KR100243520B1

KR100243520B1 - 박막증착장치

Info

Publication number: KR100243520B1
Application number: KR1019970034573A
Authority: KR
Inventors: 이창근; 오규운; 최원성
Original assignee: 서성기; 주식회사아이피에스
Priority date: 1997-07-23
Filing date: 1997-07-23
Publication date: 2000-03-02
Also published as: KR19990011469A

Abstract

연속기체 분사에 의한 박막증착장치에 관한 내용이 개시되어 있다. 이 박막증착장치는 반응용기에 기체를 공급하는 적어도 2개의 기체공급원과; 반응용기와 적어도 2개의 기체공급원에 각각 연결되어 기체를 배출시키는 펌프와; 적어도 2개의 기체공급원에서 반응용기를 경유하지 않고 펌프를 통하여 연속적으로 배출되는 기체를 연속적으로 정지시키지 않고 번갈아 반응용기에 공급하는 밸브수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 박막증착장치는 첫째, 웨이퍼에 증착되어 성장되는 박막의 결함이 적어지도록 하며 박막의 스탭커버리지가 좋아지도록 한다. 둘째, 순간적인 기체의 유입에도 웨이퍼에 전달되는 기체의 흐름이 균일하도록 한다. 셋째, 유입된 반응기체가 신속하게 배출되도록 하며, 웨이퍼가 신속하고도 연속적으로 교체될 수 있도록 한다.

Description

박막증착장치{Chemical va-por deposition}

본 발명은 반도체 기판과 같은 웨이퍼에 박막을 증착시키기 위한 박막증착장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 연속기체 분사에 의한 박막증착장치에 관한 것이다.

시간당 수백 마이크론 두께로 형성되는 반도체 웨이퍼의 박막에는 핀홀 등과 같은 결함이 필연적으로 형성된다. 반도체회로가 초고집적됨에 따라 이러한 핀홀 등과 같은 결함은 각 소자의 불량으로 이어진다. 따라서, 당업계에서는 핀홀 등과 같은 결함을 최소화하고, 박막의 우수한 스탭커버리지(step coverage)를 얻을 수 있는 새로운 박막증착장치 및 방법의 개발이 요구되고 있다.

도 15를 참조하면, 종래의 반응용기(1)에는 서로 다른 종류의 제1,2반응기체를 주입하기 위한 2개의 제1파이프(2) 및 제2파이프(3)가 연결되어 있으며, 하나의 배출파이프(4)가 연결되어 있다. 제1파이프(2) 및 제2파이프(3)에는 제1밸브(5) 및 제2밸브(6)가 설치되어 있으며, 배출파이프(4)에는 펌프(7)가 설치되어 있다. 제1밸브(5) 및 제2밸브(6)는 제어기(미도시)에 연결되어, 제어기에 의하여 개폐된다.

상기 제어기가 제2밸브(6)를 닫고 제1밸브(5)를 열면 제1반응기체는 제1밸브(5)를 통하여 반응용기(1)로 공급되어, 배출파이프(4) 및 펌프(7)를 통하여 배출되며, 제2반응기체는 제2밸브(6)에 의하여 정지되어 있다. 이어서, 제어기가 제1밸브(5)를 닫고 제2밸브(6)를 열면 제2반응기체는 제2밸브(6)를 통하여 진공용기(1)에 공급되어, 배출파이프(4) 및 펌프(7)를 통하여 배출되며, 제1반응기체는 제1밸브(5)에 의하여 정지된다. 이와 같이, 하나의 반응기체가 밸브에 의하여 반응용기(1)로 공급되다가 정지되고, 정지되었다가 공급됨에 따라 반응기체의 흐름은 원활하지 못하며, 반응용기(1) 내부의 압력은 공급되는 반응기체에 의하여 변동된다.

도 16을 참조하면, 반응용기(1) 내부에는 두 장의 웨이퍼(8)가 상하로 위치되어 있고, 두 개의 서로 다른 반응기체가 서로 다른 파이프(2,3)를 통하여 반응용기(1)로 유입되어 웨이퍼(8) 사이를 통하여 배출파이프(4)로 배출된다. 이와 같이 두 장의 웨이퍼(8)가 상하로 위치됨에 따라 웨이퍼(8) 사이를 흐르는 기체의 흐름이 원활하지 못할 뿐만 아니라 연속적이고도 신속하게 웨이퍼(8)를 상하로 위치시키기가 불편하다. 또한, 반응용기(10) 내부 공간의 부피가 커 유입되는 반응기체가 신속하게 배출되지 못하는 문제점과, 진공용기 내부 전체를 적절한 온도로 상승시키기에는 많은 시간이 필요한 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 첫째, 반응용기 및 반응기체 공급라인 내부의 압력이 일정하게 유지되는 상태로 미리 정해진 여러 종류의 반응기체가 반응용기에 번갈아 연속적으로 분사되도록 하여, 웨이퍼에 증착되어 성장되는 박막의 결함을 줄이고, 박막의 스탭커버리지(step coverage)가 좋아지도록 하며, 둘째, 순간적이고 연속적인 서로 다른 반응경로를 통한 반응기체의 유입에도 웨이퍼에 전달되는 기체의 흐름이 균일하게 하며, 셋째, 반응용기 내부에 반응실 영역을 새로이 설정하여 매우 효과적으로 반응실의 온도를 반응하기에 적절한 온도로 상승시키고, 유입된 반응기체가 신속하게 배출되도록 하며, 웨이퍼를 연속적이고도 신속하게 교체할 수 있는 박막증착장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 기술적 과제는 첫째, 반응용기 및 반응기체 공급라인 내부의 압력이 일정하게 유지되는 상태로 미리 정해진 여러 종류의 반응기체가 반응용기에 번갈아 연속적으로 분사되도록 하여, 웨이퍼에 증착되어 성장되는 박막의 결함을 줄이고, 박막의 스탭커버리지가 좋아지도록 하며, 둘째, 순간적이고 연속적인 서로 다른 반응경로를 통한 반응기체의 유입에도 웨이퍼에 전달되는 기체의 흐름이 균일하게 하며, 셋째, 반응용기 내부에 반응실 영역을 새로이 설정하여 매우 효과적으로 반응실의 온도를 반응하기에 적절한 온도로 상승시키고, 유입된 반응기체가 신속하게 배출되도록 하며, 웨이퍼를 연속적이고도 신속하게 교체할 수 있는 박막증착장치를 구현하는데 있다.

