JPH08325736A

JPH08325736A - 薄膜気相成長装置

Info

Publication number: JPH08325736A
Application number: JP7153944A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Takeuchi; 則行竹内; Hiroyuki Shinozaki; 弘行篠崎; Takeshi Murakami; 武司村上; Kiwamu Tsukamoto; 究塚本
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1995-05-29
Filing date: 1995-05-29
Publication date: 1996-12-10

Abstract

(57)【要約】【目的】所定の高温に保たなければならない反応ガス
（生成ガス）が反応容器の温度管理がなされていない部
分に接触して液化又は固化し、これが成膜対象基板を汚
染する汚染源となることを防止することができる薄膜気
相成長装置を提供する。【構成】反応ガス導入孔２０，２１及び排気孔を備
え、内壁が温度制御された反応室１１と、反応室１１に
連通した下部空間であり成膜対象の基板の搬入及び搬出
を行う搬送室５５と、反応室１１と搬送室５５が連通し
た空間中を上下移動する成膜対象の基板を載置するヒー
タ機構を内蔵したステージ１２とからなり、ステージ１
２はその外周に円筒状のスカート１２Ａを備え、スカー
ト１２Ａの外周面はステージ１２が上下する反応室１１
と搬送室５５の連通した空間を形成する円筒状内壁面５
０と狭い隙間を有するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜気相成長装置に係
り、特にチタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘電
率薄膜を気相成長するのに好適な薄膜気相成長装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体産業における集積回路の集
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。係るＤＲＡＭにおいては、容量素子
が必須であるが、できるだけ小さな面積で、できるだけ
大きな容量が得られることが好ましい。このため、誘電
体薄膜としては、現状ではシリコン酸化膜、あるいはシ
リコン窒化膜が用いられているが、これらは誘電率が１
０以下であり、将来は誘電率が２０程度である五酸化タ
ンタル（Ｔa₂Ｏ₅）薄膜、あるいは誘電率が３００程度
であるチタン酸バリウム（ＢaＴiＯ₃）、チタン酸スト
ロンチウム（ＳrＴiＯ₃）又はこれらの混合物であるチ
タン酸バリウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料
が有望視されている。

【０００３】これらの金属酸化物薄膜の気相成長装置の
一例としては、例えば特公平５−４７９７３号公報に開
示されたものがある。これはシリコンウエハ上に有機タ
ンタル（有機金属）を含むガスを供給して、酸素と混合
させつつ高誘電率の酸化タンタル膜を形成し、あるいは
シリコンウエハ上に超伝導膜を成膜するいわゆる有機金
属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置である。この薄膜気
相成長装置の構成は、内部空間上部に連通する反応ガス
供給口と、反応空間側面に連通するウエハ等の搬出入口
等を有する金属製の縦型反応室と、反応室外部より回転
可能として反応室中央部に配設されたウエハを支持する
ためのサセプタとからなる。更に、ウエハをサセプタを
介して輻射加熱する熱源と、反応作業中にウエハ搬出入
部を閉成するとともに、反応室内壁面の内側を囲んで反
応ガス供給口からウエハに向かう反応ガスの整流を行
い、且つウエハのローディング・アンローディング作業
中にウエハ搬出入部を開成するように反応室内壁面に沿
って外部から移動可能に形成された円筒形の整流部材等
を備える。

【０００４】又、特開平５−３３５２４８号公報によれ
ば、真空容器内壁面及び真空容器への原料気体導入路の
内壁を所定の温度に加熱することにより、蒸気圧の低い
気体を用いて薄膜を製造できるようにする薄膜製造装置
が開示されている。この装置においては、容器内に半導
体基板を載置し加熱を施す基板加熱用ヒータが配置され
る。又、反応容器は気相成長原料ガスを導入するための
導入口を備える。そして反応容器の内壁面及び原料ガス
の導入口の内壁を所定温度に加熱して、薄膜の気相成長
を行うことにより、高真空容器内での蒸気圧の低い気体
の分圧を再現性よく制御することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】チタン酸バリウム等の
金属酸化物薄膜の気相成長においては、ガス供給系及び
反応部と、基板とでは全く異なる設定温度が必要であ
る。例えば、反応部では２５０〜２６０゜Ｃで、±２％
程度の温度精度が要求され、基板では４００〜７００゜
Ｃで、±１％程度の温度精度が要求される。そして、上
記公報に開示された縦型の金属製の反応容器は、反応容
器空間上部から反応ガスが供給され、反応容器中央部の
サセプタ上に配置された基板に化学気相成長を行い、そ
の後反応容器下部に設けられた排気孔から反応後の生成
ガスが排出されるようになっている。

