KR100297003B1 - 박막증착장치 - Google Patents

Abstract

진공챔버와, 이 진공챔버의 내부에 설치되어 블록과, 상기 블록에 설치되는 가열수단과, 상기 블록 상부의 챔버에 설치되어 금속유기물질과 가스를 공급하기 위한 노즐부와, 이 노즐부에 가스를 고급하기 위한 가스 공급수단과, 상기 노즐부와 웨이퍼의 사이를 조정하기 위하여 블록을 승강시키는 승강수단과, 상기 챔버에 블록의 중심을 기준으로 하여 대칭으로 형성된 적어도 두 개의 배출구를 포함하는 배기수단을 포함하는 박막 증착장치를 개시한다.

Description

박막증착 장치{Evaporation apparatus of thin layer}

본 발명은 증착장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 화학기상 증착법을 이용한 박막증착장치에 관한 것이다.

최근 반도체 산업에 있어서, 고집적 회로의 구성은 미세한 박막화 기술에 기인된다. 이러한 박 막의 제조방법은 증발법(evaporation), 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 이온플레이팅(ionplating)법 등 매우 다양한 기술이 응용되고 있다.

그러나 반도체가 초고집적화됨에 따라 단위 셀인 캐패시터와 모스의 면적이 감소되므로 모스 내부의 콘택트 홀(contact hole) 이나 비아 홀(via hole), 셀(cell)과 셀을 연결하는 금속 배선의 폭이 미세화 됨에 따라 새로운 제조공정이 요구된다.

이러한 반도체, 특히 기가디램(GDRAM) 이상의 초고직접 소자의 제조에 있어서의 주요분야인 메모리 분야의 금속배선막을 형성하기 위해서는 통상적으로 물리기상증착법(phyisical vapor deposition)인 스퍼터링 장치를 사용하고 있다. 그러나 상술한 스퍼터링장치를 이용한 박막의 형성은 스퍼터링 소스에 장착된 금속타겟에서 스퍼터 된 금속원자가 웨이퍼쪽으로 확산에 의해 기상되기 때문에 미세 배선폭 입구에 주로 성장되게 된다. 따라서 미세 패턴 홀의 스템내에 균일한 박막 성장이 불가능하여 성장된 박막이 쇼트 키 효과, 누설전류등의 문제점이 발생된다.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 화학기상 증착법을 사용하고 있는데, 이러한 화학 기상증착법은 에너지원에 따라 열, 플라즈마, 광(光)을 이용한 방법으로 분류하고 공정압력에 따라 상압, 저압, 초고진공으로 분류되며, 반응기의 형태에 따라 수평형, 수직형분류되고 반응원에 따라 기체, 무기물, 금속유기물, 고체류등으로 분류된다.

이러한 화학증착 방법중 열을 이용한 금속유기물의 화학 기상 증착법을 실시하기 위한 종래 장치 일예를 도 1에 나타내 보였다.

도시된 바와 같이 진공챔버(11)의 내부에 웨이퍼가 장착되는 블록(12)이 설치되고 이 히이터 블록(12)과 대향되는 진공챔버(11)의 상면에 반응기체를 공급하기 위한 노즐(13)이 설치되며 상기 진공챔버(11)의 하면에는 투명한 투명창(14)이 설치된다. 상기 노즐(13)은 하나의 금속판에 다수개의 관통공(13a)이 형성되어 이루어진다.

그리고 상기 블록의 주위에는 확산판(15)이 설치되고,상기 진공챔버(11)의 하면 즉, 상기 투명창(14)과 대응되는 하부에는 블록(12)에 장착된 웨이퍼(100)를 가열하기 위한 램프(19)가 설치된다. 상기 진공챔버(11)의 일측 하면에는 챔버내부의 잔류기체와 반응후 생성된 부산물과 반응기체를 배출하기 위한 하나의 배기구(16)가 형성되는데, 상기 배기구(16)는 도면에 도시되어 있지 않으나 별도의 배기 장치와 접속된다. 미설명부호 17는 블록에 장착되는 웨이퍼를 승강시키기 위한 리프팅 수단이다.

상술한 바와 같이 구성된 박막형성을 위한 증착장치는 블록(12)의 상부에 웨이퍼가 장착된 상태에서 상기 램프(19)를 이용하여 웨이퍼(100)를 반응온도까지 가열함과 아울러 노즐(13)로부터 반응기체가 웨이퍼(100)의 상부에 균일하게 공급되도록하여 웨이퍼의 상면에 박막을 형성하게 된다.

