일부가 중복한 상태가 되고, 도 4에 나타내는 예보다도 배열 피치가 더욱 작아서, 램프 입력 밀도를 더욱 크게 할 수 있으며, 반도체 웨이퍼를 210℃/초 정도의 속도로 승온시킬 수 있다.
이 경우에도, 배열 피치가 작음에도 불구하고, 이웃하는 필라멘트 램프(4)의 발광관(7) 사이의 경사방향의 거리가 크기 때문에, 냉각풍이 발광관(7)의 사이를 빠져나가서 효율적으로 냉각할 수 있다.
도 7은, 가상선(A, B)으로 나타내는 동일 평면 내에서 동심원형상으로 배치된 제1 램프군 및 제2 램프군에 더하여, 또한 가상선(C)으로 나타내는 동일 평면 내에서 동심원형상으로 배치된 제3 램프군을 3단 계단형상으로 배치한 예를 나타낸다. 이와 같이, 램프군을 3단 이상의 다단으로 배치하는 것도 가능하고, 당연하지만, 램프 입력 밀도를 램프군이 2단인 경우보다도 더욱 크게 할 수 있다. 이 도면과 같이, 발광관(7A)과 발광관(7C)이 상하로 겹쳐지도록 배치해도 발광관(7) 자체는 투명하기 때문에, 광은 투과하고, 발광관(7) 내의 필라멘트는 매우 작기 때문에 광의 방해가 되지 않는다. 따라서, 발광관(7A)으로부터 방사되는 광은 발광관(7B, 7C)에서 차단되지 않고 워크에 조사된다.
또, 램프가 동심원형상으로 배치되는 면은 상기의 예와 같이, 평면에 한정되지 않고, 도 8에 도시하는 바와 같이, 완만한 곡면이어도 좋다. 이것은 가열처리시에 있어서, 워크인 반도체 웨이퍼의 주변으로부터 발산하는 열을 보상하기 위해, 반도체 웨이퍼의 주변부를 중심부보다도 강하게 광조사하는 경우 등에 적용된다.
도 9은, 본 발명의 램프 유닛을 사용한 광조사식 가열장치의 실시예를 나타내지만, 가열장치의 기본구조는 도 1에 나타내는 것과 동일하다. 즉, 아래쪽이 조사구인 램프실(1) 내에는 본 발명의 램프 유닛(LU)이 배치되어 있다. 또, 램프 유닛(LU)의 배면에 미러(5)가 배치되어 있다. 램프 유닛(LU)은 고리형상의 필라멘트 램프(4)를 사용하기 때문에, 중심부분에 발광관(7)을 배치하는 것이 곤란하다. 이 때문에, 싱글 엔드의 할로겐 램프(40)가 램프 유닛(LU)의 중심에 배치되어 있고, 중심부도 동일 조도에서 조사할 수 있게 되어 있다.
램프실(1)의 좌우의 측벽에는 냉각풍의 도입구(18) 및 배기구(19)가 각각 설치되어 있고, 냉각풍이 램프실(1) 내를 가로질러 필라멘트 램프(4)를 냉각하도록 되어 있다. 그리고, 이 냉각풍에 의한 냉각과 도 5에서 나타낸 미러(5)에 형성된 통풍부(14)로부터의 냉각풍에 의한 냉각을 적절히 병용하면, 필라멘트 램프(4)를 효율적으로 냉각할 수 있다. 또, 램프실(1)의 좌우의 측벽 내면에는 적외선을 효율적으로 반사하는 금속도금이 실시되어 있고, 측벽이 미러(51)로 되어 있다.
석영창(9)에 의해서 램프실(1)과 구획이 나누어진 광조사실(2) 내에는 웨이퍼 지지대(3)가 배치되어 있다. 웨이퍼 지지대(3)는 가이드 링(31)을 통해서 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위해, 반도체 웨이퍼(W)의 형상에 따른 원형 고리형상으로 되어 있다. 웨이퍼 지지대(3)의 하단부에는 베어링(32)이 설치되어 있고, 웨이퍼 지지대(3)는 도시를 생략한 회전기구에 의해 구동되며, 도 9의 일점 쇄선으로 나타낸 웨이퍼 지지대(3)의 중심, 결국 반도체 웨이퍼(W)의 대략 중심을 회전축으로 해서 회전하도록 되어 있다.
웨이퍼 지지대(3)를 회전가능하게 하는 이유를 도 10 및 도 11을 기초로 해서 설명한다. 도 10은, 도 4에 도시한 바와 같이, 발광관(7)의 배열 피치를 작게 하여 이웃하는 발광관(7)끼리의 간격이 발광관(7)의 관직경보다도 작은 램프 유닛(LU)의 평면도를 나타내고, 도 11은 도 10의 A-A선의 단면도를 나타내지만, 발광관(7)의 배열 피치가 작아서 이웃하는 발광관(7)끼리의 간격이 발광관(7)의 관직경보다도 작기 때문에, 그대로 아래쪽으로 위치하는 제2 램프군의 한쌍의 도입관(8B, 8B)을 위쪽으로 위치하는 제1 램프군의 발광관(7A, 7A) 사이를 통과할 수 없다. 이 때문에, 위쪽으로 위치하는 제1 램프군의 한쌍의 도입관(8A, 8B)의 간격(L)은 제2 램프군의 도입관(8B, 8B)을 통과하는 것이 가능한 크기로 할 필요가 있다. 그리고, 큰 간격(L)을 둔 한쌍의 도입관(8A, 8A)의 사이에는 발광관(7A)이 존재하지 않기 때문에, 이 부분의 광의 굵기가 저하하여 반도체 웨이퍼(W) 면 상에서의 조도분포의 균일도가 악화한다. 그러나, 웨이퍼 지지대(3)를 회전시키면, 발광관(7A)이 존재하지 않는 부분이 상대적으로 회전하기 때문에, 반도체 웨이퍼(W) 면에서의 조도가 원주방향으로 균일화되어 조도분포의 균일도의 악화를 저지할 수 있다.
