DE102007048564A1 - Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit - Google Patents

Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit Download PDF

Info

Publication number
DE102007048564A1
DE102007048564A1 DE102007048564A DE102007048564A DE102007048564A1 DE 102007048564 A1 DE102007048564 A1 DE 102007048564A1 DE 102007048564 A DE102007048564 A DE 102007048564A DE 102007048564 A DE102007048564 A DE 102007048564A DE 102007048564 A1 DE102007048564 A1 DE 102007048564A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reflector
substrate
chamber
radiator
infrared
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102007048564A
Other languages
English (en)
Inventor
Sven Dr. Linow
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Noblelight GmbH
Original Assignee
Heraeus Noblelight GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Noblelight GmbH filed Critical Heraeus Noblelight GmbH
Priority to DE102007048564A priority Critical patent/DE102007048564A1/de
Priority to CN200880110757A priority patent/CN101822122A/zh
Priority to EP08802533A priority patent/EP2198668A1/de
Priority to PCT/EP2008/008045 priority patent/WO2009049752A1/de
Priority to US12/682,413 priority patent/US20100219355A1/en
Publication of DE102007048564A1 publication Critical patent/DE102007048564A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033Heating devices using lamps
    • H05B3/0038Heating devices using lamps for industrial applications
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/032Heaters specially adapted for heating by radiation heating