【０００６】しかしながら、反応空間上部のガスの導入
口及び反応容器内壁及び気相成長対象の半導体基板上で
は充分な温度管理がなされていても、気相成長対象の半
導体基板を載置するサセプタより下流側は所定の温度に
反応ガス温度を維持するように加熱はされていない。こ
のため気相成長対象の基板上に成膜しなかった反応ガス
（生成ガス）は、ヒータ支柱部、或いは加熱されていな
い反応容器底面等に付着し、これらの部位では温度制御
されていないため、生成ガスが液化又は固化してしま
う。これが気相成長対象基板の充填或いは離脱時に、或
いは気相成長反応時に剥離して舞い上がり、気相成長対
象の基板に付着すると、極めて高い清浄度が要求される
半導体基板を汚染する汚染源となる。

【０００７】本発明は上述した事情に鑑みて為されたも
ので、所定の高温に保たなければならない反応ガス（生
成ガス）が反応容器の温度管理がなされていない部分に
接触して液化又は固化し、これが成膜対象基板を汚染す
る汚染源となることを防止することができる薄膜気相成
長装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様の薄
膜気相成長装置は、反応ガス導入孔及び排気孔を備え、
内壁が温度制御された反応室と、該反応室に連通した下
部空間であり成膜対象の基板の搬入及び搬出を行う搬送
室と、該反応室と搬送室が連通した空間中を上下移動す
る成膜対象の基板を載置するヒータ機構を内蔵したステ
ージとからなり、該ステージはその外周に円筒状のスカ
ートを備え、該スカートの外周面は前記ステージが上下
する反応室と搬送室の連通した空間を形成する円筒状内
壁面と狭い隙間を有するように構成したことを特徴とす
る。

【０００９】また、本発明の第２の態様は、前記搬送室
には、該搬送室内のガスをパージするためのパージガス
導入孔をさらに備えたことを特徴とする。

【００１０】また、本発明の第３の態様は、反応室内壁
を所定温度に制御すると共に成膜対象の基板を所定温度
に制御して、前記反応室上部から反応ガスを供給して前
記反応室下部に位置する基板に成膜する気相成長方法で
あって、前記基板を載置するステージと該ステージを取
り囲む反応室内壁との間隔を狭い隙間に保ち、該隙間を
通して前記反応ガスが前記ステージ下部側に流入しない
ようにして成膜することを特徴とする。

【００１１】また、本発明の第４の態様は、前記狭い隙
間から反応室側にパージガスを供給しつつ成膜を行うこ
とを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明の第１の態様によれば、気相成長対象の
基板を載置するステージはその外周に円筒状のスカート
を備え、そのスカート外周面はステージが上下移動する
反応室と搬送室の連通した空間を形成する円筒状内壁面
と狭い隙間を有するように構成したことから、反応ガス
（生成ガス）は狭い隙間からステージ下部に侵入するこ
となく、排気されるので、ステージ下部に設けられたサ
セプタの上下移動機構等にほとんど接触しない。このた
め、サセプタの上下移動機構等に反応ガス（生成ガス）
が付着して液化又は固化し、気相成長対象の基板を汚染
する汚染源になるという問題が防止される。

【００１３】本発明の第２の態様によれば、搬送室内の
ガスをパージするためのパージガス導入孔を備えたこと
から、サセプタより下部の充分に温度管理ができない搬
送室周辺から反応室にパージガスを導入することができ
る。これにより、ステージの外周の円筒状のスカートと
ステージが上下する反応室と搬送室の連通した空間を形
成する円筒状内壁面との狭い隙間からパージガスが反応
室側に流れ、反応ガス（生成ガス）が搬送室内に入るこ
とをより確実に防止することができる。

