KR20060099777A - 반도체 확산 설비의 배기 시스템 - Google Patents

반도체 확산 설비의 배기 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 확산 설비의 배기 시스템에 관한 것으로서, 공정 챔버와 연통되어 공정 가스를 배기시키는 밸브 수단을 포함하는 주 배기 라인과, 로드락 챔버와 연통되어 챔버내의 가스를 배기시키는 밸브 수단을 포함하는 배기 라인과, 상기 공정 챔버내의 압력을 측정하기 위한 적어도 하나의 압력 감지 센서와, 상기 로드락 챔버내의 압력을 측정하기 위한 적어도 하나의 압력 감지 센서 및 상기 공정 챔버와 로드락 챔버에 각각 설치되는 압력 감지 센서를 검지하여 상기 공정 챔버와 로드락 챔버의 배기 라인에 설치되는 각각의 밸브 수단 중 적어도 어느 하나를 제어하여 항상 각 챔버내의 압력을 일정하게 유지하도록 하기 위한 컨트롤러를 포함하여, 공정 챔버내의 압력을 로드락 챔버내의 압력보다 항상 낮도록 유지시킴으로써 셔터가 개방되더라도 공정 챔버내의 공정 가스가 로드락 챔버로 유입되는 것을 미연에 방지함으로써 로드락 챔버내의 적재된 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있으며, 결과적으로 웨이퍼 수율 향상을 도모할 수 있다.
확산 설비, 공정 챔버, 로드락 챔버, 배기 라인, 밸브 수단, 컨트롤러

Description

반도체 확산 설비의 배기 시스템{EXHAUST SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR DEPOSITION EQUIPMENT}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 확산 설비의 배기 시스템을 도시한 구성도;
도 2는 도 1의 공정 챔버에서 로드락 챔버로 파우더가 역류하는 현상을 도시한 도면; 및
도 3은 본 발명에 따른 반도체 확산 설비의 배기 시스템을 도시한 구성도.
본 발명은 반도체 확산 설비의 배기 시스템에 관한 것으로서, 특히 공정 챔버의 배기 라인에 생성되는 파우더로 인하여 공정 챔버와 로드락 챔버간의 압력 균형이 깨지면서 하부의 로드락 챔버로 공정 가스가 유입되어 오염되는 현상을 미연에 방지하도록 구성되는 반도체 확산 설비의 배기 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 저압 화학기상증착장치는 소망하는 막이 웨이퍼상에 증착될 때 까지 챔버내의 압력을 약 200 ~ 700 mTorr의 저압을 유지시키면서 공정을 진행하는 증착방식이다. 상술한 저압 화학기상증착장치는 증착막의 균일도 및 스텝 커버리지가 좋으며 양질의 증착막을 한 번에 많은 수량의 웨이퍼상에 증착할 수 있으며, 생산 원가가 상대적으로 저렴하다는 장점을 가지고 있다. 상기 저압 화학기상증착설비로는 반응 챔버의 형태에 따라 종형 또는 횡형으로 구분되는데, 근래에는 설치 공간이 상대적으로 적은 종형 저압 화학기상증착장치를 주로 사용하고 있는 실정이다.