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einer Kammer für die Bestrahlung zumindest eines Substrates, umfassend eine Schleuse zur Einführung und Entnahme des Substrates, einen Substrathalter innerhalb der Kammer, eine Vakuumpumpe und zumindest eine Bestrahlungseinheit zur Bestrahlung des Substrates, wobei die Bestrahlungseinheit zumindest einen Infrarotstrahler mit einem integrierten Reflektor umfasst.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die Bestrahlung zumindest eines Substrates, wobei die Vorrichtung eine Bestrahlungseinrichtung mit zumindest einem Infrarotstrahler aufweist.
  • Eine Vielzahl von Prozessen benötigt Vakuum für optimale Bedingungen. Hierzu muss ein Substrat zuerst in das Vakuum eingeschleust werden. Häufig wird dann ein vorbereitender Schritt eingefügt, bevor dass Substrat anschließend im Vakuum behandelt wird. Typische Prozesse sind das Aufbringen von Beschichtungen auf unterschiedlichste Materialien mittels unterschiedlichster Prozesse. Als Substrate dienen hierbei Metallteile oder auch endlose Metallbänder, Glasscheiben, Halbleitersubstrate, etc. Typische Beschichtungsvorgänge sind Chemical Vapour Deposition (CVD) Plasmaätzen, Aufsputtern über Plasmabeschichtungsverfahren etc.
  • Sehr häufig muss hierzu das Substrat während oder nach dem Einschleusen in die Vakuumapparatur speziell konditioniert werden. Diese Konditionierung umfasst unter anderem ein Aufheizen. Das Aufheizen erfolgt z. B. um die für den Prozess oder das Vakuum schädliche Belegung der Oberfläche mit Wassermolekülen zu vermeiden. Dazu wird das Substrat typisch auf Temperaturen zwischen 140°C und 300°C aufgewärmt, so dass die Wassermoleküle in die Gasphase übertreten können. Für eine Reihe von Beschichtungsverfahren ist auch das Erreichen einer bestimmten Substrattemperatur selbst für den optimalen Ablauf des Prozesses Voraussetzung und muss über die Konditionierung eingestellt werden.
  • Heizprozesse können auch im Nachgang nach einem Vakuumprozess eingesetzt werden.
  • Allen diesen Anwendungen gleich ist, dass in einer zumindest zeitlich oder räumlich partiellen Vakuumumgebung eine effektive Aufheizung eines Substrates erfolgen soll, dass die Effizienz der Aufheizung durch die verwendeten Infrarotstrahlern möglichst hoch sein soll, und dass die Reflektivitäten der beteiligten Materialien und Oberflächen der Kammer und der Infrarotstrahlern entscheidend zu der Effizienz und zu den Kosten der Anlage selber beitragen.
  • Meist sind diese Prozesse Batchprozesse, da Material über Schleusen in den Prozessraum eingebracht werden muss, um dort die Umgebungsbedingungen konstant zu halten. Eine Zusätzliche Schwierigkeit solcher Batchprozesse ist, dass alle Substrate die Heizphase mit der gleichen Temperatur und Konditionierung verlassen müssen. Meist sind die Prozessfenster solcher Anlagen eng gesteckt, so dass bereits geringe Abweichungen dazu führen, dass ein Substrat Ausschuss geworden ist. Trotzdem muss es bei üblichen Anlagen dann noch den Prozessbereich durchlaufen, um ausgeschleust zu werden, so dass erhebliche Kosten entstehen. Ein Heizbereich in einem Vakuumprozess muss also zum einen sehr hohe Aufheizraten aufweisen, um schnelle Durchlaufzeiten zu erreichen, er muss jedoch zugleich sehr schnell reagieren können, um flexibel auf sich ändernde Heizzeiten reagieren zu können. Insbesondere ist ein Überheizen zu vermeiden, wie es z. B. aufgrund von hoher thermischer Masse, bzw. Trägheit entsteht.
  • Es sind verschiedene Ansätze aus dem Stand der Technik bekannt, um Substrate einer Bestrahlung und thermischen Behandlung zu unterziehen. Nur die Erwärmung mittels Strahlung kann im Vakuum und bei empfindlichen Oberflächen erfolgreich eingesetzt werden.
  • So gibt es beispielsweise Heiz-Elemente, welche ein Edelstahlrohr aufweisen, das von innen elektrisch beheizt ist und so Temperaturen von ca. 600°C erreichen kann. Derartige Metallheizelemente weisen im Vakuum eine genügende chemische Beständigkeit auf, sind kostengünstig, verfügen über hervorragende Eigenschaften für Vakuumprozesse, sind jedoch thermisch extremst träge und können aufgrund der geringen maximalen Obeflächentemperatur keine hohe Leistung abgeben. Liegt zu irgendeiner Zeit im Prozess Sauerstoff im Umfeld dieser Stabheizelemente vor, so laufen diese an und verändern ihr Strahlungsverhalten.
  • Ferner sind aus dem Stand der Technik Infrarotstrahler, bestehend aus einem vakuumdicht verschlossenen Quarzrohr und darin befindlichen Heizleitern, bekannt. Die Heizleiter bestehen üblicherweise aus Wolfram oder Kohlenstoff. Solche Infrarotstrahler sind meist sehr flink in ihrer thermischen Reaktion, das heißt die Leistung steht schnell zur Verfügung und kann schnell geregelt werden, und erreichen beachtliche Strahlungsleistungen. Zum Erreichen dieser hohen Strahlungsleistungen jedes einzelnen Strahlers sind für Vakuumanwendungen recht hohe Spannungen vonnöten. Sowohl Stabheizelemente, als auch Infrarotstrahler strahlen erst einmal ihre Leistung gleichmäßig in alle Raumrichtungen ab und erreichen dadurch nur eine unbefriedigende Prozesseffizienz.