【００１４】本発明の第３の態様によれば、基板を載置
するステージと、そのステージを取り囲む反応室内壁と
の間隔を狭い隙間に保ち、その隙間を通して反応ガスが
ステージ下部側に流入しないようにして成膜するもので
ある。従って、ステージ下部の温度管理のされていない
部分に反応ガスが入り込まないので、反応ガスが液化又
は固化して汚染源となるという問題を防止できる。

【００１５】本発明の第４の態様によれば、ステージ外
周のスカートとその外周の反応室内壁との間からパージ
ガスを反応室側に供給することにより、より確実に反応
ガス（生成ガス）がステージ下部側に入り込むことを防
止することができる。これにより、より確実に反応ガス
がステージ下部側で液化又は固化して汚染源となるとい
う問題を防止できる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の一実施例について添付図面を
参照しながら説明する。なお、各図中同一符号は同一又
は相当部分を示す。

【００１７】図１は、本発明の一実施例の気相成長装置
を示す。図２は、その要部の拡大図を示す。反応容器１
０で囲まれた空間が反応室１１であり、ここでシャワー
ヘッド１６のノズル１８から吐出される金属原料ガスと
酸素含有ガスとが反応してステージ１２上に載置された
基板１３に金属酸化物薄膜を気相成長する。ここで金属
原料ガスは、例えばＢa （ＤＰＭ）₂ 、Ｓr （ＤＰＭ）
₂ 及びＴi （i −ＯＣ ₃ Ｈ₇ ）₄ 等の有機金属がミキシ
ングされて、気化され、Ａr 等のキャリアガスにより運
ばれたものである。酸素含有ガスは、Ｏ₂ 、Ｎ₂Ｏ、Ｈ
₂Ｏ等の酸化ガスがオゾナイザにより、オゾン化された
オゾン（Ｏ₃）を含むガスである。

【００１８】反応容器１０は、反応室１１を含む釜状の
容器１０Ａと、容器１０Ａを載置する支持台１０Ｂとか
らなり、釜状の容器１０Ａが支持台１０Ｂ上に載置され
ることにより、反応室１１が機密封止される。反応室１
１の上部空間である容器１０Ａの中央部には、シャワー
ヘッド１６が配置され、シャワーヘッドの上部空間１７
は、金属原料ガスと酸素含有ガス源に連通した導入孔２
０，２１の導入口となっている。反応室１１の下部空間
である支持台１０Ｂの中央部には開口を備え、気相成長
薄膜を育成する半導体等の基板１３が載置されるステー
ジ１２が、その開口中に配置されている。ステージ１２
は、支持棒４３により支持され、エレベータ機構１５に
より昇降可能となっている。

【００１９】ステージ１２は、その外周に円筒状のスカ
ート１２Ａを備え、スカート１２Ａの外周面は、反応室
と搬送室の連通した空間を形成する円筒状内壁面５０と
狭い隙間を形成して非接触で上下する。尚、スカート部
１２Ａの外周面と反応室と搬送室の連通した空間を形成
する円筒状内壁面５０との隙間は本実施例においては２
ｍｍ程度である。

【００２０】金属原料ガスは、ガス導入孔２１から導入
され、オゾン（Ｏ₃ ）等の酸素含有ガスは、ガス導入孔
２０から導入され、シャワーヘッド１６の上部空間１７
で混合され、ノズル１８から反応室１１内に吐出され
る。反応室１１内で、金属原料ガスと酸素含有ガスとが
反応して、チタン酸バリウムあるいはチタン酸ストロン
チウム等の金属酸化物分子が形成され、半導体等の基板
１３上に金属酸化物薄膜が成長して堆積する。反応が終
了したガスや余剰ガスは、反応室１１内に設けられた生
成ガス排気孔２０から排出される。