상술한 저압 화학기상증착 장치는 일반적으로 상부에는 웨이퍼상에 막질을 증착시키기 위한 공정 챔버가 설치되며, 하부에는 상기 공정 챔버로 웨이퍼를 이송전에 유사한 분위기를 조성하기 위한 로드락 챔버(loadlock chamber)가 설치되고, 상기 로드락 챔버와 공정 챔버 사이에 소정의 셔터(shutter)가 개폐 가능하도록 개재되어 로드락 챔버의 웨이퍼 보우트에 적재된 다수매의 웨이퍼를 공정 챔버내로 로딩 및 언로딩시 상기 셔터가 개방되며, 완전히 공정 챔버로 로딩후 공정 중에는 폐쇄되는 상태에 이른다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 확산 설비(100)의 배기 시스템을 도시한 구성도이고, 도 2는 도 1의 공정 챔버에서 로드락 챔버로 파우더가 역류하는 현상을 도시한 도면으로써, 공정 챔버(10)의 일측에는 진공 라인(11)이 설치된다. 상기 진공 라인(11)은 말단에 소정의 진공 펌프(미도시 됨)를 구비하여 상기 공정 챔버(10)내의 압력을 항상 일정하게 유지시켜주는 역할을 수행하게 된다. 상기 진공 라인(11)상에는 소정의 자동 압력 제어기(APC; Auto Pressure Controller)(12)가 설치되어 튜브내의 압력을 제어하게 된다. 바람직하게도 상기 압력 제어기(12)는 소 정의 모터에 의해 트로틀 밸브를 개폐시킴으로써 압력 유지 동작을 수행할 수 있을 것이다.
한편, 상기 공정 챔버(10)의 일측에는 상기 공정 챔버(10)내의 압력을 측정하기 위한 적어도 하나의 센서가 설치된다. 도면상에는 바라트론 센서(B/S; Baratron Sensor)와 피라니 센서(PS71; Pirani Sensor)가 설치되어 고압 및 저압에 해당하는 공정 챔버내의 압력을 측정하게 되는 것이다. 또한, 상기 공정 챔버의 일측에는 공정 후 공정 가스를 배기시키기 위한 주 배기 라인(13)이 설치 된다.
또한, 상기 공정 챔버(10)의 하측에 설치되는 로드락 챔버(20) 역시 소정의 배기 라인(21)이 설치되는데, 로드락 챔버(20)와 연통되는 라인 FL53, FL52, FL51이 상기 배기 라인(21)과 연통되도록 설치됨으로써 로드락 챔버(20)내의 배기를 도모하고 있다. 역시 상기 배기 라인(21)상에 압력을 측정하기 위한 센서 PS51이 설치된다. 설명하지는 않았으나, 그외에 다수의 에어 밸브 및 공정 가스 유입 라인등이 추가로 설치될 수 있을 것이다.
도 2에 도시한 바와 같이 공정 챔버(10)와 로드락 챔버(20)는 수직으로 연통되도록 설치되어 있으며, 소정의 셔터(30)에 의해 공정 중에는 공정 챔버(10)내의 저압을 유지시키기 위해 폐쇄되어 있으며, 로드락 챔버(20)와 공정 챔버(10)간의 웨이퍼 로딩 및 언로딩시에는 개방된 상태(도 2에 도시된 상태)로 동작하게 되는 것이다.
한편, 공정 챔버를 오랜 기간 사용하다보면, 주 배기라인인 AV73등의 내주면에 파우더가 응착되고 이러한 파우더 응착은 원활한 배기 동작을 수행하지 못하도 록 하여 결과적으로 공정 챔버내의 압력을 상승시키는 악영향을 끼치게 된다. 따라서, 셔터를 개방시 로드락 챔버내의 압력이 공정 챔버내의 압력보다 상대적으로 낮게 형성됨으로써 공정 챔버내의 공정 가스가 로드락 챔버로 유입되어 적재된 웨이퍼를 오염시키게 되는 문제점이 발생하게 되었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써 본 발명의 목적은 공정 챔버의 압력을 항상 로드락 챔버의 압력보다 낮게 설정하여 셔터가 개방되더라도 공정 가스가 로드락 챔버로 유입되는 것을 미연에 방지할 수 있도록 구성되는 반도체 확산 설비의 배기 시스템을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정 챔버내의 압력과 로드락 챔버내의 압력을 수시로 측정하여 항상 일정 압력을 유지할 수 있도록 밸브를 자동으로 조절할 수 있는 피드팩 장치를 갖는 반도체 확산 설비의 배기 시스템을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정 챔버내의 압력을 항상 로드락 챔버내의 압력보다 낮도록 유지시켜 셔터 개방시 공정 가스가 로드락 챔버내로 유입되는 것을 미연에 방지하여 공정 불량으로 인한 웨이퍼 수율이 감소하는 것을 미연에 방지할 수 있도록 구성되는 반도체 확산 설비의 배기 시스템을 제공하는데 있다.