  • Ferner sind aus dem Stand der Technik solche Infrarotstrahler in Kombination mit externen Reflektoren bekannt. Als externe Reflektoren dienen dabei meist polierte Bleche aus Edelstahl, aus Molybdän oder Aluminium. Mit solchen externen Reflektoren kann ein gewisser Teil der Leistung der Strahler zurück auf das Substrat gelenkt werden, so dass es zu einer Erhöhung der Effizienz kommt. Diese Bleche absorbieren einen Teil der auftreffenden Strahlung und speichern so große Mengen an Wärme. Weiter laufen sie aufgrund von Restmengen an Sauerstoff oder Prozessgasen (z. B. Selen) oftmals an, was zur starken Reduzierung der Reflektivität und zu einem starken weiteren Aufheizen der Bleche führt. Die Folge ist ebenfalls eine zunehmende thermische Trägheit der Strahlenquelle und damit der Anlage, sowie eine reduzierte Effizienz.
  • Im Stand der Technik sind unter anderem Reflektoren aus auf das Strahlerrohr aufgesintertem Pulver aus Aluminiumoxid (Al2O3) oder Zirkonoxid (ZrO2) beschrieben. Diese Reflektoren werden direkt auf das Strahlerrohr aufgebracht und können nicht oxydieren. Derartige Reflektoren aus Aluminium- oder Zirkonoxid neigen zum Abbröseln und sind damit eine Quelle von Unreinheiten. Da sie offenporig sind, können sie beim zyklischen Betrieb große Mengen an Gasen binden und beim Aufheizen wieder freisetzen. In den offenen Poren setzen sich gerne Prozessgase wie beispielsweise Selen ab und zerstören dann die Reflektionswirkung des Materials. Ihre Reflektionswirkung ist mit typischen Werten von 30% begrenzt. Sie sind somit nicht unbedingt für die beschriebenen Anwendungen einsetzbar.
  • IR-Strahler mit Reflektoren aus Gold sind bekannt, können jedoch nicht eingesetzt werden, da der Goldreflektor sich im Vakuum aufgrund des niedrigen Umgebungsdruckes und der hohen Temperatur des Quarzrohres des Strahlers, dass hier nicht über eine Luftströmung gekühlt werden kann, innerhalb kürzester Zeit zersetzt.
  • Insbesondere im Druckbereich um 1 mbar, einem Übergangsbereich, der in jeder Vakuum-Schleuse zu einem Zeitpunkt oder an einem Ort erreicht wird, kommt es zu Spannungsüberschlägen und zerstörerischen Gasentladungen, wenn Spannungen von ca. über 100 V bei üblichen Geometrien überschritten werden. Dies begrenzt die Leistung oder die maximale Länge des Heizfilamentes von IR Strahlern.
  • Die EP 1 228 668 A1 beschreibt IR-Strahler, welche in zusätzliche Hüllrohre aus Quarzglas eingebracht werden, wobei diese Hüllrohre gegenüber den Rezipienten vakuumdicht abgedichtet sind. Dadurch wird ermöglicht, dass jeder der einzelnen Strahler bei hohen Spannungen betrieben werden kann. Prinzipiell kann bei ausreichender Kühlung auch auf dem einzelnen Strahler ein hocheffizienter Gold-Reflektor aufgebracht werden. Nachteil dieser Vorrichtung ist jedoch, dass sich eine Kühlung der einzelnen Strahler oder des Rohres als schwierig erweist, da sich in Richtung des durchströmenden Kühlfluides (Luft) immer ein Temperaturgradient im Strahler oder im Hüllrohr einstellt. Dadurch bilden sich Temperaturgradienten im Substrat aus, welche nicht erwünscht sind und sich negativ auswirken, oder gar zum Ausschuss führen.
  • Der Einsatz IR transparenter Kühlfluide für eine solche Geometrie und Strahleranordnung ist in der DE 10 2004 002 357 beschrieben. Nachteilig ist der hohe technische Aufwand für die Verwirklichung eines zusätzlichen gasdichten, bei niedrigem Druck zu betreibenden Kühlkreislauf.
  • In der EP 1 071 310 A1 ist eine Vorrichtung zum homogenen Aufheizen von Siliziumwavern im Vakuum beschrieben. Hierbei wird eine Vielzahl von runden Infrarotstrahlern vor einem externen Reflektor angeordnet und mittels gerichteter Luftströmung gekühlt. Dabei sind die Strahler und die Luftkühlung mittels eines Fensters gegenüber der eigentlichen Prozesskammer mit ihrem Substrat abgetrennt.
  • In der EP 1 089 949 B1 wird eine Kammer beschrieben, bei der das Substrat zusammen mit dem Infrarotstrahler zwischen zwei Reflektoren angeordnet ist. Die Reflektoren bestehen dabei aus dünnem Blech, bevorzugt aus Aluminium. Die Kühlung des Reflektors wird dadurch erreicht, dass dieser rückwärtig geschwärzt ist, so dass über Strahlung ein Wärmetransport vom Reflektor zur gekühlten Wand erfolgen kann. Eine zusätzliche Steuerung der Temperatur des Substrates erfolgt durch das Zugeben eines wärmeleitenden Gases, so dass zusätzlich zum Wärmetransport durch Strahlung ein Wärmetransport über Wärmeleitung und freie Konvektion, die Wärme von Substratreflektor und Strahler an die gekühlte Kammerwand abgeführt werden kann.
  • Die oben genannten Vorrichtungen haben alle den Nachteil, dass sie eine große thermische Trägheit aufweisen und somit nicht unbedingt für das schnelle Aufheizen und Halten einer Probe bei definierter Temperatur geeignet sind.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Vorrichtung bereitzustellen, welche die oben genannten Nachteile vermeidet und ein schnelles Aufheizen sowie ein anschließendes langes Halten des Substrates bei einer definierten Temperatur ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird bereits mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruches gelöst.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen sind den jeweiligen Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung mit einer Kammer für die Bestrahlung zumindest eines Substrates umfasst zumindest eine Schleuse zur Einführung und Entnahme des Substrates, einen Substrathalter innerhalb der Kammer, eine Vakuumpumpe und zumindest eine Bestrahlungseinheit zur Bestrahlung des Substrates wobei die Bestrahlungseinheit zumindest einen Infrarotstrahler mit einem integrierten Reflektor aufweist.
  • Eine derartige Vorrichtung ermöglicht, dass die Kammer gegenüber den bisher bekannten Kammern wesentlich kleiner ausgebildet werden kann, da der Infrarotstrahler bereits mit einem integrierten Reflektor versehen ist, und somit auf einen externen Reflektor und Gegenreflektor, welche meist viel Platz benötigen, verzichtet werden kann.