도 1 - 본 발명에 따른 박막증착장치의 주요 배관도.

도 2 - 본 발명에 따른 박막증착장치의 상세 배관도.

도 3 - 도 2에 도시된 반응용기의 몸체와 덮개의 분리사시도.

도 4 - 도 3에 도시된 반응용기 몸체의 Ⅳ-Ⅳ 단면도.

도 5 - 도 3에 도시된 반응용기 몸체의 평면도.

도 6 - 도 3에 도시된 반응용기의 Ⅵ-Ⅵ 단면도.

도 7 - 도 6에 도시된 가열테이블이 실드에 접촉한 상태의 단면도.

도 8 - 도 6에 도시된 가열테이블과 상실드가 상승한 상태의 단면도.

도 9 - 도 6에 도시된 Ⅸ의 확대도.

도 10 - 도 7에 도시된 Ⅹ의 확대도.

도 11 - 도 6에 도시된 기체확산부의 분리사시도.

도 12 - 도 11에 도시된 ⅩⅡ의 확대도.

도 13 - 도 6에 도시된 가열테이블의 분리사시도.

도 14 - 도 6에 도시된 실드의 분리사시도.

도 15 - 종래에 따른 박막증착장치의 배관도

도 16 - 도 15에 도시된 반응용기의 일부절제 사시도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

11...제1반응기체공급원 12...제2반응기체공급원

13...불활성기체공급원 14...증발기

21∼28...파이프 30...밸브수단

31∼35...밸브 41, 42...유량제어기

51...펌프 60...보상기체공급원

61...압력보상파이프 62...압력보상밸브

70...MFC(mass flow controller) 71, 72...우회파이프

80...보상불활성기체공급원 81...보상파이프

90...청소기체탱크 91...청소파이프

92...청소밸브 93...청소배출파이프

94...청소배출밸브 95...청소펌프

100...반응용기 101...반응공간

102...비반응공간 103...웨이퍼

200...덮개 210...기체확산부

211...제1확산판 212...제2확산판

213...제3확산판 300...몸체

310...승강수단 320...가열테이블

321...웨이퍼히터 322...절연판

323...냉각판 330...실드

본 발명에 따른 박막증착장치는 : 소정의 압력이 일정하게 유지되는 반응용기와; 상기 반응용기에 기체를 공급하는 적어도 2개의 기체공급원과; 상기 반응용기와 상기 적어도 2개의 기체공급원에 각각 연결되어 상기 기체를 배출시키는 펌프와; 상기 적어도 2개의 기체공급원에서 상기 반응용기를 경유하지 않고 상기 펌프를 통하여 연속적으로 배출되는 기체를 정지시키지 않고 번갈아 상기 반응용기에 공급하는 밸브수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

그리고 본 발명에 따른 박막증착장치는 : 내부공간과 개방된 입구가 형성된 반응용기와; 상기 반응용기 입구에 설치되어 상기 내부공간을 밀폐시키는 덮개와; 상기 반응용기 내부공간 저면에 설치되어 상기 입구방향으로 승강되는 승강대와; 상기 승강대에 설치되어 승강되며 안착되는 웨이퍼에 열을 가하는 가열테이블과; 상기 가열테이블과 상기 덮개 사이에 설치되어 상기 가열테이블과 접촉되면서 상기 반응용기의 내부공간을 반응공간과 비반응공간으로 분리시키는 분리수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 박막증착장치는 다음과 같은 효과가 있다. 첫째, 반응용기 및 반응기체 공급라인 내부의 압력이 일정하게 유지되는 상태로 미리 정해진 여러 종류의 반응기체가 반응용기에 번갈아 연속적으로 분사되도록 하여, 웨이퍼에 증착되어 성장되는 박막의 결함이 적어지며 박막의 스탭커버리지가 좋아진다. 둘째, 순간적이고 연속적인 서로 다른 반응경로를 통한 반응기체의 유입에도 웨이퍼에 전달되는 기체의 흐름이 균일하다. 셋째, 진공용기 내부에 반응실 영역을 새로이 설정하여 매우 효과적으로 반응실의 온도를 반응하기에 적절한 온도로 상승시킬 수 있고, 유입된 반응기체가 신속하게 배출되며, 웨이퍼를 신속하고도 연속적으로 교체할 수 있다.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 박막증착장치의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

도 1을 참조하면, 소정의 압력이 일정하게 유지되는 반응용기(100)에는 서로 다른 반응기체를 공급하는 제1반응기체공급원(11) 및 제2반응기체공급원(12)과, 불활성기체를 공급하는 불활성기체공급원(13)과, 펌프(51)가 제1∼8파이프(21∼28)에 의하여 연결되어 있다. 그리고, 제1∼7파이프(21∼27)에는 본 발명에 따른 밸브수단(30)이 설치되어 있으며, 밸브수단(30)은 제1∼7파이프(21∼27)에 설치된 다수개의 밸브를 포함하여 구성된다.

상기 반응용기(100)와 제1반응기체공급원(11) 사이에는 제1파이프(21)가 설치되어 있으며, 제1파이프(21)에는 제1밸브(31)가 설치되어 있다. 반응용기(100)와 제2반응기체공급원(12) 사이에는 제2파이프(22)가 설치되어 있으며, 제2파이프(22)에는 제2밸브(32)가 설치되어 있다. 제1밸브(31)와 반응용기(100) 사이의 제1파이프(21) 그리고 제2밸브(32)와 반응용기(100) 사이의 제2파이프(22) 사이에는 제3파이프(23)가 설치되어 있으며, 제3파이프(23)에는 설치된 제3밸브(33) 및 제3'밸브(33')가 설치되어 있다. 제1밸브(21)와 제1반응기체공급원(11) 사이의 제1파이프(21) 그리고 제2밸브(32)와 제2반응기체공급원(12) 사이의 제2파이프(22) 사이에는 제4파이프(24)가 설치되어 있으며, 제4파이프(24)에는 제4밸브(34) 및 제4'밸브(34')가 설치되어 있다. 제3밸브(33)와 제3'밸브(33') 사이의 제3파이프(23) 그리고 제4밸브(34)와 제4'밸브(34') 사이의 제4파이프(24) 사이에는 제5파이프(25)가 설치되어 있으며, 제5파이프(25)에는 제5밸브(35)가 설치되어 있다. 제4밸브(34)와 제4'밸브(34') 사이의 제4파이프(24)와 펌프(51) 사이에는 제6파이프(26)가 설치되어 있으며, 제3밸브(33)와 제3'밸브(33') 사이의 제3파이프(23)와 불활성기체공급원(13) 사이에는 제7파이프(27)가 설치되어 있다.