그러나, 웨이퍼 지지대(3)에 반도체 웨이퍼(W)와 동일 재질, 또는 열특성이 유사한 세라믹 재료, 예를 들면 SiC로 이루어지는 원형 고리형상의 가이드 링(31)을 설치하고, 이 가이드 링(31) 상에 반도체 웨이퍼(W)를 설치하며, 반도체 웨이퍼(W)의 주변을 가이드 링(31)으로 지지한다. 그리고, 냉각풍을 램프실(1) 내에 도입하는 동시에, 웨이퍼 지지대(3)를 회전시켜, 램프 유닛(LU)의 필라멘트 램프(4) 및 할로겐 램프(40)를 점등한다. 필라멘트 램프(4)의 광은 발광관(7)의 모든 주변으로부터 방사되지만, 반도체 웨이퍼(W) 방향으로 방사된 광은 반도체 웨이퍼(W)에 직접 조사된다. 반도체 웨이퍼(W)와 반대방향으로 방사된 광은 미러(5)에서 반사되어 반도체 웨이퍼(W)에 조사되지만, 램프실(1)의 측벽 방향으로 방사된 광도 미러(5)에서 반사되어 반도체 웨이퍼(W)에 조사된다. 역으로, 미러(51)가 없으면, 외주측의 램프의 광이 가로방향으로 분산되기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)의 주변부의 조도가 중심부에 비해 저하한다. 그러나, 미러(51)를 설치함으로써, 반도체 웨이퍼(W)의 주변부에서의 조도저하를 억제할 수 있고, 또한 광을 효율적으로 이용할 수 있다.
광조사에 의해서 반도체 웨이퍼(W)는 승온하지만, 램프 유닛(LU)의 램프 입력 밀도가 크기 때문에, 전술한 바와 같이, 매우 급속히 승온할 수 있다. 또, 램프 유닛(LU)의 램프 배열 피치가 작음에도 불구하고, 냉각풍에 의해서 필라멘트 램프(4)의 발광관(7)을 효율적으로 냉각할 수 있다. 또, 반도체 웨이퍼(W)를 회전시키면서 광조사하기 때문에, 조도분포의 균일도의 악화를 저지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 램프 유닛은 발광관이 원형 고리형상이고, 그 원형 고리의 직경이 다른 다수개의 필라멘트 램프를 그 발광관이 동일 면 내에서 동심원형상으로 배치하여 램프군을 구성하고, 이 램프군의 다수개를 그 중심이 일치한 상태에서 계단형상으로 배치하기 때문에, 램프 배열 피치를 작게 할 수 있고, 램프 입력 밀도를 매우 크게 하는 것이 가능하다. 또, 램프 배열 피치를 작게 해도 이웃하는 필라멘트 램프 사이의 거리를 크게 할 수 있고, 냉각풍이 램프 사이를 빠져나가기 때문에, 충분히 램프를 냉각할 수 있다.
따라서, 이러한 램프 유닛을 사용하는 광조사식 가열장치는 워크인 반도체 웨이퍼를 매우 급속하게 승온할 수 있고, 반도체 웨이퍼의 어닐링 공정에 있어서, 접합면을 얇게 하는 요청에 대응할 수 있다. 또, 램프실에 냉각풍의 도입구와 배기구를 설치하여 냉각함으로써, 램프를 효율적으로 냉각할 수 있다. 그리고, 램프실의 측벽을 미러로 함으로써, 반도체 웨이퍼의 주변부에서의 조도저하를 억제할 수 있으며, 또한 램프의 광을 유효하게 이용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)를 회전시키면서 광조사함으로써, 반도체 웨이퍼 면에서의 조도가 웨이퍼 원주 방향으로 평균화되어 조도분포의 균일도의 악화를 저지할 수 있으며, 양호한 조도분포를 얻을 수 있다.
Claims (4)
- 발광관이 원형 고리형상이고, 그 원형 고리의 직경이 다른 다수개의 필라멘트 램프가 그 발광관이 동일 면 내에서 동심원 형상으로 배치되어 램프군을 구성하고, 이 램프군의 다수개가 그 중심이 일치한 상태에서 계단형상으로 배치된 것을 특징으로 하는 램프 유닛.
- 하부면이 광조사구인 램프실에 청구항 1에 기재된 램프 유닛이 배치되고, 이 램프실에 냉각풍의 도입구 및 배기구가 설치된 것을 특징으로 하는 광조사식 가열장치.
- 하부면이 광조사구인 램프실에 청구항 1에 기재된 램프 유닛이 배치되고, 이 램프실의 측벽 내면에 미러가 설치된 것을 특징으로 하는 광조사식 가열장치.
- 하부면이 광조사구인 램프실에 청구항 1에 기재된 램프 유닛이 배치되고, 램프실 아래쪽의 광조사실에 배치된 워크 지지대가 회전가능한 것을 특징으로 하는 광조사식 가열장치.
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