상술한 바와 같이 종래의 증착장치는 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.

첫째; 진공챔버에 하나의 배기구가 설치되어 있으므로 원활한 배기를 위하여 상기 블록의 주위에 확산판을 설치하여야 하는 불편함이 있다. 또한 하나의 배기구를 사용하므로 웨이퍼의 대구경화에 따라 웨이퍼의 전면에 균일한 유체의 흐름을 유지하기 어렵다.

둘째; 웨이퍼를 가열하기 위한 램프가 진공챔버의 하면에 설치되어 있으므로 온도제어가 어렵다. 즉, 도면에는 도시되어 있지 않으나 다른 챔버로부터 유입되는 웨이퍼를 받고 웨이퍼를 공정거리 까지 이송시 웨이퍼의 온도가 램프모듈로부터 멀어지기 때문에 증착하고자하는 노즐과 웨이퍼 사이의 거리에 따라 온도제어가 어렵게된다. 따라서 이를 해결하기 위하여 별도의 온도측정수단이 필요하다.

셋째; 배기구가 웨이퍼를 가열하기 위한 램프의 위치보다 높은 위치에 있으므로 챔버내에 불필요한 공간이 형성된다. 이 공간은 불필요한 반응기체의 기상반응(gas phase reaction)에 따른 부산물의 형성과 적정한 공정압력을 유지하기 위한 과다한 반응기체가 사용될 수 있다.

특히 상술한 바와 같이 램프를 이용하여 온도가 불균일 상태에서 박막을 형성하는 경우 박막을 균일하게 형성할 수 없으며, 박막 성장의 밀도가 작아 금속막의 비저항값이 매우 크기 때문에 실제 차세대 반도체 배선 금속막에 적용이 불가할 경우가 많다.

넷째; 블록의 하부에 램프가 설치되므로 웨이퍼를 승강시키기 위한 리프팅 수단이 블록의 가장자리에 설치되어 웨이퍼를 승강에 따른 안정성이 적다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 웨이퍼의 대구경에 따른 유체의 제어가 용이하며, 증착되는 웨이퍼의 온도를 각 부위에서 일정하게 유지하여 균일한 박막을 형성할 수 있는 박막 증착 장치를 제공함에 그 목적이 있다.

도 1은 종래 박막 증착장치의 단면도,

도 2는 본 발명에 따른 박막증착장치를 개략적으로 도시한 측단면도,

도 3은 진공챔버를 도시한 측면도,

도 4는 히이터 블록의 분리 사시도,

도 5는 노즐부의 분리 사시도,

도 6은 가스 공급수단의 배관를 개략적으로 나타내 보인 도면,

도 7a는 배기수단의 평면도,

도 7b는 배기수단의 측면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

20; 진공챔버 30; 블록

40; 가열수단 50; 노즐부

70; 승강수단 80; 배기수단

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명 박막증착 장치는, 진공챔버와, 이 진공챔버의 내부에 설치되는 블록과, 상기 블록에 설치되는 가열수단과, 상기 블록 상부의 진공챔버에 설치되어 증착가스를 공급하기 위한 공급부와, 상기 공급부와 웨이퍼의 사이를 조정하기 위하여 블록을 승강시키는 승강수단과, 상기 진공챔버에 블록의 중심을 기준으로 하여 대칭으로 형성된 적어도 두 개의 배출구를 포함하는 배기수단을 포함하여 된 것을 그 특징으로 한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 한 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따른 박막증착장치의 일 실시예를 제2도 및 제6도에 나타내 보였다.

상기 박막증착장치는 도시된 바와 같이 진공챔버(20)와, 이 진공챔버의 내부에 설치되는 블록(30)과, 상기 블록(30)에 설치되어 이 블록에 장착되는 웨이퍼(100)를 가열하기 위한 가열수단(40)과, 상기 블록(30) 상부의 챔버(20)에 설치되어 금속유기물질과 가스를 공급하기 위한 노즐부(50)와, 이 노즐부(50)에 소정의 가스를 공급하기 위한 가스 공급수단(60), 상기 노즐부(50)와 웨이퍼(100)의사이의 간격을 조정하기 위하여 블록(30)을 승강시키는 승강수단(70)과, 상기 챔버에 블록의 중심을 기준으로 하여 대칭으로 형성된 적어도 두 개의 배출구를 포함하는 배기수단(80)을 포함한다.