상기 제1밸브(31), 제2밸브(32), 제3밸브(33), 제3'밸브(33')와 상기 반응용기(100) 사이의 거리는 5㎝이하로 되는 것이 바람직하다. 이는 후술하는 기체확산부를 통하여 유입되는 기체가 후술하는 배기구멍과 배기홀을 통하여 적절한 시간 내에 배출되도록 하기 위함이다.

상기 밸브들은 제어기에 연결되어 제어기에 의하여 제어된다. 제어기는 각 밸브를 적절히 단속하여 반응기체 및 불활성기체가 반응용기(100)를 경유하지 않고 제6파이프(26)과 펌프(51)를 통하여 배출되도록 함과 동시에 반응기체 및 불활성기체를 정지시키지 않은 채로 번갈아 반응용기(100)에 연속적으로 공급되도록 한다.

제1반응기체 공급원(11)의 제1반응기체를 반응용기(100)에 유입시키기 위하여 제어기는 제1, 4', 5밸브(31, 34', 35)를 열고, 제2, 3, 3', 4밸브(32, 33, 33', 34)를 잠근다. 따라서, 제1반응기체공급원(11)의 제1반응기체는 제1파이프(21)와 제1밸브(31)를 통하여 반응용기(100)로 공급되며, 불활성기체공급원(13)의 불활성기체는 제7파이프(27) → 제3파이프(23) → 제5파이프(25) → 제5밸브(35) → 제6파이프(26)를 통하여 펌프(51)로 배출되며, 제2반응기체공급원(12)의 제2반응기체는 제2파이프(22) → 제4파이프(24) → 제4'밸브(34') → 제6파이프(26)를 통하여 펌프(51)로 배출된다.

불활성기체공급원(13))의 불활성기체를 반응용기(100)에 유입시키기 위하여 제어기는 제3, 4, 4'밸브(33, 34, 34')를 열고, 제1, 2, 3', 5밸브(31, 32, 33', 35)를 잠근다. 따라서, 불활성기체공급원(13)의 불활성기체는 제7파이프(27) → 제3파이프(23) → 제3밸브(33)를 통하여 반응용기(100)로 공급되며, 제1반응기체공급원(11)의 제1반응기체는 제1파이프(21) → 제4밸브(34) → 제6파이프(26)를 통하여 펌프(51)로 배출되며, 제2반응기체공급원(12)의 제2반응기체는 제2파이프(22) → 제4파이프(24) → 제4'밸브(34') → 제6파이프(26)를 통하여 펌프(51)로 배출된다.

제2반응기체 공급원(12)의 제2반응기체를 반응용기(100)에 유입시키기 위하여 제어기는 제2, 4, 5밸브(32, 34, 35)를 열고, 제1, 3, 3', 4'밸브(31, 33, 33', 34')를 잠근다. 따라서, 제2반응기체공급원(12)의 제2반응기체는 제2파이프(22)와 제2밸브(32)를 통하여 반응용기(100)로 공급되며, 불활성기체공급원(13)의 불활성기체는 제7파이프(27) → 제3파이프(23) → 제5파이프(25) → 제5밸브(35) → 제6파이프(26)를 통하여 펌프(51)로 배출되며, 제1반응기체공급원(11)의 제1반응기체는 제1파이프(21) → 제4파이프(24) → 제4밸브(34) → 제6파이프(26)를 통하여 펌프(51)로 배출된다.

이와 같이, 밸브수단(30)은 반응기체 및 불활성기체가 파이프와 펌프(51)를 통하여 연속적으로 배출되는 상태에서 밸브를 단속하여 반응기체 및 불활성기체가 정지되지 않은 상태에서 미리 정해진 순서에 의하여 교대로 반응용기(100)에 압력변화 없이 공급되도록 한다. 따라서, 반응용기(100) 내부의 압력변화는 번갈아 공급되는 불활성기체 및 반응기체에도 불구하고 요구되는 수준 이하에서 유지될 수 있다. 반응용기(100) 내부의 압력변화를 더욱더 낮은 수준으로 하려면 도 2에 도시된 바와 같이, 제6파이프(26)와 제8파이프(28)에 유량제어기(41, 42)가 설치되는 것이 바람직하다.

상기 제1,2반응기체공급원(11, 12) 및 불활성기체공급원(13)에는 기체 또는 액체가 저장되며, 액체인 경우에는 증발되어 반응용기(100)에 공급된다. 밸브수단(30)에 의하여 반응용기(100)에 공급되는 반응기체의 공급순서는 제1반응기체 → 제2반응기체 → 제1반응기체 순으로 될 수 있으나, 제1반응기체 → 불활성기체 → 제2반응기체 → 불활성기체 → 제1반응기체 순으로 되는 것이 바람직하다. 이와 같이 반응기체 사이에 불활성기체를 공급하는 이유는 각 반응기체와의 혼합에 따른 기상반응(gas phase reaction)을 억제하여 불순물의 형성을 최소화시키고, 물리적인 흡착을 도모하기 위한 것이다.

상술한 파이프들은 유체의 빠른 흐름을 위하여 그 길이가 짧은 것이 바람직하며, 200℃까지 제어가 가능하도록 히팅 테이프 등의 발열체가 설치되는 것이 바람직하다. 이는 반응기체의 불필요한 반응을 억제하여 파이프에 불순물이 생성되지 않도록 하기 위한 것이다. 특히, TiCl₄+ NH₃등을 이용하는 TiN 공정의 경우 NH₄Cl 등의 불순물이 파우더(powder) 상태로 존재할 수 있기 때문에 이를 방지하기 위하여 파이프의 온도를 적어도 150℃ 이상에서 균일하게 유지할 것이 요구된다.