  • Es hat sich ferner gezeigt, dass der Einsatz eines derartigen Strahlers in einer solchen Kammer dazu führt, dass die Kammer hinsichtlich ihrer thermischen Reaktionsgeschwindigkeit besser ausgebildet werden kann und somit bessere Ergebnisse beim Bestrahlen des Substrates erreicht werden. Auch ist mit einem derartigen Strahler ein Heizen und Kühlen mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung ermöglicht und gleichzeitig wird die thermische Trägheit minimiert.
  • Als Kammer kann hierbei jede Kammer dienen, die für die Aufnahme und thermische Behandlung eines Substrates geeignet ist, wie beispielsweise in der EP 1089 949 B1 beschrieben.
  • Es hat sich gezeigt, dass es vorteilhaft ist, wenn der Reflektor aus einem Material besteht, dass zumindest im dichten Zustand für insbesondere Strahlung im nahen und mittleren Infrarot breitbandig transparent ist, jedoch als opakes Material ausgebildet ist. Dieser Reflektor weist besonders hohe Reflektivität auf und verfügt über sehr gute Eigenschaften im Hinblick auf mechanische Stabilität und Vakuumtauglichkeit.
  • Auch ist es vorteilhaft, wenn der Reflektor eine geschlossenporige Struktur aufweist.
  • Vorteilhaft ist es, wenn auf der Rückseite des Infrarotstrahlers eine Beschichtung aufgebracht ist und die Beschichtung dabei eine hohe Absorption im fernen Infrarotbereich aufweist. Es hat sich gezeigt, dass hierzu eine Beschichtung, die Quarzglas umfasst, sich besonders dafür eignet.
  • Dieses Material weist eine sehr hohe Temperaturbeständigkeit auf.
  • Eine erfindungsgemäße Vorrichtung führt dazu, dass beispielsweise die gekühlte Vakuumkammer als einziger zusätzlicher Reflektor der Vorrichtung ausgebildet ist.
  • Dies trägt wiederum zu Materialeinsparungen und somit zu einer Kostenreduzierung bei.
  • Der oben beschriebene Reflektor ist somit optimal für die Anwendung in einer Vakuumkammer geeignet, da er hocheffizient und vakuumtauglich ist. Er weist ferner eine minimale Neigung zur Abgabe von Gasen auf, da er nahezu keine aufnehmen kann.
  • Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung hat sich ferner gezeigt, dass Anlaufen und/oder Oxidation einer solchen Kammer vermieden werden kann, da keinerlei Komponenten vorliegen, die bei einer Temperatur vorliegen, bei der sie Anlaufen oder oxidieren können.
  • Vorteilhaft ist es, wenn der Strahler aus der Kammer entnehmbar ist.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand einer bevorzugten Ausführungsform und unter Bezugnahme der beigefügten Figuren näher erläutert.
  • Dabei zeigt in schematischer Darstellung:
  • 1 das axiale Abstrahlverhalten eines typischen IR Strahlers mit Al2O3 Beschichtung.
  • 2 das axiale Abstrahlverhalten von typischen kurzwelligen IR Strahlern für verschiedene Reflektortypen.
  • 3 das axiale Abstrahlverhalten von typischen Carbon IR Strahlern für verschiedene Reflektortypen.
  • 4 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung.
  • 5 zeigt eine Weiterentwicklung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
  • Um das Abstrahiverhalten von Reflektortypen bewerten zu können, wurde eine Vorrichtung genutzt, die mittels eines Thermopile-Sensors breitbandig die gesamte eintreffende Strahlungsleistung detektiert. Dieser Sensor wird in einem Kreis um die Strahlerachse herum geführt und so alle 5° ein Messwert aufgenommen. Die Messungen werden an Luft durchgeführt. Aus diesen Messungen kann zudem eine Reflektivität R des Reflektors im Betrieb berechnet werden, die definiert ist, als
    Figure 00070001
    wobei Igesamt die gesamte abgegebene Intensität ist und IReflektor die von der Reflektorseite abgegebene Intensität, summiert über die jeweiligen Messungen; ngesamt ist die Anzahl der gesamten Messungen und nReflektor die Anzahl der Messungen auf der Reflektorseite. INutzseite ist die summierte Intensität und nNutzseite die Zahl der Messstellen auf der Nutzseite.
  • In der 1 ist das Messergebnis für einen handelsüblichen Halogen Rundrohrstrahler mit 180° Beschichtung des Rohres mit aufgesprühtem Al2O3 Pulver als IR Reflektor dargestellt. Die Reflektivität beträgt für diese Daten 32% und ist im Vakuum, wo das Al2O3 aufgrund fehlender konvektiver Kühlung heisser ist, noch geringer. Die Beschichtung ist im Bild oben angeordnet.
  • In der 2 sind für mechanisch stabilere Zwillingsrohrstrahler eine Reihe von Reflektortypen verglichen, wobei immer Wolfram als Heizfilament verwendet wurde.
  • Dabei geben die Linien jeweils das Messergebnis für unterschiedliche Reflektortypen wieder:
    • Linie 21: → ein Zwillingsrohr ohne Reflektor
    • Linie 22: → ein Edelstahl-Reflektor
    • Linie 23: → ein Aluminium-Reflektor
    • Linie 24: → einen erfindungsgemäßen Reflektor auf einem Zwillingsrohr
    • Linie 23: → einen erfindungsgemäßen Reflektor auf einem Zwillingsrohr und vor einem Aluminium-Reflektor.
  • Zwillingsrohr bezeichnet einen IR Strahler ohne Reflektor. Ein solcher Strahler wurde sodann vor einem neuwertigen Hochglanz Edelstahl Reflektor und neuwertigen Hochglanz Aluminium Reflektor vermessen, wobei dann nur jeweils über 180° vor dem Reflektor gemessen werden konnte. Weiter wurde eine Bestrahlungseinheit mit einem Strahler und mit einem Reflektor über 360°, sowie eine Bestrahlungseinheit mit einem Strahler und mit einem Reflektor vor einem neuwertigen Hochglanz Aluminium Reflektor vermessen. Alle Reflektorschichten sind im Bild oben angebracht zwischen 3 Uhr und 9 Uhr.