상기 진공챔버(20)는 원통형으로 형성함이 바람직한데, 이는 공정에 사용되는 증착기체의 불필요한 사용과 공정중에 나타나는 기체 유입구와 웨이퍼 사이의 온도상승에 따른 기체상에서 반응을 감소시키기 위하여 공정에 관계되는 영역을 최소화 시키는 것이 유리하기 때문이다.

그리고 상기 진공챔버(20)외주면에는 상기 진공챔버(20)을 가열하거나 냉각시키기 위한 가열 및 냉각수단(25)가 설치되는데, 이는 진공챔버(25)의 외주면에 형성된 적어도 하나의 열교환매체통로(25a)를 포함한다. 이 열교환 매체 통로(25a)는 진공챔버의 외주면에 각형의 찬넬부재(25b)가 부착되어 형성된다. 그리고 찬넬부재(25b)가 부착되어 형성된 열교환매체통로(25a)에는 도면에 도시되어 있지 않으나 소정의 온도를 가진 열교환 매체를 공급하기 위한 펌프와 접속된다. 상기 열교환매체 통로는 열교환 매체의 귀환 탱크와 접속되어 있다. 그리고 상기 진공챔버(20)의 외주면에는 외기와의 단열을 위한 단열재(26)가 더 구비된다.

상기 블록(30)은 진공챔버의 내부에 설치되며 후술하는 승강수단에 의해 승강가능하게 설치되는 것으로, 상면 가장자리에 단차진 환형의 지지턱(31)이 상면으로부터 돌출되도록 형성되어 박막을 증착하기 위한 웨이퍼의 가장자리가 지지되며, 외곽에 위치한 지지턱(31)은 블록(30)의 중앙부를 중심으로 하여 테이퍼져 있다. 상기 지지턱의 높이(H)는 웨이퍼(100)을 복사열에 의해 균일하게 가열할 수 있도록블록(30)의 상면으로부터 1 내지 2mm의 높이로 형성함이 바람직하다. 그리고 상기 블록(30)의 내부에는 상기 블록의 상면에 안착되는 웨이퍼(100)를 가열하기 위한 가열수단(40)이 설치되는데, 상기 가열수단은 전열히이터가 이용되는데, 이 전열히이터로부터 발생된 열을 확산시키기 위한 열전도판을 더 구비한다. 그리고 상기 진공챔버(20)의 외부에는 도면에 도시되어 있지 않으나 진공챔버(20)내의 불순물입자를 효과적으로 방출하기 위한 불순물방출용 히이터가 더 구비된다.

상기와 같이 구성된 블록(30)의 주위에는 웨이퍼(100) 이외의 부분에 불필요한 증착을 방지하기 위하여 쉴드(shild;도시되지 않음)를 설치함이 바람직하다.

그리고 상기 승강수단은 상기 진공챔버(20)의 내부에 설치된 블록(30)을 승강시키는 것으로, 진공챔버(20)의 바닥면을 관통하여 승강가능하게 설치되며 블록이 결합되는 승강부재(71)과, 상기 진공챔버(20)의 외측 하면으로 돌출된 승강부재(71)는 진공챔버(20)의 하면에 설치된 액튜에이터(72)와 접속되어 승강된다. 상기 액튜에이터는 통상적으로 실린더 또는 볼스크류를 사용함이 바람직하다. 상기 승강수단(30)은 블록(30)에 대해 웨이퍼(100)를 승강시키는 웨이퍼 승강부(75)를 더 구비하는데, 상기 웨이퍼 승강부(75)은 상기 블록(30)을 관통하거나 블록(30)의 지지대 가장자리에 형성된 관통공(75a)에 삽입되는 지지핀(75b)과, 상기 지지핀(75b)을 지지하며 진공챔버(20)에 지지되는 고정부재(75c)를 포함한다.

상기 노즐부(50)는 진공챔버(20)의 상단에 설치되어 진공챔버(20)의 내부에 증기상태의 금속유기물과 이송가스를 공급하기 위한 것으로, 일 실시예를 도 5도에 나타내 보였다.