【００２１】金属酸化物薄膜の気相成長にあたって、良
質な膜を形成するためには、反応ガス及び成膜する基板
の温度管理が極めて重要である。基板温度としては、４
００〜７００゜Ｃの範囲で調整可能であり、例えば５５
０゜Ｃで±１％程度の精度が要求される。また、反応ガ
スの温度を制御するために、反応容器内壁の温度は２５
０〜２６０゜Ｃで、±２％程度に制御することが要求さ
れる。このため、半導体基板１３を載置するステージ１
２には、基板ヒータユニット２３が内蔵されており、こ
の基板ヒータユニット２３は半導体基板１３を載置する
サセプタ１４の下方に配設されている。ここでヒータユ
ニット２３から発熱する熱がステージ１２の下方に逃げ
るのを防止するため、ヒータユニット２３の基板１３の
載置面と反対側に三重の熱反射板５１が取り付けられて
いる。

【００２２】反応室１１内の反応ガスの温度を制御する
ため、反応容器１０Ａ，１０Ｂ、シャワーヘッド１６及
び反応ガス導入孔２０，２１の周囲には反応ガスを所定
の温度に加熱するために、熱媒体油の油路を備えてい
る。ここで熱媒体油とは、温度制御対象物中を循環させ
て加温するために用いられる油である。本実施例におい
ては、熱媒体油は、５系統の油路を備えている。尚、符
号４９は流量計であり、第１〜第５系統の各系統毎の熱
媒体油の流量を計測する。

【００２３】各第１〜第５系統の油路３１，３２，３
３，３４，３５は、それぞれ反応容器１０Ａ，１０Ｂ及
びシャワーヘッド１６の各部を独立に温度制御できるよ
うになっている。熱媒体油のタンク３６には、加熱ヒー
タ３７を備え、タンク内の熱媒体油が電力調整部３９で
設定された温度となるように加熱される。そして、ポン
プ３８で、気相成長装置の反応容器１０Ａ，１０Ｂの各
部に配設された各系統の油路に分岐して送られる。熱電
対Ｔ0 は、ポンプ３８の吐出側の熱媒体油の油温を検出
し、電力調整部３９にフィードバックすることにより、
オイル加熱ヒータ３７により熱媒体油の温度を所定の温
度に保つようにフィードバック制御する。分岐した各系
統には、それぞれ流量調整弁４０が設けられ、熱媒体油
の流量を調整することにより、反応容器１０の各部に供
給する熱量を調整する。

【００２４】また第１系統と第４系統とは、熱交換器４
１を通ることにより、冷却水と熱交換され、熱媒体油の
温度を下げ、反応容器１０の油路の設置部位に供給する
熱量を低減することができる。反応室１１を取り囲む反
応容器１０には、熱電対Ｔ1，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 ，Ｔ5
が設けられ、各系統の油路を設定した反応室内壁付近の
温度を検出する。熱電対Ｔ1 〜Ｔ5 は温度表示計４２に
接続され、各部の温度が表示される。熱電対Ｔ1 〜Ｔ5
で検出された温度は、図示しないコントローラに送ら
れ、所定の温度になるように流量調整弁４０の開度が調
整され、熱媒体油の流量が調整されることにより、反応
室内壁各部の温度が制御される。

【００２５】第１系統の油路３１は、ステージ１２の外
周側の支持台１０Ｂの開口端の円筒状部に設けられてお
り、基板ヒータユニット２３の発熱の影響を受けやす
い。このため、支持台１０Ｂの内周部分は温度が高くな
り、例えば反応室内壁の熱電対Ｔ1 の設定温度を２５０
゜Ｃとするためには、流量調整弁４０による流量の調整
だけでは十分でない。このため、熱媒体油の冷却手段で
ある熱交換器４１により冷却水と熱交換して熱媒体油の
温度を下げることが特に有効である。

【００２６】また、シャワーヘッド１６内に設けられた
第４系統の油路３４は、反応室１１を挟んでサセプタ１
４に対面しており、サセプタ１４の温度は、基板ヒータ
ユニット２３により例えば５５０゜Ｃと高温に保持され
ている。このため、特に気相成長時にはサセプタ１４が
シャワーヘッド１６に近接するので、この熱の影響を受
けてシャワーヘッド１６部分の温度が上昇しがちとな
る。このため、熱交換器４１により第４系統の油路の熱
媒体油の温度を下げることが、シャワーヘッド１６の温
度を、例えば２５０゜Ｃ±２％程度という設定温度範囲
に制御するのに特に有効である。