도 2를 참조하면, 반응기체로 TiCl₄또는 TDMAT & TDEAT 등의 금속 유기물질을 사용할 경우, 각 물질이 액체 상태이기 때문에 증발기(14)를 이용하여 액체를 증발시켜 반응용기(100)로 공급해야 한다. 따라서, 금속 유기물질 또는 무기물질을 가열하여 생성되는 반응기체의 유량을 정확히 제어하기 위하여 증발기(14)와 반응용기(100) 사이의 파이프에는 증발된 기체의 량을 제어하는 MFC(70,mass flow controller)를 설치하는 것이 바람직하며, 압력의 조절이 필요 없는 반응기체를 위하여 우회파이프(71,72)가 설치되는 것이 바람직하다.

액체를 반응기체로 사용하는 경우는 액체를 가열하여 증발시켜 사용해야함으로 온도에 따른 증기압이 원하는 양까지 도달하지 못하는 경우가 발생된다. 즉, 증발기(14)에서 포화 증기압으로 인하여 소정의 증기압을 얻을 수 없을 경우가 발생된다. 따라서, 압력구배를 줄이기 위한 하나의 수단으로 증발기(14)와 반응용기(100) 사이에 기체의 량을 보상하는 보상불활성기체공급원(80)이 연결된 보상파이프(81)가 접속되는 것이 바람직하다.

도 2를 참조하면, 반응용기(100)에는 반응용기(100)의 내부를 화학적으로 청소할 수 있는 청소수단이 설치되는 것이 바람직하다. 이 청소수단은 청소기체탱크(90)와 반응용기(100) 사이에 설치된 청소파이프(91)와, 청소파이프(91)에 설치된 청소밸브(92)와, 반응용기(100)에 연결된 청소배출파이프(93)와, 청소배출파이프(93)에 설치되는 청소배출밸브(94)와, 청소배출파이프(94)에 설치되는 청소펌프(95)를 포함하여 구성된다.

청소를 위한 기체에는 여러 가지가 있다. 예를 들어, TiN의 박막형성 공정의 경우에는 ClF₃또는 NF₃플라스마를 이용하여 청소한다. 본 발명에서는 ClF₃기체를 이용하여 반응용기(100) 내부에 직접 유입되도록 하거나, 후술하는 기체확산부를 통하여 유입되도록 구성하였다. ClF₃기체는 부식성이 매우 크기 때문에 반응용기(100)의 재료선택에 주의해야 한다. 그러므로, ClF₃에 대한 화학적 안정성이 우수한 알루미늄으로 반응용기(100)의 몸체를 구성하는 것이 바람직하다. 그리고, 반응용기(100) 내부에 설치되는 구성품 또한 알루미늄을 주재료로 하는 재료가 사용되는 것이 바람직하다.

도 3 및 도 6을 참조하면, 반응용기(100)는 내부공간과 개방된 입구가 형성된 몸체(300)와, 개방된 입구를 덮는 덮개(200)를 포함하여 구성된다. 덮개(200)의 내면에는 기체확산부(210)가 설치되어 있으며, 몸체(300) 내부공간에는 승강대(310), 가열테이블(320), 실드(330)가 설치되어 있다. 승강대(310)에는 안착되는 웨이퍼(103)를 가열하는 가열테이블(320)이 설치되어 있으며, 가열테이블(320)은 승강대(310)에 의하여 덮개(200)를 향하여 승강된다. 실드(330)는 가열테이블(320)이 상승되어 접촉됨에 따라 반응용기의 내부공간을 반응공간(101)과 비반응공간(102)으로 분리시키는 역할을 하며, 세라믹 또는 알루미늄 합금으로 제조되는 것이 바람직하다. 또한 상기 실드(330)와 가열테이블(320)에 의하여 분리되는 반응공간(101)의 부피는 5리터(liter)이하로 되는 것이 바람직하다. 이는 기체확산부(210)를 통하여 유입되는 기체가 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같은 배기구멍(340)과 배기홀(341)을 통하여 적절한 시간 내에 배출되도록 하기 위함이다.

도 6을 참조하면, 기체확산부(210)를 통하여 반응공간(101)으로 주입된 기체는 도 4에 도시된 배기구멍(340)과 배기홀(341)을 따라 배기포트(342) 연결된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 배기홀(341)은 몸체(300)의 수직 모서리를 따라 형성되며, 몸체(300) 아래 부분에서 도 5에 도시된 바와 같이 몸체(300) 측면을 따라 형성되어 몸체(300)의 다른 모서리(343)에서 합쳐져 T자형 배기포트(342)에 연결된다.

도 2 및 도 4를 참조하면, T자형 배기포트(342) 각 단부에는 청소배기밸브(94)와 배기밸브(38)가 설치되며, 청소배기밸브(94)에는 청소기체를 배출하는 파이프(93)와 청소펌프(95)가 설치되며, 배기밸브(38)에는 제8파이프(28)와 펌프(51)가 설치된다.

도 3 및 도 6을 참조하면, 덮개(200)에는 제1, 2파이프(21,22)가 접속되는 접속부(220)가 설치되며, 접속부(220)는 기체확산부(210)에 연결되어 있다.

도 11 및 도 12를 참조하면, 기체확산부(210)는 덮개(200)의 내면에 부착되어 설치되며, 제1확산판(211) 및 제2확산판(212)을 포함하여 구성된다. 제1확산판(211)에는 다수개의 돌기(211a)가 형성되도록 확산홈(211d)이 형성되어 있으며, 각 돌기(211a)에는 제2확산구멍(211b)이, 확산홈(211d)에는 다수개의 제1확산구멍(211c)이 형성되어 있다. 제2확산판(212) 중심에는 확산홈(211d)과 연결되는 제1연결구멍(212a)이 형성되어 있으며, 제2확산구멍(211b)에 대응되는 다수개의 제2확산판구멍(212b)이 형성되어 있다. 한편, 제1확산판(211)과 제2확산판(212) 사이에는 제2확산판구멍(212b)과 제1연결구멍(212a)에 대응되는 제3확산판구멍(213a) 및 제2연결구멍(213b)이 형성된 제3확산판(213)이 설치될 수 있다. 제3확산판(213)은 구리판과 같은 경도가 낮은 재질로 만들어지고, 제1확산판(211) 제2확산판(212) 사이에 밀착되어, 서로 다른 기체가 혼합되지 않도록 한다.