  • Als Reflektivitäten ergeben sich 50% für den reinen Edelstahl 22, 61% für Aluminium 23, 74% für für den Reflektor der erfindungsgemäßen Bestrahlungseinheit 24 und 87% für den Reflektor und Aluminium der erfindungsgemäßen Bestrahlungeeinheit 25. Es wurde bei den 180° Messungen jeweils die Igesamt aus der Messung ohne Reflektor verwendet. Die Reflektivitäten der metallischen Reflektoren fallen geringer als die theoretischen Werte aus, da ein erheblicher Anteil der Strahlung zurück auf den Strahler reflektiert wird.
  • In der 3 sind für mechanisch stabilere Zwillingsrohrstrahler eine Reihe von Reflektortypen verglichen, wobei Carbon als Heizfilament verwendet wurde.
  • Dabei geben die Linien jeweils das Messergebnis für unterschiedliche Reflektortypen wieder:
    • Linie 31: → ein Zwillingsrohr ohne Reflektor
    • Linie 32: → ein Edelstahl-Reflektor
    • Linie 33: → ein Aluminium-Reflektor
    • Linie 34: → einen erfindungsgemäßen Reflektor auf einem Zwillingsrohr
    • Linie 33: → einen erfindungsgemäßen Reflektor und Aluminium-Reflektor.
  • Zwillingsrohr bezeichnet einen IR Strahler ohne Reflektor. Ein solcher Strahler wurde sodann vor einem neuwertigen Hochglanz (Edelstahl) Reflektor und neuwertigen Hochglanz (Aluminium) Reflektor vermessen, wobei dann nur jeweils über 180° vor dem Reflektor gemessen werden konnte. Weiter wurde eine Bestrahlungseinheit mit einem Strahler und mit einem Reflektor über 360°, sowie eine Bestrahlungseinheit mit einem Strahler und mit einem Reflektor vor einem neuwertigen Hochglanz (Aluminium) Reflektor vermessen. Alle Reflektorschichten sind im Bild oben angebracht zwischen 3 Uhr und 9 Uhr.
  • Als Reflektivitäten ergeben sich 61% für den reinen Edelstahl 32, 63% für Aluminium 33, 64% für den Reflektor der erfindungsgemäßen Bestrahlungseinheit 34 und 91% für den Reflektor und Aluminium der erfindungsgemäßen Bestrahlungeeinheit 35. Es wurde bei den 180° Messungen jeweils die Igesamt aus der Messung ohne Reflektor verwendet. Die Reflektivitäten der metallischen Reflektoren fallen geringer als die theoretischen Werte aus, da ein erheblicher Anteil der Strahlung zurück auf den Strahler reflektiert wird.
  • Da die meisten Substrate eine Winkelabhängigkeit der Reflektivität aufweisen und diese für flache Winkel zunimmt, so stehen für eine effektive Aufheizung nur die in einem Winkelbereich von ca. 45° um die Normale zum Substrat eintreffenden Beiträge zur Verfügung. Aus diesem Grunde sind die Bestrahlungseinheit mit einem Strahler und mit einem Reflektor wie in der Erfindung beschrieben noch effektiver, da sie nicht nur eine deutlich höhere Effektivität aufweisen, wie neuwertige externe Reflektoren, sondern sogar noch die Strahlung vorrangig auf den prozessrelevanten Winkelbereich beschränken.
  • Anwendungsbeispiel 1
  • In der 4 ist eine erfindungsgemäße Vorrichtung im Querschnitt dargestellt. In einer Vakuumkammer 1 wird ein Substrat 2 mittels geeigneter Vorrichtungen 3 auf Rollen senkrecht zur Bildebene vorwärtstransportiert. Die Beladeschleuse, wie auch weitere Prozesskammern sind nicht abgebildet. Der Gasdruck innerhalb der Kammer 1 wird mittels geeigneter Pumpen 4 bei geschlossener Schleuse zur Atmosphäre geregelt. Die Bestrahlungseinheit mit einem Strahler 5 mit einer Reflektorschicht 6 sind oberhalb des Substrates 2 angeordnet. In der gesamten Wand der Kammer sind Kühlkanäle 7 eingebracht, die es erlauben, die Kammerwand auf einer konstanten Temperatur zu halten. Die Kammerinnenwände sind aus blankem, bevorzugt poliertem Metall (Aluminium oder Edelstahl) ausgeführt. Hierzu wird die fertige Kammer 1 abschließend von innen bearbeitet. Die so ausgestattete Kammer 1 ist extrem einfach in der Herstellung und sehr zugänglich, da nur weinige Komponenten in ihrem Inneren angeordnet sind. Zugleich weist sie eine sehr hohe Effizienz in der Aufheizung auf, da fast keine Strahlung primär die Kammerwand oder andere Einbauteile erreicht und erwärmt. Die Kammerwand behält ihre relativ hohe Reflektivität (je nach Material und Strahler > 65%), da sie gekühlt ist und so nicht anlaufen kann. Da außer dem Strahler 5 selber nahezu keine Massen in der Kammer 1 vorhanden sind, die aufgeheizt, oder abgekühlt werden müssen, ist die gesamte Apparatur thermisch sehr flink. Die Strahler bestehen fast ausschließlich aus Quarzglas, dass eine Masse von 2,2 g/cm3, bzw. dem erfindungsgemäßen Reflektor, der etwa eine Dichte von 1,75 g/cm3 aufweist. Typisch ab einer Materialstärke von 3 mm ist das Substrat 2 selbst thermisch der trägste Teil der Apparatur, dies ist so gewünscht.
  • Die 5 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung, bei der die Strahlungskühlung zwischen Strahler 5 und Kammer 1, sowie Substrat 2 optimiert wurde. Hierzu sind die beiden großen Flächen 9 zusätzlich mit einer durchsichtigen oder transluzenten Schicht 8 beschichtet worden, die ähnliche Absorptionseigenschaften zeigt, wie Quarzglas. Damit wird die Nutzstrahlung im Bereich zwischen 400 nm und 4000 nm im wesentlichen zurück in die Kammer 1 reflektiert, da die Schicht 8 die Strahlung auf die metallisch reflektierende Kammerwand durchlässt, zugleich wird jedoch die bei höheren Wellenlängen auftretende Strahlung effektiv von der Kammer über die Schicht 8 absorbiert.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - EP 1228668 A1 [0014]
    • - DE 102004002357 [0015]
    • - EP 1071310 A1 [0016]
    • - EP 1089949 B1 [0017, 0025]