【００２７】図２に示すようにステージ１２は、エレベ
ータ機構１５によりａ，ｂ，ｃの位置に上下移動制御さ
れる。位置ａ〜ｂは、成膜位置であり、成膜条件によっ
て適当な位置が選択される。位置ｃは、基板１３の搬出
入時の位置であり、ステージ１２が降下してゲート弁１
９が開きロボットハンド５２により基板１３のサセプタ
１４上への装填及び離脱が行われる。エレベータ機構１
５には電動モータが内蔵されており、電動モータで駆動
されるボールネジの往復運動への変換機構によりステー
ジ１２が昇降する。

【００２８】ゲート弁１９は、成膜時には勿論閉成して
おり、ゲート弁１９によりロボット室と搬送室５５とが
選択的に隔離される。搬送室５５には、パージガス導入
孔５３が備えられている。パージガスとしては、高純度
Ａｒ又はＮ₂等の不活性ガスが用いられ、図示しないマ
スフロートコントローラを介して所定量のみが搬送室５
５に導入される。

【００２９】この薄膜気相成長装置の成膜時の動作は次
の通りである。ステージ１２は、成膜時のａ〜ｂ間の位
置に制御され、ヒータユニット２３により基板１３は所
定温度に加熱されている。又、反応室１１の内壁各部
は、加熱装置３１，３２，３３，３４，３５により例え
ば２５０〜２６０℃程度の所定温度に加熱されている。
そして生成ガス排気孔２２から図示しない真空ポンプで
排気され、反応室及び搬送室は所定の真空雰囲気になっ
ている。本実施例においては、排気孔２２が反応室１１
内に開いていることから反応室１１の方が搬送室と比較
して高い真空雰囲気になっている。成膜直前の反応ガス
導入前には、反応ガスに代えて例えばＡｒガスを所定量
ガス導入孔２０，２１の少なくとも一方から流すととも
に、パージガス導入孔５３からもガス導入孔２０または
２１から供給されるＡｒガスより少ない量のＡｒガスを
パージガスとして導入する。ガス導入孔２０または２１
及びパージガス導入孔５３から導入されたＡｒガスは、
ともに生成ガス排気孔２２から排出される。

【００３０】そして成膜時には、反応ガス導入孔２０，
２１からＡｒガスに変えて所定時間Ａｒガスと略同量の
反応ガスを導入し、例えば酸化バリウム／ストロンチウ
ム膜等の気相成長の成膜を行う。この時、ステージ１２
のスカート１２Ａと反応室と搬送室とを連通する円筒状
内壁５０との間の狭いギャップにより、反応ガス（生成
ガス）が搬送室５５に入り込むことがほとんどない。こ
の際、パージガス導入孔５３から導入されたＡｒガスは
狭い隙間を搬送室５５から反応室１１に流れるので、反
応室内の反応（生成）ガスが狭い隙間を反応室から搬送
室に流れるのを完全に防止する。所定の成膜時間が経過
した後は、反応ガスの導入を停止し、再びＡｒガスをガ
ス導入孔２０，２１から導入し成膜を終了する。

【００３１】基板の装填及び離脱時には、まずステージ
１２をｃの位置に下げる。そしてゲート弁１９を開き、
ロボットハンド５２を操作してロボットハンド５２が基
板１３を保持し、サセプタ１４上から搬出又は搬入す
る。尚ステージの位置ｃでは、ステージ１２から基板を
上方に持ち上げ、その隙間にロボットハンド５２を挿入
するためのピン５６がヒータユニット２３を貫通して突
出するようになっている。この基板の装填及び離脱時に
もＡｒパージガスをパージガス導入孔５３から導入し、
反応室１１の排気孔２２からの排気を継続する。

【００３２】このように反応室と搬送室を連通する円筒
状内壁とステージのスカートとの間で、狭いギャップを
構成して緩やかなシール性を持たせるとともに、搬送室
にパージガスを導入するように構成したので、成膜時の
反応ガス（生成ガス）がステージ１２の裏側及び搬送室
に入ることをほとんど防止でき、反応生成物が、搬送室
内壁、ヒータユニット下面、ヒータユニット支柱等へ付
着して、これらが気相成長対象基板の汚染源となること
を抑制することができる。又、搬送室側から反応室側に
狭い隙間を通してパージガスを流すことにより、より確
実に反応ガス（生成ガス）の搬送室側への侵入を防止で
きる。