도 6 및 도 9를 참조하면, 덮개(200)에는 덮개(200)의 온도조절을 위하여 덮개히터(230)와 덮개냉각판(240)이 설치되어 있으며, 온도를 측정하기 위한 센서(미도시)가 설치되어 있다. 덮개히터(230)는 열전도도가 우수한 구리와 같은 금속 내부에 발열케이블(cable heater)이 설치된 것을 사용하는 것이 바람직하며, 덮개냉각판(240)은 압축공기가 순환될 수 있도록 공기유동경로가 형성된 판을 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 덮개(200)는 기체확산부(210)의 온도를 적절히 제어하여 반응성기체의 흡착을 억제할 수 있다.

도 3 및 도 9를 참조하면, 접속부(220)는 내부접속관(221)과 외부접속관(222)을 포함하여 구성된다. 내부접속관(221)의 일단은 제1파이프(21)에 연결되며 타단은 제1연결구멍(212a)을 통하여 제3확산판(213) 부착된다. 그리고, 외부접속관(222)의 일단은 제2파이프(22)에 연결되어 있으며 타단은 덮개(200)의 냉각판(240)에 고정되어 있다. 제1확산판(211)에 형성되는 확산홈(211d)은 기체의 원활한 흐름을 위하여 5mm이상의 엔드밀(end mill)을 이용하여 형성되는 것이 바람직하며, 제1확산구멍(211c)의 직경은 또한 기체의 원활한 흐름을 위하여 1∼2mm로 되는 것이 바람직하다. 그리고, 제2확산판(212)에 형성되는 제2확산구멍(212a)의 직경은 0.2∼0.4mm로 되는 것이 바람직하다.

도 3 및 도 11을 참조하면, 제1파이프(21)를 통하여 공급되는 기체는 내부접속관(211) → 확산홈(211d) → 제1확산구멍(211c)을 통하여 반응용기(100) 내부로 확산되며, 제2파이프(22)를 통하여 공급되는 기체는 외부접속관(222) → 덮개(200)와 제2확산판(212) 사이의 공간(250) → 제2확산판구멍(212a) → 제3확산판구멍(313b) → 제2확산구멍(211c)을 통하여 반응용기(100) 내부로 확산된다. 이와 같이, 기체를 분리되어 반응용기(100)로 공급됨에 따라 반응성이 강한 서로 다른 반응성기체의 반응이 억제되어 기상반응에 의한 불순물의 형성을 최소화 할 수 있다.

도 6 및 도 13을 참조하면, 몸체(300) 바닥에는 승강대(310)가 설치되어 있으며, 승강대(310) 위에는 가열테이블(320)이 설치되어 있다. 몸체(300) 바닥에는 3개의 로딩핀(340)이 설치되어 있으며, 로딩핀(340)의 단부는 승강대(310)가 상승되지 않았을 때 상기 가열테이블(320)을 관통하여 위치된다. 로딩핀(340)의 재질은 열팽창이 많이 되지 않은 알루미나를 주성분으로 하는 세라믹으로 되는 것이 바람직하다.

상기 가열테이블(320)은 안착되는 웨이퍼(103)를 가열하는 웨이퍼히터(321)와, 웨이퍼히터(321)의 빠른 온도 하강과 웨이퍼히터(321) 주위의 열을 차단하여 최소한의 히팅 영역을 제공하기 위한 냉각판(323)과, 웨이퍼히터(321)와 냉각판(323) 사이에 설치되어 전기적 절연과 높은 온도 편차를 줄여주기 위한 석영으로 만들어진 절연판(322)을 포함하여 구성되며, 2개의 볼트(325)와 절연체로 만들어진 하나의 너트(324)를 1조로 하는 체결수단에 의하여 결합된다. 상기 냉각판(323)에는 기체 또는 액체가 유동될 수 있는 유체이동경로가 형성되어, 기체 또는 액체가 유체이동경로를 따라 이동됨에 따라 외부의 열을 흡수하도록 한다.

상기 냉각판(323)의 가장자리 주면에는 4개의 리프팅핀(323a, lifting pins)이 등간격으로 설치되어 있으며, 리프팅핀(323a)은 후술하는 상실드(331)의 내플렌지(331a)의 내면에 설치되는 삼각형상의 상실드홈(331b)에 삽입된다. 즉, 승강수단(310)에 의하여 가열테이블(320)이 상승하여 반도체 웨이퍼(103)가 기체확산부(210)가까이로 위치될 때 리프팅핀(323a)이 상실드홈(331b)에 삽입되어 다음과 같은 두 가지 기능을 한다. 첫째, 웨이퍼히터(321)에 안착되는 웨이퍼(103)와 내플렌지(331a)와의 접촉상태를 설정한다(도 10 참조). 둘째 상실드(331)가 원위치 되도록 이동시킨다.

도 10 및 도 13을 참조하면, 웨이퍼히터(321) 상면에는 웨이퍼(103)가 안착되는 안착면(321b)가 형성되어 있으며, 안착되는 웨이퍼(103)를 안내하는 안내경사면(321a)이 형성되어 있다. 이 안내경사면(321a)은 웨이퍼(103)가 안착될 때 웨이퍼(103)를 안내하여 웨이퍼(103)가 안착면(321b)에 적절하게 안착되도록 하는 역할을 한다.

도 6 및 도 14를 참조하면, 반응용기(100) 내부에 설치된 실드(330)는 상실드(331)와 하실드(332)를 포함하여 구성된다. 하실드(332)에는 원통형 하안내부(332a)가 형성되어 있으며, 하안내부(332a) 일단에는 하플렌지(332b)가 설치되어 있다. 하플렌지(332b)는 스크류(333)에 의하여 반응용기(100) 내부에 고정되며, 하플렌지(332b)에는 4개의 가이드핀(332c)이 설치되어 있다. 상실드(331)에는 하안내부(332a)의 외주면에 접촉되는 내주면을 갖는 원통형 상안내부(331b)가 형성되어 있으며, 상안내부(331b)의 일단에는 상플렌지(331c)가 타단에는 내플렌지(331a)가 형성되어 있다.