상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 공정 챔버와, 상기 공정 챔버의 하측에 위치되어 상기 공정 챔버내로 다수매의 웨이퍼를 로딩 및 언로딩 시키는 로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버와 공정 챔버간의 연통 공간은 선택적으로 개방시키는 셔터를 포함하는 반도체 확산 설비에 있어서, 상기 공정 챔버와 연통되어 공정 가스를 배기시키는 밸브 수단을 포함하는 주 배기 라인과, 상기 로드락 챔버와 연통되어 챔버내의 가스를 배기시키는 밸브 수단을 포함하는 배기 라인과, 상기 공정 챔버내의 압력을 측정하기 위한 적어도 하나의 압력 감지 센서와, 상기 로드락 챔버내의 압력을 측정하기 위한 적어도 하나의 압력 감지 센서 및 상기 공정 챔버와 로드락 챔버에 각각 설치되는 압력 감지 센서를 검지하여 상기 공정 챔버와 로드락 챔버의 배기 라인에 설치되는 각각의 밸브 수단 중 적어도 어느 하나를 제어하여 항상 각 챔버내의 압력을 일정하게 유지하도록 하기 위한 컨트롤러를 포함함을 특징으로 한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 확산 설비(100')의 배기 시스템을 도시한 구성도로써, 공정 챔버(10)의 일측에는 진공 라인(11)이 설치된다. 상기 진공 라인(11)은 말단에 소정의 진공 펌프(미도시 됨)를 구비하여 상기 공정 챔버(10)내의 압력을 항상 일정하게 유지시켜주는 역할을 수행하게 된다. 상기 진공 라인(11)상에는 소정의 자동 압력 제어기(APC; Auto Pressure Controller)(12)가 설치되어 튜브(10)내의 압력을 제어하게 된다. 바람직하게도 상기 압력 제어기(12)는 소정의 모터에 의해 트로틀 밸브를 개폐시킴으로써 압력 유지 동작을 수행할 수 있을 것이다.
한편, 상기 공정 챔버(10)의 일측에는 상기 공정 챔버(10)내의 압력을 측정하기 위한 적어도 하나의 센서가 설치된다. 도면상에는 바라트론 센서(B/S; Baratron Sensor)와 피라니 센서(PS71; Pirani Sensor)가 설치되어 고압 및 저압에 해당하는 공정 챔버내의 압력을 측정하게 되는 것이다. 또한, 상기 공정 챔버(10)의 일측에는 공정 후 공정 가스를 배기시키기 위한 주 배기 라인(13)이 설치 된다.
또한, 상기 공정 챔버(10)의 하측에 설치되는 로드락 챔버(20) 역시 소정의 배기 라인(21)이 설치되는데, 로드락 챔버(20)와 연통되는 라인(22)(FL53, FL52, FL51)이 상기 배기 라인(21)과 연통되도록 설치됨으로써 로드락 챔버(20)내의 배기를 도모하고 있다. 역시 상기 배기 라인(21)상에 압력을 측정하기 위한 센서 PS51이 설치된다. 설명하지는 않았으나, 그외에 다수의 에어 밸브 및 공정 가스 유입 라인등이 추가로 설치될 수 있을 것이다.