【００３３】尚、スカート外周面と円筒状内壁間の隙間
を小さくすればするほど、又スカートの長さを長くすれ
ばするほどシール性が向上し、反応ガス中の生成物の搬
送室等への侵入をより高いレベルで防止できることは勿
論のことである。しかしながら、実際上は装置の組立寸
法誤差や、熱変形等の問題があり、隙間の大きさ及びス
カート部の長さ等には、適当な寸法があり、これらは薄
膜気相成長装置の使用目的等に応じて個々に考慮される
べきものである。

【００３４】また、上述した実施例の気相成長装置にお
いては、薄膜生成時の反応室内の真空度が、例えば数Ｔ
ｏｒｒ程度になるようにしている。しかしながら薄膜生
成時の真空度はこれに限るものでなく、成膜するガスの
条件などに応じて適宣決められるべきである。

【００３５】また、本実施例はチタン酸バリウム等の金
属酸化物の気相成長の例について説明したが、厳格な温
度管理の要求される希土類元素を用いた超伝導薄膜の気
相成長等にも用いることができるのは勿論のことであ
る。

【００３６】

【発明の効果】以上に説明したように本発明は、気相成
長装置の基板を載置するステージは、その外周に円筒状
のスカートを備え、スカート外周面は反応室と搬送室の
連通した空間を形成する円筒状内壁面と狭い隙間を形成
し、反応ガスがステージ下部の温度管理がなされていな
い空間に侵入することを防止したものである。従って、
ステージ下部で反応ガスが液化又は固化して搬送室内壁
等に付着するという問題が防止でき、これにより汚染源
が反応室内部に連通した空間にできるという問題を防止
することができる。それ故、気相成長対象の基板に汚染
物が付着するという問題を防止することができ、高度の
清浄環境下において高誘電率薄膜等の気相成長を行うこ
とができる。又、パージガスの導入孔を搬送室に連通す
るように設けたことから、清浄なパージガスを流しつつ
気相成長成膜及び基板の搬出入等を行うことができ、基
板の汚染防止にさらに有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の気相成長装置の説明図。

【図２】図１における要部の拡大図。

【符号の説明】

１０，１０Ａ，１０Ｂ反応容器１１反応室１２ステージ１２Ａスカート１５エレベータ機構１３基板１６シャワーヘッド２０，２１反応ガス導入孔２２生成ガス排気孔２３基板ヒータユニット３１，３２，３３，３４，３５熱媒体油循環路（加
熱装置）５０円筒状内壁面５３パージガス導入孔５５搬送室５６ピン

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡＨ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡＢ (72)発明者塚本究東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応ガス導入孔及び排気孔を備え、内壁
が温度制御された反応室と、該反応室に連通した下部空
間であり成膜対象の基板の搬入及び搬出を行う搬送室
と、該反応室と搬送室が連通した空間中を上下移動する
成膜対象の基板を載置するヒータ機構を内蔵したステー
ジとからなり、該ステージはその外周に円筒状のスカー
トを備え、該スカートの外周面は前記ステージが上下す
る反応室と搬送室の連通した空間を形成する円筒状内壁
面と狭い隙間を有するように構成したことを特徴とする
薄膜気相成長装置。
【請求項２】前記搬送室には、該搬送室内をガスパー
ジするためのパージガス導入孔を更に備えたことを特徴
とする請求項１記載の薄膜気相成長装置。
【請求項３】反応室内壁を所定温度に制御すると共に
成膜対象の基板を所定温度に制御して、前記反応室上部
から反応ガスを供給して前記反応室下部に位置する基板
に成膜する気相成長方法であって、前記基板を載置する
ステージと該ステージを取り囲む反応室内壁との間隔を
狭い隙間に保ち、該隙間を通して前記反応ガスが前記ス
テージ下部側に流入しないようにして成膜することを特
徴とする薄膜気相成長方法。
【請求項４】前記狭い隙間から反応室側にパージガス
を供給しつつ成膜を行うことを特徴とする請求項３記載
の薄膜気相成長方法。