도 6을 참조하면, 상실드(331)와 하실드(332)는 상술한 가열테이블(320)과 함께 상술한 반응용기(100)의 내부공간을 반응공간(101)과 비반응공간(102)으로 분리하는 역할을 한다. 실드(330)와 가열테이블(320)에 의하여 형성되는 반응공간(101)과 비반응공간(102)의 압력은 압력보상회로에 의하여 보상에 의하여 적절하게 조절된다.

도 2를 참조하면, 상기 압력보상회로는 미리 정해진 압력을 갖는 보상기체공급원(60)과, 보상기체공급원(60)과 반응용기(100) 사이에 설치된 압력보상파이프(61)와, 압력보상파이프(61)에 설치된 압력보상밸브(62)를 포함하여 구성되어, 반응용기(100)의 압력을 보상해 준다.

상술한 바와 같은 구성요소를 구비하는 본 발명에 따른 박막증착장치는 다음과 같이 작동되어 웨이퍼에 박막을 성장시킨다.

도 6을 참조하면, 웨이퍼이송시스템(400)에서 웨이퍼이송구멍(410)을 통하여 웨이퍼(103)를 3개의 로딩핀(340) 위에 올려놓으면 승강수단(310)이 가열테이블(320)을 상승시킨다. 가열테이블(320)이 상승됨에 따라 웨이퍼(103)는 가열테이블(320)의 웨이퍼히터(321)에 안착된다.

도 7을 참조하면, 승강수단(310)이 계속해서 가열테이블(320)을 상승시키면 가열테이블(320)의 냉각판(323)에 설치된 리프팅핀(323a)이 상실드(331)의 내플랜지(331a)에 접촉된다. 이때, 반응용기(100)의 내부공간은 반응공간(101)과 비반응공간(102)으로 나누어지며, 도 10에 도시된 바와 같이, 내플랜지(331a)의 단부는 웨이퍼(103)를 웨이퍼히터(321)에 밀착시킨다.

도 8을 참조하면, 승강수단(310)이 계속해서 가열테이블(320)을 상승시키면 가열테이블(320)은 기체확산부(210)에 근접된다. 따라서, 반응공간(101)은 줄어들어 그 부피가 5리터 이하로 될 수 있다. 이와 같은 상태에서 제1반응기체, 제1반응기체, 불활성기체가 상술한 도 1에 도시된 밸브수단(30)에 의하여 미리 정해진 순서에 의거 반응용기(100) 내부로 공급되어 웨이퍼(103)에 적절하고도 신속하게 박막이 성장되도록 한다.

첨부된 참조 도면에 의해 설명된 본 발명의 바람직한 실시예는 단지 일 실시예에 불과하다. 당해 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 바람직한 실시예를 충분히 이해하여 유사한 형태의 박막증착장치를 구현할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 본 발명의 기술적 사상에 의한 특허 청구의 범위에 의해 정해져야 할 것이다.

상술한 바와 같이 구성되어 작동되는 본 발명에 따른 박막증착장치는 첫째, 반응용기 및 반응기체 공급라인 내부의 압력이 일정하게 유지되는 상태로 미리 정해진 여러 종류의 반응기체가 반응용기에 번갈아 연속적으로 분사되도록 하여, 웨이퍼에 증착되어 성장되는 박막의 결함이 적어지며 박막의 스탭커버리지가 좋아진다. 둘째, 순간적이고 연속적인 서로 다른 반응경로를 통한 반응기체의 유입에도 웨이퍼에 전달되는 기체의 흐름이 균일하게 하다. 셋째, 진공용기 내부에 반응실 영역을 새로이 설정하여 매우 효과적으로 반응실의 온도를 반응하기에 적절한 온도로 상승시킬 수 있고, 유입된 반응기체가 신속하게 배출되며, 웨이퍼를 신속하고도 연속적으로 교체할 수 있다.

Claims

압력을 일정하게 유지하는 반응용기(100), 상기 반응용기(100)에 기체를 공급하고 증발기(14)와 MFC(70)가 연결되어 있는 기체공급원, 상기 반응용기(100)와 상기 기체공급원에 연결되는 펌프(51), 및 상기 기체공급원에서 상기 펌프(51)를 통해 기체를 상기 반응용기(100)에 공급하는 밸브수단(30)을 구비한 박막증착장치에 있어서:

상기 기체공급원이 제1반응기체를 공급하는 제1반응기체공급원(11)과, 제2반응기체를 공급하는 제2반응기체공급원(12)과, 불활성기체를 공급하는 불활성기체공급원(13)으로 되고;

상기 밸브수단(30)은 상기 반응용기(100)와 상기 제1반응기체공급원(11) 사이에 설치된 제1파이프(21)와, 상기 제1파이프에 설치된 제1밸브(31)와, 상기 반응용기(100)와 상기 제2반응기체공급원(12) 사이에 설치된 제2파이프(22)와, 상기 제2파이프에 설치된 제2밸브(32)와, 상기 제1밸브와 상기 반응용기 사이의 상기 제1파이프 그리고 상기 제2밸브와 상기 반응용기 사이의 상기 제2파이프 사이에 설치된 제3파이프(23)와, 상기 제3파이프에 설치된 제3밸브(33) 및 제3'밸브(33')와, 상기 제1밸브와 상기 제1반응기체공급원 사이의 상기 제1파이프 그리고 상기 제2밸브와 상기 제2반응기체공급원 사이의 상기 제2파이프 사이에 설치된 제4파이프(24)와, 상기 제4파이프에 설치된 제4밸브(34) 및 제4'밸브(34')와, 상기 제3밸브와 상기 제3'밸브 사이의 상기 제3파이프 그리고 상기 제4밸브와 상기 제4'밸브 사이의 상기 제4파이프 사이에 설치된 제5파이프(25)와, 상기 제5파이프에 설치된 제5밸브(35)와, 상기 제4밸브와 상기 제4'밸브 사이의 상기 제4파이프와 상기 펌프 사이에 설치된 제6파이프(26)와, 상기 제3밸브와 상기 제3'밸브 사이의 상기 제3파이프와 상기 불활성기체공급원 사이에 설치된 제7파이프(27)를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제 1항에 있어서,