그후, 본 발명에 따른 콘트롤러(50)가 설치된다. 도면상에는 두 개의 컨트롤러가 도시되었으나, 도면의 도시상 표현한 것일 뿐 동일한 컨트롤러임을 밝혀둔다. 상기 컨트롤러(50)는 공정 챔버(10)내의 압력과 로드락 챔버(20)내의 압력을 동시에 측정하고 비교한다. 예를 들어, 상기 컨트롤러(50)는 공정 챔버(10)의 압력 측정을 위하여 설치된 센서 PS71과 연결됨과 동시에 로드락 챔버(20)의 압력 측정을 위하여 설치된 센서 PS51과 연결된다. 따라서, 상기 컨트롤러(50)는 공정 챔버(10)와 로드락 챔버(20) 각각의 압력을 측정할 수 있을 것이다. 또한, 상기 컨트롤러 (50)는 상기 공정 챔버(10)의 주 배기 라인(13)에 설치되는 배기량 조절을 위한 밸브 수단인 AV73을 제어할 수 있도록 설치된다. 바람직하게도, 상기 컨트롤러(50)는 로드락 챔버(20)의 배기량을 조절하기 위한 밸브 수단을 포함하는 라인(22)FL53, FL52, FL51을 동시에 제어할 수 있도록 설치된다. 상기 밸브 수단으로는 MFC(Mass Flow Controller)을 사용할 수 있을 것이다.
따라서, 상기 컨트롤러(50)는 공정 챔버(10) 및 로드락 챔버(20)내의 압력을 측정하여 셔터(도 2의 30)를 개방시키기 전에 공정 챔버(10)내의 압력이 적어도 로드락 챔버(20)내의 압력보다 낮도록 공정 챔버(10)의 배기 라인(13)에 설치된 밸브 수단(AV73)을 조절하여 제어할 수 있을 것이다. 그러나 이에 국한되지는 않으며, 상기 컨트롤러(50)는 공정 챔버(10)의 밸브 수단(AV73)과 로드락 챔버(20)의 밸브 수단(부호 22에 포함됨)을 함께 제어하여 압력을 일정하게 유지시킬 수 있을 것이다.
분명히, 청구항들의 범위내에 있으면서 이러한 실시예들을 변형할 수 있는 많은 방식들이 있다. 다시 말하면, 이하 청구항들의 범위를 벗어남 없이 본 발명을 실시할 수 있는 많은 다른 방식들이 있을 수 있는 것이다.
본 발명에 따른 배기 시스템은 소정의 컨트롤를 사용하여 공정 챔버내의 압력을 로드락 챔버내의 압력보다 항상 낮도록 유지시켜 셔터가 개방되더라도 공정 챔버내의 공정 가스가 로드락 챔버로 유입되는 것을 미연에 방지함으로써 로드락 챔버내의 적재된 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있으며, 결과적으로 웨이퍼 수율 향상을 도모할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 공정 챔버와, 상기 공정 챔버의 하측에 위치되어 상기 공정 챔버내로 다수매의 웨이퍼를 로딩 및 언로딩 시키는 로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버와 공정 챔버간의 연통 공간은 선택적으로 개방시키는 셔터를 포함하는 반도체 확산 설비에 있어서,
    상기 공정 챔버와 연통되어 공정 가스를 배기시키는 밸브 수단을 포함하는 주 배기 라인;
    상기 로드락 챔버와 연통되어 챔버내의 가스를 배기시키는 밸브 수단을 포함하는 배기 라인;
    상기 공정 챔버내의 압력을 측정하기 위한 적어도 하나의 압력 감지 센서;
    상기 로드락 챔버내의 압력을 측정하기 위한 적어도 하나의 압력 감지 센서; 및
    상기 공정 챔버와 로드락 챔버에 각각 설치되는 압력 감지 센서를 검지하여 상기 공정 챔버와 로드락 챔버의 배기 라인에 설치되는 각각의 밸브 수단 중 적어도 어느 하나를 제어하여 항상 각 챔버내의 압력을 일정하게 유지하도록 하기 위한 컨트롤러를 포함함을 특징으로 하는 반도체 확산 설비의 배기 시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 공정 챔버내의 압력이 적어도 상기 로드락 챔버내의 압력보다 낮도록 유지시킴을 특징으로 하는 반도체 확산 설비의 배기 시스템.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 공정 챔버의 주 배기 라인상에 설치되는 밸브 수단을 제어하여 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지시킴을 특징으로 하는 반도체 확산 설비의 배기 시스템.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101020667B1 (ko) * 2006-06-28 2011-03-09 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

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