Claims (14)

  1. Vorrichtung mit einer Kammer für die Bestrahlung zumindest eines Substrates umfassend – mindestens eine Schleuse zur Einführung und Entnahme des Substrates – ein Substrathalter innerhalb der Kammer – eine Vakuumpumpe – und zumindest eine Bestrahlungseinheit zur Bestrahlung des Substrates, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlungseinheit zumindest einen Infrarotstrahler mit einem integrierten Reflektor umfasst.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor aus einem breitbandig im sichtbaren und infraroten transparenten, jedoch opak ausgeführtem Material ausgebildet ist.
  3. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material des Reflektors im nicht opakem Zustand im Wellenlängenbereich von 780 nm bis 2200 nm, bevorzugt von 400 nm bis 2700 nm und besonders bevorzugt von 400 nm bis 5000 nm transparent ist.
  4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Rückseite des Infrarotstrahlers eine Beschichtung aufgebracht ist.
  5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung eine hohe Emissivität im fernen Infrarotbereich aufweist.
  6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung Quarzglas umfasst.
  7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor als vakuumtauglicher Reflektor ausgebildet ist.
  8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Infrarotstrahler aus der Kammer entnehmbar ist.
  9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kammer eine Wand aufweist, welche als Reflektor ausgebildet ist.
  10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahler aus der Kammer entnehmbar ist.
  11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest Teile der inneren Kammerwand mit einer durchsichtigen oder transluzenten Schicht versehen sind, die im fernen Infraroten oberhalb von 2200 nm, bevorzugt 2700 nm und besonders bevorzugt oberhalb von 5000 nm eine hohe Absorption aufweist.
  12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung der Kammerwand im Wesentlichen aus Glas, Quarzglas oder Al2O3 besteht.
  13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat in der Kammer vor oder während der Bestrahlung automatisch bewegt werden kann.
  14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Infrarotstrahler so angeordnet sind, dass eine möglichst homogene Verteilung der in das Substrat eindringenden und das Substrat erwärmenden Strahlung über die Fläche des Substrates erreicht wird.
DE102007048564A 2007-10-09 2007-10-09 Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit Ceased DE102007048564A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007048564A DE102007048564A1 (de) 2007-10-09 2007-10-09 Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit
CN200880110757A CN101822122A (zh) 2007-10-09 2008-09-23 用于辐射单元的装置
EP08802533A EP2198668A1 (de) 2007-10-09 2008-09-23 Vorrichtung für eine bestrahlungseinheit
PCT/EP2008/008045 WO2009049752A1 (de) 2007-10-09 2008-09-23 Vorrichtung für eine bestrahlungseinheit
US12/682,413 US20100219355A1 (en) 2007-10-09 2008-09-23 Apparatus for an Irradiation Unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007048564A DE102007048564A1 (de) 2007-10-09 2007-10-09 Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007048564A1 true DE102007048564A1 (de) 2009-04-23