상기 기체공급원과 상기 반응용기(100) 사이의 거리가 5㎝이하로 되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제1항에 있어서,

상기 반응용기(100)에 연결되어 청소기체를 공급하는 청소기체공급원(90)과, 상기 반응용기(100)에 연결되어 청소기체를 배출하는 청소배출파이프(93)와, 상기 청소배출파이프에 연결된 청소펌프(95)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제3항에 있어서,

상기 청소기체는 ClF₃또는 NF₃플라스마 기체로 되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제1항에 있어서,

상기 기체공급원(11,12,13)과 상기 반응용기(100) 사이에 설치된 파이프에 열을 가하는 히팅테이프가 부착된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제5항에 있어서,

상기 히팅테이프는 200℃까지 가열하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제1항에 있어서,

상기 반응용기(100)는 내부공간과 개방된 입구가 형성된 몸체(300)와, 상기 몸체의 입구에 설치되어 상기 내부공간을 밀폐시키며 상기 기체공급원에 연결된 덮개(200)와, 상기 몸체 내부공간 저면에 설치되어 상기 입구방향으로 승강되는 승강대(310)와, 상기 승강대에 설치되어 승강되며 안착되는 웨이퍼(103)에 열을 가하는 가열테이블(320)과, 상기 가열테이블과 상기 덮개 사이에 설치되어 상기 가열테이블과 접촉되면서 상기 몸체의 내부공간을 반응공간(101)과 비반응공간(102)으로 분리시키는 분리수단(330)을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제7항에 있어서,

상기 몸체(300)에는 상기 반응공간(101)으로 주입된 기체가 배기되는 배기구멍(340)과,

상기 배기구멍(340)에 연결되어 상기 몸체(300) 수직 모서리를 따라 형성되며 상기 몸체의 아래부분에서 상기 몸체의 측면을 따라 형성되어 상기 몸체의 다른 모서리에서 합쳐지는 배기홀(341)이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제7항에 있어서,

상기 덮개(200)에는 상기 기체공급원이 접속되는 접속부(220)와,

상기 접속부에 연결되어 상기 기체공급원에서 유입되는 기체를 혼합시키지 않고 다수개의 구멍으로 분사되도록 하는 기체확산부(210)를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제9항에 있어서,

상기 접속부(220)는 일단이 상기 기체공급원에 연결되는 하나의 파이프에 연결되며 타단이 상기 기체확산부(210)에 연결되는 내부접속관(221)과, 일단이 상기 가체공급원에 연결되는 다른 하나의 파이프에 연결되며 타단이 상기 기체확산부(210)에 연결되면서 상기 내부접속관(221)을 감싸는 외부접속관(222)을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제9항에 있어서,

상기 덮개(200)와 상기 기체확산부(210) 사이에 설치되어 열을 가하는 덮개히터(230)와, 상기 덮개와 기체확산부의 열을 흡수하는 덮개냉각판(240)을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제9항 내지 제11항에 있어서,

상기 기체확산부(210)는 다수개의 돌기(211a)를 형성시키는 확산홈(211d)과, 상기 확산홈에 형성된 다수개의 제1확산구멍(211c)과, 상기 돌기에 형성된 제2확산구멍(211b)를 포함하는 제1확산판(211)과;

상기 확산홈(211d)과 연결된 제1연결구멍(212a)과, 상기 제2확산구멍(211b)에 대응되는 다수개의 제2확산판구멍(212b)이 형성된 제2확산판(212)을 구비하여, 상기 덮개와 제1확산판 사이에 상기 제2확산판(212)이 결합되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제12항에 있어서,

상기 제1확산판(211)과 상기 제2확산판(212) 사이에 제2확산구멍과 제1연결구멍에 대응되는 제3확산판구멍(213a) 및 제2연결구멍(213b)이 형성된 제3확산판(213)이 설치된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제7항에 있어서,

상기 가열테이블(320)은 안착되는 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼히터(321)와, 상기 웨이퍼히터 주위의 열을 차단하여 최소한의 히팅 영역을 제공하기 위한 냉각판(323)과, 상기 웨이퍼히터와 상기 냉각판 사이에 설치되어 전기적 절연과 높은 온도 편차를 줄여주기 위한 절연판(322)을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제7항 또는 제14항에 있어서,

상기 분리수단(330)은 원통형 하안내부(332a)와, 상기 하안내부 일단에 형성되며 상기 몸체의 내부에 고정되는 하플렌지(332b)를 갖는 하실드와(332);

상기 하안내부의 외주면에 접촉되는 내주면을 갖는 원통형 상안내부(331b)와, 상기 상안내부의 일단에 형성되며 상기 하플렌지와 접촉되는 상플렌지(331c)와, 상기 상안내부 타단에 형성되어 상기 승강되는 가열테이블에 걸리는 내플랜지(331a)를 갖는 상실드(331)를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제15항에 있어서,

상기 냉각판(323)의 가장자리 주면에는 3개의 리프팅핀(lifting pins; 323a)이 등간격으로 설치되어, 상기 상실드(331)의 내플렌지(331a)의 내면에 형성되는 상실드홈(331b)에 삽입되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
반응용기(100), 상기 반응용기를 밀폐하는 덮개(200), 상기 반응용기 저면에 설치되는 승강대(310), 상기 승강대에 설치되어 웨이퍼에 열을 가하는 가열테이블(320), 상기 반응용기의 내부공간을 반응공간(101)과 비반응공간(102)으로 분리시키는 분리수단(330), 상기 반응용기(100)의 기체가 배기되는 배기구멍(340), 상기 배기구멍에 연결되는 배기홀(341), 상기 덮개(200)에 설치되며 상기 기체공급원에 접속되는 접속부(220), 및 상기 접속부에 연결되는 기체확산부(210)를 구비한 박막증착장치에 있어서:

상기 접속부(220)는 일단이 상기 기체공급원에 연결되는 하나의 파이프에 연결되며 타단이 상기 기체확산부에 연결되는 내부접속관(221)과, 일단이 상기 기체공급원에 연결되는 다른 하나의 파이프에 연결되며 타단이 상기 기체확산부에 연결되면서 상기 내부접속관을 감싸는 외부접속관(222)을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제17항에 있어서,

상기 덮개(200)와 상기 기체확산부(210) 사이에 설치되어 열을 가하는 덮개히터(230)와, 상기 덮개와 기체확산부의 열을 흡수하는 덮개냉각판(240)을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제17항 또는 제18항에 있어서,

상기 기체확산부(210)는 다수개의 돌기(211a)를 형성시키는 확산홈(211d)과, 상기 확산홈에 형성된 다수개의 제1확산구멍(211c)과, 상기 돌기에 형성된 제2확산구멍(211b)을 포함하는 제1확산판(211)과;

상기 확산홈과 연결된 제1연결구멍(212a)과, 상기 제2확산구멍에 대응되는 다수개의 제2확산판구멍(212b)이 형성된 제2확산판(212)을 구비하여, 상기 덮개와 제1확산판 사이에 상기 제2확산판이 결합되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제19항에 있어서,

상기 제1확산판과 상기 제2확산판 사이에 제2확산구멍과 제1연결구멍에 대응되는 제3확산판구멍(213a) 및 제2연결구멍(213b)이 형성된 제3확산판(213)이 설치된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제17항에 있어서,

상기 가열테이블(320)은 안착되는 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼히터(321)와, 상기 웨이퍼히터 주위의 열을 차단하여 최소한의 히팅 영역을 제공하기 위한 냉각판(323)과, 상기 웨이퍼히터와 상기 냉각판 사이에 설치되어 전기적 절연과 높은 온도 편차를 줄여주기 위한 절연판(322)을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제17항 또는 제21항에 있어서,

상기 분리수단(330)은 원통형 하안내부(332a)와, 상기 하안내부 일단에 형성되며 상기 반응용기 내부에 고정되는 하플렌지(332b)를 갖는 하실드(332)와;

상기 하안내부의 외주면에 접촉되는 내주면을 갖는 원통형 상안내부(331b)와, 상기 상안내부의 일단에 형성되며 상기 하플렌지와 접촉되는 상플렌지(331c)와, 상기 상안내부 타단에 형성되어 상기 승강되는 가열테이블에 걸리는 내플랜지(331a)를 갖는 상실드를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제22항에 있어서,

상기 냉각판(323)의 가장자리 주면에는 3개의 리프팅핀(323a; lifting pins)이 등간격으로 설치되어, 상기 상실드의 내플렌지의 내면에 형성되는 상실드홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제17항에 있어서,

상기 반응용기(100)에 기체를 공급하는 2개 또는 3개의 기체공급원과;

상기 반응용기와 상기 기체공급원에 각각 연결되어 상기 기체를 배출시키는 펌프(51)와;

상기 기체공급원에서 상기 반응용기를 경유하지 않고 상기 펌프를 통하여 연속적으로 배출되는 기체를 정지시키지 않고 번갈아 상기 반응용기에 공급하는 밸브수단(30)을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제24항에 있어서,

상기 기체공급원이 제1반응기체를 공급하는 제1반응기체공급원(11)과, 제2반응기체를 공급하는 제2반응기체공급원(12)과, 불활성기체를 공급하는 불활성기체공급원(13)으로 되고;

상기 밸브수단(30)은 상기 반응용기와 상기 제1반응기체공급원 사이에 설치된 제1파이프(21)와, 상기 제1파이프에 설치된 제1밸브(31)와, 상기 반응용기와 상기 제2반응기체공급원 사이에 설치된 제2파이프(22)와, 상기 제2파이프에 설치된 제2밸브(32)와, 상기 제1밸브와 상기 반응용기 사이의 상기 제1파이프 그리고 상기 제2밸브와 상기 반응용기 사이의 상기 제2파이프 사이에 설치된 제3파이프(23)와, 상기 제3파이프에 설치된 제3밸브(33) 및 제3'밸브(33')와, 상기 제1밸브와 상기 제1반응기체공급원 사이의 상기 제1파이프 그리고 상기 제2밸브와 상기 제2반응기체공급원 사이의 상기 제2파이프 사이에 설치된 제4파이프(24)와, 상기 제4파이프에 설치된 제4밸브(34) 및 제4'밸브(34')와, 상기 제3밸브와 상기 제3'밸브 사이의 상기 제3파이프 그리고 상기 제4밸브와 상기 제4'밸브 사이의 상기 제4파이프 사이에 설치된 제5파이프(25)와, 상기 제5파이프에 설치된 제5밸브(35)와, 상기 제4밸브와 상기 제4'밸브 사이의 상기 제4파이프와 상기 펌프 사이에 설치된 제6파이프(26)와, 상기 제3밸브와 상기 제3'밸브 사이의 상기 제3파이프와 상기 불활성기체공급원 사이에 설치된 제7파이프(27)를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제24항에 있어서,

상기 기체공급원은 반응성 액체에 열을 가하여 액체를 증발시키는 증발기(14)와, 상기 증발기와 상기 반응용기(100) 사이에 설치되어 증발된 기체의 량을 제어하는 MFC(70)를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제26항에 있어서,

상기 증발기와 상기 반응용기 사이에 접속되어 불활성기체를 공급하는 불활성기체공급원(13)을 더 구비하여,

상기 반응용기에 공급되는 기체의 량을 조절하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제24항에 있어서,

상기 기체공급원과 상기 반응용기 사이의 거리가 5㎝이하로 되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제24항에 있어서,

상기 반응용기에 연결되어 청소기체를 공급하는 청소기체공급원(90)과, 상기 반응용기에 연결되어 청소기체를 배출하는 청소배출파이프(93)와, 상기 청소배출파이프에 연결된 청소펌프(95)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제29항에 있어서,

상기 청소기체는 ClF₃또는 NF₃플라스마 기체로 되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제24항에 있어서,

상기 기체공급원과 상기 반응용기 사이에 설치된 파이프에 열을 가하는 히팅테이프가 부착된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제31항에 있어서,

상기 히팅테이프는 200℃까지 가열하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.