도시된 바와 같이 다수의 분출공(51)이 형성된 분사부(52)와 이 분사부(52)로부터 상방으로 연장되는 연장부(53)과, 상기 연장부(53)의 가장자리로부터 반경방향으로 연장되는 플랜지부(54)를 포함하는 방출부재(55)와, 상기 방출부재(55)의 내부에 설치되는 확산판(56)과, 상기 방출부재의 플랜지부와 결합되며 가스 공급관(57a)이 설치된 커버부재(57)을 포함한다.

상기 분사부(52)에 형성된 분출공(51)은 상면으로부터 대직경부(51a)와 이 대직경부(51a)와 연결되는 소직경부(51b)와, 상기 대직경부(51a)와 소직경부(51b)의 사이에 형성되는 경사부(51c)을 포함한다. 이 경사부의 각도는 30 도 내지 45도로 형성되고, 대직경부와 소직경부의 길이비는 1:1 또는 1.5:1로 형성함이 바람직하다.

상기 확산판(56)는 판상의 몸체(56a)에 다수개의 구멍(56b)이 형성되어 이루어진다. 상기 몸체(56)에 형성된 구멍의 형성밀도는 금속유기 증착물질의 특성에 따라 변경될 수 있으나 몸체의 중앙부로부터 가장자리로 갈수록 높게 형성함이 바람직하며 상기 전체 구멍의 형성면적을 확산판 면적의 20 내지 30%로 형성함이 바람직하다. 그리고 상기 방출부재(55)에 대한 확산판(56)의 설치는 연장부(53)의 내면에 걸림돌기(53a)가 형성되고, 이 걸림돌기(53a)에 확산판(56)의 가장자리가 지지되어 이루어진다. 또한 상기 구멍의 직경은 방출부재(55)에 형성된 분출공(51)의 직경보다 3 내지 5배 크게 형성함이 바람직하다. 여기에서 상기 구멍(56b)의 직경은 금속유기물질의 점성에 따라 약 2mm 내지 5mm로 형성함이 바람직하며, 상기 방출부재의 분사부(52)에 형성된 분사공(51)의 전체형성면적은 분사부(52) 면적의3 내지 5%가 되도록 형성함이 바람직하다.

상술한 바와 같이 구성된 방출부재(55)와 확산판의 재질은 알루미늄을 사용함이 바람직하며, 박막 증착을 위해 에칭 또는 부식기체를 사용하는 경우에는 아노다이징(anodizing) 처리된 알루미늄 합금을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 노즐부 주위에는 도면에 도시되어 있지 않으나 진공챔버의 증착공간을 줄이기 위하여 금속 또는 세리막으로 이루어진 쉴드를 설치함이 바람직하다.

상기 노즐부(50)의 공급관(57a)에 증기상태의 금속유기 증착물질과 이송기와 이송기체가 혼합된 증착기체를 공급하는 가스 공급수단(60)은 도 6에 도시된 바와 같이 증착기체를 공급하는 공급부(61)과, 이 공급부(61)와 상기 노줄부(50)의 공급관(57a)를 연결하는 제1연결관(62)와, 상기 제1연결관(62)로부터 분기되어 진공펌프와 연결된 분기관(63)과, 상기 제1연결관(62)와 분기관(63)에 각각 설치되는 제1,2밸브(64)(65)를 포함한다.

상기 배기수단(80)은 진공챔버(20) 내부의 이송기체와 증착이 이루어지지 않은 금속유기 증착물질을 배기하기 위한 것으로, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이 진공챔버(20)의 내부에 설치된 블록의 중심 또는 진공챔버의 중심을 기준으로 하여 진공챔버(20)의 하면에 대칭적으로 형성된 적어도 한쌍의 배기구(81)와 이 배기구(81)과 접속되며 진공챔버의 하부로 연징되는 배기관(82)와 이 배기관(82)과 접속되는 진공펌프(83)을 포함한다. 상기 배기구(81)는 진공챔버(20)의 하면에 블록의 중심을 기준으로 하여 일정간격으로 형성된다. 그리고 상기 진공펌프(83)와 배기구(81)를 연결하는 각 연결관(82)의 길이는 동일하게 형성함이 바람직하다.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 박막 증착장치의 작용을 상세하게 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따른 박막증착장치를 이용하여 박판부재인 웨이퍼(100)에 박막을 형성하기 위해서는 먼저 도면에는 도시되어 있지 않으나 별도의 로봇트 아암을 이용하여 블록(30)을 하강시켜 지지핀(75b)이 블록의 상면으로 돌출된 상태에서 블록(30)의 주위에 설치된 지지핀(75b)에 웨이퍼(100)를 올려 놓는다. 이 상태에서 승강수단에 의해 상기 블록(30)을 상승시켜 웨이퍼(100)가 블록(30)의 상면에 안착되도록 한다. 이때에 상기 블록(30)에 안착되는 웨이퍼(100)는 블록(30)의 가장자리에 형성된 지지턱(31)에 웨이퍼(100)의 가장지리가 지지되어 블록(30)의 상면과 웨이퍼(100)의 하면이 1 내지 2mm를 유지하게 된다.