Family

ID=40106484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007048564A Ceased DE102007048564A1 (de) 2007-10-09 2007-10-09 Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100219355A1 (de)
EP (1) EP2198668A1 (de)
CN (1) CN101822122A (de)
DE (1) DE102007048564A1 (de)
WO (1) WO2009049752A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009037788A1 (de) * 2009-08-18 2011-02-24 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Infrarotstrahler
DE102017119280A1 (de) * 2017-08-23 2019-02-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Polyimidschicht auf einem Substrat

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010008084A1 (de) * 2010-02-15 2011-08-18 Leybold Optics GmbH, 63755 Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Substraten
GB201513339D0 (en) * 2015-07-29 2015-09-09 Pilkington Group Ltd Coating apparatus
US11434032B2 (en) 2017-12-11 2022-09-06 Glaxosmithkline Intellectual Property Development Limited Modular aseptic production system
US11370213B2 (en) 2020-10-23 2022-06-28 Darcy Wallace Apparatus and method for removing paint from a surface

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6047107A (en) * 1996-12-20 2000-04-04 U.S. Philips Corporation Furnace for rapid thermal processing with optical switching film disposed between heater and reflector
EP1071310A2 (de) 1999-07-22 2001-01-24 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Lampeneinheit und Erhitzungsvorrichtung, die Lichtsbestrahlungsgattung benützt
WO2001035699A1 (de) * 1999-11-09 2001-05-17 Centrotherm Elektrische Anlagen Gmbh & Co. Strahlungsheizung mit einer hohen infrarot-strahlungsleistung für bearbeitungskammern
EP1089949B1 (de) 1998-06-26 2002-09-18 Unaxis Trading AG Erwärmungsverfahren
US20020148824A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-17 Markus Hauf Rapid thermal processing system for integrated circuits
DE102004002357A1 (de) 2004-01-15 2005-08-11 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Infrarotstrahlerelements sowie Verwendung
DE102005058819A1 (de) * 2005-10-13 2007-04-19 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Beschichtung eines Bauteils aus hochkieselsäurehaltigem Glas sowie mit einer SiO2-haltigen, glasigen Schicht versehenes Bauteil

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3248740C2 (de) * 1982-12-31 1995-04-13 Hans Fritz Heizstrahler
US5276763A (en) * 1990-07-09 1994-01-04 Heraeus Quarzglas Gmbh Infrared radiator with protected reflective coating and method for manufacturing same
DE4306398A1 (de) * 1993-03-02 1994-09-08 Leybold Ag Vorrichtung zum Erwärmen eines Substrates
US6173116B1 (en) * 1997-12-19 2001-01-09 U.S. Philips Corporation Furnace for rapid thermal processing
DE19849462A1 (de) * 1998-10-21 2000-07-06 Dieter Bimberg Infrarot Lampenheizung für Temperaturen >1000 DEG C
DE10292382D2 (de) * 2001-05-28 2004-07-01 Barbara Gerstendoerfer-Hart Vorrichtung zur Erwärmung von Substraten mit Seitenblenden und/oder sekundären Reflektoren
US7115837B2 (en) * 2003-07-28 2006-10-03 Mattson Technology, Inc. Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method
DE102004051846B4 (de) * 2004-08-23 2009-11-05 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Bauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung
FR2946777B1 (fr) * 2009-06-12 2011-07-22 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection et/ou d'emission de rayonnement electromagnetique et procede de fabrication d'un tel dispositif