이 상태에서 가스공급수단(60)의 공급부(61)로부터 금속유기물질의 증기가스와 이송가스가 혼합된 증착가스를 노즐부(50)의 공급관을 통하여 공급하게 된다. 이 과정에서 상기 증착가스의 공급은 소정의 압력에 도달할 때까지 제1밸브(64)를 닫고 제2밸브(65)를 열어 분기관(63)을 통하여 진공펌프로 배출된다. 상기 열결관을 통하여 공급되는 압력이 설정된 압력에 도달되면 상기 제2밸브(65)를 잠그고 제1밸브(64)를 열어 증착기체가 노즐부(50)로 공급되도록 한다.

상기와 같이 노즐부(50)로 공급된 증착기체는 확산판(56)에 의해 수평방향으로 확산됨과 아울러 구멍(56b)들을 통하여 분사부(52)의 상부로 공급된다. 이때에 상기 확산판(56)에는 다수의 구멍들이 중앙부 즉, 공급관과 대응되는 중앙부로부터 가장자리로 갈수록 조밀하게 형성되어 있으므로 분사부 측으로 균일한게 공급할 수 있을 뿐만아니라 금속유기물질의 증기와 이송기체를 혼합할 수있다. 상기와 같이 분사부(52) 측으로 공급된 증착기체는 대직경부와 소직경부로 단차진 분출공(51)을 통하여 웨이퍼(100)의 상부로 공급된다. 이때에 상기 웨이퍼(100)은 블록(30)에 설치된 가열수단에 의해 충분히 가열된 상태이다.

상기와 같이 공급된 증착기체는 가열수단에 의해 금속유기물질의 증기와 이송기체가 분리되어 금속유기물질이 웨이퍼(100)의 상면에 증착된다. 상기와 같이 증착되는 과정에서 상기 블록(30)의 주위에는 쉴드가 설치되어 있으므로 웨이퍼 이외의 진공챔버 내부가 증착되는 것을 방지할 수 있다. 또한 금속유기물질의 형태에 따라 진공챔버 외주면에 설치된 냉각 또는 가열수단에 의해 진공챔버 내부로 유입된 증착기체가 웨이퍼 및 히터 블록을 제외한 챔버 내부에 증착되는 것을 억제 시킬 수 있으며, 실제로 알루미늄의 경우는 냉각시키는 것이 용이하며 구리, 주석 등은 히팅시키는 것이 용이하다.

상기 진공챔버의 외주면에는 찬넬부재(25b; 12 내지 15mm )가 설치되어 열교환 매체 통로(25a)가 형성되어 있으므로 상기 열교환 매체 통로(25a)로 물의 유입을 통하여 상온 이하의 온도를 유지하며, 가열의 경우에는 200도시 까지 가열이 가능한 오일을 사용하여 상기 열교환 매체 통로에 공급함으로서 진공챔버를 가열하게 된다. 이때 진공챔버 외주면의 온도는 오일의 온도와 진공챔버의 외주면에 설치되는 온도 센서에 의해 결정되도록 함이 바람직하다.

상기 증착이 이루어진 과정에서 증착되지 못한 금속유기물질 증기와 이송기체는 배기수단(80)에 의해 배기되는데, 상기 배기구는 블록(30)의 중심을 기준으로하여 대칭으로 배기구(81)가 형성되고, 상기 배기구(81와 진공펌프(83)는 길이가 동일한 한 배기관에 의해 연결되어 있으므로 각 부위에서 균일한 배기압력으로 가스를 배출할 수 있다.

상술한 바와 같이 증착과 배기가 이루어지는 과정에서 상기 진공챔버(20)의 외주면에 형성된 가열 및 냉각수단의 열교환 매체통로로 가열되거나 냉각된 열교환 매체를 공급하여 진공챔버 내부의 온도를 증착과 배기의 최적상태로 유지한다.

상술한 바와 같이 박판부재인 웨이퍼에 증착막을 형성하기 위한 증착장치는 다음과 같은 효과를 갖는다.

첫째; 웨이퍼가 블록의 지지턱에 의해 지지되어 블록의 상면으로부터 이격되도록 설치되어 있으므로 복사열에 의해 웨이퍼를 균일한 온도로 가열할 수 있다.

둘째; 증착기체를 분사하는 노즐부가 소정의 패턴과 밀도로 형성된 구멍이 형성된 확산판과, 단차진 관통공이 형성된 방출부재로 이루어져 있으므로 웨이퍼의 상부에 균일한 압력으로 가스를 분사할 수 있다.

셋째; 배기구와 블록을 중심으로 대칭적으로 형성되고 이와 진공펌프를 연결하는 배기관이 동일한 길이로 형성되어 있으므로 진공챔버 내부의 배기를 원활하게 수행할 수 있으며, 각 부위에서의 배기압력을 일정하게 할 수 있다.

넷째; 공급수단으로부터 증착기체가 소정의 압력에 도달할 때까지 진공펌프 방향으로 기체를 유입시키키고 진공챔버 내부는 다른 기체공급라인을 통하여 증착기체를 이용하기 위한 이송기체(불활성기체)를 사용하여 진공챔버 내부로의 가스압력을 일정한 상태에서 증착기체가 소정의 압력에 도달하게 되면 실체 증착기체가 공급되게 할 수 있다.

다섯째; 웨이퍼와 기체 공급부의 거리를 소정의 간격으로 제어할 수 있으며, 이송시에 웨이퍼를 가열하는 히터 블록이 동시에 이송되므로 웨이퍼의 온도 편차가 없으며 이에 따라 안정된 공정이 가능하도록 구성되어 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 박막 제조방법 및 그 장치는 상술한 실시예에 의해 한정되지 않고 본원 발명에 기술적 범위내에서 당업자에 의해 변형가능함은 물론이다.

Claims (10)

1. 진공챔버와, 이 진공챔버의 내부에 설치되어 블록과, 상기 블록에 설치되는 가열수단과, 상기 블록 상부의 챔버에 설치되어 금속유기물질과 가스를 공급하기 위한 노즐부와, 이 노즐부에 가스를 공급하기 위한 가스 공급수단과,

   상기 노즐부와 웨이퍼의 사이를 조정하기 위하여 블록을 승강시키는 승강수단과,

   상기 챔버에 블록의 중심을 기준으로 하여 대칭으로 형성된 적어도 두 개의 배출구를 포함하는 배기수단과,

   상기 진공챔버의 외주면에 가열 및 냉각수단이 설치된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 가열 및 냉각수단이 진공챔버의 외주면에 설치되어 열교환 매체 통로를 형성하는 찬넬을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 진공챔버의 외주면에 단열재가 설치된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 노즐부는

   다수의 분출공이 형성된 분사부와 이 분사부로부터 상방으로 연장되는 연장부와, 상기 연장부의 가장자리로부터 반경방향으로 연장되는 플랜지부를 가지는 방출부재와;

   상기 방출부재의 내부에 설치되는 확산판과; 상기 방출부재의 플랜지부와 결합되며 가스 공급관이 설치된 커버부재;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.
5. 제4항에 있어서, 분출공은 분사부의 상면으로부터 형성되는 대직경부와 이 대직경부와 연결되는 소직경부와, 상기 대직경부와 소직경부의 사이에 형성되는 경사부을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.
6. 제4항에 있어서, 상기 방출부재와 확산판의 재질이 알루미늄으로 이루어진것을 특징으로 하는 박막 증착장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 블록의 상면 가장자리에 단차진 지지부가 형성되 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.
8. 제1항에 있어서, 상기 가스공급수단은 증착가스와 이송가스는 공급하는 공급부와, 상기 공급부와 노즐을 연결하는 열결관과, 상기 연결관과 진공펌프를 연결하는 분기관, 상기 연결관과 분기관에 각각 설치되는 밸브를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.
9. 상기 제1항에 있어서, 상기 진공챔버의 하면에 형성된 배출구와 상기 각 배출구와 접속되며 진공펌프와 연결된 배기관을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.
10. 제 9항에 있어서, 상기 각 배기관의 길이가 배출구와 진공펌프를 연결하는 배기관의 길이가 동일하게 형성된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.