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6047107A (en) * 1996-12-20 2000-04-04 U.S. Philips Corporation Furnace for rapid thermal processing with optical switching film disposed between heater and reflector
EP1089949B1 (de) 1998-06-26 2002-09-18 Unaxis Trading AG Erwärmungsverfahren
EP1071310A2 (de) 1999-07-22 2001-01-24 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Lampeneinheit und Erhitzungsvorrichtung, die Lichtsbestrahlungsgattung benützt
WO2001035699A1 (de) * 1999-11-09 2001-05-17 Centrotherm Elektrische Anlagen Gmbh & Co. Strahlungsheizung mit einer hohen infrarot-strahlungsleistung für bearbeitungskammern
EP1228668A1 (de) 1999-11-09 2002-08-07 Centrotherm Elektrische Anlagen Gmbh + Co. Strahlungsheizung mit einer hohen infrarot-strahlungsleistung für bearbeitungskammern
US20020148824A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-17 Markus Hauf Rapid thermal processing system for integrated circuits
DE102004002357A1 (de) 2004-01-15 2005-08-11 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Infrarotstrahlerelements sowie Verwendung
DE102004002357A9 (de) * 2004-01-15 2006-02-23 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Infrarotstrahlerelements sowie Verwendung
DE102005058819A1 (de) * 2005-10-13 2007-04-19 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Beschichtung eines Bauteils aus hochkieselsäurehaltigem Glas sowie mit einer SiO2-haltigen, glasigen Schicht versehenes Bauteil

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009037788A1 (de) * 2009-08-18 2011-02-24 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Infrarotstrahler
DE102017119280A1 (de) * 2017-08-23 2019-02-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Polyimidschicht auf einem Substrat
WO2019038154A1 (de) 2017-08-23 2019-02-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer polyimidschicht auf einem substrat

Also Published As

Publication number Publication date
EP2198668A1 (de) 2010-06-23
WO2009049752A1 (de) 2009-04-23
US20100219355A1 (en) 2010-09-02
CN101822122A (zh) 2010-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004062289B4 (de) Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich
EP3378280B1 (de) Infrarotstrahler
DE102014104799B4 (de) Substrat mit einer Beschichtung zur Erhöhung der Kratzfestigkeit, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
DE102007048564A1 (de) Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit
DE4344258C1 (de) Material aus chemischen Verbindungen mit einem Metall der Gruppe IV A des Periodensystems, Stickstoff und Sauerstoff, dessen Verwendung und Verfahren zur Herstellung
DE19544525C2 (de) Verfahren zur Wärmebehandlung eines Halbleiterkörpers
WO2004015754A2 (de) Verfahren zum oxidieren einer schicht und zugehörige aufnahmevorrichtungen für ein substrat
DE112010003998T5 (de) Vorrichtung und Verfahren zur verbesserten Steuerung des Erwärmens und Abkühlens vonSubstraten
DE102018211499A1 (de) Reflektives optisches Element und Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Elements
EP3158370A1 (de) Optisches element mit einer reflektierenden beschichtung
DE4323654C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer wenigstens eine Schicht aus einem Metalloxid vom n-Halbleitertyp aufweisenden beschichteten Glasscheibe
EP0859536A1 (de) Infrarot-Strahler und dessen Verwendung
DE69913906T2 (de) Lichtundurchlässiger Siliziumkarbidwerkstoff hoher Reinheit, ein lichtundurchlässiger Bauteil für eine Halbleiterbehandlungsapparatur, und eine Halbleiterbehandlungsapparatur
DE19852955C2 (de) Röntgenanalysegerät mit röntgenoptischem Halbleiterbauelement
DE102012106667B3 (de) Vorrichtung zur Bestrahlung eines Substrats
DE102004039443B4 (de) Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten
EP2582640B1 (de) Auskleidungs- oder reflektormaterial für hochtemperaturanwendungen
DE102009023472A1 (de) Beschichtungsanlage und Beschichtungsverfahren
DE102018204364A1 (de) Optische Anordnung für die EUV-Lithographie
DE102016208987A1 (de) Optisches Element und EUV-Lithographiesystem
EP2494577A1 (de) Vorrichtung zum reflektieren beschleunigter elektronen
DE2635007A1 (de) Vakuumanlage zum behandeln eines gutes, insbesondere vakuumaufdampfanlage
DE4216806C1 (en) Sample holder for substrates to be high temp. coated - comprises hollow body with heat shield and slot for insertion of substrate
Butterfield et al. The optical properties of thin films of Sb2O3
DE102019212736A1 (de) Optisches Element zur Reflexion von EUV-Strahlung und EUV-Lithographiesystem

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final

Effective date: 20120915